Autores: Eduardo Illescas Ing.

Rene vila Materia:Laboratorio de Analgica II Ciclo:5to Ciclo Tema: Transistor FET Y MOSFET Objetivos: 1.1) Verificar los siguientes tipos de polarizacin de un transistor FET 1.1.1)Polarizacin con dos fuentes 1.1.2)Polarizacin con resistencias de sourse 1.1.3)Autopolarizacin sin resistencia de sourse 1.1.4)Polarizacin con divisor de tensin 1.1.5)Polarizacin con fuente positiva y negativa 1.1) Disear calcular y comprobar el funcionamiento de la polarizacin de transistor MOSFET incremental 1.2) Disear calcular y comprobar el funcionamiento de la polarizacin de transistor MOSFET decremental Nota: todas los siguientes circuitos deben tener el punto de traajo a la salida al centro de la recta de carga; con una tolerancia de 0,5 v 1. Marco Terico: Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una regin de tipo P en un canal de tipo N, tal y como se muestra en la Figura 1. A ambos lados del canal se conectan los terminales de fuente (S, Source) y drenaje (D, Drain). El tercer terminal se denomina puerta (G, Gate).

Figura 1: Esquema del transistor JFET de canal N

Los smbolos de este tipo de dispositivos son:

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Figura de los JFET

2: Smbolos transistores

Las explicaciones incluidas en este captulo se refieren fundamentalmente al transistor NJFET, teniendo en cuenta que el principio de operacin del PJFET es anlogo. Principio de operacin del NJFET A continuacin se explica cmo se controla la corriente en un JFET. Al igual que sucede con los transistores BJT el JFET tiene tres regiones de operacin: Regin de corte Regin lineal Regin de saturacin

Es preciso hacer notar que en este caso, la saturacin alude a un fenmeno completamente distinto al de los transistores BJT. Caractersticas de salida Al variar la tensin entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador permaneciendo constante la tensin entre puerta y surtidor. En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador surtidor aumenta la intensidad de drenador. En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor produce una saturacin de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona. La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula. La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar el transistor entre drenador y surtidor.

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Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y surtidor es cero la intensidad de drenador es mxima.

Caractersticas de transferencia Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de puerta.

Especificaciones de los FET

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En las hojas de caractersticas de los fabricantes de FETs encontrars los siguientes parmetros (los ms importantes):

VGS y VGD.- son las tensiones inversas mximas soportables por la unin PN. IG.- corriente mxima que puede circular por la unin puerta - surtidor cuando se polariza directamente. PD.- potencia total disipable por el componente. IDSS.- Corriente de saturacin cuando VGS=0. IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unin puerta - surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso. Desventajas: Su ganancia de voltaje es mucho menor que en el BJT Es susceptible al dao en su manejo Su ancho de banda o respuesta en frecuencia es menor que en el BJT para este tipo de dispositivos.

Ventajas: Su impedancia de entrada es extremadamente alta Su tamao fsico es aproximadamente un 20 o 30% del espacio que ocupa un BJT. Su consumo de potencia es mucho ms pequeo que la del BJT Su velocidad de conmutacin es mucho mayor que las del BJT Es menos ruidoso que el BJT. Es afectado en menos grado por la temperatura

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1. Explicacin de la prctica:

2. Clculos y Esquemas:

3.1) Polarizacin con dos fuentes Datos:

Idss=13mA Vp=-4,3v Id=6mA VDS=6v VDD=10v

Incgnitas:
ID= ? RD= ? VGS= ?

Solucin:

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RG= 1M ID= IDSS*(1-VGSVP)2 6mA= 10mA*1-VGS-42VGS= -1.2v VDD= ID.RD+VDS RD= VDD-VDSID=56mARD= 769k

3.2) Polarizacin con resistencias de sourse

Datos:

Idss=14,7mA Vp=-4,8v ID=7,35mA VDS=5v VDD=10v

Incgnitas:
ID= ? RD= ? RS= ? VGS= ?

Solucin:

RG= 1M ID= IDSS*(1-VGSVP)2 7,35mA= 14,7mA*1-VGS4,82VGS= -1.4v RS= VGSID=-1,4V7,35mA RS= 190k VDD= ID.RD+VDS+VRS RD= VDD-VDS-VRSID=3,627,35mA RD= 491,156k

3.3) Autopolarizacin sin resistencia de sourse

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Datos:

Idss=12mA Vp=-4,8v VDS=5v VDD=10v

Incgnitas:
ID= ? RD= ? RS= ? VGS= ?

Solucin:

RG= 1M ID IDSS RD= VDD-VDSID=512mA RD= 416,66k

3.4) Polarizacin con divisor de tensin

Datos:

Idss=12 Vp=-4v VDS=5v VDD=10v VGS= -1,7v

Incgnitas:
RD= ? RS= ? R1= ? R2= ? ID= ?

