TRABAJO COLABORATIVO 2 FSICA DE SEMICONDUCTORES

CARLOS ANDRS PARRA BLANDN C.C. MAURO YAMIT VARGAS C.C 1.053.609.777 HELDER RESTREPO CARDONA C.C. 1.053.794.074 ERICA GIOVANA GONZLEZ SOLANO C.C. 1.055.273.079 GRUPO: 299002_46

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD ESCUELA DE CIENCIAS BSICAS, TECNOLOGA E INGENIERA NOVIEMBRE DE 2012

INTRODUCCIN

Por medio de este trabajo nosotros como estudiantes de ingeniera desarrollaremos en las prximas pginas. Conceptos de mecnica cuntica, fsica y matemticas del diodo en operacin (polarizacin Directa). Aplicando los conocimientos adquiridos durante el transcurso del curso fsico de semiconductores en conjunto con las investigaciones propias del presente trabajo. Esperando al finalizar tener todos los conceptos claros y as poderlos aplicar en nuestra futura profesin y en nuestras prcticas laborales.

OBJETIVOS

Como uno de los objetivos principales de este trabajo colaborativo es el estudio del diodo en polarizacin directa. Aprender tambin sus aplicaciones, origen, y diversos aspectos relacionados con los diodos para un anlisis mas profundo del tema. Comprender y analizar cada grafica que se encuentra relacionada con los diodos y transistores. Alcanzar un nivel de conocimiento superior al investigar cada tem en lo que se refieren los diodos y de algunas clases de diodos, efectos y aplicaciones. Aplicar los conocimientos aprendidos en nuestra practica como estudiantes de ingeniera.

Historia En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de operacin de los diodos trmicos. Guhtrie descubri que un electroscopio cargado positivamente podra descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que ste lo tocara. No suceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de corriente era posible solamente en una direccin. Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el principio. A su vez, Edison investigaba por qu los filamentos de carbn de las bombillas se quemaban al final del terminal positivo. l haba construido una bombilla con un filamento adicional y una con una lmina metlica dentro de la lmpara, elctricamente aislada del filamento. Cuando us este dispositivo, l confirm que una corriente fluia del filamento incandescente a travs del vaci a la lmina metlica, pero esto slo suceda cuando la lmina estaba conectada positivamente. Edison dise un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un voltmetro de DC. Edison obtuvo una patente para este invento en 1884. Aparentemente no tena uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era probablemente para precaucin, en caso de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison. Aproximadamente 20 aos despus, John Ambrose Fleming (cientfico asesor de Marconi Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison podra usarse como un radio detector de precisin. Fleming patent el primer diodo termoinico en Gran Bretaa el 16 de noviembre de 1904. En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de conducir por una sola direccin de los cristales semiconductores. Braun patent el rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de xido de cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la dcada de los 1930.

FISICA Y MATEMATICA DEL DIODO EN OPERACIN (Polarizacin Directa) Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest.

Polarizacin directa del diodo PN. En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. 2 Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final. Curva caracterstica del diodo Tensin umbral, de codo o de partida (V ) La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del

diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos: Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V. Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.

Comparacin entre el silicio y el germanio Por lo general, los diodos de silicio cuentan con un PIV y un ndice de corriente mayores. as como un rango de temperatura ms amplo que los diodos de germanio. Los niveles de PIV para el caso del silicio se encuentran cercanos a 1000 V, mientras que el valor mximo para el caso del germanio se encuentra alrededor de 400 V. El silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura puede elevarse hasta 200C (400F). Mientras que el germanio posee un nivel mximo mucho menor (100C). La desventaja que tiene el silicio comparado con el germanio, es la del mayor para alcanzar la regin de conduccin. ste suele ser del orden de 0.7 V de magnitud para los diodos de silicio disponibles en el mercado, y 0.3 V para diodos de germanio cuando se redondea a la siguiente dcima. El factor toma parte en la determinacin de la forma de la curva slo en niveles

de corriente muy bajos. Una vez que la curva empieza su crecimiento vertical, el factor cae a 1 (el valor continuo del germanio). Esto es e vidente por las similitudes en las curvas una vez que el potencial de conduccin se ha alcanzado. El potencial por el cual ocurre este crecimiento se conoce como potencial de conduccin de umbral o de encendido. Con frecuencia, la primera letra de un trmino que describe una cantidad en particular se usa en la notacin para dicha cantidad. Sin embargo, para asegurar un mnimo de confusin con otros trminos, como el voltaje de salida (V0, por las iniciales en ingls de: output) y el voltaje de polarizacin directa (VF, por la inicial en ingls de: forward), la notacin VT ha sido adaptada para este libro por la palabra "umbral" (por la inicial en ingls de: threshold). Obviamente, mientras ms cercana al eje vertical es la excursin, ms cerca de lo "ideal" est el dispositivo. Sin embargo, las otras caractersticas del silicio comparadas con el germanio lo hacen ser el elegido en la mayor parte de las unidades disponibles en el mercado.

