DIODO TUNEL INTRODUCCIN En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductoresobtenidos con un grado de contaminacin

del material bsico mucho mas elevado que lohabitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente comienzapor aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valormximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando latensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar unmnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimientode la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez mas rpido hasta llegar adestruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este comportamiento particular de losdiodos muy contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel, del que nonos ocuparemos aqu debido a su complejidad. Para las aplicaciones prcticas del diodotnel, la parte mas interesante de su curva caracterstica es la comprendida entre la cresta yel valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensin aplicada corresponde unadisminucin de la corriente; en otros trminos, la relacin entre un incremento de la tensiny el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una resistencia incremental negativa. Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas quese producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de ciertaresistencia en el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valornumrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En tal caso elcircuito oscilante se transforma en un oscilador. EFECTO TUNEL El efecto tnel es un fenmeno nanoscpico por el que una partcula viola los principios de la mecnica penetrando una barrera potencial o impedancia mayor quela energa cintica de la propia partcula. Una barrera, en trminos cunticos aplicados al efecto tnel, se trata de una cualidad del estado de la materia anlogo a una colina" o pendiente clsica, compuesta por crestas y flancos alternos, que sugiere que el camino ms corto de un mvil entre dos o ms flancos debe atravesar su correspondiente cresta intermedia si dicho objeto no dispone de energa suficiente como para imponerse con la salvedad de atravesarlo escala cuntica, los objetos exhiben un comportamiento en la teora cuntica, un cuanto movindose en direccin a una "colina" potencialmente energtica puede ser descrito por su funcin que representa la amplitud probable que tiene la partcula de ser encontrada en la posicin allende la estructura de la curva. Si esta funcin describe la posicin de la partcula perteneciente al flanco adyacente al que supuso su punto de partida, existe cierta probabilidad de que se haya desplazado "a travs" de la estructura, en vez de superarla por la ruta convencional que atraviesa la cima energtica relativa. A esto se conoce como efecto tnel. SMBOLO DEL DIODO TUNEL DESCRIPCIN DEL DIODO TUNEL

El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo(amplificador /oscilador). Una caracterstica importante del diodo tneles su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.

Si durante su construccin a un diodo invertido se le aumenta el nivel de dopado, se puede lograr que su punto de ruptura ocurra muy cerca de los 0V. Los diodos construidos de esta manera, se conocen como diodos tnel. Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es, si aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una disminucin de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales pueden generar una seal senoidal a partir de la energa que entrega la fuente de alimentacin. Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky. El diodo Tunnel se comporta de una manera muy interesante conforme se le va aumentando una tensin aplicada en sentido directo. CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO TUNEL Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunnel empieza a conducir (la corriente empieza a fluir). Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del cual la corriente disminuye. La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" y despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar aumentando conforme aumenta la tensin.

Este comportamiento de la corriente en funcin de la tensin en el diodo tunnel se puede ver en el siguiente grfico.. Vp: Tensin pico Vv: Tensin de valle Ip: Corriente pico Iv: Corriente de valle

La regin en el grfico en que la corriente disminuye cuando la tensin aumenta (entre Vp y Vv) se llama "zona de resistencia negativa" Los diodos tunnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky. OTROS PUNTOS Presenta una zona de resistencia negativa. No hay procesos de alimentacin, por lo tanto es til en aplicaciones de altavelocidad. Diodo Unitnel o Backward: cada de tensin en el diodo muy baja.

APLICACIONES Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa. As estos diodos slo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia

DIODO VARICAP INTRODUCCIN El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500pF.La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V. SMBOLO DEL DIODO VARICAP

DESCRIPCIN Es un dispositivo semiconductor que puede controlar su valor de capacidad en trminos de la tensin aplicada en polarizacin inversa. Esto es, cuando el diodo se polariza inversamente no circula corriente elctrica a travs de la unin; la zona de deflexin acta como el dielctrico de un capacitor y las secciones de semiconductor P y N del diodo hacen las veces de las placas de un capacitor. La capacidad que alcanza el capacitor que se forma, es del orden de los picos o el nanofaradios. Cuando vara la tensin de polarizacin inversa aplicada al diodo, aumenta o disminuye de igual forma la zona sea digital o analgica. Las aplicaciones de los varicap son la mayora de las veces en circuitos de deflexin. En un diodo, esto equivale a acercar o alejar las placas de un capacitor Debido a la recombinacin de los portadores en el diodo, una zona de agotamiento se forma en la juntura.

Esta zona de agotamiento acta como un dielctrico (aislante), ya que no hay ninguna carga y flujo de corriente.

Las reas exteriores a la zona de agotamientos tienen portadores de carga (rea semiconductor).Se puede visualizar sin dificultad la formacin de un capacitor en el diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante).

La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la tensin inversa aplicada al diodo con una fuente externa.

Esto causa que se aumente la separacin (aislante) y separa ms las reas semiconductoras. Este ltimo disminuye la capacitancia. OTROS PUNTOS La capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo. Si la tensin aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta

APLICACIONES La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje(oscilador controlado por tensin).En tecnologa de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la tensin en el diodo, su capacidad vara, modificando la impedancia que presenta y des-adaptando el circuito, de modo que refleja la potencia incidente.

http://es.scribd.com/doc/27085434/diodo-zener-varicap-y-Tunel