2 1 Transistores - Bipolares

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G. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------CAPITULO 2: TRANSISTORES Y AMPLIFICADORES (2-1, 2-2, 2-3, 2-4, 2-5) LOS TRANSISTORES SEMICONDUCTORES Se denominan transistores a los dispositivos semiconductores que utiliza la electronica moderna para diversos fines a saber: Amplificacin de seales elctricas analgicas, generacin de niveles de tensin para materializar las funciones lgicas que utiliza la electronica digital, Interruptor de corriente para controlar el flujo de potencia elctrica, en los sistemas desarrollados por la electronica de potencia , etc. En gral. Son dispositivos de tres conexiones o tres terminales. La caracterstica VI es mas compleja que los dispositivos de dos terminales que se pueden describir a travs de una sola ecuacin matemtica o grafica. Funcionalmente se distinguen tres pares diferentes de terminales o puertos; pero es posible describir totalmente un dispositivo de tres terminales, considerando solamente dos de sus tres pares de terminales definidos como Terminal de entrada o conexin al circuito de entrada y Terminal de salida o conexin al circuito de salida
I1 (A) Conexin al circuito de entrada (+) V1 (-)
TRANSISTOR
(B) I2 (+) V2 Conexin al circuito de salida
(C)
(-)
La caracterstica tensin - corriente de dos pares principales de terminales puede modificarse, actuando sobre el tercer Terminal. Por ejemplo, si variamos la tensin o corriente en el Terminal A, podemos modificar la relacin vi existente entre los terminales B y C. Esta caracterstica permite que los dispositivos de tres terminales conectados en circuitos adecuados, lleven a cabo una amplia variedad de funciones de procesamiento de seales, incluyendo la amplificacin, conmutacin y control. Para estos dispositivos la caracterstica VI se establece entre dos terminales, para distintos valores de corriente o tensin del tercer Terminal. i2 i14 i13 i12 i11
0
v2 Por ejemplo si el terminal (C) es el terminal comn a la conexin del circuito de entrada y salida, la grafica VI del dispositivo que se conectara al circuito de salida, sern distintas curvas en funcin de los valores de corriente o de tensin del par de terminales __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------que se conectaran al circuito de entrada. Para el caso de la grafica, vemos que la relacin v2-i2 es funcin de los valores que tome la corriente i1. Clasificacin de los transistores Clasificaremos a continuacin a los transistores segn construccin y forma de funcionamiento: Transistor de unin bipolar (BJT) Transistor de efecto de campo (FET) Transistor de induccin esttica (SIT) Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) Transistores de unin bipolar (BJT): Existen dos tipos, PNP y NPN; se utilizan para amplificar seales analgicas, tratamiento de seales digitales y como conmutador de potencia elctrica, en circuitos con componentes discretos e integrados. Transistores de efecto de campo (FET): Fundamentalmente tenemos dos tipos, los FET de juntura (JFET) y los FET de metal-oxido-semiconductor (MOS o MOSFET). Los transistores JFET pueden ser de canal n o de canal p; estos, se utilizan para amplificar seales de baja frecuencia y potencia (seales de audiofrecuencias). Los transistores MOSFET a su vez se los clasifica en MOSFET de empobrecimiento o deplexion, MOSFET de acumulacin o enriquecimiento y MESFET. Los MOSFET de empobrecimiento o deplexion pueden ser de canal n o canal p; estos tienen aplicaciones limitadas en amplificadores de radiofrecuencias de alta frecuencias en etapas de entrada, por su bajo nivel de ruido. Los MOSFET de enriquecimiento o acumulacin, se utilizan ampliamente en los sistemas digitales de alta densidad de integracin como las compuertas lgicas, memorias semiconductoras, microprocesadores, microcontroladores etc. Tambin se disponen de MOSFET de enriquecimiento como conmutador de alta potencia elctrica (ejemplo el VMOS). Los MESFET, son transistores de efecto de campo construidos con material semiconductor de arseniuro de galio (AsGa). Son de canal n y se los utiliza por su rapidez de conmutacin en circuitos de microondas, amplificadores de alta frecuencia y sistemas lgicos de alta velocidad. Transistores de induccin esttica (SIT): Son dispositivos de alta potencia y alta frecuencia. Son similares a los JFET, excepto por su construccin vertical y su compuerta enterrada. Se los utiliza en amplificadores de potencia lineal en audio, DHF, UHF y microondas. No se los utiliza como conmutador por la alta cada de tensin en sus terminales. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT): Se los utiliza fundamentalmente en circuitos de conmutacin de potencia elctrica por ejemplo en circuitos inversores de corriente continua a corriente alterna, y otras aplicaciones. Estos dispositivos, combinan las ventajas de los transistores BJT y MOSFET. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------EL TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR (BJT) Este semiconductor fue el primero que se construyo como elemento amplificador slido para su uso en los circuitos electrnicos, cumpliendo las funciones equivalentes de las vlvulas de vaco (trodo, tetrodo, pentodo) Es un dispositivo de tres terminales donde las caractersticas VI de los terminales que se conectan al circuito de salida, esta controlada por la corriente que circula en los terminales que se conectan al circuito de entrada. Esta formado por dos junturas semiconductoras de silicio, germanio o AsGa, constituyendo un transistor de juntura tipo NPN o de tipo PNP. Veamos su construccin fsica simplificada, la denominacin de sus terminales y sus smbolos. Transistor tipo PNP Emisor JE E P N Base JC P C E Colecto r Transistor tipo NPN Emisor JE N P Base JC N C Colecto r
E B
E B
E: Terminal denominado emisor B: Terminal denominado base C: Terminal denominado colector JE: juntura semiconductora emisorbase JC: juntura semiconductora Colectorbase
VEB: tensin emisor--base VCE: tensin colector--emisor VCB: tensin colector--base
Smbolo transistor PNP
Smbolo transistor NPN
__________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------La direccin de las corrientes como las polaridades de los terminales marcadas en el dibujo de los smbolos, corresponde a la configuracin comn , cuando los transistores trabajan en zona activa Configuraciones del transistor bipolar El transistor bipolar tiene tres configuraciones en lo que respecta a su conexin con los circuitos de entrada y salida: Base comn: la base es comn al circuito de entrada y salida. Emisor comn: el emisor es comn al circuito de entrada y salida. Colector comn: el colector es comn al circuito de entrad y salida. Cada una de estas configuraciones, definirn los parmetros elctricos que caracterizan a un amplificador electrnico. Entre los destacados, por ejemplo, podemos mencionar para un amplificador electrnico de seales elctricas, la impedancia de entrada, la impedancia de salida, la ganancia de tensin, la ganancia de corriente, la ganancia de potencia.
Ie Fuente De seal Amplificador Electrnico con transistor bipolar
Io
(+) Ve Pe (--)
(+) Vo Po (--)
Carga
Ze
Zo
Ze: impedancia de entrada que ve la fuente de seal Zo: impedancia de salida que ve la carga. Ganancia de tensin: se define como la relacin entre la tensin de salida sobre la carga y la tensin de entrada Av Vo / Ve Ganancia de corriente: Se define como la relacin entre la corriente que suministra el amplificador, a la carga, y la corriente de entrada provista por el generador de seal. Ai Io / Ie Ganancia de potencia: Se define como la relacin entre la potencia de salida del amplificador, hacia la carga, y la potencia de entrada suministrada por la fuente de seal. Ap Po / Pe. Con la intencin de tener una idea gral, detallaremos, en forma cualitativa, las caractersticas elctricas de las configuraciones del transistor bipolar. Configuracin base comn Impedancia de entrada: es baja, del orden de las decenas a centenas de Ohm Impedancia de salida: es alta, del orden de las centenas de K __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Ganancia de tensin: es alta; depende del tipo de transistor y elementos conectados. Ganancia de corriente: su valor es prximo a uno (1) Ganancia de potencia: tiene ganancia de potencia. Configuracin colector comn Impedancia de entrada: es muy alta, del orden de las centenas de K a los M Impedancia de salida: es muy baja del orden del Ohm Ganancia de tensin: Su valor es prximo a uno (1) Ganancia de corriente: es alta dependiendo del transistor y elementos conectados Ganancia de potencia: Tiene ganancia de potencia, Configuracin emisor comn Impedancia de entrada: es alta, pero menor que la de colector; del orden de los K Impedancia de salida: es alta del orden de las decenas de K Ganancia de tensin: es alta; depende del tipo de transistor Ganancia de corriente: es alta; depende del tipo de transistor Ganancia de potencia: tiene ganancia de potencia. Esta ultima configuracin, es una de la ms utilizada tanto en la electronica analgica como en la electronica digital. El transistor bipolar en circuito abierto Si no aplicamos tensin de polarizacin a las junturas JE y JC, se comporta en forma similar a dos junturas didicas, en el cual en cada juntura, por un mecanismo similar a un diodo, se genera una barrera de potencial Vo que hace que se establezca un equilibrio de corrientes entre portadores mayoritarios y minoritarios.
E B P Vo N P
E B N Vo P N
Barrera de potencial transistor PNP
Barrera de potencial transistor NPN
Polarizacin del transistor bipolar Tenemos tres formas de polarizar al transistor bipolar: a)- polarizacin en zona activa: La juntura de emisor (JE) se polariza directamente y la juntura de colector (JC) inversamente. Esta polarizacin permite utilizar al transistor como amplificador lineal de seales elctricas analgicas.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------b)- polarizacin en zona de corte: ambas junturas, JE y JC se polarizan inversamente. En esta zona, prcticamente no circula corriente por el transistor. c)- polarizacin en zona de saturacin: ambas junturas JE y JC se polarizan en forma directa. En esta zona el transistor conduce la mxima corriente que le permite el circuito con mnima cada de tensin en el circuito de salida. Por ejemplo, los transistores que se utilizan para los circuitos digitales, trabajan en la zona de corte y saturacin, alternativamente. Polarizacin del transistor bipolar en zona activa A los efectos de simplificar el anlisis del funcionamiento interno, consideraremos un transistor tipo PNP, en la configuracin base comn. Para polarizarlo en la zona activa, debemos polarizar la juntura de emisor (JE) en forma directa y la juntura de colector (JC) en forma inversa, como lo muestra el siguiente circuito:
