Sunteți pe pagina 1din 12

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSE DE CALDAS

LABORATORIO N2


ELECTRONICA II

DIEGO ANTONIO MONTAES SAENZ: 20091005081
JUAN SEBASTIAN VIZCAINO CASTRO: 20091005099




JOSE HUGO CASTELLANOS





15 DE FEBRERO DE 2010

BOGOTA D.C.
UNIVERSIDAD DISTRITAL FJC ELECTRONICA II EMISOR COMUN A ALTAS FRECUENCIAS
2011


2
OBJETIVOS
- Desarrollar mediante Fuentes de corriente la polarizacin de un transistor BJT y
analizar sus resultados.
MARCO TEORICO





















UNIVERSIDAD DISTRITAL FJC ELECTRONICA II EMISOR COMUN A ALTAS FRECUENCIAS
2011


3

DISEO



POLARIZACION













Caractersticas del transistor:
"Tomado de datasheet para Ic=3mA"














Vcc 9V :=
hFE 100 := Vbe 0.715V :=
hoe 15.610
6
S :=
hre 1.810
4
:=
hfe 100 :=
Ic 3mA :=
Rmo 100O :=
RL 330O := Rg 50O :=
Rc
Vcc
3 Ic
1 KO = :=
Ie
Ic
hFE
hFE 1 +
|

\
|
|
.
3.03mA = :=
Re
Vcc
3Ie
990.099O = :=
Ib
Ic
hFE
30 A = :=
Vcb
Vcc
3
Vbe 2.285V = :=
VRb Vcb
Vcc
3
+ 5.285V = :=
Rb
VRb
Ib
176.167KO = :=
Figura1. Circuito en proceso de diseo.
Rc
1k
Q1
Re
1k
Rb
176k
0
C1
100n
C2
100n
Rmo
100
RL
330
0
Rg
50
I1
10mV
0
C3
100n
UNIVERSIDAD DISTRITAL FJC ELECTRONICA II EMISOR COMUN A ALTAS FRECUENCIAS
2011


4

MODELO AC
Definicin de parmetros:









GANANCIA DE VOLTAJE PARA EMISOR COMUN CON RL






"Temperatura promedio de Bogot D.C"
"Constante de Boltzmann

"Carga del electrn"










"Ganancia de banda media"
Kb 1.380650410
23

J
K
:=
T 273.15K 14K + 287.15K = :=
q 1.60910
19
C :=
VT
Kb T
q
24.64mV = := gm
Ic
VT
0.122
1
O
= :=
rt
VT hFE
Ic
821.325O = :=
Ct
gm
2t FT
35.232pF = := C 0.58pF :=
FT 550MHz :=
Avm
Vout
Vin
ib
Vt
rt
Vin ib Rg Rmo + ( ) ib rt +
Vin Vt
Rg Rmo + ( )
rt
1 +

(
(

RcllRL
Rc RL
Rc RL +
|

\
|
|
.
248.12O = :=
Vout gmVt RcllRL
Avm
RcllRLgm rt
Rg Rmo + rt +

\
|
|
.
25.545 = :=
Figura2. Equivalente AC.
gmVpi
Cu
0.58pF
Rc
1k
RL
330
rpi
821
Rb
176k
Rmo
100
Rg
50
Vin Cpi
35.2pF
UNIVERSIDAD DISTRITAL FJC ELECTRONICA II EMISOR COMUN A ALTAS FRECUENCIAS
2011


5


GANANCIA DE CORRIENTE PARA EMISOR COMUN CON RL



CALCULO DE FHv POR CONSTATNES DE TIEMPO:












"Como Rb es muy grande Rbllr es prcticamente r"

"Ganancia de corriente en banda media"
Reflejando C:









Aim
Iout
Iin
Iin
Vt
rt
Iout
gm Vt Rc
Rc RL +
Aim
Rc gm rt
RL Rc +
75.188 = :=
K gm
RL Rc
RL Rc +
|

