UNIVERSIDAD CATLICA DE SANTA MARIA

PROGRAMA PROFESIONAL, DE INGENIERIA MECANICA, MECANICA ELECTRICA Y MECATRONICA GUIA DE PRACTICAS DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

ELABORADO POR:

Ing. Marcelo Jaime Quispe Ccachuco.

Arequipa - Per 2010

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CIRCUITOS ELECTRONICOS I

TERCERA UNIDAD:

AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL. 3.1 Modelos en BJT y JFET 3.2 Circuito equivalente en pequea seal. 3.3 Ganancia de tensin, corriente y potencia. 3.4 Caractersticas de impedancia de entrada y salida 3.5 Diseo de preamplificadores

CUARTA UNIDAD:

EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL. 4.1

4.2 4.3 4.4 4.5

Arquitectura Interna.
Parmetros elctricos de lazo abierto Configuraciones bsicas. Aplicaciones lineales y no lineales Diseo de amplificadores.

QUINTA UNIDAD:

DISPOSITIVOS REGULADORES Y TEMPORIZADORES. 5.1 Principio de regulacin de tensin. 5.2 Reguladores integrados fijos y variables. 5.3 Principio de temporizacin. 5.4 El timer 555. 5.5 Otros tipos de timers.

Parametos de los informes: Un informe debe contener los circuitos armados en clases, dichos debern estar en diseados en un software de simulacin: Multisim Orcad Proteus (de preferencia) Objetivo de laboratorio Observaciones Clculos y resultados Conclusiones

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LAB 1: EL DIODO SEMICONDUCTOR I. OBJETIVOS El objetivo del laboratorio es que el alumno comprenda el significado de la resistencia dinmica del diodo y que su valor depende del punto de polarizacin en el que se encuentra el mismo. II. INFORME PREVIO A) Desarrollar los siguientes conceptos previos Estructura y simbologa del diodo. Curva caracterstica I-V de un diodo (idealizaciones) o Valores lmites o Tensin umbral o Tensin Zner o Intensidad inversa de saturacin o Resistencia esttica y dinmica o Circuitos equivalentes en cada tramo Polarizacin o Directa o Inversa Clculo del punto de trabajo Comportamiento de un diodo en rgimen dinmico (conmutacin) o Tiempos de conmutacin o Capacidades en la unin o Modelo equivalente Tipos y aplicaciones de los diodos III.- MATERIAL Y EQUIPO 2 diodos 1N4007 2 resistencias De 1 Kohms de 1/2 watt

Imprimir el DATASHET del 1N4148 y 1N4004 disponibles en Internet. MARCO TEORICO El Diodo; Estructura y simbologa Un diodo semiconductor de estado slido es un componente electrnico fabricado a partir de un material base semiconductor sobre el que se difunde una unin P-N. El terminal correspondiente a la zona P se denomina nodo (A) y el correspondiente a la zona N, ctodo (K).

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En la figura 1 queda reflejada la constitucin de una unin P-N, el smbolo genrico utilizado para representar un diodo, as como la caracterstica I-V del mismo. De manera terica, con algunas idealizaciones y aproximaciones, puede obtenerse que:

I = I S (e qV / KT 1)
Con: I y V: intensidad y tensin por el diodo en sentido nodo ctodo. Is: intensidad inversa de saturacin. KT/q=0,026(T/300) Volts.: potencial trmico (T viene dado en K).

Figura 1. Estructura y simbologa

IV.- PROCEDIMIENTO 1.- Identificacin de nodo y Ctodo del diodo Para identificar el nodo y ctodo de un diodo debe considera lo siguiente: Un buen diodo debe indicar relativamente poca resistencia en condicin de polarizacin directa e infinita o muy alta en inversa. 2.- Verificar el estado de los diodos 1N4007 Obs.: coloque el multmetro como Ohmimetro en la escala Rx100 . - Conecte el ohmimetro al diodo en la condicin de polarizacin directa, como se indica en la figura 1 y mida su resistencia. Rdirecta=.. - Conecte el ohmimetro al diodo en polarizacin inversa como se muestra en la figura 2 y mida su resistencia Rinversa=..

