Ampli 0506

Microondas
Tema 4: Amplificadores de microondas con transistores
Pablo Luis Lpez Esp
Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de los parmetros S de un transistor. Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. Estudio de la estabilidad. Circunferencias de estabilidad. Factor de Rollet. Amplificador incondicionalmente estable. Amplificador condicionalmente estable. Diseos ptimos en ganancia. Adaptacin conjugada simultanea.
Mxima ganancia disponible, MAG. Mxima ganancia estable, MSG. Ganancia en potencia. Circunferencias de ganancia en potencia. Ganancia disponible. Circunferencias de ganancia disponible.
Amplificadores con una puerta desadaptada.

Diseos ptimos en ruido. Figura de ruido mnima. Circunferencias de figura de ruido. Aproximacin unilateral.
Microondas ITT-ST Tema 4
Estudio de los parmetros S de un transistor

Un transistor con un terminal comn puede caracterizarse mediante
una matriz de dimensin 2x2
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Tema 4
Estudio de los parmetros S de un transistor (II)

Cul es el significado fsico de estos parmetros? S11 y S22 son los coeficientes de reflexin a la entrada y la salida si se carga con la impedancia de referencia. Pueden representarse sobre la carta de Smith! S12 y S21 son las ganancias de transferencia en sentido directo e inverso Pueden representarse sobre una carta polar o sus mdulos sobre ejes cartesianos! TODOS ELLOS DEPENDIENTES DEL PUNTO DE POLARIZACIN Y LA FRECUENCIA!
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Tema 4
Estudio de los parmetros S de un transistor (III)

Representacin de los parmetros S del BFR93, Vce = 5 V, Ic = 30 mA, f = 0,2 1 Ghz
S11 y S22
Estudio de los parmetros S de un transistor (IV)

Representacin de los parmetros S del BFR93, Vce = 5 V, Ic = 30 mA, f = 0,2 1 Ghz
S12 y S21
Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa

Disear un amplificador consiste en encontrar los valores de las
impedancias ptimas a colocar a su entrada y salida para maximizar su ganancia de transferencia o minimizar su figura de ruido
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Tema 4
Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa (II)

Circuito equivalente:
IN = S11 +
S12 S 21 L 1 S 22 L S12 S 21 G 1 S11 G
OUT = S 22 +
GT =
1 G 1 L PL 2 = S 21 PDG 1 G S11 2 1 OUT L

2 2
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Tema 4
Estudio de la estabilidad
Se pretenden detectar las situaciones en las que el amplificador
se convierte en un oscilador, es decir, EXISTE SEAL EN AUSENCIA DE EXCITACIN
i=
V 0 = 0 Z 0
Z G + Z IN = 0
RG = RIN X G = X IN
Tema 4
UNA DE LAS DOS PRESENTA IMPEDANCIA CON PARTE REAL NEGATIVA!

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Estudio de la estabilidad (II)

Para que no exista oscilacin la impedancia de entrada debe
tener parte real siempre positiva.
IN
S12 S21 L = S11 + <1 1 S22 L S12 S21G <1 1 S11G
OUT = S22 +
Una vez elegido el transistor y su punto de polarizacin, la
estabilidad de una puerta solo depende de la carga de la otra. Hay que detectar los valores de coeficiente de reflexin en la carga que hacen el coeficiente de reflexin a la entrada mayor o igual que uno!
Estudio de la estabilidad (III)

Si para cualesquiera valores de L y G correspondientes a
cargas pasivas, los valores de los mdulos in y out son menores que la unidad, entonces se dice que el transistor es INCONDICIONALMENTE ESTABLE.
En caso contrario, se dice que el transistor es
CONDICIONALMENTE ESTABLE.
10
Microondas ITT-ST
Tema 4
Circunferencias de estabilidad
Para la puerta de entrada, se trata de resolver:
S12 S 21 L =1 S11 + 1 S 22 L
La ecuacin anterior representa una circunferencia de centro y
radio dados por:
CL
S ( =
22
S
2
* * 11 2
11
S22
; rL =
S12 S21 S22

