Introducci on

Antecedentes

Objetivos

Metodolog a

Resultados

Conclusiones

I Taller de Innovaci on Fotovoltaica y Caracterizaci on de Celdas Solares Celdas Solares por Dep osito Qu mico
Sarah Ruth Messina Fern andez sarah.messina.uan@gmail.com
Universidad Aut onoma de Nayarit

10 de Marzo de 2011

Introducci on

Antecedentes

Objetivos

Metodolog a

Resultados

Conclusiones

Contenido

Introducci on Antecedentes Objetivos Metodolog a Resultados Conclusiones

Introducci on

Antecedentes

Objetivos

Metodolog a

Resultados

Conclusiones

La t ecnica de dep osito qu mico

Ventajas: Es una t ecnica sencilla No se utilizan equipos sosticados ni de alto vac o El consumo de energ a es m nimo Se generan niveles de contaminaci on relativamente bajos Es adecuada para la producci on en area grande Desventajas: Baja eciencia de conversi on de los dispositivos Tama nos de grano de s olo decenas de nan ometros Problemas de inestabilidad por reacciones con el medio ambiente

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La t ecnica de dep osito qu mico

Ventajas: Es una t ecnica sencilla No se utilizan equipos sosticados ni de alto vac o El consumo de energ a es m nimo Se generan niveles de contaminaci on relativamente bajos Es adecuada para la producci on en area grande Desventajas: Baja eciencia de conversi on de los dispositivos Tama nos de grano de s olo decenas de nan ometros Problemas de inestabilidad por reacciones con el medio ambiente

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La t ecnica de dep osito qu mico

Ventajas: Es una t ecnica sencilla No se utilizan equipos sosticados ni de alto vac o El consumo de energ a es m nimo Se generan niveles de contaminaci on relativamente bajos Es adecuada para la producci on en area grande Desventajas: Baja eciencia de conversi on de los dispositivos Tama nos de grano de s olo decenas de nan ometros Problemas de inestabilidad por reacciones con el medio ambiente

Introducci on

Antecedentes

Objetivos

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Resultados

Conclusiones

Lo que se hab a hecho en el grupo . . .

Pel culas de Sb2 S3 fotoconductivas, con estructura cristalina ortorr ombica y Eg entre 1.7 y 1.8 eV. 1 Estructuras fotovoltaicas con Sb2 S3 y CuSbS2 como absorbedor con Voc 350 mV y Jsc 0.2 mA/cm2 .
2

Estructuras fotovoltaicas de SnO2 :F/CdS/Sb2 S3 /AgSbSe2 con Voc = 530 mV y Jsc 2 mA/cm2 . 3

1 2

J Electrochem Soc (1998) 145 (6) 2113 J Electrochem Soc (2005) 152G635 3 Semicond Sci Technol (2005) 20 496

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Lo que se hab a hecho en el grupo . . .

Pel culas de Sb2 S3 fotoconductivas, con estructura cristalina ortorr ombica y Eg entre 1.7 y 1.8 eV. 1 Estructuras fotovoltaicas con Sb2 S3 y CuSbS2 como absorbedor con Voc 350 mV y Jsc 0.2 mA/cm2 .
2

Estructuras fotovoltaicas de SnO2 :F/CdS/Sb2 S3 /AgSbSe2 con Voc = 530 mV y Jsc 2 mA/cm2 . 3

1 2

J Electrochem Soc (1998) 145 (6) 2113 J Electrochem Soc (2005) 152G635 3 Semicond Sci Technol (2005) 20 496

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Lo que se hab a hecho en el grupo . . .

Pel culas de Sb2 S3 fotoconductivas, con estructura cristalina ortorr ombica y Eg entre 1.7 y 1.8 eV. 1 Estructuras fotovoltaicas con Sb2 S3 y CuSbS2 como absorbedor con Voc 350 mV y Jsc 0.2 mA/cm2 .
2

Estructuras fotovoltaicas de SnO2 :F/CdS/Sb2 S3 /AgSbSe2 con Voc = 530 mV y Jsc 2 mA/cm2 . 3

1 2

J Electrochem Soc (1998) 145 (6) 2113 J Electrochem Soc (2005) 152G635 3 Semicond Sci Technol (2005) 20 496

Introducci on

Antecedentes

Objetivos

Metodolog a

Resultados

Conclusiones

Logros obtenidos durante el proyecto de tesis doctoral . . .