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Figura 1

Figura 2

3.- Para el diodo 1N4007, anotar el valor de los siguientes parmetros proporcionados en el datasheet del fabricante. IFmax , Potmax, VRmax Comentar el significado de cada uno. 4.- Arme el circuito de la siguiente figura:

Figura 3

Cmo se encuentra polarizado el diodo? _____________ 5.- De la siguiente tabla, aplique el voltaje indicado al circuito anterior, y lleve a cabo las mediciones indicadas (utilice el multmetro analgico). Volts V(diodo) I(diodo) 0.30 V 0.60 V 0.80 V 2.00 V 4.00 V 6.00 V 8.00 V 6.- Arme el circuito de la siguiente figura:

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Figura 4 Cmo se encuentra polarizado el diodo? __________ 7.- Vare el voltaje de entrada, hasta 20 V, elabore una tabla como el caso anterior con Voltaje y corriente en el diodo. 8.- con los datos obtenidos en los item 4 y 5 graficar con ayuda del programa Matlab Corriente I (eje y) versus voltaje (eje x) 9.- Vuelva a armar el circuito de la figura 3, empezando con la fuente en 0 volts empiece a subir hasta q el ampermetro marque 1mA, repita para los valores indicados en la siguiente tabla y repita el proceso para cada uno de los 3 diferentes tipos de diodos I (mA) V(volts) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

10.- Arme el circuito de la figura 3 y mida Id, Vd y VL. Dibuje la forma de onda esperada y obtenida de colores diferentes. Figura 5 11.- Arme el circuito de la figura 4 y mida Id, Vd y VL. Dibuje la forma de onda esperada y obtenida de colores diferentes.

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Figura 6

V. CUESTIONARIO FINAL PREGUNTAS: 1.- De qu material estn construidos los diodos semiconductores? 2.- Cul es el voltaje de operacin de los diodos rectificadores? 3.- Qu sucede si conectamos 4 diodos en serie? 4.- Qu se debe considerar al seleccionar un diodo? 5.- Cmo afecta la frecuencia a los diodos? 6.- Investigar los diferentes tipos de diodos que existen. 7.- Cmo afecta le frecuencia a los instrumentos de medicin? 8.- En base a la experiencia del item 8 cual de los 3 diodos es el mas lineal? 9.- Indicar en que aplicaciones practicas se usan estos diodos utilizados en la experiencia VI. CONCLUSIONES Emita al menos cinco conclusiones en torno al trabajo realizado __________________________________________________________________________ __________________________________________________________________________ __________________________________________________________________________ __________________________________________________________________________ __________________________________________________________________________ __________________________________________________________________________ __________________________________________________________________________ ______________

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LAB 2: CIRCUITOS RECTIFICADORES, RECORTADORES, MULTIPLICADORES DE VOLTAJE I. OBJETIVOS - El objetivo del laboratorio es que el alumno comprenda el significado de la resistencia dinmica del diodo y que su valor depende del punto de polarizacin en el que se encuentra el mismo. - Estudiar Los diferentes modelos de circuitos rectificadores monofsicos y los tipos de recortadores. II. INFORME PREVIO 1.- Describir el proceso de rectificacin de media onda. 2.- Describir el proceso de rectificacin de onda completa. 3.- Cmo se calcula matemticamente el voltaje medio en un circuito rectificador? III.- MATERIAL Y EQUIPO Protoboard 2 Resistencias de 1kohm de w Capacitares electrolticos de 16uF/15V ,100uF/15V 04 Diodos 1N4007 o puente diodos (integrado) 1 Diodo Zener de 5 a 12 Volt/2W

MARCO TEORICO Rectificador de Media Onda Los rectificadores de media onda y de onda completa se usan para transformar una tensin de alterna AC en otra de continua DC. Se usan por lo tanto en todos los circuitos electrnicos, salvo los que van alimentados por bateras.

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Rectificador de Onda Completa Hay distintas maneras de realizar un rectificador de onda completa usando diodos ideales. Una posibilidad es usar el circuito que se muestra en la Fig.15(a), que contiene 4 diodos. Para mejor comprender la operacin de este circuito es de inters contemplarlo como la superposicin de dos rectificadores de media onda, tal como se muestra en la Fig.15(b).