EFECTOS DE LA TEMPERATURA La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las caractersticas de un diodo semiconductor de silicio, segn se comprob mediante un diodo de silicio tpico. A partir de mltiples experimentos se encontr que la corriente de saturacin inversa Is ser casi igual al doble en magnitud por cada 10C de incremento en la temperatura.

No es poco frecuente que un diodo de germanio con un ls del orden de 1 o 2 ^A a 25 C tenga una comente de fuga de 100 ;A = 0.1 mA a una temperatura de 100 C. Los niveles de corriente de esta magnitud en la regin de polarizacin inversa con seguridad cuestionaran la condicin deseada de circuito abierto en la regin de polarizacin inversa. Los valores tpicos de ls para el silicio son mucho menores que para el germanio para unos niveles similares de potencia y corriente. El resultado es que an a mayor temperatura, los niveles de Is para los diodos de silicio no alcanzan los mismos altos niveles que para el germanio, una razn muy importante para que los dispositivos de silicio tengan un nivel significativamente mayor de desarrollo y utilizacin en el diseo. Fundamentalmente, el equivalente de circuito abierto en la regin de polarizacin inversa es mejor a cualquier temperatura con silicio en lugar de germanio. Los niveles de Is aumentan a mayor temperatura con niveles menores del voltaje de umbral, como se muestra en la figura. Simplemente. al incrementar el nivel de Is en la ecuacin observe el rpido incremento en la comente del diodo. Desde luego, el nivel de TK tambin se incrementar en la misma ecuacin, pero el mayor valor de Is sobrepasar el menor cambio en porcentaje en TK. Mientras la temperatura mejora las caractersticas en polarizacin directa, en realidad se convierten en caractersticas ms "ideales", pero cuando se revisan las hojas de especificacin se encuentra que las temperaturas ms all del rango de operacin normal pueden tener un efecto muy perjudicial en los niveles de potencia y corriente mximas del diodo. En la regin de polarizacin inversa, el voltaje de ruptura para llegar a la regin de avalancha se incrementa con la temperatura, pero se debe observar tambin el incremento no deseado en la regin de saturacin inversa

Modelos matemticos El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo VD es la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente) n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).

El Voltaje trmico VT es aproximadamente 25.85mV en 300K, una temperatura cercana a la temperatura ambiente, muy usada en los programas de simulacin de circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por:

Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la unin pn, y q es la magnitud de la carga de un electrn (la carga elemental). La ecuacin de diodo ideal de Schockley o la ley de diodo se deriva de asumir que solo los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al campo elctrico), difusin, y la recombinacin trmica. Tambin asume que la corriente de recombinacin en la regin de agotamiento es insignificante. Esto significa que la ecuacin de Schockley no tiene en cuenta los procesos relacionados con la regin de ruptura e induccin por fotones. Adicionalmente, no describe la estabilizacin de la curva I-V en polarizacin activa debido a la resistencia interna. Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del diodo es insignificante. y la corriente es una constante negativa del valor de Is. La regin de ruptura no esta modelada en la ecuacin de diodo de Schockley. Para voltajes pequeos en la regin de polarizacin directa, se puede eliminar el 1 de la ecuacin, quedando como resultado:

Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean modelos ms simples an, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-seal. El ms simple de todos es el diodo ideal.

REPRESENTACION GRAFICA DE UN DIODO En nuestro curso bsico de electrnica estudiamos a los componentes en funcin de sus caractersticas externas sin atender a cmo funcionan internamente. Considero que el alumno deber entender el funcionamiento interno con posterioridad a la aplicacin del componente en el circuito. Considere al diodo como un resistor cuya resistencia interna depende del sentido de circulacin de la corriente. En un sentido presenta un bajo valor de resistencia en tanto que en el sentido contrario presenta una resistencia muy elevada. Un grfico vale por mil palabras. El grfico de un diodo semiconductor se puede observar en la figura .