En celdas solares con Sb2 S3 /PbS se alcanzaron valores de hasta Voc = 640 mV y Jsc = 3 mA/cm2 . 4 En celdas solares con Sb2 Se3 :Sb2 O3 /Sb2 S3 /PbS el Voc disminuy o a 520 mV debido a la disminuci on de Eg = 1.3 eV para este manterial, Jsc se increment o a 4.2 mA/cm2 debido al mejoramiento de la absorci on optica. 5 En las celdas solares con Sb2 Sx Se3x formado por el horneado a 250 o C en aire se obtiene Voc = 580 mV y Jsc 3 mA/cm2 . 6

4 5

J Phys D: Appl Phys (2008) 41 095112 J Electrochem Soc (2009) 156 H327 6 Thin Solid Films (2009) 517 2503

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Logros obtenidos durante el proyecto de tesis doctoral . . .

En celdas solares con Sb2 S3 /PbS se alcanzaron valores de hasta Voc = 640 mV y Jsc = 3 mA/cm2 . 4 En celdas solares con Sb2 Se3 :Sb2 O3 /Sb2 S3 /PbS el Voc disminuy o a 520 mV debido a la disminuci on de Eg = 1.3 eV para este manterial, Jsc se increment o a 4.2 mA/cm2 debido al mejoramiento de la absorci on optica. 5 En las celdas solares con Sb2 Sx Se3x formado por el horneado a 250 o C en aire se obtiene Voc = 580 mV y Jsc 3 mA/cm2 . 6

4 5

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Logros obtenidos durante el proyecto de tesis doctoral . . .

En celdas solares con Sb2 S3 /PbS se alcanzaron valores de hasta Voc = 640 mV y Jsc = 3 mA/cm2 . 4 En celdas solares con Sb2 Se3 :Sb2 O3 /Sb2 S3 /PbS el Voc disminuy o a 520 mV debido a la disminuci on de Eg = 1.3 eV para este manterial, Jsc se increment o a 4.2 mA/cm2 debido al mejoramiento de la absorci on optica. 5 En las celdas solares con Sb2 Sx Se3x formado por el horneado a 250 o C en aire se obtiene Voc = 580 mV y Jsc 3 mA/cm2 . 6

4 5

J Phys D: Appl Phys (2008) 41 095112 J Electrochem Soc (2009) 156 H327 6 Thin Solid Films (2009) 517 2503

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Celdas solares con Sb2 S3

C -A g

D e n s id a d d e c o r r ie n te 2 [m A /c m ]

2 1 S n O
2

P b S (2 0 0 n m )
S b 2S
3

( i)

C d S ( c it) :F

-0 ,2 -1 -2

0 ,2

0 ,4

0 ,6

0 ,8

V o lta je [V ]

A ) B ) D ) C )

-3 -4 -5

E s p e s o r A ) B ) C ) D ) (n m ) 4 0 8 0 1 0 0 2 0 0

o c

J ) 0 0 0 0

s c 2

F F ) 0 .2 0 .3 0 .2 0 .2 1 9 9 6

(m V 6 2 6 6 6 4 6 2

(m A /c m 2 .4 2 .9 3 .7 3 .4

(% ) 0 .4 0 .6 0 .7 0 .6

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Conclusiones

Celdas solares Sb2 Sx Se3x

D e n s id a d d e c o r r ie n te 2 [m A /c m ]
3 ,7 5

2 ,5 0

P b S S b 2 S x S e 3 -x C d S ( c it) S n O
2

:F

1 ,2 5

0 ,0 0 0 ,0 -1 ,2 5 0 ,2 0 ,4 0 ,6 0 ,8

-0 ,2

A )

V o lta je [V ]
P b S (n m ) A ) 1 0 0 B ) 2 0 0 C ) 2 9 0 V (m V ) 5 4 0 5 6 0 5 4 0 J (m A /c m 0 .7 5 1 .9 2 .1
2

B ) C )

-2 ,5 0

o c

s c

F F 0 .2 3 0 .2 5 0 .2 7

(%)

-3 ,7 5

0 .0 3 0 .0 9 0 .1

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Conclusiones

Celdas solares con Sb2 Se3

6
A g C P b S S b 2S xS e C d S
3 -x

D e n s id a d d e c o r r ie n te 2 [m A /c m ]

:S b 2O
3

S n O
2

:F

0 -0 ,2 -3
a ) b )

-0 ,4

0 ,0

0 ,2

0 ,4

0 ,6 0 ,8 V o lta je [V ]