A.- CIRCUITOS RECORTADORES Circuito recortador que transmite la parte de la seal de entrada que es ms negativa que VR + V

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Cuando la tensin de la fuente es menor de +0.6 V, el diodo no conduce por lo tanto la diferencia de potencial en la resistencia es cero. Cuando la fuente suministra una tensin mayor de +0.6 V, el diodo conduce, con lo cual la tensin en la resistencia ser igual a la tensin de la fuente menos la cada de tensin en el diodo (0.6 V).

Circuito recortador que transmite la parte de la seal de entrada que es ms positiva que VR V

Cuando la tensin de la fuente es mayor de +5.6 V (5V de la fuente de continua + 0.6V del diodo), el diodo conduce por lo tanto la diferencia de potencial queda fija en 5.6 V Cuando la fuente suministra una tensin menor de +5.6 V, el diodo no conduce, con lo cual mido la tensin de la fuente.

Circuito recortador a 2 niveles (circuito rebanador)

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B.- FILTRADO. Explicacin cualitativa A partir de un circuito rectificador de media onda, como el de la figura, es posible obtener a la salida una seal continua. Esto se logra con la simple adicin a dicho circuito de un condensador que acte como filtro. La misin del condensador es almacenar energa y entregarla a la carga cuando sea preciso.

En la siguiente figura se puede ver la salida obtenida en el circuito anterior, si se supone que la carga tenga un valor infinito (RL = ). Como se aprecia, la tensin a la salida queda fijada al valor continuo Vm, debido a que el condensador se carga a dicho valor y, al no tener camino para su descarga, queda con esa tensin indefinidamente. En el caso en que la resistencia de carga tenga un valor finito (RL<), el condensador de filtrado se descargar durante el intervalo de no conduccin del diodo. En la siguiente figura podemos observar la onda rectificada (I), y la seal a la salida (II) que muestra cmo se descarga el condensador de forma exponencial.

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IV.- PROCEDIMIENTO A.- Circuitos Rectificadores A.1.- Rectificador simple (media onda) Obtngase la seal de salida de un rectificador de media onda (figura 4): Mediante clculos tericos Simulacin Montaje prctico En el montaje prctico conecte el osciloscopio visualizando VE(t) (10 Vmax, 60Hz)en el canal 1 y VS(t) en el canal 2 y represntese en la figura 4 la seal de salida obtenida. A.2. - Rectificador doble onda (onda completa) Obtngase la seal de salida de un rectificador de doble onda (figura 5). Mediante clculos tericos Simulacin Montaje prctico, primero con 4 diodos y luego con el puente de diodos. Nota: Cuidado con las masas de los canales del osciloscopio en el montaje prctico. B. circuitos recortadores, Filtrado, limitadores. B.1.- Circuitos Recortadores a) Armar el circuito N 1 y grafique lo ms exacto posible la seal de entrada vs la seal de salida, haga variar el voltaje Vr desde 5 hasta 13 v y vea lo que sucede

Circuito N 1 b) Modifique el circuito N 1 Invirtiendo el diodo y vea lo que sucede.

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B.2.- Circuitos de filtrado a) para un rectificador de media onda, mida el voltaje DC a la salida con un multimetro

Circuito N 2 Observe el comportamiento de la salida cambiando resistencias, capacitores y por ultimo frecuencia b) para un rectificador de onda completa, mida el voltaje de salida con un multmetro y comprelo con el valor anterior.

Circuito N 3

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B.3.- Circuito limitador Arme el circuito N 4 y grafique la seal de entrada y la seal de salida en un solo grafico

Circuito N 4 V. CUESTIONARIO FINAL PREGUNTAS: 1.-simular en multisim o proteus el siguiente circuito

2.- Investigar la aplicacin de los circuitos recortadores. 3.- Explicar detalladamente las curvas obtenidas en los diferentes circuitos armados. 4.- Describir en forma breve las caractersticas de cada circuito a utilizar .Indicar las formas de onda de entrada y salida. 5.- Definir las principales caractersticas para dimensionar los diseos de los circuitos. VI. CONCLUSIONES Emita al menos cinco conclusiones en torno al trabajo realizado