2 2
Las soluciones son los valores de L que hacen Zin = 0 + jX

Circunferencias de estabilidad (II)

Anlogamente, considerando la salida del transistor
S12 S 21 G S 22 + =1 1 S11 G
La ecuacin anterior representa una circunferencia de centro y
radio dados por:
CG
S ( =
11
S22
2
* * 2
12
S11
; rG =
S12 S21 S11

2 2
Las soluciones son los valores de g que hacen Zout = 0 + jX

Circunferencias de estabilidad (III)

Consideremos un transistor caracterizado por la siguiente
matriz S:
S Z0
0.770-166 = 6.1189
0.02935 0.365-34
Los valores de los centros y radios de los crculos de estabilidad
son:
CG = 1.28169 rG = 0.314
Microondas ITT-ST
CL = 2.62151.2 rL = 1.713
Tema 4
13
Circunferencias de estabilidad (IV)

Estabilidad a la entrada
14
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Tema 4
Circunferencias de estabilidad (V)

Estabilidad a la salida
15
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Tema 4
Circunferencias de estabilidad (VI)

El crculo delimita las regiones que hacen el coeficiente de
reflexin mayor o menor que uno. Para determinar cual regin corresponde a cada caso es necesario probar valores:
Z G = 0,1 j G = 0,98 + j 0,198 OUT = 1,150,87 Z G = 1 G = 0 OUT = S 22 = 0,36534 Z L = 2 j L = 0, 6 + j 0,8 IN = 1, 03167,67 Z L = 1 L = 0 IN = S11 = 0, 770166
Regla prctica: Si los mdulos de los parmetros S11 y S22 son
16
menores que la unidad los centros de las cartas de Smith de salida y entrada respectivamente pertenecen a la regin estable
Tema 4
Microondas ITT-ST
Factor de Rollet
El factor de ROLLET Permite valorar numricamente si un
transistor es incondicionalmente o condicionalmente estable. El transistor es incondicionalmente estable si se cumple que:
K >1 <1
1 S11 S 22 + K= 2 S12 S 21
2 2
Otra posibilidad es emplear el factor de Edwards-Sinsky para
medir la estabilidad. La estabilidad del transistor es mayor cuanto mayor sea el valor de .
17
=
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1 S11
* 11
S22 S + S12 S 21
>1
Tema 4
Amplificador incondicionalmente estable.

Si el transistor es incondicionalmente estable, es posible la
adaptacin conjugada simultnea:
L = * OUT = ML G = * IN = MG
Se obtiene en este caso la mxima ganancia disponible, MAG.
18
GTadaptacion
conjugada simul tan ea
S21 = MAG = K K2 1 S12
)
Tema 4
Microondas ITT-ST
Amplificador condicionalmente estable

En los diseos en los que no es posible conseguir la MAG (K<1)
se fija una cota de seguridad en el clculo de la ganancia llamada Mxima Ganancia Estable, MSG. Es el lmite de la MAG cuando el factor de Rollet es igual a 1.
MSG =
S 21 S12
19
Microondas ITT-ST
Tema 4


20
Adaptacin conjugada simultnea

Para lograr la adaptacin conjugada simultnea es condicin
suficiente:
K >1
G = MG = IN
ML = L = OUT
GT = MAG
21
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Tema 4
Adaptacin conjugada simultnea (II)

Coeficientes de reflexin que adaptan conjugadamente de
manera simultnea
2 BG BG 4 AG 2
MG =
2 AG
G ' = G ''
AG = S11 S22
BG = 1 S11 + + S22
2 2
)
2
22
ML =
BL B 4 AL
2 L
2 AL
L ' = L ''
AL = S22 S11
BL = 1 S22 + + S11
2 2
)
2
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Tema 4
Amplificadores con una puerta desadaptada