Como se puede observar al incrementar la tensin directa sobre el diodo no circula corriente hasta que se llega a una tensin de 0.6V en donde la corriente comienza a circular aumentando bruscamente. Es decir que despus de los 0.6V la curva corresponde a un resistor de bajo valor (unos 100 Ohm para el 1N4148). Por debajo de los 0.6V el diodo es casi un circuito abierto, es decir que posee una resistencia muy grande y muy variable diodo a diodo, llamada resistencia de fuga del diodo. A un valor muy alto de tensin inversa el diodo entra en la llamada tensin de ruptura; simplemente se produce un arco como el de la perforacin de un dielctrico y que para el diodo considerado es de aproximadamente 75V. Ese arco es destructivo y el diodo por lo general se transforma en un cortocircuito. Este tipo de grfico no es el nico posible de realizar. La eleccin de los ejes es evidentemente informal. Podra realizarse la curva usando el eje Y para representar la corriente y el eje X para la tensin. Cuando Ud. disea un circuito con resistores, capacitores o inductores por lo general no necesita la especificacin de los componentes. Pero cuando se utilizan componentes activos es necesario averiguar sus caractersticas a travs de la correspondiente especificacin (Data Sheet). Observe que el diodo tiene una banda que marca el terminal negativo o ctodo para diferenciarla del positivo o nodo. Junto al dibujo del diodo se puede observar que se trata de un diodo que puede conmutar a alta velocidad entre los estados de alta impedancia y baja impedancia (4ns). A continuacin se ven los dos valores ms importantes de un diodo que son la mxima tensin inversa y la mxima corriente directa. En nuestro caso puede observar que nuestro diodo es de 200mA y 75V. Esto significa que cuando est en directa puede conducir permanentemente hasta 200mA sin calentarse excesivamente a una temperatura ambiente de 25C. Por otro lado cuando est en inversa admite una tensin mxima de 75V. Luego se puede producir la ruptura del chip por exceso de tensin.

Con referencia a los grficos Fairchild prefiere generar grficos separados para cada parmetro como por ejemplo el grfico 5 que contiene la curvas de tensin inversa, directa a 20C y directa en funcin de la temperatura. La primera curva observamos como la corriente inversa se mantiene casi constante en 20 nA hasta que comienza a crecer a unos 60V de modo que a 100V ya tiene 100 nA. Debajo se encuentra la curva de corriente directa a 25C. Observe que a 500 mV circula una pequea corriente de 100 uA que se transforma en una importante corriente de 700 mA al llegar a aplicar 700 mV. Esta curva parece recta solo porque la escala de corriente es logartmica si fuera lineal se observara un codo neto a unos 600 mV. Como trabajo prctico el lector deber trazar esta curva en un grafico lineal en ambos ejes considerando que el primer punto a ubicar es 0V/0A. Arriba a la derecha se puede observar como la tensin de barrera cambia con la temperatura. Si mantenemos la corriente circulante por el diodo en 10 mA (por

ejemplo con una fuente de 12V y un resistor serie de 1,2 Kohms) podremos observar que la tensin variar entre 320 y 520 mV cuando la temperatura vare de -40 a +65 C. Si el lector est pensando que un diodo se puede usar como termmetro le decimos que precisamente esa es una de sus funciones secundarias. Por ltimo se observa una curva que nos indica que tan rpidamente opera nuestro diodo cuando se lo usa como llave; el eje inferior representa a la corriente de recuperacin inversa o Irr en funcin del tiempo de recuperacin Tr. El concepto de esta medicin es el siguiente: si Ud. aplica una tensin directa por el diodo circular una corriente apreciable. Cuando invierta la tensin, el diodo debera abrirse de inmediato, pero en realidad demora un tiempo que depende de la corriente directa que se haba establecido inicialmente. Si esta corriente es de 60 mA el diodo demorar 1,25 nS en abrirse. Este parmetro caracteriza la velocidad del diodo de modo que existirn diodos adecuados para la frecuencia de red y otros tan rpidos como para ser usados en la banda de microondas a frecuencias de 10 GHz. Se considera a un diodo como ideal cuando tiene una resistencia nula en directa, una barrera nula y una resistencia infinita en inversa; es decir, un dispositivo que conduce perfectamente en un sentido y se abre en el otro. Y podramos agregar: que no demora en abrirse. Cicruitos con diodos Los diodos de silicio (que son los ms utilizados) se emplean como rectificadores (conversores de CA en CC), como limitadores de seal y como protectores de tensiones inversas. Un sencillo circuito como el de la figura 11.5.1 es perfectamente capaz de evitar la circulacin del semiciclo negativo de una seal de CA, transformndola en una CC pulsante tal como se puede observar con el osciloscopio del WB Multisim.