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LAB 3 Y 4: EL TRANSISTOR BIPOLAR I. Bipolar II. INFORME PREVIO: a) Analizar y sealar las caractersticas elctricas y electrnicas del Transistor BJT, en base a las hojas de datos de los diodos. b) Explicar brevemente los tipos de transistores que operan como amplificadores y como conmutadores c) Explicar las diferencias internas y de polarizacin de los transistores NPN y PNP d) Sealar y explicar los diferentes tipos de transistores que se usan para baja frecuencia, alta frecuencia, baja potencia y alta potencia, sus principales aplicaciones, etc. e) Analizar y efectuar el clculo del siguiente circuito. Hallar y graficar Vce vs. Ic , recta de carga ( Si conoce algn programa simulador, verifique resultados) OBJETIVO: Analizar las caractersticas electrnicas del Transistor

III. MATERIAL Y EQUIPO: Q1 - Transistor PNP BC558 R1 - Potencimetro de 200 ohms ,1/2W R2 - 100 ohms ,1/2W R3 - Potencimetro de 1K ohm , 2W R4 - 270 ohms, 2W C1 - 0.1 uF

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MARCO TEORICO: FUNDAMENTO El tipo de circuito con transistor que se emplea con ms frecuencia es la configuracin de emisor comn. En ella la seal de entrada se aplica entre la base y el emisor y la de salida se toma entre colector y el emisor. El emisor es comn a los circuitos de entrada y salida .En la Fig.1-1 se ilustra un transistor NPN en configuracin de emisor comn.

Fig.:1-1 EMISOR COMUN

Examinar la Fig. 1-1 y observe que la unin emisor - base est polarizada directamente y la unin base - colector, inversamente. Una seal de entrada que vare en sentido positivo, provocar un aumento en la corriente de emisor a base, produciendo un incremento correspondiente en la corriente de emisor a colector .Debido a las reducidas dimensiones de la regin de la base, la mayora de los electrones del emisor se difunden hacia la regin del colector y son atrados por la polaridad positiva externa impuesta al colector .La corriente creciente del colector produce un incremento correspondiente en la cada de tensin que se produce en la resistencia de carga del colector (RL), por tanto, la seal de salida est fuera de fase en 180o con respecto a la seal de entrada .La tensin de salida en RL (producida por IC ) es mayor que la tensin de entrada RB. Las caractersticas generales de operacin de la configuracin de emisor comn son tpicas y pueden variar de una unidad a otra ,para un tipo especfico de transistor . La impedancia de entrada es de un valor medio, dentro de un rango de 20 a 5,000 ohms,lo mismo que la de salida que puede estar entre 50 y 50,000 ohms. La ganancia de corriente en la configuracin de emisor comn ,esta representada por beta () y su frmula es = IC /IB . Puesto que la corriente de colector es siempre mayor que la de base, la ganancia de corriente es siempre mayor que 1 .Beta () puede representarse tambin con el smbolo hFE .

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La configuracin de emisor comn proporciona la mayor ganancia de potencia, debido a las grandes ganancias de tensin y de corriente. En este experimento determinar las caractersticas de un transistor PNP en configuracin de emisor comn .En comparacin con uno NPN, los portadores mayoritarios de corriente de PNP son huecos y, por lo tanto, deben invertirse las polaridades de la fuente y del medidor. IV. PROCEDIMIENTO 1. Conecte R3 (potencimetro de 1K ohm) como restato, poniendo en corto circuito el brazo mvil con una de las terminales y utilizando la escala de ohms del VTVM, ajstelo a una resistencia de 500 ohms. Construya el circuito que se ilustra en la Fig.1-2 No aplique energa al circuito por ahora. El VTVM debe estar colocado en la posicin de VCD y el terminal comn debe ir conectado al lado positivo de la fuente del colector (tierra).