VJE =(Vo-VEB)
VEB
VJC= (Vo+VCB)
VCB
Con esta polarizacin, la barrera de potencial decrece en JE y crece en JC. Vamos a suponer ahora que primero polarizamos JC; circulara entonces una corriente Ico debido a los portadores minoritarios, a cada lado de la juntura. (En transistores reales se denomina ICBo). Esta corriente ingresa por la base y sale por el colector. Ahora polarizamos directamente la juntura del emisor JE; circulara una corriente considerable debido a los portadores mayoritarios huecos del emisor y electrones de la base. Constructivamente, la zona fsica del emisor, esta fuertemente impurificada y la base, dbilmente impurificada y a su vez es fsicamente delgada. Por lo tanto la corriente del emisor IE esta compuesta mayoritariamente por los portadores mayoritarios huecos del emisor. Estos portadores, al ingresar a la base (en la base pasan a ser minoritarios), solamente transitan por ella, pasando directamente a la juntura del colector, dado que encuentran un campo elctrico favorable para que ello ocurra. Solamente algunos de estos portadores se recombinan con los portadores mayoritarios de la base (electrones). De esta manera la corriente del colector IC, esta compuesta por la corriente Ico y por la componente de corriente debido a los portadores mayoritarios del emisor que transitaron por la base y pasaron al colector. La corriente de la base esta compuesta por la corriente entrante Ico , la corriente saliente de portadores mayoritarios de la base (electrones) que pasan al emisor, y la corriente saliente de portadores mayoritarios que se recombinaron con los portadores minoritarios que ingresaron a la base. Considerando la convencin de asignar valores positivos a las corrientes entrantes y negativo, a las salientes, podemos decir entonces que para un transistor PNP la corriente __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------del emisor resulta entrante o sea positiva y las corrientes del colector y la base resultan salientes o sea negativas. En valores numricos, prcticamente la corriente del emisor es casi igual a la corriente del colector; la diferencia, es la corriente de la base. Si consideramos al transistor como nudo de tres corrientes se verifica la 2 ley de Kirchoff +IE ICIB = 0 o de otra forma IE = IC + IB. Veamos a continuacin el dibujo donde nos muestra la circulacin de corrientes en el interior del transistor PNP:
JE
JC
(E)
IE
IpE P N (IpE-IpC1) InB IpBo InCo
IpC1 P Ico
IC (C)
VEB
IB
VBC
(B)
IpE _____: Corriente debido a los portadores mayoritarios del emisor (huecos) InB _____ : de la base (electrones) InCo_____: minoritarios del colector (electrones IpBo _____: de la base (huecos) Ico _____: inversa de la juntura de colector JC Ico=InCo+IpBo IpC1 ____: debido a los portadores mayoritarios del emisor que llegaron al colector (IpE Ipc1): Corriente debido a los portadores mayoritarios de la base (electrones) que se recombinaron con algunos portadores mayoritarios del emisor en su transito por la base, camino al colector. En el dibujo podemos apreciar el valor de la corriente del colector: IC = IpC1 + Ico como IpC1 depende de IE, entonces IC depende de IE Si IE = 0 IC = Ico (en valor absoluto) Para IE 0 IC > Ico En la prctica el valor de Ico es muy pequeo, del orden de los nanoamperes para transistores de silicio por lo que se lo suele despreciar. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Ganancia de corriente para grandes seales en configuracin base comn Si consideramos al colector conectado a una carga (circuito de salida) y al emisor conectado a una fuente de seal (circuito de entrada), en valor absoluto podemos definir una ganancia de corriente, como la relacin entre el incremento de la corriente del colector para IE =0(transistor en corte) y la variacin de la corriente de emisor desde IE=0 = IC - Ico IE 0 IC / IE Este valor de es muy prximo a la unidad (0,990.0, 995) debido a dos razones. Una, es que el valor de Ico es muy pequeo, y la otra es que prcticamente IpC1 IE dado que se produce poca recombinacin, de los portadores mayoritarios que salieron del emisor, en su transito por la base. De all la conveniencia de hacer delgada la zona de la base. De esta forma la corriente del colector, la podemos expresar como: IC = . IE + Ico Desarrollo conceptual de la amplificacin de seales elctricas El transistor de unin bipolar, polarizado en la zona activa y conectado en la configuracin base comn, esta capacitado para amplificar seales elctricas de tensin y potencia elctrica.
Con la finalidad de simplificar el anlisis, en el circuito de entrada polarizamos la juntura JE con la tensin VEB=0,7 volt para no agregar resistencia elctrica, en serie que limite la .corriente de polarizacin IE. (Esta corriente queda limitada solamente por el valor dado a VEB). En la salida, conectamos una resistencia RL en serie con la fuente de alimentacin VCB que polariza inversamente la juntura de colector JC. Esta resistencia no va a modificar a la corriente IC, dado que segn la ultima expresin desarrollada para la misma, es independiente de VCB. Por otra parte si provocamos una pequea variacin de tensin entre el emisor y base, por medio de la fuente conectada en serie con VEB o sea VE ; esta variacin dar lugar a un cambio relativamente grande IE de la corriente del emisor, dado que esta juntura JE, esta polarizada directamente. Como la corriente de colector es prcticamente igual a la corriente de emisor, tambin sufrir una variacin IC= . IE ( 1). Esta variacin, circulara por la resistencia RL y provocara una variacin de tensin en sus extremos de valor: VL = RL. IC = RL. . IE __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------El valor de VL, puede ser varias veces mayor que VE, si hacemos a RL mayor que la resistencia de entrada de la juntura emisor base. El incremento de tensin VE, que produjo la variacin IE, IC y VL, lo podemos expresar en trminos de la resistencia de entrada re (dinmica) de la juntura JE como: VE = re. IE. La amplificacin de tensin la definimos como: Av VL / VE = RL.. IE / re. IE = .RL/re RL / re Si RL > re, la amplificacin de tensin Av, resulta mayor que la unidad. El valor de re se puede obtener con la formula desarrollada para la juntura pn como: Re [] 26 / IE [mA] siendo IE la corriente del emisor en reposo o sea sin seal aplicada. (Llamada tambin corriente de polarizacin del emisor). Por ejemplo si re = 40 , 1 y RL 3000 Av = 75. El transistor bipolar, en esta configuracin, no amplifica corriente, si tensin y potencia. La palabra transistor deriva de que la corriente se transfiere del circuito de entrada que presenta baja resistencia (re), al circuito de salida de alta resistencia (RL). Transistor Transferresistor Problema Utilizando un programa de simulacin con PC, simular el amplificador bsico desarrollado en el tema anterior, midiendo y calculando los siguientes puntos: a)- medir las corrientes de polarizacin IC, IE, IB. b)- medir las tensiones de polarizacin VEB, VCB, VCE. c)- Considerando el valor medido de VEB, y = 100, calcular los valores solicitados en los puntos (a) y (b). d)- Aplicar en serie con VEE una fuente de tensin alterna VE de 20 mV (rms) f=100HZ. Simular el circuito midiendo los valores vcb, vL , vce, veb, ie,ic,ib. e)- calcular la ganancia como Av vL / ve f)- calcular la ganancia como Av vL / VE y explicar la diferencia con el valor anterior g)- colocar un capacitor de 100 F en paralelo con RE, simular y calcular nuevamente las ganancias solicitadas en los puntos (e) y (f). h)- Calcular la resistencia incremental de entrada re midiendo las cadas de tensin en el circuito de entrada y compararla con la obtenida por la formula practica.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Caractersticas tensin-corriente del transistor en la configuracin base comn Una forma ms exacta para analizar y trabajar sobre los circuitos con transistores, es por medio de sus curvas caractersticas. Para el circuito de entrada, se representa la corriente de emisor en funcin de la tensin emisor-base, y como tercer parmetro la tensin colectorbase. Para el circuito de salida, se representa la corriente de emisor en funcin de la tensin colectorbase y como tercer parmetro la corriente de emisor. Estas graficas las representaremos en el 1 cuadrante asignndoles el signo correspondiente a la tensin o corriente. Veamos para en transistor PNP VEB (V) VCB 0 -1 -20 IE(ma) 10 20 30 07 0 -10 -20 -30 IC (ma) -30 -20 -10 Regin activa IE=30mA IE=20mA IE=10mA IE=0mA IC=Ico VCB (V)
.75
Regin saturac.
Regin de corte
La caracterstica de entrada en zona activa es simplemente la de un diodo polarizado directamente para distintos valores de VCB. Se puede observar que para tener corriente de emisor, la tensin VEB debe superar una tensin umbral V=0,55 Volt aprox. En la caracterstica de salida vemos que la corriente de colector es prcticamente igual a la corriente de emisor. Se distinguen tres regiones, la activa, donde IC IE (JC polarizada inversamente y JE directamente), la de corte donde IE = 0 y IC = Ico (JC y JE polarizadas inversamente), y la de saturacin donde VCB 0 Volt e IC es el valor mximo, solamente limitada por el circuito exterior (JC y JE polarizadas directamente).
Configuracin del transistor en emisor comn La configuracin anterior presenta para la fuente de seal, una impedancia baja, lo que le exige suministrar, una considerable corriente de entrada, prcticamente igual a la de salida. Como vemos no tiene ganancia de corriente, si de tensin y potencia .En alta frecuencia esta etapa puede ser conveniente por la su baja capacidad. Teniendo en cuenta estas limitaciones, surge la conveniencia de conectar al transistor en emisor comn. En estas condiciones la corriente que debe suministrar la fuente de seal, es la corriente de base que es mucho menor que la de emisor. Veamos el circuito bsico de esta configuracin:
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Caractersticas tensin-corriente del transistor en emisor comn
IB (a) 30
VCE=0 VCE=1v
Regin activa IB=25(a) IB=20(a) IB=15(a) IB=10(a) IB= 5(a) 1 10 15 20 VCE(v)
20 10
IC (ma) 20 15 10 0,2 0,6 0,8 VBE(v) V 5 0 Regin de saturacin
Regin de corte IC=Ico
En este caso la corriente de la base la podemos expresar como: IB = IBo.[e(vbe/.vT) --1]. Como vemos la caracterstica de entrada es similar a la de un diodo polarizado directamente, con una ligera dependencia de la tensin de salida VCE. El valor de V es la denominada tensin de codo o tensin umbral, valor de tensin de VBE donde comienza a producirse el aumento de la corriente de base, y con ello a circular corriente en el colector y emisor. Para diodos de silicio este valor oscila en alrededor de 0,5 volt. Para el germanio esta en alrededor de 0,15 volt. Si bien la caracterstica es similar a la de un diodo, la corriente IB es mucho menor. La corriente directa de esta juntura (JE), es en realidad IE. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 11
En la caracterstica de salida tenemos IC = f(IB, VCE). Se observa que a incrementos de la corriente de entrada o sea IB, la corriente de salida, o sea la del colector, se incrementa. Tambin se puede determinar las tres zonas de funcionamiento. La zona activa, donde la corriente del colector tiene dependencia de la corriente de la base. La zona de corte donde para IE =0 IC = Ico que correspondera a la curva que esta solapada prcticamente con el eje de absisas. La zona de saturacin se verifica para valores de VCE entre 0,1 a 0,3 volt. En esta regin la JC pasa de la polarizacin inversa (en la zona activa) a la polarizacin directa o por lo menos a la tensin umbral de esa juntura. Como detalle final observamos que para un valor fijo de IB, las curvas no son paralelas al eje de absisas, tiene una pendiente positiva, significando esto, que la corriente de colector tiene una ligera dependencia con la tensin VCE . Esto se debe aun efecto de modulacin de la base, denominado Efecto Early, que consiste en una disminucin de la recombinacin de los portadores mayoritarios que salieron del emisor y transitan por la base en camino al colector. Esto produce un pequeo aumento del valor de pero un incremento significativo en la ganancia de corriente en emisor comn denominada . Vamos a continuacin a determinar analticamente la relacin entre las corrientes de la base (corriente de entrada) y la corriente del colector (corriente de salida). Para ello partimos de la ecuacin de la corriente del colector en base comn y de la ecuacin De nudo que representa el transistor respecto a sus tres corrientes: IC = . IE +Ico IE = IC + IB; este valor lo reemplazamos en la expresin anterior IC = . (IC +IB) + Ico y ahora despejamos la corriente del colector quedando IC = / (1). IB + Ico / (1+) Si hacemos = / (1) ; tambin se verifica que (+1) = 1 /(1) IC = . IB + Ico. (+1) si llamamos a (+1) = Iceo
IC = . IB + Iceo expresin final Como dijimos es la ganancia de corriente en emisor comn; por ejemplo si =0,99 Entonces =99 o sea un valor mayor que uno (1). Analizando la relacin entre y se puede ver que una pequea variacin de , produce una gran variacin de . En la expresin desarrollada para la corriente del colector no aparece la dependencia de VCE debido al efecto Early. Variacin de y con la corriente con la corriente de emisor: Los valores de y no son constantes, varan de acuerdo con el valor de la corriente de emisor. Para IE = 0 =0 y se incrementa a medida que crece IE, tendiendo a su valor mximo = 1. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 12
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares ------------------------------------------------------------------------------------------------------- 1 0,8 0,5 0,2
10-3
10-2
10-1
IE (mA)
Aclaremos finalmente que los valores de y que estamos tratando, son los que corresponden para corriente continua o de corriente estacionaria; el valor de se lo suele especificar como hFE o sea la ganancia de corriente continua para la configuracin emisor comn. Regin de corte para la configuracin emisor comn Esta zona o regin la habamos definido cuando ambas junturas JE y JC se polarizan inversamente. En primera instancia podramos suponer haciendo IB = 0; en este caso IC = . IB + Iceo = Iceo y IC= -IE; vemos que la corriente del colector pasa al emisor. De all que cuando hacemos IB=0 el transistor no esta en el corte dado que tiene que darse la situacin de IE=0; en este caso IC=Ico. Para que esto ocurra, debemos polarizar inversamente la juntura emisor-base. La teora demuestra que para un transistor de germanio, debemos aplicar una tensin en la entrada que haga a VBE=-0,1volt (transistor NPN). Para el silicio, con hacer VBE=0 voltios, aseguramos el corte. Para el silicio se cumple que cerca del corte IE 0, el valor de tiende a cero Por lo tanto IC = . IB + Iceo = Iceo = Ico / (1-) Ico. Resumiendo, para que un transistor NPN pase al corte, debemos hacer VBE 0 Volt para el silicio y VBE = -0,1 Volt para el germanio. En el corte se verifica que IE=0 IC=Ico y IB=-Ico. En los transistores reales Ico se reemplaza por IcBo valor que tiene en cuenta, la componente de corriente superficial que atraviesa a JC y adems otra componente que se genera en la zona de transicin por colisin, provocando multiplicacin por avalancha y eventual ruptura si superamos una determinada tensin inversa en la juntura JC. A 25C IcBo es del orden de los A para el Ge. y del orden de los nanoamperes para el Silicio, duplicndose este valor por cada 10C de aumento de la temperatura. En la practica, y para el caso de los transistores de Si (los mas utilizados), con IB= 0 IC = IE = Ico 0, el transistor esta cortado. El valor de IB =0 se produce prcticamente, cuando VBE < V (tensin umbral) o sea para valores menores a 0,5 volt. Consideraciones del circuito de entrada para el corte del transistor Esto se tiene en cuenta solamente para el caso de los transistores de germanio, donde la corriente ICBo es del orden de los A y la resistencia serie equivalente de Thevenin de la seal, del circuito de entrada, es de un valor elevado. En este caso como dijimos para llevarlo al corte, debemos aplicar una tensin VBE -0,1 volt. Como la ICBo circula __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 13
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------desde el colector, pasando por la base y por la resistencia serie RB, produce una cada de tensin en ella que tiene signo opuesto a la tensin de polarizacin inversa de la juntura VBE.
Aplicando la ecuacin de malla al circuito de entrada tenemos: VBE = --VBB + RB. Icbo --0,1 volt Por ejemplo para RB = 100 k y Icbo = 100 a resulta VBB = --10.1 volt; con este valor logramos IE = 0
Regin de saturacin para el transistor en la configuracin emisor comn Para que el transistor trabaje en esta zona, debemos polarizar ambas junturas en forma directa, o por lo menos a la tensin umbral. Cuando el transistor esta en la zona activa, la tensin VCB = VCE VBE, donde la VCE polariza inversamente la juntura de colector (JC). Podemos decir entonces que mientras VCE>= VBE, la juntura base colector esta polarizada inversamente, y el transistor esta en la zona activa. La mxima corriente de colector en la regin activa, la podemos obtener entonces, para VCB=0, o sea para VCE=VBE En este caso la corriente IC vale: IC = VCCVCE / RC = VCCVBE / RC La corriente de base , para este valor de IC vale: IBact.minima = IC / F (corriente de base limite entre la zona activa y saturacin) Si aumentamos la corriente de base por encima de IBM, entonces VBE aumenta, la corriente de colector tambin aumenta y la VCE disminuye por debajo de VBE. Si seguimos aumentando IB, la juntura colectorbase presenta polarizacin inversa, con VCB aproximadamente de 0,4 a 0,5 volt. Entonces el transistor pasa a la saturacin. En estas condiciones la tensin VCE es de algunas dcimas de volt. Esto quiere decir que en las caractersticas VI de salida, la regin de saturacin esta muy cerca del valor cero, en el eje de las tensiones, como se ve en el grafico. En esta zona las curvas se unen y caen rpidamente al origen.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------IB (mA) 0,30 IC (mA) 20 VBEsat. 15 10 0,2 0,6 0,8 VBE (v) Vumbral VCC / RC Regin de saturacin VCEsat 5 0 1 10 15 20 VCE(v) Regin activa IB=0,25(ma)
0,20 0,10
IB=0,20(ma) IB=0,15(ma) IB=0,10(ma) IB= 0,05(ma)
VCC Recta de carga
La saturacin de un transistor bipolar, podemos definirla como el punto arriba del cual todo aumento en la corriente de base, la corriente de colector no aumenta en forma apreciable. En esta zona, la tensin colectoremisor se identifica como VCEsat. En saturacin, la corriente de colector vale: IC = ICsat = (VCC Vcesat.) / RC VCC / RC La corriente de base vale: IB = IBsat = ICsat / F (limite mnimo de saturacin) En las caractersticas VI de salida, vemos que la zona de saturacin comienza en la zona de codo de las curvas. En el dibujo y para la recta de carga definida, comenzara para un valor de IBsat = 0,15 ma. Si seguimos aumentado IBsat. Vemos que VCEsat. Ya no disminuye significativamente. Resistencia de saturacin: En la zona de saturacin, la caracterstica VI es prcticamente lineal, (para una determinada corriente de base IB).Se define entonces a la resistencia de saturacin, como la relacin Rc sat = VCEsat. / ICsat . Este valor se debe especificar para una determinada corriente de base de saturacin. Si para IBsat=0,20 ma resulta VCEsat = 0,15 volt y Icsat = 15 ma entonces: Rcsat = VCEsat / ICsat = 0,15 / 0,015 = 10 Ganancia de corriente continua en la zona de saturacin: En esta zona la definimos como hFEsat = ICsat / IBsat.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Si conocemos ICsat VCC / RC y hFEsat, podemos determinar la corriente de base necesaria para llevar al transistor a la saturacin: IBsat = ICsat / hFEsat En gral el valor de hFEsat>F, y tiene mucha dispersin. Un valor que se podria adoptar en transistores de seal estara comprendido entre 10 y 20. En el caso normal, el circuito se disea para un valor de hFEsat menor que el valor limite. La relacion entre la corriente de base de sobresaturacin a la del limite de saturacin, se le denomina factor de sobresaturacin (ODF). ODF IB(sobresaturacin) / IB(saturacin limite) Es de aclarar que cuanto mas saturemos, al elegir valores menores de hFEsat, el transistor se vuelve mas lento cuando tenga que conmutar entre la saturacin y el corte, lo cual trae aparejado distorsin de la seal digital de salida. Otro inconveniente de sobresaturar, es el aumento de la potencia disipada en la base. Valores tpicos de las tensiones de polarizacin para transistores de seal VCEsat 0,2 0,1 VBEsat 0,8 0,3 VBEact. 0,7 0,2 V(umbral) 0,5 0,1 VBE corte 0,00 --0,1