\
|
|
.
30.21 = :=
Cmo 1 K ( ) C 18.102pF = :=
Cmi Cmo Ct + 53.334pF = :=
Cmp
C K 1 ( )
K
0.599pF = :=
Req1
rt Rg Rmo + ( )
rt Rg Rmo + ( ) +
126.836O = :=
t
1
Req1 Cmi 6.765ns = :=
Req2 RcllRL 248.12O = :=
t
2
Req2 Cmp 0.149ns = :=
FHv
1
2t
1
2
n
t
n
=

23.021MHz = :=
Figura3. Reflejado C en Cmo y Cmp
gmVpi
Rc
1k
RL
330
rpi
821
Rb
176k
Rmo
100
Rg
50
Vin Cpi
35.2pF
Cmp
0.6pF
Cmo
18.1pF
UNIVERSIDAD DISTRITAL FJC ELECTRONICA II EMISOR COMUN A ALTAS FRECUENCIAS
2011


6




SE CALCULARA DE NUEVO FH TENIENDO EN CUENTA LAS
CAPACITANCIAS INTRINSECAS DE LA MEDICION:








La capacitancia de osciloscopio (medicin de salida) queda en paralelo con Cmp
por lo que la resistencia equivalente que vera Cosc ser la misma que Cmp; lo
nico que se har, ser redefinir
2
.




"Frecuencia de corte"
Para la medicin de voltaje:


Capacitancia de osciloscopio





"Frecuencia de corte efectuando medicin"
tMv
1
t
1
:=
Cosc 15pF :=
ReqMv
2
Rmo rt + ( ) Rg
Rmo rt + Rg +
47.426O = :=
tMv
2
ReqMv
2
Cosc 0.711ns = :=
tMv
3
Cmp Cosc + ( ) ReqMv3 3.87ns = :=
ReqMv3 Req2 :=
FHMv
1
2t
1
3
n
tMv
n
=

14.027MHz = :=
gmVpi
Rc
1k
RL
330
rpi
821
Rb
176k
Rmo
100
Rg
50
Vin Cpi
35.2pF
Cmp
0.6pF
Cmo
18.1pF
Cosc
15pF
Cosc
15pF
Figura4. Capacitancias intrnsecas de medicin Cosc
UNIVERSIDAD DISTRITAL FJC ELECTRONICA II EMISOR COMUN A ALTAS FRECUENCIAS
2011


7
Como para la corriente no podemos medir al mismo tiempo entrada y salida al
circuito le aparecer una capacitancia en paralelo con Rmo cuando se vaya a
medir la entrada y otra en paralelo con Cmp cuando se vaya a medir salida:














Medicin de corriente de entrada:


R equivalente para medicin de entrada

Frecuencia de corte cuando se est midiendo corriente
de entrada.
Medicin de corriente de salida:

Frecuencia de corte cuando se est midiendo corriente
de salida.
tMIin
1
t
1
:= tMIin
2
t
2
:=
ReqMIin3
Rg rt + ( )Rmo
Rmo Rg + rt +
89.705O = :=
tMIin
3
Cosc ReqMIin3 ns = :=
FHMIin
1
2t
1
3
n
tMIin
n
=

19.271MHz = :=
tMIout
1
t
1
:=
Cosc
15pF
gmVpi
Rc
1k
RL
330
I
o
u
t
rpi
821
Rb
176k
Rmo
100
Rg
50
Vin Cpi
35.2pF
Cmp
0.6pF
Cmo
18.1pF
Figura5. Capacitancias intrnsecas de medicin Cosc
(Midiendo corriente de entrada)
gmVpi
Rc
1k
RL
330
I
o
u
t
rpi
821
Rb
176k
Rmo
100
Rg
50
Vin Cpi
35.2pF
Cmp
0.6pF
Cmo
18.1pF
Cosc
15pF
Figura6. Capacitancias intrnsecas de medicin Cosc
(Midiendo corriente de salida)
UNIVERSIDAD DISTRITAL FJC ELECTRONICA II EMISOR COMUN A ALTAS FRECUENCIAS
2011