Fig 1-2 2. Se construir un conjunto de caractersticas de tensin de colector (VCE) contra corriente de colector (IC) para los diferentes valores de corriente de base (IB) que se especifican. Ajuste la fuente de la unin emisor - base a 5 V, de acuerdo con la lectura del voltmetro. 3. Ajuste R1 ( el potencimetro de 200 ohms ) para obtener una lectura cero en el ampermetro del circuito de base .Ajuste la tensin de alimentacin del colector a 1 volt ,tomando esta lectura en el VTVM ,entre colector y emisor .El potencimetro R3(1K) debe permanecer ajustado a 500 ohms invariablemente .Con corriente de base cero y tensin de colector de 1 volt, mida la corriente de colector y antela en la Tabla 1-3.

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4. Ajuste la tensin de alimentacin del colector a 10 volts , entre colector y emisor, tomando esta lectura en el VTVM. Es posible que R1 requiera un reajuste para mantener una IB igual a cero. Mida la corriente de colector indicada para una VCE de 1 volts y una I B de cero y antela en la tabla 1-3.

5. Consulte el procedimiento que se sigui en los puntos 3 y 4 complete la tabla 1-3, registrando las IC para cada uno de los valores indicados de IB, a los niveles de 1 y 10 volts de VCE , antes de anotar IC. Puede ser necesario volver a ajustar R1 y la tensin de la fuente del colector , para mantener los valores deseados de IB y VCE. 6. Basndose en los datos recabados en la tabla 1-3, dibuje la familia de curvas IC - VCE para cada uno de los valores indicados de IB, en la grfica de la Fig. 1-4 indicando en cada curva el valor correspondiente de IB. Se supone que el cambio del nivel VCE = 1 V al es lineal. VCE = 10 V,

FIG. 1-4

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7. Utilizando la familia de curvas IC - VCE, construya una lnea de carga en la grfica de la Fig. 1-4 indicando en ella los puntos correspondientes a los valores de VCE = 6 V e IC cero .Suponiendo que se tiene una resistencia de carga de colector de 500 ohms , calcule la mxima corriente posible de colector ,utilizando la Ley de Ohm. La respuesta es la corriente de colector que fluir a travs de la resistencia de carga (R3), suponiendo que el Transistor no tiene resistencia interna........................................... IC=...................................................................................................... .....................mA Localice en la grfica, los puntos de VCE = 6 V e IC cero y el correspondiente valor calculado de IC y conctelos con una recta. Esta es la lnea de carga resultante de 500 ohms. 8. Supongamos que se aplica en la entrada del circuito de emisor comn, una seal senoidal que haga variar la corriente de base a emisor un total de 40 A alrededor de un punto de operacin de 40 A .Ubique la interseccin de la lnea de carga construida con la curva de 40 A , indicando este punto como X , el cual ser el punto de operacin arbitrariamente seleccionado para el transistor. La seal de entrada har que la polarizacin vare ms y menos 20 microamperes a ambos lados del punto de operacin selecionado de 40 A ;esta variacin dar lugar a la interseccin de la lnea de carga con las curvas IB = 60 A e IB = 20 A .Marque estos dos puntos sobre la lnea de carga y sealelos como N y M, respectivamente. 9. Proyecte lneas perpendiculares a partir de la lnea de carga de 500 ohms , en los puntos N, X y M (hacia la derecha de la lnea de carga ) .Dibuje un senoide entre estas tres lneas perpendiculares , centrndola en la correspondiente al punto X .Esta senoide representa la corriente de la seal de entrada IB. Ahora, trace lneas horizontales hacia la izquierda de la lnea de carga y paralelas al eje horizontal de la grfica .Dibuje una senoide entre estas tres lneas , centrndola en la horizontal correspondiente al punto X. Esta onda senoidal representa la corriente de la seal de salida ,IC. 10.La ganancia de corriente Ai de la configuracin de emisor comn se determina por la frmula (Beta) = IC/ IB .El smbolo significa variacin de. Sobre el eje de IC , determine la variacin de la corriente de colector ( IC) entre los puntos N y M ; determine a continuacin la variacin de la corriente de base (IB) entre los puntos N y M . Con estos datos , calcule la ganancia de corriente para la configuracin de emisor comn recuerde que IB debe expresarse en mA.