Silicio Germanio Problema
IB (a) 100
IC (ma) 100
IB=230(a) IB=190(a)
30
IB=150(a) IB= 90(a) 0,7 1 VBE(v) 1,5 0,25 IB= 30(a) 8,5 10 VCE(v) 16
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Un transistor bipolar esta conectado en la entrada y en la salida por dos circuitos equivalentes de Thevenin segn lo muestra el dibujo, con unas caractersticas VI segn las graficas. Se solicita: a)- Determinar la corriente de base para VBB = 1 volt y VBB= 3 volt. IB1 =( VBB1 VBEact) / RB = (1 0,7) / 10k = 30 a IB2 = (VBB2 VBEact) / RB = ( 3 0,75 ) / 10k = 225 a Para encontrar grficamente IB1, debemos trazar la recta de carga sobre la caracterstica de entrada como muestra la figura: Aplicamos 1 ley de Kirchoff en el circuito de entrada VBB1 = RB . IB + VBE despejamos IB1 y obtenemos la ecuacin de la recta de carga: IB1 = VBB1/RB VBE / RB Esta recta corta a los coordenados en : VBE = VBB1 para IB = 0 IB = VBB1 / RB para VBE = 0 La interseccin con la curva, nos da el punto de polarizacin en la entrada o sea : IB1 = 30 a VBE1 = 0,7 volt. Realizando lo mismo para VBB2 = 3 voltios, obtenemos IB2 = 225 a VBE2 = 0,75 volt b)- Determinar la corriente de colector y la tensin VCE para los valores dados de VBB En este caso aplicamos la 1 ley de Kirchoff al circuito de salida y obtenemos la recta de carga, de la misma forma que hicimos con el circuito de entrad. Para graficarla tendremos que encontrar los puntos de interseccin con los ejes. Estos se dan para IC = VCC / RC 10volt / 1k para VCE = 0 VCE = VCC = 10 volt para IC = 0 Para VBB1 corresponde IB = 30 a; la interseccin con la curva correspondiente a IB = 30 a nos da el punto de operacin o polarizacin: IC = 1,5 ma y VCE = 8,5 volt Matemticamente podramos hallar el punto de operacin; para ello debemos conocer el valor de o hFE Por ejemplo si este vale = 50 entonces podramos calcular a IC como: IC = . IB + Iceo . IB 50 . 30 a = 1,5 ma En la prctica este valor de es aproximado y depende entre otras variables, del punto de operacin. Los fabricantes suelen dar un valor tpico. Para determinar VCE lo podemos despejar de la ecuacin de la recta de carga VCE = VCC RC . IC = 8,5 volt. De la misma forma procedemos para VBB2 = 3 volt donde IB =225 a En la grafica de salida vemos que corresponde a la zona de saturacin ICsat 9,7 volt y VCEsat 0,25 volt. En esta zona la ICsat ICC = VCC / RC o esa la corriente de cortocircuito del circuito de salida para VCE = 0. El valor de la tensin VCB en esta zona vale: VCB = VCE VBE = 0,25 0,75 = -0,5 volt o sea que prcticamente esta polarizada directamente, que es la condicin de la zona de saturacin. Vamos ahora determinar estos ltimos valores matemticamente y supondremos que el valor de = 50, corresponde en la zona activa. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 17
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------IC . IB = 50 . 225 = 11,25 ma y VCE = VCC RC . IC = --1,25 volt Este ltimo valor es un absurdo dado que VCE no puede ser negativo. El error surgi de haber considerado el mismo valor de de la zona activa. Si calculamos el valor de con los valores obtenidos grficamente tendremos IC / IB = 9,7 A / 225a = 43 A medida que entramos en la zona de saturacin el valor de decrece (sobresaturacin). Caractersticas de conmutacin del transistor de unin bipolar Los transistores bipolares tienen capacitancias asociadas a las junturas de emisor y colector. Para la juntura de emisor polarizada directamente, presenta una capacidad de a de almacenamiento o difusin mas una capacidad de agotamiento o de la regin de la carga espacial no neutralizada). En la juntura de colector, polarizada inversamente, tenemos solamente la capacidad de agotamiento o transicin. Bajo condiciones permanentes, estas capacidades no presentan inconvenientes. Cuando se utiliza el transistor para amplificar seales linealmente, estas capacidades asociadas a las junturas, provocan disminucin de su ganancia de tensin o corriente, con el aumento de la frecuencia de la seal aplicada, tema que lo analizaremos mas adelante. Cuando el transistor trabaja en conmutacin, por ejemplo con seales digitales, ste trabaja al corte y saturacin, solamente transita por la zona activa, durante la conmutacin. Para este caso, las capacidades asociadas tambin influyen sobre el tiempo de conmutacin, que hace que la seal digital de salida, se distorsione. La figura muestra un modelo lineal, que representa al transistor bajo condiciones transitorias, donde se pueden observar las capacitancias efectivas de la juntura de emisor (Ce) y de colector (Cc). Estas capacidades dependen de los voltajes aplicados a las junturas y de las caractersticas fsicas del transistor.
Como consecuencia de estas capacidades, ante una seal digital de excitacin en su entrada, el transistor no conmuta al instante. La figura siguiente, muestra las formas de onda y tiempos de conmutacin.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------vB V1 0 -V2 IB1 iB kT (1-kT) t
0 -IB2 t
iC Ics 0,9 Ics
0,1 Ics 0 td tr tn ts tf to t
Cuando la tensin de entrada aumenta de cero a V1 y la corriente de base aumenta a IB1, la corriente de colector no lo hace en forma inmediata. Se produce un retardo, denominado tiempo de retardo td para que la corriente de colector comience a crecer. Este retardo se produce por la carga de la capacidad de la JE Ce hasta la tensin de polarizacin directa VBE 0,6 a 0,7 volt. Despus del retardo td, la corriente de colector comienza a aumentar hasta el valor Ics de estado permanente. El tiempo que tarda en llegar a este valor, denominado tr depende de la constante de tiempo de carga de la capacidad de la juntura de emisor (JE). Normalmente la corriente de base es mayor a la necesaria para saturar al transistor (sobresaturacin) por lo que esto da lugar a un exceso de carga debido a los portadores minoritarios, en la regin de la base. Mientras mayor sea la sobresaturacin (ODF), mas alta ser la cantidad de carga adicional almacenada en la base. Esta carga adicional, denominada carga de saturacin, es proporcional al exceso de excitacin de la corriente de la base IBexceso= IB(sobresat.) Ics / = ODF. IBs IBs = IBs. (ODF1) Siendo IBs la corriente mnima para saturar al transistor. La carga de saturacin se determina por la expresin: Qs = s . IBexc = s.IBs. (ODF 1) El valor de (tao) se llama constante de tiempo de almacenamiento del transistor. Cuando la tensin de entrada se invierte, pasando del valor V1 a V2, la corriente de base, tambin cambia de IB1 a IB2. La corriente de colector, no cambia hasta transcurrido un tiempo ts denominado tiempo de almacenamiento. El tiempo ts __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 19
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------es el necesario para eliminar la carga de saturacin de la base. Como la vBE todava es positiva (de valor 0,7 volt aprox.), la corriente de la base invierte su direccin debido al cambio de polaridad de la fuente de seal digital vB, desde +V1 a V2 . Esta corriente IB2 en sentido inverso, ayuda a descargar el exceso de carga de la base. Si no tenemos a IB2 (por ejemplo dejamos la base abierta), el exceso de carga se elimina por recombinacin, pero en este caso, el tiempo de almacenamiento ts seria mayor. Una vez que se elimino el exceso de carga, la capacidad de la juntura JE se carga hasta la tensin V2, y la corriente de base cae a cero. El tiempo de cada tf depende de la constante de tiempo de la capacidad de la juntura de emisor con polarizacin inversa. El tiempo de encendido o activacin es la suma del tiempo de retardo td y el tiempo de subida tr t act. = td + tr El tiempo de apagado o desactivacin es la suma del tiempo de almacenamiento ts y el tiempo de cada tf t apag.= ts + tf Los tiempos de conmutacin pueden ser mejorados, mediante tcnicas especiales de la excitacin de la base, como ser control al encendido, control al apagado, control proporcional en base, control por antisaturacin. Por otra parte los transistores bipolares y otros tipos de semiconductores que trabajan en el modo de conmutacin, estn limitados en lo referente al crecimiento de la corriente (di/dt) y la variacin de la tensin en sus extremos (dv/dt). Sobrepasar estos valores, provocan la destruccin del semiconductor. Se aplican circuitos asociados al semiconductor conmutador, para limitar la di/dt y dv/dt. Los temas de excitacin de la base y protecciones por di/dt y dv/dt se analizan en Electronica II Modelos aproximados para corriente continua del transistor en emisor comn 1 aproximacin : Es el circuito mas sencillo; se supone que la entrada (JE) se comporta como un diodo ideal y la salida se comporta como una fuente de corriente dependiente, con la variable IB. En este caso, no existe zona de saturacin. En la zona activa, la corriente de colector vale IC = . IB y el corte se produce para IB=0 IC = 0 Este modelo puede utilizarse cuando VBB>>VBE. B IB (+) VBE (--) Emisor IB VCE VBE IC C (+) VCE (--) IC
IB4 IB3 IB2 IB1
.IB
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------2 aproximacin: En este caso consideramos que la juntura de emisor JE tiene una cada de tensin VBE = 0,7 volt; este valor es necesario cuando la tension VBB es de algunos voltios. El circuito de salida es similar al caso anterior B IB (+) VBE (--) Emisor IB VCE IC C (+) VCE (--) IC IB4 IB3 IB2 IB1
.IB
0,7 v VBE
3 aproximacin: En esta aproximacin se debe considerar que la juntura de emisor tiene una cada de tensin resistiva que hace que VBE sea mayor que 0,7 volt VBE 0,7 v +IE . rB (emisor). Adems la juntura de colector tiene una resistencia en serie con la la fuente de corriente del colector rB(colector, que se manifiesta solamente cuando el transistor esta en saturacin; en zona activa no se la tiene en cuenta
B IB (+) VBE (--) Emisor IB
IC C (+) VCE (--)
IC
IB4 IB3 IB2 IB1
.IB
VCE VCEsat=rB(c).IC 0,7v VBE=,07v+rB(e).IE __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 21