Solucin:

RG= 1M ID= IDSS*(1-VGSVP)2 ID= 12mA*1--1,7-4,82ID= 7,9 mA VGS= VDD.R2R1+R2=10v.R1R1+R2 R1=R2

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VG= VDD.R2R1+R2=10v.2VG=5 v R1=R2=2 M VG=VGS+ID.RS RS= VG-VGSID=5v-1,7v3,9mA RS= 846 VDD= ID.(RD+RS)+VDS RD= 0,7 v3,9mA RD= 435,8

3.5) Polarizacin con fuente positiva y negativa.

Datos:

Idss=12 mA Id=6 mA Vp=-4v VDS=5v VDD=12v VSS=-5v

Incgnitas:
R1= ? R2= ? ID= ?

Solucin:
RG= 1M

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ID= IDSS*(1-VGSVP)2 6 mA= 12mA*1-VGS-4,82 VGS= -1,7 v VGS=VSS+ID.RS RS= VG-VGSID=5v+1,7v6mA RS= 1 K VDD= ID.(RD+RS)+VDS RD= 4,83 v6 mA RD= 820

3.6) Polarizacin de transistor MOSFET incremental

3.7) Polarizacin de transistor MOSFET decremental

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1. Lista de Materiales e Instrumentos a utilizar: 2. Cuadro de clculos medidos y simulados: 5.1) Polarizacin con dos fuentes

Calculad Medoidos os VG S VD S VR D ID -1,2 VG v S 5v 5v 6 mA VD S VR D ID -1,32 v 5,07 v 5,02 v 6,72 mA

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5.2) Polarizacin con resistencias de sourse Calculados VG S VD S VR D VR S ID -1,4 v 5v 3,60 v 1,39 v 7,35 mA Medoidos VG S VD S VR D VR S ID -1,42 v 4,75 v 3,02 v 1,22 v 6,72 mA

5.3) Autopolarizacin sin resistencia de sourse Calculado s VG S VD S VR D ID 0v 5v 5v 12 mA Medoidos VG S VD S VR D ID 0v 4,44 v 5,62 v 10,62 mA

5.4) Polarizacin con divisor de tensin Calculad os Medoidos

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VG S VD S VR D VR S ID 6 mA ID 7,96 mA 1,7 v 5v 5v VG S VD S VR D 1,4 v 5,3 v 5,62 v

5.5) Polarizacin con fuente positiva y negativa Calculado s VG S VD S VR D VR S ID Medoidos -1,3 v

VG 1,17 S v 6v VD S

5,52 v 5,2 v 6,29 v

4,87 VR v D 6,17 v 6 mA ID

6,43 mA

5.6) Disear calcular y comprobar el funcionamiento de la polarizacin de transistor MOSFET incremental

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5.7) Disear calcular y comprobar el funcionamiento de la polarizacin de transistor MOSFET decremental

1. Anlisis de datos y la practica en general:

En esta prctica no encontramos ningn inconveniente y el nico al que le podramos llamar problema o ms bien un detalle que debemos tomar en cuenta es que al momento de conectar el transformador verificar que cumpla con la carga de nuestro circuito.

2. Conclusiones y Recomendaciones:

Una recomendacin para realizar esta prctica es que al momento de empezar los clculos con el condensador debemos tener en cuenta que la corriente cambia totalmente por lo que el valor del voltaje en tambin y de hecho es diferente al calculado sin el condensador. Debido a los grficos y valores de los esquemas, esta prctica est bien realizada puesto a que coincidieron los grficos y mediciones, no en su totalidad pero si en lo que esperbamos.

A recommendation for practice is that when the calculations start with the capacitor should be noted that the current changes completely as the voltage on too and in fact is different than that calculated without the

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capacitor. Because the graphics and values of the schemes, this practice is well done since it coincided graphs and measurements, not entirely but if what we expected.
3. Bibliografa:
4. Anexos:

Existen varios tipos de conexin del FET aqu analizaremos una vista rpida de los 3 principales que posee: Polarizacin Fija.

De la figura se observa la gran inestabilidad que puede experimentar el punto de operacin para el caso de los posibles cambios en los parmetros que puede presentar un FET an cuando tratndose del mismo tipo ya que las tcnicas de fabricacin no son tan perfectas como para que IDSS y VGS off sean constantes de un dispositivo a otro. Este tipo de polarizacin es la peor forma de polarizar a un JFET ya que

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el punto de operacin (IDSQ, VDSQ) bastante es inestable.

Autopolarizacion.

La recta 1 representa una RS pequea y proporciona un elevado valor de gm, ideal para una buena ganancia de corriente, la desventaja es la inestabilidad debido a los cambios en los parmetros del JFEt, como puede observarse. La recta 2 ofrece las mejores condiciones tales que no compromete la inestabilidad y los valores de transconductancia, es decir, no se sacrifican una u otra. La tercera grafica produce una buena estabilidad del punto de operacin valores de gm bajos que se traduce en una baja ganancia de corriente. Por de divisores de Voltaje

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De la figura puede observarse que este tipo de polarizacin es mejor que las dos anteriores debido a que IDSQ es menor, sin embargo para conseguir esto es necesario aplicar valores elevados de VDD para que VGG sea lo ms grande posible y as el punto de operacin sea ms estable.

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