8


SIMULACIONES
Sin condensadores de medicin
BIAS-POINT

AC SWEEP

Avm = 17.81 FHv = 18.19MHz Ft = 312.2MHz
Frequency
10KHz 30KHz 100KHz 300KHz 1.0MHz 3.0MHz 10MHz 30MHz 100MHz 300MHz 1.0GHz
V(V2:+) V(R6:2) (V(R6:2)/V(V2:+)) I(V2) -I(R6) I(R6)/I(V2)
0
50
100


FHMIout
1
2t
1
2
n
tMIout
n
=

14.965MHz = :=
tMIout
2
Cmp Cosc + ( ) Req2 3.87ns = :=
UNIVERSIDAD DISTRITAL FJC ELECTRONICA II EMISOR COMUN A ALTAS FRECUENCIAS
2011


9
Aim = 81.98 FHi = 2.95MHz Ft = 238.6MHz



Con condensadores de medicin (Midiendo voltaje).
BIAS-POINT

AC SWEEP

Avm = 17.81 FHv = 14.49MHz Ft = 124MHz

Frequency
10KHz 30KHz 100KHz 300KHz 1.0MHz 3.0MHz 10MHz 30MHz 100MHz 300MHz 1.0GHz
V(R4:1) V(R6:2) (V(R6:2)/V(V2:+))
0
10
20
UNIVERSIDAD DISTRITAL FJC ELECTRONICA II EMISOR COMUN A ALTAS FRECUENCIAS
2011


10




Con condensadores de medicin (Midiendo corriente de salida).
BIAS-POINT

AC SWEEP

Iout = 539A FHi = 14.69MHz Ft = 304.2MHz

Frequency
10KHz 30KHz 100KHz 300KHz 1.0MHz 3.0MHz 10MHz 30MHz 100MHz 300MHz 1.0GHz
-I(R6)
0A
200uA
400uA
600uA
UNIVERSIDAD DISTRITAL FJC ELECTRONICA II EMISOR COMUN A ALTAS FRECUENCIAS
2011


11




TABLA

1. Polarizacin con red resistiva clsica para I
CQ
=1 ,V
cc
=9 V
Verificacin voltajes y corrientes:


V
RC

V
CE

V
RE

I
C

Av sin Rl

Av con
RL=330

Medido

Calculado

Medido

Calc.

Medido

Calc.

Medido

Calc
.

Medido

Calc.

Med.

Calc.


2. Polarizacin utilizando fuente de corriente, con las mismas condiciones del paso
anterior:

V
RC

V
CE

V
RE

I
C

Av sin Rl

Av con
RL=330

Medido

Calculado

Medido

Calc.

Medido

Calc.

Medido

Calc
.

Medido

Calc.

Med.

Calc.


3. Utilizando una carga activa, utilizando fuente de corriente, en lugar de RC para
mismas condiciones de paso 1:

V
RC

V
CE

V
RE

I
C

Av sin Rl

Av con
RL=330

Medido

Calculado

Medido

Calc.

Medido

Calc.

Medido

Calc
.

Medido

Calc.

Med.

Calc.
UNIVERSIDAD DISTRITAL FJC ELECTRONICA II EMISOR COMUN A ALTAS FRECUENCIAS
2011


12




4. Es sencillo lograr que la diferencia de potencial se distribuya
equitativamente entre los transistores de malla de salida? Explique
____________________________________________________________
____________________________________________________________
____________________________________________________________
____________________________________________________________
____________________________________________________________
____________________________________________________________
______


5. Comentarios, comparaciones y conclusiones predichas por la teora
____________________________________________________________
____________________________________________________________
____________________________________________________________
____________________________________________________________
____________________________________________________________
_____


Bibliografa

1. http://www.scribd.com/doc/14552838/Tema5-Fuentes-de-corriente-y-
cargas-activas

S-ar putea să vă placă și