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Por ejemplo para el transistor de seal 2N3904 tenemos: rB(emisor) =1,5 rB(colector) = 2,8 para IE = 100 ma VBEsat = 0,7 + 1,5 . 0,1 = 0,85 volt y VCEsat= 2,8 . 0,1 = 0,28 volt Para el transistor de potencia 2N3055 tenemos: rB(colector) = 0.05 rB(emisor) =0,09 para IE = 10 A VBEsat = 0,7 + 0,09. 10 = 1,6 volt y VCEsat= 0,05 .10 = 0,5 volt Modelo del transistor bipolar de EBER-MOLL Este modelo fue uno de los primeros que se utilizaron para su representacin: Al utilizarlo, se hacen las siguientes aproximaciones: a)- VBE se toma igual a 0,7 volt para el silicio y 0,3 volt para el germanio. b)- Se desprecia la resistencia de dispersin de la base rb. c)- Como 1 entonces IC = IE d)- Como IE = IC entonces IB se aproxima a IB = IE /
IB=IE/ B + VBE __ E
IC=.IE C
IE
Resistencia de dispersin de la base rb Es la resistencia que aparece en la regin de la base (esta es estrecha) al paso de la corriente de la base. Teniendo en cuenta el modelo anterior, y si la tenemos en cuenta resulta: IB=IE/ B Rb IC=.IE C
(+) VBE (-)
(+) VBE (-) E IE
VBE = VBE +IB. Rb El valor de rb no supera los 1000; suele estar comprendido entre 50 y 150. En baja frecuencia se lo puede despreciar; no as en alta frecuencia.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Mxima tensin alcanzable en los terminales del transistor Como lo hemos dicho, en zona activa, la JC esta polarizada inversamente, por lo tanto existe un limite superior para la tensin colector base (similar a un diodo polarizado inversamente). Para tensiones elevadas, tenemos la posibilidad de una ruptura de la juntura JC, mediante dos mecanismos diferenciados: la ruptura por avalancha y la ruptura por perforacin. Ruptura por avalancha: Se produce por la multiplicacin de la corriente inversa Ico. La mxima tensin inversa aplicable al colector estando el emisor abierto, la llamaremos BVcBo y es caracterstico de cada transistor. Como resultado de la multiplicacin de la corriente Ico, toma el valor M.Ico siendo M el factor de multiplicacin, dado por la siguiente formula emprica aplicable a varios transistores tpicos: M =1 / [1 (VCB/BVcBo)n] El exponente n vara de 2 a 10 y determina la agudeza de la ruptura. Si una corriente IE alcanza la juntura JC y si tenemos en cuenta la multiplicacin por avalancha, el transistor se comporta como si su ganancia en base comun fuera M. ; dado que IC M..IE. El anlisis de la ruptura por avalancha, para la configuracin en emisor comn, indica que la tensin disruptiva colectoremisor con el circuito abierto de la base y designada BVcEo vale: n ______ BVcEo = BVcBo.1 /hFE Por ejemplo si n=6 y hFE = 50 entonces BVcEo = 0,52.BVcBo Si la base no esta abierta, la caracterstica disruptiva se modifica, dependiendo entonces no solo del transistor sino de la resistencia conectada en el circuito de entrada. A medida que este valor disminuya, la tensin disruptiva aumenta, hasta alcanzar el mismo valor BVcEo = .BVcBo para un cortocircuito entre la base y el emisor.
IC
VCE
BVcEo
BVcBo 23
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Ruptura por perforacin: Es resultado de la ampliacin del ancho de la zona de la regin de la carga espacial en la juntura de colector JC, al incrementarse la tensin inversa aplicada (efecto Early). La perforacin difiere de la ruptura por avalancha en que tiene lugar a una tensin fija entre colector y base y no depende de la configuracin del circuito. Para un determinado transistor, el lmite de tensin esta determinado por la perforacin o por la ruptura por avalancha, segn cual sea mas bajo. En gral. Los fabricante, especifican los valores mximos de tensin en las distintas configuraciones y con distintos valores de resistencias conectados entre la base y el emisor. Como regla gral., para un correcto diseo, es necesario incluir un factor de seguridad para no acortar la vida del transistor, si se emplean con valores de tensin cercanos a los mximos. Un factor de seguridad de 2 es comn; en algunos casos se puede considerar un factor de 10. Problema Analizar y calcular el circuito amplificador bsico con transistor bipolar determinando: IB, IC, IE, VCE, VCB. Tomar como datos para el calculo VBE0,7 volt y hFE=100
Problema Para el circuito de la figura, determinar los valores de RC , RB y VCC, que permitan ubicar el punto de polarizacin Q en el centro de la recta de carga con valores de IC = 1ma y VCE = 3volt. Datos del transistor: VBE =0,7 volt y hFE = 70
Problema Para el circuito de la figura, determinar los niveles lgicos de la seal de entrada VE Que lleven al transistor bipolar al corte y la saturacin. Datos : hFEsat=20 VBEsat= 0,85
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Problema Para el circuito de la figura, se solicita: a)- Analizar si el transistor se encuentra en la zona activa, corte o saturacin. b)- Determinada la zona de funcionamiento solicitada en el punto a, encontrar los valores de VE que lo lleven a las ortas zonas de funcionamiento. Datos: act =100 sat=20 VBEact = 0,7 volt. Vesta = 0,85
Problema El circuito de la figura acta como una compuerta lgica cuando el transistor se polariza al corte y saturacin, por la aplicacin de la tensin de entrada VE. Determinar: a)- Tipo de compuerta lgica que representa. b)- Los valores de RA y RB para los siguientes datos: VCC=5volt ; ICmax=5 ma ; hFEsat=20 ; VBEsat.=0,85volt ; IB=0,1.IA VE1=0,1 volt ; VE2= 4,8 volt
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Problema Analizar el circuito de la figura y determinar que tipo de compuerta lgica representan, en el caso que los valores de V1 y V2 lleven al transistor a la zona de corte y saturacin
Problema Analizar el circuito de la figura y determinar el tipo de compuerta lgica que representa cuando los valores lgicos de V1 y V2 llevan al transistor al corte y la saturacin
Problema Disear los dos ltimos circuitos anteriores con los siguientes datos: VCC =5 volt ; ICmax = 3 ma hFE sat= 20 VBEsat= 0,85 IB=0,1.IA
Anlisis de la amplificacin lineal para un amplificador bsico en emisor comn Este anlisis es conceptual; por ello consideraremos un transistor ideal, con ganancia de corriente = 100, sin distorsin; utilizaremos el 2 modelo de aproximacin, para su representacin. Veamos el circuito del amplificador bsico prctico, para su aplicacin con componentes discretos.
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IB (a) 400 300 200
IC(ma) 60 --1/RB 50 40 30 20 0,7 VBE(v) 10 2 4 6 8
IB(a) 500 400 300 200 100 10 12 VCE(v)
En este caso se utiliza una sola fuente de alimentacin VCC, para polarizar en zona activa al transistor. Los capacitares C1 y C2 desacoplan la corriente continua respecto del circuito de entrada y salida. Las corrientes de polarizacin las calculamos como: IB = VCC VBE / RB = (12 0,7) / 37,7k 300 a IC = . IB = 100 . 0,3 = 30 ma Supondremos adems que aplicaremos una tensin alterna a travs del capacitor de acoplamiento C1 con un valor de 60 mv p.p. Esta tensin se sumara y restara a la tensin de polarizacin de base VBE ve ( 0,7v 30mv), produciendo una variacin hipottica en la corriente de polarizacin IB ib ( 300a 100a). La variacin en la corriente de base producir una variacin en la corriente de colector IC(ic) = 10 ma A su vez esta variacin en IC, provocara una variacin de VCE VCE siendo VCE = 2 volt A la salida del capacitor de acoplamiento C2, solamente tendremos la tensin alterna Vo = VCE (C2 elimino la componente continua). Para este caso ideal presentado la ganancia de tensin en ca, de la etapa amplificadora bsica resulta: Av vo / ve = 2v/30mv= 66,7 Veremos mas adelante que para calcular en forma analtica la ganancia en ca de las etapas amplificadoras, es necesario reemplazar al transistor, por un circuito equivalente para seales incrementales.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Polarizacin del transistor bipolar por el emisor Los circuitos analizados anteriormente, en la configuracin emisor comn, estn polarizados por la base, siendo muy utilizados en circuitos digitales y de conmutacin. Cuando se necesita trabajar en zona activa, para utilizar al transistor como amplificador lineal, es necesario que el punto de polarizacin (Q) se mantenga lo mas estable posible. Tres son los parmetros elctricos del transistor que pueden modificarse, por temperatura o construccin del transistor y que pueden modificar la ubicacin del punto Q. Estos parmetros son: Ico, VBE y o hFE . Ico : Se duplica prcticamente por cada 10 de aumento de la temperatura de la juntura del colector (JC). VBE : Disminuye con el aumento de la temperatura de la juntura de emisor (JE) en aproximadamente 2,5mv /C. : Varia con la temperatura para un determinado transistor, pero su mayor variacin se produce en el proceso de construccin ; por ejemplo el transistor BC547 el valor de hFE puede variar entre 180< hFE>220. Como consecuencia de estas variaciones en los parmetros elctricos, la polarizacin por base no es la ms adecuada para amplificadores lineales, dado que una modificacin del punto de polarizacin, puede llevar al transistor a una zona de funcionamiento que produzca la distorsin de la seal amplificada. De all que sea conveniente utilizar la denominada polarizacin por emisor.
En este caso la resistencia de la base RB es llevada al emisor (RE). En este caso el emisor ya nos es el terminal comn. Para determinar el punto de polarizacin, procedemos de la siguiente manera: a)- determinamos el valor de VE: VE = VBB VBE. b)- Calculamos la corriente de emisor IE IE = VE / RE c)- Calculamos la corriente de colector IC IC = . IE IE d)- Calculamos la tensin de colector VC VC = VCC -- RC . IC e)- Calculamos la tensin colectoremisor VCE VCE = VC VE De esta forma el punto de polarizacin (Q) esta determinado por los valores de VCE e IC. Veremos a continuacin el efecto de la variacin de la ganancia de corriente sobre la corriente IC cuando polarizamos por emisor. Supongamos para ello que el valor de puede variar en = 100 y =150. Calculemos IC por ejemplo para un valor de IE = 2 ma. Partimos de = / (1) y despejamos __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 28