Por razones de estabilidad, o por objetivos de diseo, puede ser
necesario o deseable desadaptar alguna de las puertas del transistor. En estos casos, las impedancias hacia el generador o la carga son diferentes de las impedancias que adaptan conjugadamente la entrada y la salida. En temas anteriores estudiamos la ganancia en potencia y la ganancia disponible.
1 G PDL 1 2 = GD = S21 PDG 1 S11G 1 OUT

2
= f ( G )
23
PL 1 = GP = PIN 1 IN
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S21
1 L = f (L ) 1 S22 L
2
Tema 4
Circunferencias de ganancia disponible

Si se deja desadaptada la puerta de salida y se adapta la puerta de
entrada, la ganancia de transferencia coincide con la ganancia en potencia. Los valores de coeficiente de reflexin que consiguen una misma cantidad de ganancia disponible se encuentran situados en una circunferencia sobre la carta de Smith.
CD =
2 D
gd C 1 + gd D1
2
* 1
gd =
GD S21
2
24
r CD =
1 gd 1 S22 1 + gd D1
* C1 = S11 S22
D1 = S11
2
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Tema 4
Circunferencias de ganancia disponible (II)

Consideremos el transistor condicionalmente estable visto con
anterioridad:
0.770-166 S Z0 = 6.1189
La MSG del transistor es:
0.02935 0.365-34
S21 MSG = = 210,69 23, 24dB S12

CDG = MSG 2 dB = 0,854169,023 rDG = MSG 2 dB = 0,187
Tema 4
Algunos valores de los centros y radios de los crculos de
estabilidad son:
25
CDG = MSG = 0,974169,023 rDG = MSG = 0,128
Microondas ITT-ST
Circunferencias de ganancia disponible (III)
Estabilidad
MSG MSG 2 dB MSG 5 dB MSG 10 dB MSG 15 dB

26
Circunferencias de ganancia en potencia

Si se deja desadaptada la puerta de entrada y se adapta la puerta de
salida, la ganancia de transferencia coincide con la ganancia en potencia. Los valores de coeficiente de reflexin que consiguen una misma cantidad de ganancia en potencia se encuentran situados en una circunferencia sobre la carta de Smith.
* g p C2
CP =
1 + g p D2
2
gp =
GP S21
2
27
r CP =
2 P
1 gp 1 S 1 + g p D2
2 11
* C2 = S22 S11
D2 = S22
2
Microondas ITT-ST
Tema 4
Circunferencias de ganancia en potencia (II)

Consideremos el transistor condicionalmente estable visto con
anterioridad:
0.770-166 S Z0 = 6.1189
La MSG del transistor es:
0.02935 0.365-34
S21 MSG = = 210,69 23, 24dB S12

CPG = MSG 2 dB = 0,70651,20 rPG = MSG 2 dB = 0,411
Tema 4
Algunos valores de los centros y radios de los crculos de
estabilidad son:
28
CPG = MSG = 0,96651,20 rDG = MSG = 0,338
Microondas ITT-ST
Circunferencias de ganancia en potencia (III)
Estabilidad MSG MSG 2 dB MSG 5 dB MSG 10 dB MSG 15 dB

29


30
Amplificadores de figura de ruido mnima

La figura de ruido que presenta un amplificador solo depende
de las condiciones de adaptacin a la entrada del transistor.
F = Fmin +
(1 ) 1 +
2 G
4rn G opt
2 2 opt
rn =
Rn Z0
Los parmetros de ruido del transistor son Fmin, opt y Rn. Sus
31
valores varan con la frecuencia y el punto de polarizacin. Puesto que, en general, opt y mg no coinciden, no es posible conseguir simultneamente mxima ganancia y mnima figura de ruido.
Circunferencias de figura de ruido constante