-6
V a ) b )

o c

(m V ) 5 2 0 5 2 0

s c

(m A /c m

F F 0 .2 8 0 .2 8
2

(% )

-9

3 .1 4 .2 IL= 1 0 0 0 W /m

0 .4 6 0 .6 6

Introducci on

Antecedentes

Objetivos

Metodolog a

Resultados

Conclusiones

Voc e Isc del m odulo de 10 cm x 15 cm con celdas tipo: SnO2 :F/CdS/Sb2 S3 /PbS

Introducci on

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Objetivos

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Conclusiones

Voc e Isc del m odulo de 10 cm x 15 cm con celdas tipo: SnO2 :F/CdS/Sb2 S3 /PbS

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Objetivos

Metodolog a

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Conclusiones

Objetivos
Objetivo General: Desarrollo de celdas solares de calcogenuros de metales por dep osito qu mico Objetivos Particulares: Implementar en la Universidad Aut onoma de Nayarit la t ecnica de Dep osito por Ba no Qu mico (CBD). Obtener pel culas delgadas de compuestos semiconductores II-VI, IV-VI y V-VI para aplicaciones fotovoltaicas. Desarrollar estructuras fotovoltaicas utilzando u nicamente CBD. Caracterizar los materiales y Dispositivos desarrollados en colaboraci on con el CIE-UNAM y la UANL.

Introducci on

Antecedentes

Objetivos

Metodolog a

Resultados

Conclusiones

Metodolog a
Depositar pel culas de CdS, ZnSZnO, SnSSnO2 sobre sustratos de vidrio y sobre vidrio con recubrimiento conductor transparente de SnO2 :F, para aplicaci on como material ventana. Depositar pel culas de Sb2 S3 , Sb2 Se3 como material absorbedor. Hacer tratamientos t ermicos adecuados para el mejoramiento de las propiedades opticas, el ectricas y estructurales de los materiales involucrados. Depositar pel culas de PbS como capa p+ . Caracterizar mediante la medici on de la curva I-V los dispositivos desarrollados.

4 5

Introducci on

Antecedentes

Objetivos

Metodolog a

Resultados

Conclusiones

En este trabajo ...

Celdas Solares de Sb2 S3 /PbS con materiales ventana alternativos al CdS 1 Las estructuras fotovoltaicas tipo: SnO2 :F/ZnS/Sb2 S3 /PbS/C/Ag presentan Voc 150 mV y Jsc < 1 mA/cm2 .
2

Si el ZnS es horneado a 380o C, se vuelve fotoconductivo y los par ametros de la celda mejoran, Voc = 240 mV y Jsc < 1 mA/cm2 . Si el ZnS es horneado a 450o C por 1 h, este se convierte a ZnO, as se forma la estructura: SnO2 :F/ZnO/Sb2 S3 /PbS, con Voc = 250 mV y Jsc 1 mA/cm2 . a
Semicond Sci Technol (1997) 12 1323

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En este trabajo ...

Celdas Solares de Sb2 S3 /PbS con materiales ventana alternativos al CdS 1 Las estructuras fotovoltaicas tipo: SnO2 :F/ZnS/Sb2 S3 /PbS/C/Ag presentan Voc 150 mV y Jsc < 1 mA/cm2 .
2

Si el ZnS es horneado a 380o C, se vuelve fotoconductivo y los par ametros de la celda mejoran, Voc = 240 mV y Jsc < 1 mA/cm2 . Si el ZnS es horneado a 450o C por 1 h, este se convierte a ZnO, as se forma la estructura: SnO2 :F/ZnO/Sb2 S3 /PbS, con Voc = 250 mV y Jsc 1 mA/cm2 . a
Semicond Sci Technol (1997) 12 1323

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En este trabajo ...

Celdas Solares de Sb2 S3 /PbS con materiales ventana alternativos al CdS 1 Las estructuras fotovoltaicas tipo: SnO2 :F/ZnS/Sb2 S3 /PbS/C/Ag presentan Voc 150 mV y Jsc < 1 mA/cm2 .
2

Si el ZnS es horneado a 380o C, se vuelve fotoconductivo y los par ametros de la celda mejoran, Voc = 240 mV y Jsc < 1 mA/cm2 . Si el ZnS es horneado a 450o C por 1 h, este se convierte a ZnO, as se forma la estructura: SnO2 :F/ZnO/Sb2 S3 /PbS, con Voc = 250 mV y Jsc 1 mA/cm2 . a
Semicond Sci Technol (1997) 12 1323