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11.Desconecte el terminal del VTVM del colector de Q1 y conctela al lado negativo de la fuente de colector (0-20 V). Utilizando el circuito de la Fig. 1-2 ajuste la corriente de base a emisor de 40 A y la tensin de alimentacin entre colector y emisor ,a 6 V .Esta condicin de operacin es similar a la indicada por la lnea de carga construida sobre la grfica de la Fig. 1-4 Aplique una onda senoidal de 1 Khz del generador de Af , entre el punto A y el terminal de tierra. Conecte el osciloscopio calibrado entre el colector de Q1 y el terminal de tierra. Ajuste el atenuador de salida del generador de AF para tener una onda senoidal de 2 V de pico a pico en el colector de Q1 segn se observa en el osciloscopio. 12.Desconecte el osciloscopio del colector de Q1 y conctelo a la base de Q1 .Mida y anote la tensin de entrada de pico a pico en la base de Q1. Eentrada=...................................................................volts de pico a pico . 13.Utilizando la tensin de salida de 2 V de pico a pico en el colector de Q1 y la tensin de entrada de pico a pico que se registr en el punto 12, calcule y anote la ganancia de tensin de la configuracin de emisor comn ....................................AE=........................................ .................................................................................. RESUMEN DE ECUACIONES DE LA CONFIGURACION DE EC IE = IB + IC IE = IB + IB IE = IB (1 + )

,=

1+

Av
Ai

Rsalida Rentrada

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V. CUESTIONARIO FINAL 1. En la configuracin de emisor comn ,la seal de entrada se aplica entre --------------------------------------------------------------------------------------y la seal de salida se toma entre--------------------------------------------------------------------2. Cul es la frmula para la ganancia de corriente (Ai) en una configuracin de emisor comn ?--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- --------------------------------------------3. Cul es la relacin de fase entre los circuitos de entrada y salida de la configuracin de emisor comn ?--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------4. En la configuracin de emisor comn A qu es igual la corriente de base (IB) ? ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- -------------------------------------------5. Describa las polarizaciones de operacin correctas que deben aplicarse a las uniones emisor - base y base - colector de un transistor en configuracin de emisor comn-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------6. Qu tendr un mayor efecto en la tensin de salida del circuito de emisor comn , una variacin de VCE o una de IB ?----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Por qu ?-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------TIEMPO : 2 sesiones de laboratorio RPCG 09-2009

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LAB 11 Y 12: EL SCR Y EL TRIAC I. OBJETIVO: Analizar el comportamiento y caractersticas de un SCR y de un TRIAC, las operaciones como control de potencia para propsitos de control. II. INFORME PREVIO: a) Analizar y sealar las caractersticas elctricas del Rectificador Controlado de Silicio, en base a las hojas de datos de los CI- OP-AMP. b) Explicar brevemente los tipos de SCR que operan como rectificadores controlados. c) Explicar brevemente los tipos de TRIAC de que operan como Todo o Nada. d) Sealar los principales mtodos de disparo por puerta, analizar brevemente cada uno de ellos. e) En que consiste el .firing delay angle, explicar sus limites f) Analizar y efectuar el clculo del siguiente circuito FIG 01. Hallar y graficar, V R3 vs. VGS, VGK vs. VAK . Repetir el analisis verifique resultados) g) Describa un mtodo para determinar los terminales en un SCR utilizando un multmetro. si V GS= 5V sen wt . ( Si conoce algn programa simulador,

FIG. 01 III. MARCO TEORICO El circuito principal es un Un SCR es un rectificador convencional controlado por un gate. rectificador pero el aplicar voltaje no es suficiente para conducir.

Figura 1: Diagrama de SCR El circuito rectificador tiene una resistencia directa baja y una resistencia revertida alta. La forma de controlarla es a base de resistencia alta en el gate (off state) Una vez que esta o de una resistencia baja en el gate (on state).

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prendido, se mantiene prendido a menos que la corriente que este pasando baje a un nivel menor del mnimo necesario de funcionamiento.

Figura 2: Curva caracterstica del SCR Una vez encendido, un SCR funciona como cualquier componente rectificador con las mismas caractersticas. Este componente es utilizado mayormente en circuitos de interruptor de potencia, control de fase entre otros. El TRIAC al igual que el SCR es un dispositivo semiconductor de tres terminales que controla el flujo de corriente en la carga, con la diferencia que este conduce en amos sentidos. Este es activado con una corriente de cierta magnitud sin importar su polaridad. Para desactivarlo es bajar los niveles requeridos de corriente o invirtiendo la fuente de voltaje.

