Fotodiodo

Mecatrnica, Universidad Tecnolgica de Tijuana Tijuana B. C. Mxico

Abstract in the next project we see the photodiode and phototransistor; we will see its functions, Palabras claves I. II. INTRODUCCION MARCO REFERENCIAL Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.

A.

Descripcin de proyecto

Esta practica ms que nada se trata de conocer el funcionamiento del fotodiodo as como del fototransistor, sus caractersticas especficas sobre el voltaje mximo que soporta cada uno de los dispositivos. Realizaremos un diagrama sencillo para ver el funcionamiento del fotodiodo emisor de luz infrarroja as como la del fototransistor. Lo primero que hicimos fue conseguir cada unos de los materiales que mas adelante se vern en el formato, una vez hecho esto hay que implementar el diagrama que a continuacin visualizaremos. fig. 1. Smbolo del fotodiodo Principio de operacin Un fotodiodo es una unin PN o estructura P-I-N. Cuando un haz de luz de suficiente energa incide en el diodo, excita un electrn dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de l, estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente. Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama polarizacin directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y prcticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que vara con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producir un aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga foto generados ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo.

B. C. D.

Objetivo general Objetivo particular Plan de trabajo

Composicin El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro material semiconductor.

III.

MARCO TERICO Material Silicio Longitud de onda (nm) 1901100

Germanio 8001900 Indio galio arsnico (InGaAs) 8002600 sulfuro de plomo <1000-3900 Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren refrigeracin por nitrgeno lquido. Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia. [1]

Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc. Para comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. Tambin se pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores pticos (opto-switch), que detectan la interrupcin del haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisin y de reflexin. Para obtener un circuito equivalente de un fototransistor, basta agregar a un transistor comn un fotodiodo, conectando en el colector del transistor el ctodo del fotodiodo y el nodo a la base. [1]

Uso

El 2N2222,

tambin

identificado

como

PN2222,

es

A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo. Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del Cd transformando la luz del haz lser reflejado en el mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados. Usados en fibra ptica

un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general.

fig. 3. Smbolo de transistor 2N2222 Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la regin de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conduccin. El fototransistor es ms sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.

fig. 2. Smbolo de fototransistor Un fototransistor es igual a un transistor comn, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas: fig. 4. Configuracin de transistor 2N2222 1. 2. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo comn). Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminacin). Puede utilizarse de las dos en formas simultneamente, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.

Sirve tanto para aplicaciones de amplificacin como de conmutacin. Puede amplificar pequeas corrientes a tensiones pequeas o medias; por lo tanto, slo puede tratar potencias bajas (no mayores de medio Watts). Puede trabajar a frecuencias medianamente altas.

3.

En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexin de base como sin ella y tanto en cpsulas plsticas como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente.

Por todas esas razones, es un transistor de uso general, frecuentemente utilizados en aplicaciones de radio por A. rea de trabajo Este tipo de sistemas es muy utilizado en establecimientos comerciales como sensores infrarrojos.

los constructores aficionados de radios. Es uno de los transistores oficiales utilizados en el BITX. Su versatilidad ha permitido incluso al club de radioaficionados Norcal lanzar en 1999 un desafo de construir un transceptor de radio utilizando nicamente hasta 22 ejemplares de este transistor - y ningn circuito integrado.

B. Materiales:

Elementos de la prctica

Fotodiodo infrarrojo (emisor) Las hojas de especificaciones sealan como valores mximos garantizados 500 miliamperios, 50 voltios de tensin de colector, y hasta 500 milivatios de potencia. La frecuencia de transicin es de 250 a 300 MHz, lo que permite utilizarlo en aplicaciones de radio de alta frecuencia (hasta 300 MHz). La beta (factor de Fototransistor infrarrojo (receptor) Fuente de poder Transistor 2N2222 Resistores

amplificacin, hFe) del transistor es de por lo menos 100; valores de 150 son tpicos. [2] IV. DESARROLLO

El 2N2222 es fabricado en diferentes formatos, los ms comunes son los TO-92, TO-18, SOT-23, y SOT-223. V. ANALISIS Y RESULTADOS

Su complemento PNP es el 2N2907. El 2N3904 es un transistor de caractersticas similares pero que slo puede transportar un dcimo de la corriente que el 2N2222 puede transportar; puede usarse como reemplazo del 2N2222 en caso de seales pequeas. VII. REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS VI. CONCLUSIN

Otro transistor de caractersticas similares, pero de mayor potencia es el 2N2219. Es un transistor en formato TO-39, con una frecuencia de transicin de 300 MHz, por lo cual puede ser usado en transmisores y amplificadores para HF, VHF y una cierta parte de UHF (300 MHz) con una potencia de salida de 1 a 2 watts, sabiendo que la mxima potencia que puede llevar a cabo es de 3 watts. Su complementario PNP es el 2N2905 al igual que el 2N2907. Tambin existe otro transistor que es de similares caractersticas, el cual es el 2N3053, pero su potencia es de 1w y es slo para aplicaciones entre 50 y 100 MHz. [3]

[1] Electrnica fundamental: dispositivos, circuitos y sistemas Escrito por Michael M. Cirovic

[2] Prcticas de Electrnica Escrito por Paul B. Zbar, Albert Paul Malvino, Michel A. Miller

[3] Electrnica general Escrito por Pablo Alcalde San Miguel