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Conclusiones

Celdas Solares con ZnS o ZnO como ventana y capa buer de CdS
En estructuras tipo: SnO2 :F/ZnS/CdS/Sb2 S3 /PbS y SnO2 :F/ZnO/CdS/Sb2 S3 /PbS con CdS de s olo 40 nm se retiene el Voc entre 500 y 600 mV y Jsc 1 mA/cm2
1.20

Densidad de Corriente [mA/cm ]

0.80 0.40 0.00 -0.2 -0.40 -0.80 -1.20 -1.60 -2.00 ZnSLuz n-ZnS) ZnOLuz n-ZnO) V oc 0.6 0.5 0.0 0.2

PbS Sb2S 3 CdS ZnS

0.4

0.6

0.8

Voltaje [V]

J sc 1.05 1.05

FF 0.31 0.30

0.19 0.16

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Conclusiones

El SnO2 como capa ventana

SnO2 como capa ventana La conversi on de pel culas delgadas de SnS a SnO2 es posible mediante procesos de horneado en aire a 450o C por 30 min. En estructuras fotovoltaicas con SnO2 /Sb2 S3 /PbS se encontraron valores de Voc y Jsc insignicantes, sin embargo en estructuras tipo SnO2 /CdS/Sb2 S3 /PbS en la cual la capa de CdS es de s olo 40 nm mostr o valores de Voc = 480 mV y Jsc 3-4 mA/cm2 .

Introducci on

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Objetivos

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Resultados

Conclusiones

El SnO2 como capa ventana

Celdas solares tipo: SnO2 :F/SnO2 /CdS/Sb2 S3 /PbS/C/Ag
6.0

V oc 0.48

J sc 3.6

FF 0.27

0.61

Densidad de Corriente [mA/cm ]

4.0

2.0

0.0 -0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Voltaje [V]
-2.0

-4.0

PbS Sb2S3 100 nm CdS 40 nm SnO 2 80 nm TEC 15

-6.0

Introducci on

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Objetivos

Metodolog a

Resultados

Conclusiones

Conclusiones 1 La estructura fotovoltaica CdS/Sb S /PbS con capa ventana 2 3 de CdS de 80-100 nm sobre el TCO, reportada anteriormente, sigue siendo la mejor de esta categor a.
2

En todos los casos los par ametros de la celda se ven afectados por la alta resistencia en serie comparada con la resistencia en paralelo En este trabajo se demostr o que la t ecnica de CBD permite producir celdas solares en pel cula delgada a un teniendo condiciones m nimas de infraestructura cient ca.

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Conclusiones

Conclusiones 1 La estructura fotovoltaica CdS/Sb S /PbS con capa ventana 2 3 de CdS de 80-100 nm sobre el TCO, reportada anteriormente, sigue siendo la mejor de esta categor a.
2

En todos los casos los par ametros de la celda se ven afectados por la alta resistencia en serie comparada con la resistencia en paralelo En este trabajo se demostr o que la t ecnica de CBD permite producir celdas solares en pel cula delgada a un teniendo condiciones m nimas de infraestructura cient ca.

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Conclusiones

Conclusiones 1 La estructura fotovoltaica CdS/Sb S /PbS con capa ventana 2 3 de CdS de 80-100 nm sobre el TCO, reportada anteriormente, sigue siendo la mejor de esta categor a.
2

En todos los casos los par ametros de la celda se ven afectados por la alta resistencia en serie comparada con la resistencia en paralelo En este trabajo se demostr o que la t ecnica de CBD permite producir celdas solares en pel cula delgada a un teniendo condiciones m nimas de infraestructura cient ca.

Introducci on

Antecedentes

Objetivos

Metodolog a

Resultados

Conclusiones

Trabajo Futuro
1

Mejorar las conductividades el ectricas de los materiales involucrados. Formaci on de compuestos ternarios que estables y con caracter sticas adecuadas para aplicaci on como material absorbedor en las celdas.

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Resultados

Conclusiones

Trabajo Futuro
1

Mejorar las conductividades el ectricas de los materiales involucrados. Formaci on de compuestos ternarios que estables y con caracter sticas adecuadas para aplicaci on como material absorbedor en las celdas.

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Objetivos

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Conclusiones

Gracias. . . por su atenci on

Gracias . . . a CONACyT por la beca de retenci on otorgada a la Universidad Aut onoma de Nuevo Le on al Centro de Investigaci on en Energ a al CA de Sustentabilidad Energ etica de la UAN