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------= / (+1) reemplazamos los valores de y obtenemos 1 = 0,9901 y 2 = 0,993 Con estos valores calculamos la corriente de colector: IC1 = 1 . IE = 0,9901 . 2 = 1.9802 ma IC2 = 2 . IE = 0,9930 . 2 = 1,9860 ma Como vemos prcticamente IC1 IC2 IC IE , el punto Q permanece inalterable. Problema Para el circuito con polarizacin por emisor de la figura determinar: a)- las corrientes y las tensiones IE, IC, IB, VC, VB, y VE b)- el punto de polarizacin definido por IC y VCE c)- la recta de carga graficada en las caractersticas de salida del transistor
Solucin: a)- adoptaremos VBE = 0,7 volt.(Si) y 100 < > 150 VE = VBB VBE = 5 0,7 = 4,3 volt IE = VE / RE = 4,3 / 2,2 1,95 ma. 1 =1 / (1+ 1) = 100 /(1+100) = 0,9901 ; 2 = 2 / ( 1+2) =150 / (1+150) = 0,993 IC1 = 1. IE = 1,9306ma IC2 = 2 . IE = 1,936ma . promediamos IC = 1,93 ma IB = IE IC = 0,02 ma VC = VCC RC . IC = 15 1. 1,93 = 13,1 volt b)- VCE = VC VE = 13,1 4,3 = 8,8 volt El punto de polarizacin Q queda definido por VCE = 8,8 volt e IC = 1,93 ma C)-Para trazar la recta de carga , debemos encontrar la interseccin con los ejes coordenados: 1) Interseccin con el eje de la corriente Se produce cuando VCE = 0 ; en este caso entonces VC = VE entonces: ICsat = (VCC --. VE) / RC = (15 4,3) / 1k = 10,7 ma 2)- Interseccin con el eje de la tensin. Se produce cuando IC = 0; en este caso no se produce cada de tensin en RC por lo tanto VC = VCC = 15 volt y VE = 4,3 volt VCE = VC VE = 15 4,3 10,7 volt
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IC (ma) 10,7
Recta de carga Punto Q
1,93 0 8,8 10,7 VCE(volt)
Excitacin de diodos luminosos con polarizacin por base y emisor Primero analizaremos la excitacin por base segn el circuito de la figura, teniendo en cuenta que la cada de tensin de estos diodos vale 1,8 < vd < 2,5 volt
Calcularemos la corriente que el transistor suministra al diodo para el caso que el interruptor se cierre y pase a la saturacin IC1 = ID = (VCC VDl VCEsat) / RC (15 1,8) / 1,5 k = 8,8 ma IC2 = ID = (VCC VD2 VCEsat) / RC (15 2,5) / 1,5 k = 8,3 ma Como vemos se produce una variacin de la corriente de excitacin del LEDS que se acenta mas si la tensin de alimentacin es comparable con la cada de tensin del diodo. Ejemplo tomemos a VCC = 5 volt y RC = 0,5k IC1 = ID = (VCC VDl VCEsat) / RC (5 1,8) / 0,5 k = 6,4 ma IC1 = ID = (VCC VDl VCEsat) / RC (5 2,5) / 0,5 k = 5,0 ma Esta variacin provocara una variacin luminosa para los diodos del mismo tipo; no obstante para VCC >> Vd el circuito funciona bien. Vamos a ver la excitacin por polarizacin por emisor segn el siguiente circuito:
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Cuando el interruptor esta abierto ID = IC IE = 0 ma Cuando cerramos el interruptor ID = IC IE = (VBBVBE) / RE ID = (12 0,8) / 1,5 k = 7,47 ma y est valor se mantendr constante si cambia la cada de tensin del diodo. La ventaja de este tipo de excitacin es que cambiando el valor de RE o VBB modificamos la corriente que circula por el diodo y con ello modificamos la luminosidad. Por ejemplo si aplicamos a la polarizacin una tensin alterna superpuesta, la corriente del diodo variara de la misma forma y tambin su luminosidad. Si a este flujo luminoso variable lo direccionamos a travs de una fibra ptica, podemos transportarla. Si en el final de la fibra ptica colocamos un fotodiodo, la corriente que circula por el mismo comenzara a variar de la misma forma. Si ahora a esta corriente la hacemos circular por una resistencia, entonces hemos transportado la variacin de tensin de la fuente de seal. Este, es el principio de la transmisin por fibras pticas. Nota: Cabe aclarar que el circuito bsico presentado para polarizar por emisor, es impracticable como amplificador de seales dbiles, dado que la fuente de tensin conectada en la base (VBB), representa un cortocircuito para la seal de entrada. Mas adelante veremos que la polarizacin por emisor, se resuelve reemplazando a VBB por un divisor resistivo, que le presenta una resistencia de entrada a ve. Problema Para el circuito de la figura, determinar la corriente de emisor IE y la tensin de colector VC.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema Para el circuito de la figura, determinar la tensin de salida Vo
Problema Para los dos circuitos de la figura, determinar la corriente que circula por los diodos luminosos.
El fototransistor Este dispositivo, es mucho ms fotosensible que el fotodiodo. Se conecta normalmente en la configuracin emisor comn con la base abierta y la radiacin se concentra en la regin cercana a la juntura de colector JC. Para interpretar el funcionamiento de este semiconductor, admitimos que la juntura JE esta ligeramente polarizada en sentido directo y la JC en inverso, significando esto que el transistor esta en zona activa. Supongamos adems que no hay luz incidente en JC; en estas condiciones los portadores minoritarios generados trmicamente atraviesan la juntura de colector. La corriente de colector esta dad por la formula generalizada IC = . IB + (+1). Ico Como IB = 0 entonces IC = + (+1). Ico. Si se hace incidir luz en la vecindad de JC, se fotogeneran portadores adicionales que contribuyen a la corriente de saturacin inversa, de la misma manera que los portadores minoritarios generados trmicamente. De esta manera la corriente de colector se expresa como: IC = (+1). (Ico + IL ). Vemos que por la accion del transistor, la corriente generada por radiacin es multiplicada por el factor (+1), valor considerablemente mayor a uno (1).
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------H (mw/cm2) 10 Intensidad luminosa 8 6 4 2 Ico 5 10 15 20 VCE( volt) Fuente luminosa Tungsteno con T=2870K
IC (mA) 10 8 6 4 2 0
--1/RC
En el circuito bsico, tambin es posible ingresar corriente por la base . En estas condiciones , la corriente de colector vale: : IC =.IB + (+1). (Ico + IL ). La mayor sensibilidad de un fototransistor se logra con la base abierta. Si quisiramos bajar la sensibilidad, debemos colocar una resistencia variable entre la base y el emisor La diferencia entre un fotodiodo y un fototransistor esta consiste en la mayor sensibilidad de este ltimo. El fotodiodo trabaja con corrientes del orden de los a y los fototransistores del orden de los ma. El fotodiodo tiene como ventaja, la rapidez en la conmutacin. Optoacopladores Los optoacopladores, llamados tambin optoaisladores, son combinaciones de un emisor de luz y un receptor de luz. Como emisor se utiliza normalmente un diodo LED, y como receptor, puede ser un fotodiodo o un fototransistor. La combinacin acta de manera tal que una variacin de la luminosidad del emisor (circuito de entrada) se traduce en una variacin de corriente en el receptor (circuito de salida). La ventaja __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 33
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------fundamental de este dispositivo , es el aislamiento elctrico entre los circuitos de entrada y salida (varios miles de M). Son tiles para aplicaciones de alta tensin donde la diferencia de tensin entre los circuitos acoplados es muy grande.
Estabilidad del punto de polarizacin para un amplificador lineal Cuando se utiliza el transistor bipolar para amplificar linealmente seales elctricas, debemos polarizarlo en zona activa. Este punto de operacin, en su representacin grafica en las caractersticas VI de salida del transistor, se encuentra ubicado en la recta de carga (esttica), entre las zonas de corte y saturacin. La ubicacin, definida por el par de valores IC y VCE debera ser fija, ante alteraciones de algunos de los parmetros que definen al transistor. De no ser as, su posible desplazamiento, lo podra llevar cerca de las zonas de saturacin o corte, provocando una marcada distorsin de la seal amplificada.
IC (ma)
Zona de corte Recta de carga Punto Q Zona de corte
IC
VCE
VCE(volt)
Los parmetros elctricos que pueden modificar la ubicacin original de diseo del punto de operacin Q son VBE, Ico y (o hFE). VBE: Es la tensin base--emisor del transistor (tensin de la juntura JE ); su valor disminuye con el aumento de la temperatura en aprox. dv/dt = --2,5 mv/C Ico: Es la corriente inversa de portadores minoritarios de la juntura colectorbase (JC) Su valor se incrementa con la temperatura en aprox. di/dt 0,07% / C. ; esto equivale a un aumento del doble, de su valor inicial , por cada 10C de aumento de la temperatura. : Representa la ganancia de corriente en continua, tambin llamada hFE, para la configuracin en emisor comn. Su valor se modifica con la temperatura, pero su variacin mas critica se produce en su proceso de construccin, que hace que en el caso de los transistores discretos, del mismo tipo, su valor vare considerablemente. Para los __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 34
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------transistores que constituyen los circuitos realizados con tcnica de integracin en pastillas semiconductoras, la variacin de hFE es menor. Para los transistores de silicio, la Ico es muy baja y su variacin, no interfiere en ubicacin del punto de polarizacin; en cambio VBE y hFE, tienen relevancia. De all la importancia del circuito elctrico asociado al transistor, en la estabilizacin del punto de polarizacin. Podemos decir entonces que segn la metodologa que se emplee, podemos a los efectos de comparacin, definir tres factores de estabilizacin: S IC/Ico IC/Ico : Se la define como la variacin o incremento de la corriente IC(del punto de polarizacin) respecto a la variacin de Ico, manteniendo constantes y VBE. S IC/VBE IC/VBE : Definido como la variacin o incremento de la corriente IC, respecto a la variacin de VBE, manteniendo constantes Ico y S IC/ IC/ : Definido como la variacin o incremento de la corriente IC respecto a la variacin de , manteniendo constantes VBE y Ico. El amplificador bsico que hemos tratado en la configuracin base comn, funciona bien cuando trabaja en corte y saturacin, como en el caso de los circuitos digitales y circuitos que utilizan al transistor para conmutar cargas elctricas. Esta configuracin, trabajando en zona activa, en su diseo, es difcil predecir donde caer el punto de operacin, ante la variabilidad de ; de all la necesidad de establecer otro tipo de polarizacin. Estabilizacin por polarizacin con realimentacin por colector
Este circuito establece un determinado grado de estabilizacin del punto de polarizacin, mediante la alimentacin de la corriente de base por VCE. Si IC aumenta, provoca (por cada de tensin en RC) una disminucin de VCE y con ello de IB, contrarrestando el aumento de IC. IB = (VCEVBE) / RB y IC .IB. Este tipo de polarizacin fue superada por la de emisor.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Estabilizacin del punto de polarizacin por realimentacin por emisor