Los valores de coeficiente de reflexin hacia el generador que
dan lugar a igual figura de ruido estn situados sobre una circunferencia en la carta de Smith del plano de entrada. Se define N como:
N=
G opt 1 G
2
F Fmin = 1 + opt 4rn
El centro y radio de los crculos es:
32
1 rN = 1+ N
Microondas ITT-ST
N + N 1 + opt
2
CN =
opt
1+ N
Tema 4
Circunferencias de figura de ruido constante (II)
Fmin = 1dB opt = 0, 2150 Rn = 10

Fmin Fmin + 0,5 dB Fmin + 1,0 dB Fmin + 1,5 dB Fmin + 2,0 dB
33


34
Aproximacin unilateral
Un cuadripolo se dice unilateral cuando su parmetro S12 = 0 En este caso:
IN = S11 OUT = S 22
GTu =
(1 )
2 G
(1 S11G )
S 21
(1 )
2 L
(1 S22 L )
GTu = G1G0G2
35
Microondas ITT-ST
Tema 4
Aproximacin unilateral (II)

Diseo incondicionalmente estable:
S11 < 1; S 22 < 1

El valor mximo de ganancia Gtumx se obtiene mediante
adaptacin conjugada simultnea de entrada y salida
G = S11 L = S 22
* *
36
GTu max =
1 1 S11
2
S 21
1 1 S 22
Tema 4
Microondas ITT-ST
Aproximacin unilateral (III)

Los valores de G o L que provocan un mismo valor de
ganancia G1 o G2 estn situados en sendas circunferencias sobre la carta de Smith

* G1S11 * G2 S 22
C1 =
1 + G1 S11
C2 =
2
1 + G2 S 22
r1 =
1 G1 1 S11 1 + G1 S11
2
r2 =
1 G2 1 S 22 1 + G2 S 22
2
37
Microondas ITT-ST
Tema 4
Aproximacin unilateral (IV)

Diseo condicionalmente estable:
S11 > 1
condiciones:
S 22 > 1
1 L = S22
La oscilacin es posible cuando se cumple alguna de las siguientes
1 G = S11
Se debe elegir el coeficiente de reflexin de manera que su parte real
38
sea mayor que la del punto 1/Sii* Propiedad de la carta de Smith: La resistencia negativa asociada a un coeficiente de reflexin se puede calcular obteniendo el punto conjugado inverso, interpretando las circunferencias de resistencia como negativas y las de reactancia tal cual
Aproximacin unilateral (V)

Error cometido en la aproximacin unilateral
S12 S 21 L G X= (1 S11G )(1 S22 L )
GT 1 = GTu 1 X
1
2
1+ X
<
GT 1 < GTu 1 X
Para el caso de la ganancia mxima unilateral, se define el
factor de mrito unilateral, U:
39
U=
(1 S )(1 S )
2 2 11 22
S11S12 S 21S 22
1 1+ U
2
<
GT 1 < GTumax 1 U 2
Tema 4
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S12 S 21 L 1 S 22 L S12 S 21 G 1 S11 G

1 G 1 L PL 2 = S 21 PDG 1 G S11 2 1 OUT L

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se convierte en un oscilador, es decir, EXISTE SEAL EN AUSENCIA DE EXCITACIN

UNA DE LAS DOS PRESENTA IMPEDANCIA CON PARTE REAL NEGATIVA!

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tener parte real siempre positiva.

S12 S21 L = S11 + <1 1 S22 L S12 S21G <1 1 S11G

Una vez elegido el transistor y su punto de polarizacin, la

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radio dados por:

S12 S21 S22

Las soluciones son los valores de L que hacen Zin = 0 + jX

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radio dados por:

S12 S21 S11

Las soluciones son los valores de g que hacen Zout = 0 + jX

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Otra posibilidad es emplear el factor de Edwards-Sinsky para

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Se obtiene en este caso la mxima ganancia disponible, MAG.

S21 = MAG = K K2 1 S12

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