Figura # 1: Esquema del TRIAC Cuando el TRIAC conduce este se comporta como un zener en donde conduce en ambas direcciones.

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Figura # 2: Curva caracterstica del TRIAC MATERIAL Y EQUIPO: 1 Fuente de poder de 0 a 30V 1 Fuente de poder de 0 a 5V 1 SCR 2N1595 equivalente, 1 TRIAC Resistencias, condensadores y diodos de acuerdo al circuito Osciloscopio con dos puntas de prueba (OSC) 1 Potencimetro de 5 Kohm lineal IV. PROCEDIMIENTO 1. Monte el siguiente circuito.

2. Inicialmente verifique s Vs = 0V. Y VGS = 0V. 3. Ajuste Vs = 28V y mantenga VGS = 0V. 4. Mida la corriente de nodo ( If.). 5. Caliente el hierro del SCR solo por algunos segundos, y registre el nuevo valor de la corriente nodo If. 6. Analice y comente con respecto a los puntos del 3 al 6. 7. Verifique s Vs = 28V y s VGS = 0V.

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Observe con el osciloscopio la tensin VAK y lentamente aumente la tensin VGS hasta que ocurra el disparo del SCR, Y registre en la tabla los valores de la corriente IGT y la tensin de compuerta VGT antes que ocurra el disparo. Repita el procedimiento tres veces completando la tabla. Determine los valores de IGT y VGT a travs de los valores registrados en la tabla. Medidas 1 2 3 VGT (v) IGT (mA)

Valores medios VGT = ..V y IGT = mA. Pregunta: que ocurri con VAK en la transicin?. 8. Mida la tensin VAK antes del disparo con el osciloscopio. VAK = mV 9. Reduzca la tensin VGS a cero y revise si el SCR esta conduciendo. 10. Analice y comente respecto a los puntos del 8 al 10. II. Caractersticas de conduccin directa (If x VAK), la tensin y la corriente de mantenimiento (VH(AK) y IH). 11. Monte el siguiente circuito.

12. Ajuste Vs = 28 V y verifique s VGS = 0. 13. Aumente la tensin VGS a partir de cero hasta que el SCR se dispare (observe la transicin de la corriente If).

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14. Ajuste Vs de tal forma que If = 60 mA. Registre en la tabla el valor correspondiente para VAK de If. If (mA) 60 50 40 30 20 10 VAK (mV)

15. Ajuste Vs de tal forma que If = 60 mA. Registre en la tabla el valor correspondiente para VAK de If. If (mA) 60 50 40 30 20 10 VAK (mV)

16.Inicialmente con Vs = 28 V asegrese que el SCR este bloqueado. Aumente lentamente VGS hasta que ocurra el disparo del SCR, por consiguiente desconecte VGS es decir VGS = 0V. 17. Reduzca lentamente la tensin Vs en el lazo que el SCR vuelva a bloqueo. En el instante inmediatamente anterior al bloqueo. Registre la corriente If = Ih y la tensin VH correspondiente. Repita el proceso anterior completando la tabla siguiente, calculando la corriente de mantenimiento Ih y la tensin de mantenimiento VH(AK) registre la media de los valores registrados. Ih (mA) 0.61 0.60 0.58 VH (V) VH (AK) (mV)

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V. 1)

CUESTIONARIO FINAL: Calcule la ganancia de diferencia de potencial terica de VGT del circuito y comprela con la obtenida experimentalmente.

2) Qu ventajas tiene el TRIAC sobre el SCR? Explique su contestacin. 3) Si el ngulo de conduccin. de un TRIAC es de 90 en la fase total y deseamos duplicar la carga de corriente, Cul seria el nuevo .conduccin ngulo.? 4) En cada punto de los circuitos dibujar la grafica de la seal Indicar las magnitudes y frecuencias. 5) Indicar en que aplicaciones prcticas se usan los SCR y TRIACS 6) Conclusiones y Observaciones de la experiencia.

TIEMPO : 2 sesiones de laboratorio

RPCG 11-2009