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Introducción
• Modelo re
• Modelo hibrido
• Modelo Ebers-Moll, entre otros.
Ic = β Ib
Figura 1 (a) Transistor BJT de emisor común (b) Modelo aproximado para la configuración de la figura 1 (a)
Ie = (β + 1) Ib
Sin embargo, ya que la beta es normalmente mucho mayor que 1, haremos uso de
la siguiente aproximación para el análisis de corriente:
Ie ≅ β Ib
Vi Vbe
Zi = =
Ii Ib
Donde:
Vi Vbe β * Ib * re
Zi = = = = β * re
Ii Ib Ib
Zi ≅ β∗ re
26mV 26mV
re = =
Ie ( β + 1) * Ib
Figura 3
Zo = ro
Vo = -Io*RL
Vo − ( β * Ib) * RL − RL
Av = = =
Vi Ib * ( β * re ) re
El signo menos resultante para la ganancia de voltaje revela que los voltajes de
entrada y salida se encuentran desfasados en 180°. La ganancia de corriente (Ai)
para la configuración de la Figura 6:
Io Ic β * Ib
Ai = = = =β
Ii Ib Ib
Utilizando el hecho de que la impedancia de entrada es β ∗ re que la corriente de
colector es β ∗ Ib y que la impedancia de salida es ro el modelo equivalente de la
Figura 7 puede ser una herramienta efectiva para el análisis en AC de las diferentes
configuraciones del transistor bipolar. Para valores de parámetros típicos la
configuración de emisor común puede considerarse como aquella que disfruta de un
nivel moderado de impedancia de entrada, un voltaje y una ganancia de corriente
altos, y una impedancia de salida que puede tener que incluirse en el análisis de la
red.