El circuito de la izquierda muestra el principio de operacin que ya lo hemos analizado para excitacin de dispositivos conectados al colector del transistor. En este caso habamos determinado: IC IE = (VBB VBE) / RE VBB / RE Constante. En este circuito, la realimentacin negativa del emisor que estabiliza el punto Q la podemos ver, aplicando la ley de malla de Kirchoff, al circuito de entrada, luego reemplazar la corriente la corriente de emisor, y finalmente despejar la corriente de base: VBBVBEVE = 0 (1) VE = RE . IE (2) IE = IC+IB (3) Reemplazando (2) y (3) en (1) y despejando IB tenemos: IB = (VBBVBERE. IC) / RE Vemos que si se produce un aumento o disminucin de IC provocara una disminucin o aumento de IB respectivamente y como IC . IB tal variacin de IC tendera a anularse. El circuito de la derecha, muestra el circuito prctico para uso con componentes discretos. (los circuitos integrados lineales usan otros mtodos para estabilizar) Como la fuente de tensin VBB dijimos que representa un cortocircuito para la seal a amplificar, se reemplaza por un divisor resistivo formado por RA y RB. La seal de entrada, es introducida a la base de Q1 por medio de un capacitor de desacople de la CC, Para este caso la impedancia que v la seal de entrada al amplificador ya no ser un cortocircuito sino el paralelo de RA, RB y la resistencia interna medida entre base y el Terminal comn. RE = //RA//RB//Rint. Anlisis simplificado del circuito: Si el circuito esta bien diseado, IA >> IB resultando tambin IAIB IA, resultando: VB = IA . RB = VCC . RB / (RA+RB) IE = VE / RE = (VBBVBE) / RE IC VC = VCCRC.IC VCE = VCVE; con VCE e IC hemos encontrado el punto de polarizacin. Problema Utilizando el circuito con polarizacin por emisor y divisor resistivo de la figura anterior, calcular todas las corriente y tensiones continuas del mismo, teniendo en cuenta que la ganancia de corriente en emisor comn oscila 100< <400.; considerar VBE = 0,7volt. Aplicar mtodo simplificativo y, justificar. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 36
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Amplificador bsico con transistor bipolar de una sola etapa (discreto)
El circuito es similar a los ya analizados solamente con el agregado de los capacitores de desacoplo C1 C2 y CE. El capacitor C1 no deja pasar la tensin continua de la seal ve al circuito de polarizacin de entrada (puede ser el circuito de salida de otra etapa amplificadora que le antecede). El capacitor C2 no deja pasar la tensin continua de polarizacin del circuito de salida, al circuito de carga (puede ser el circuito de entrada de otra etapa amplificadora que le precede). El capacitor CE se coloca para evitar una disminucin de la ganancia en seal alterna, por la cada de tensin que producira a la seal de salida vo Estos capacitores, a las frecuencias de funcionamiento de las seales a amplificar, deben calcularse para que se comporten como un cortocircuito (Baja impedancia). Es de aclarar que este tipo de amplificador, en la practica ya no se los utiliza, reemplazndoselos por amplificadores con tecnologa integrada. El circuito de estos ltimos es diferente dado que tienen que adaptarse a las caractersticas particulares de los CI. No obstante estos circuitos tienen un valor conceptual muy importante, por lo cual se sigue desarrollando su teora para comprender mejor la amplificacin electronica de seales elctricas. Polarizacin y estabilizacin de emisor con dos fuentes de tensin
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------El circuito muestra una forma de lograr la polarizacin por emisor utilizando dos fuentes de alimentacin opuestas, referidas al terminal comn o masa. Analizando el circuito de malla de la entrada, podremos establecer: VB = --RB . IB = VBE + RE . IE VEE. Como IB IC / IE / dado que IC IE Entonces reemplazando en la ecuacin anterior y despejando IE tenemos: IE = IC = ( VEEVBE) / ( RE + RB/) si resulta RE>> RB/ tendremos finalmente: IE = IC = ( VEEVBE ) / RE Vemos que bajo las condiciones de RE>> RB/ la corriente del punto de polarizacin es prcticamente independiente de las variaciones del valor de . El calculo de VE y VC resulta: VC = VCCRC.IC VE = RE. IE VEE --VBE si despreciamos la cada de tensin en RB, producida por la corriente de base. Polarizacin y estabilizacin de amplificadores lineales en circuitos integrados. Previo al desarrollo del tema especifico, adelantaremos algunas caractersticas generales de los circuitos electrnicos construidos bajo la tcnica integrada. En temas posteriores, lo desarrollaremos con ms detalle. Los CI, estn constituidos por un monocristal, normalmente de silicio, de dimensiones muy reducidas (puede ser por ejemplo 1250 x 1250 m), que contiene los elementos activos , pasivos y sus conexiones. En el proceso de fabricacin de la pastilla semiconductora de silicio, todos los componentes del circuito electrnico, incluida sus conexiones, se fabrican durante un solo proceso. Comparando la tecnologa de los circuitos integrados con la de los componentes discretos interconectados con tcnicas convencionales, cabe observar algunas de las siguientes ventajas: 1)-Son de bajo costo (debido a las grandes cantidades de produccin) 2)-Son de tamao reducido. 3)- Elevada fiabilidad (los componentes se fabrican simultneamente, sin soldadura) 4)-Mejor rendimiento (debido a su bajo costo, se pueden emplear circuitos mas complejos, para obtener mejores caractersticas funcionales. Debido a las caractersticas propias de los CI, los circuitos desarrollados para tcnicas discretas, difieren en algunos aspectos, de los utilizados con tcnicas integradas. Algunas de estas diferencias son: a)- Por razones de dimensiones, no se integran resistencias semiconductoras de valor alto.(de 10 hasta 30 k) b)- Por la razn anterior, en algunos casos se utilizan resistencias activas desarrolladas a travs del propio transistor. c)- Los capacitores que se pueden integrar, son de pequeo valor de capacidad C 200pF d)-Las inductancias no se pueden integrar, los transformadores tampoco.(Hay circuitos que simulan inductancias; se denominan circuitos convertidores o giradores) e)- Las tolerancias de fabricacin de las resistencias y condensadores, oscilan en valor absoluto en 20% f)- Las tolerancias entre resistencias del circuito, puede llegar a 1% __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 38
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------g)-Los componentes, tienen coeficientes de temperatura elevados y pueden ser sensibles a la tensin aplicada. h)- Los diodos se construyen empleando la estructura de los transistores, por ejemplo cortocircuitando la juntura colectorbase, quedndonos un diodo entre base y emisor. i)- La respuesta a alta frecuencia, esta limitada por las capacidades parasitas. j)- La tecnologa de CI es muy costosa para producciones en pequea series. Polarizacin y estabilidad: Cuando tratamos la polarizacin por emisor dijimos que para no disminuir la ganancia de la etapa amplificadora, colocbamos un capacitor (CE) en paralelo con la resistencia de emisor (RE).El valor de CE para evitar cada de tensin de la componente alterna (seal til), debe ser de varios microfaradios (F). Estos valores de capacidad no se pueden lograr en los CI. En algunos casos el CI tiene terminales exteriores, para colocar los capacitores externamente. Otros modifican el circuito para evitar el uso de ellos, permitiendo polarizar y estabilizar al transistor en zona activa. Analicemos tres circuitos que se pueden utilizar, en la tcnica integrada. A) En el circuito de la figura los transistores Q1 y Q2 son idnticos. Ambos, soportan las mismas variaciones de temperatura. Adems la tensin aplicada a las bases, a travs de R1, son iguales.
VBE1 = VBE2 =VBE IC1 = IC2 por ser transistores idnticos y tienen igual VBE I1 = (VCCVBE) / R1 = IC1+ IB1+IB2 despejamos IC1 resultando IC1= (VCCVBE) / R1 -- IB1 -- IB2. Si consideramos que VBE << VCC y (IB1+IB2)<< IC1 resulta : IC1 = VCC / R1 constante Como los transistores son iguales entonces IC2 = IC1 = constante. De esta manera el punto de polarizacin en zona activa, del transistor Q2 permanece estable.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------B) En este circuito tambin los transistores son iguales, Q1 = Q2 (1) y RB1 = RB2(2)
IB1 = IB2 = IB (3). La corriente I1 vale: I1 = 2 . IB +IC1 (4) y tambin I1 vale: I1 = (VCCVA) / R1 (5) . Por otra parte la tensin del punto A vale: VA = VBE + RB2 . IB (6) Reemplazando en (5) por (4) y (6) tendremos: 2.IB + IC1 = (VCCVBER2.IB) / R1. Despejando IC1 tenemos: IC1 = (VCCVBE) / R1 -- (2 +RB2/R1).IB. Si hacemos ahora que VBE<<VCC y (2+RB2/R1).IB << IC1 la expresin de IC1 se simplifica: IC1 VCC / R1 = constante. Luego IC2 = IC1= cte. Por ser Q1 = Q2 y estar excitados por la misma corriente de base. Adems si hacemos RC = R1 / 2 entonces tendremos: VCE = VCC IC2. RC = VCC -- VCC/R1. R1/2 = 1/2 VCC. Como puede verse, se ha logrado ubicar al punto de polarizacin en el centro de la recta de carga. C) Este ultimo mtodo que vamos analizar utiliza diodos de polarizacin formados por la juntura baseemisor de transistores. Puede ser utilizado tanto en CI como discretos.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el desarrollo asumiremos que IC IE adems IE = VE / RE La tensin en la base respecto al Terminal comn vale: VB =[ (VCCnVD) / (R1+R2)].R2 + nVD Luego VE vale: VE = VBVBE =[ (VCCnVD) / (R1+R2)].R2 + nVD VBE Operando esta expresin nos queda de la siguiente forma: VE = (VCC . R2) /( R1+R2) + [ (R1.nVD)/(R1+R2) VBE ] Si hacemos ahora (R1.nVD)/(R1+R2) = VBE entonces la expresin entre corchetes se hace igual a cero, quedndonos la expresin de VE como: VE = (VCC . R2) /( R1+R2) Si en la expresin: (R1.nVD)/(R1+R2) = VBE Hacemos n = 2 resulta operando: R1 = R2 lo cual VE = 1/2.VCC. Los valores son tericos, debemos tener en cuenta que la cada de tensin en los diodos deben ser idnticas y para VE = 1/2.VCC es necesario disminuir R1 para tener en cuenta la corriente adicional de base IB que circula por ella.
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2 1 Transistores - Bipolares

