JFET 1.

- Para el circuito de la figura determine el punto de operacin del transistor

R1 R1
390k 2.2k

Q1
2N3905
B=100

R1
10k

BAT1
18V

2.-Encontrar todos los voltajes y corrientes del siguiente circuito:

22.5v

R1 R1
90k 5.6k

C2 C1
1nF 1nF

Q1
2N3904

R1
2.2k

BAT1
Vin

R1
10k

R1
1k

22.5v

R1
5.6k

R1
90k

Q1
2N3904

BAT1
Vth

R1
1k

IGBT

EJERCICIOS
EJERCICIO 1 Un IGBT est conmutado a 15KHz con un ciclo de trabajo D=0,5. El circuito de puerta tiene y se alimenta en conduccin u en corte a las tensiones y ,

respectivamente. El circuito de potencia se alimenta a . Caractersticas del IGBT: Resistencia trmica de contacto cpsula-disipador: Resistencia trmica unin-cpsula Caractersticas en conduccin para , Energa de prdida en conmutacin, siendo . . .

y la resistencia de carga es

, , ,

. ,

Calcular: 1) Potencia disipada durante el estado de conduccin. 2) Potencia disipada en el proceso de conmutacin. 3) Resistencia trmica del disipador necesario para garantizar cuando la temperatura ambiente es de 4 . 4) En las condiciones del apartado 3), calcular la temperatura de la cpsula en la parte donde se realiza el contacto trmico con el dispositivo. RESOLUCIN 1)

2) 3) ( )

4)

EJERCICIO 2 Se tiene un puente H alimentado con 24V atacado con sus correspondientes IR2110 cuya tensin es de 12V. La frecuencia de trabajo es de 100 KHz y la seal es bipolar. - Hallar el valor de t1 (ciclo de actividad = t1/T) tal que el valor medio de la tensin de salida sea de 12V. - Dibujar la etapa de potencia completa. - Dibujar las formas de onda de tensin de los 4 gate e indicar su valor pico. - Dibujar la tensin sobre la carga. - Si cada Igbt soporta una tensin mxima de bloqueo de 600V y una tensin mxima en inversa de -5V indicar cul es la tensin mxima con que se puede alimentar al puente.

Despreciando la VCE(on), la tensin Vd mx. es de aprximadamente 600v

El interruptor IGBT del convertidor reductor de la figura 3.20.1 se controla con un circuito de gobierno que le aplica para que conduzca y tensin para apagarlo. La resistencia de puerta, , tiene una influencia muy importante sobre la conmutacin del IGBT y se requiere disear de forma que se reduzcan las prdidas de conmutacin. Sabiendo que la tensin de entrada del convertidor reductor demanda una corriente y que IGBT conmuta a 25KHz, se pide: , que la carga

1) Calcular la mnima resistencia de puerta, , que evita el autodisparo del semiconductor durante el apagado. 2) Calcular las prdidas de conmutacin de encendido y apagado para la resistencia calculada en el apartado anterior. 3) Para reducir las prdidas de conmutacin en el encendido, se modifica el circuito de gobierno, tal como indica la figura 3.20.2. Determinar el valor de la resistencia de puerta para el encendido, , as como las nuevas prdidas de conmutacin.

RESOLUCIN 1)

2) ( ( ) ) ( )

( 3)