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I1 (A) Conexin al circuito de entrada (+) V1 (-)

(B) I2 (+) V2 Conexin al circuito de salida

VEB: tensin emisor--base VCE: tensin colector--emisor VCB: tensin colector--base

Smbolo transistor PNP

Smbolo transistor NPN

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Ie Fuente De seal Amplificador Electrnico con transistor bipolar

Barrera de potencial transistor PNP

Barrera de potencial transistor NPN

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IpE P N (IpE-IpC1) InB IpBo InCo

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Caractersticas tensin-corriente del transistor en emisor comn

Regin activa IB=25(a) IB=20(a) IB=15(a) IB=10(a) IB= 5(a) 1 10 15 20 VCE(v)

IC (ma) 20 15 10 0,2 0,6 0,8 VBE(v) V 5 0 Regin de saturacin

Regin de corte IC=Ico

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IB=0,20(ma) IB=0,15(ma) IB=0,10(ma) IB= 0,05(ma)

VCC Recta de carga

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Silicio Germanio Problema

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iC Ics 0,9 Ics

IB4 IB3 IB2 IB1

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B IB (+) VBE (--) Emisor IB

IC C (+) VCE (--)

IB4 IB3 IB2 IB1

(+) VBE (-)

(+) VBE (-) E IE

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IB (a) 400 300 200

IC(ma) 60 --1/RB 50 40 30 20 0,7 VBE(v) 10 2 4 6 8

IB(a) 500 400 300 200 100 10 12 VCE(v)

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Recta de carga Punto Q

1,93 0 8,8 10,7 VCE(volt)

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Zona de corte Recta de carga Punto Q Zona de corte

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