Este circuito tal como est no sirve de mucho, ya que la seal de salida no es una continua pura (tiene aplicaciones en electrnica industrial porque una seal pulsante puede alimentar a un motor de CC tan bien como una CC pura). Para que el circuito se transforme en un verdadero conversor C.A./C.C., se debe agregar un componente que ya conocemos: el capacitor electroltico. Tome el circuito anterior; agregue un electroltico cada vez ms grande y observe el resultado sobre la forma de seal de la carga.

Otros diodos especiales En realidad existen muchos tipos de diodos especiales para que cumplan con una funcin determinada. Aqu realizaremos una rpida recorrida por ellos en funcin de su uso comn.

Diodos rpidos: existen dos tipos caractersticos; los diodos rpidos de potencia y los diodos rpidos de seal. Los de potencia se utilizan en las modernas fuentes de switching que trabajan a frecuencias de hasta 500 Khz. y pueden manejar corrientes de varios amperes y tensiones de varios cientos de bolas. Los mas rpidos llamados diodos pueden llegar a velocidades de conmutacin similares a las de un 1N4148 pero conmutando varios amperes y a tensiones de algunos cientos de voltios. Luego vienen los diodos rpidos de seal incluyendo los diodos Schottky que tienen tiempos de conmutacin del orden de 1 nS o menos. El diodo Schottky llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1nS en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones de barrera. Diodos Zener: los diodos zener son diodos especialmente construidos como para que su tensin de ruptura ocurra a un valor relativamente bajo (1 a 40V) y que sea un valor muy exacto. De este modo el diodo se transforma en un regulador de tensin o fuente regulada de tensin con una gran cantidad de aplicaciones.

CONFIGURACIONES

DE

CONEXIN

DE

TRANSISTORES

Configuracin de Base Comn Para la configuracin de base comn con transistores pnp y npn. La terminologa de la base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. A su vez, por lo regular la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el

potencial de tierra. A lo largo de este libro todas las direcciones de corriente harn referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo. Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores de base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para el punto de excitacin o parmetros de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn relacionar la corriente de entrada (IE). el conjunto de caractersticas de la salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters: la regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la regin activa la unin base - colector se polariza inversamente, mientras que la unin emisor - base se polariza directamente. La regin activa se define mediante los arreglos de polarizacin de la figura D. En el extremo ms bajo de la regin activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la verdadera corriente del colector, y se

debe a la corriente de saturacin inversa ICO, como lo seala la figura E. La corriente ICO real es tan pequea (microamperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuracin de base comn se muestra en la figura . La notacin que con ms frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas de especificaciones es, como se indica en la figura , ICBO. Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de ICBO para los transistores de propsito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, as como Is, para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rpidamente con la

temperatura. En la regin de corte, tanto la unin base - colector como la unin emisor base de un transistor tienen polarizacin inversa. En la regin de saturacin, tanto la unin como la emisor - base estn en polarizacin directa.

Figura. Caractersticas de salida o colector para un amplificador a transistor de base comn y corriente de saturacin inversa

Configuracin de Emisor Comn La configuracin de transistor que se encuentra ms a menudo aparece en la figura G. para los transistores pnp y npn. Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es comn tanto a la terminal de base como a la de colector). Una vez ms, se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir por completo el comportamiento de la configuracin de emisor comn: uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o colector-emisor. En la regin activa de un amplificador de base comn la unin del colector-base se encuentra polarizada inversamente, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada directamente. Para propsitos de amplificacin lineal (la

menor distorsin), el corte para la configuracin de emisor comn se definir mediante IC = ICEO. Configuracin de Colector Comn La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a alas de las configuraciones de base comn y de un emisor comn. La figura H muestra una configuracin de circuito de colector comn con la resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. Obsrvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est conectado de manera similar a la configuracin del emisor comn. Desde un punto de vista de diseo, no se requiere de un conjunto de caractersticas de colector comn para elegir los parmetros del circuito de la figura H puede disearse utilizando las caractersticas de salida para la configuracin de colector comn son la mismas que para la configuracin de emisor comn.

Fig. Configuracin de colector comn utilizado para propsitos de acoplamiento de impedancia.

ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR Ahora que se ha establecido la relacin entre IC e IE, la accin bsica de amplificacin del transistor se puede introducir en un nivel superficial utilizando la red de la figura. La polarizacin de cd no aparece en la figura puesto que nuestro inters se limitar a la respuesta de ca. Para la configuracin de base comn, la resistencia de entrada de ca determinada por las caractersticas de la figura 3.7 es bastante pequea y vara tpicamente de 10 a 100 ohms. La resistencia de salida determinada por las curvas de la figura 3.8 es bastante alta (cuanto ms horizontal est la curva mayor ser la resistencia) y vara normalmente de 50 kohms a 1 Mohms, La diferencia en resistencia se debe a la unin polarizada directamente en

la entrada (base a emisor) y la unin polarizada inversamente en la salida (base a colector). Usando un valor comn de 20 ohms para la resistencia de entrada, encontramos que

Si suponemos por el momento que ca = 1, IL = Ii = 10 mA VL = ILR = (10 mA)(5 kohms) = 50 V

La amplificacin de voltaje es

Los valores tpicos de amplificacin de voltaje para la configuracin de base comn varan de 50 a 300. La amplificacin de corriente (IC/IE) siempre es menor que 1 para la configuracin de base comn. Esta ltima caracterstica debe ser evidente ya que IC = IE y siempre es menor que 1. La accin bsica de amplificacin se produjo transfiriendo una corriente I de un circuito de baja resistencia a uno de alta. La combinacin de los dos trminos en cursivas produce el nombre de transistor, es decir, transferencia + resistor > transistor OPERACION DEL TRANSISTOR La operacin bsica del transistor se describir ahora empleando el transistor pnp de la figura a. La operacin del transistor npn es exactamente igual si se intercambian los papeles que desempean los electrones y los huecos. En la

figura 3.3 se ha redibujado el transistor pnp sin la polarizacin base a colector. Ntense las similitudes entre esta situacin y la del diodo polarizado directamente en el captulo 1. El ancho de la regin de agotamiento se ha reducido debido a la polarizacin aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al tipo n.

Eliminaremos ahora la polarizacin base a emisor del transistor pnp de la figura 3a como se indica en la figura Recurdese que el flujo de portadores mayoritarios es cero, por lo que slo se presenta un flujo de portadores minoritarios, como se ilustra en la figura . En resumen, por tanto: Una unin p-n de un transistor est polarizada inversamente, en tanto que la otra presenta polarizacin directa. En la figura ambos potenciales de polarizacin se han aplicado a un transistor pnp, con un flujo de portadores mayoritario y minoritario que se indica. En la figura ntense los anchos de las regiones de agotamiento, que indican con toda claridad qu unin est polarizada directamente y cul inversamente. Como se indica en la figura, un gran nmero de portadores mayoritarios se difundirn a travs de la unin p~n polarizada directamente dentro del material tipo n. La pregunta es entonces si estos portadores contribuirn en forma directa a la corriente de base IB o pasarn directamente hacia el material tipo p. Puesto que el material tipo n emparedado es sumamente delgado y tiene una baja conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores seguir la trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base.

La magnitud de la corriente de base es por lo general del orden de microamperes en comparacin con los miliamperes de las corrientes del emisor y del colector. El mayor nmero de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin polarizada inversamente dentro del material tipo p conectado a la terminal del colector, como se indica en la figura. La causa de la relativa facilidad con la que los portadores mayoritarios pueden cruzar la unin polarizada inversamente puede comprenderse si consideramos que para el diodo polarizado en forma inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, ha habido una inyeccin de portadores minoritarios al interior del material de la regin base de tipo n. Combinando esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios, en la regin de agotamiento cruzarn la unin polarizada inversamente, se explica el flujo que se indica en la figura

Descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la base, Sin embargo, la corriente en el colector est formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios como se indica en la figura. La componente de corriente minoritaria se denomina corriente de fuga y se simboliza mediante ICO (corriente IC con la terminal del emisor abierta = open). Por lo tanto, la corriente en el colector se determina completamente mediante la

ecuacin. IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria En el caso de transistores de propsito general, IC se mide en miliamperes, en tanto que ICO se mide en microamperes o nanoamperes. ICO como Is para un diodo polarizado inversamente, es sensible a la temperatura y debe examinarse con cuidado cuando se consideren aplicaciones de intervalos amplios de temperatura. Si este aspecto no se trata de manera apropiada, es posible que la estabilidad de un sistema se afecte en gran medida a elevadas temperaturas. Las mejoras en las tcnicas de construccin han producido niveles bastante menores de ICO, al grado de que su efecto puede a menudo ignorarse.

CONFIGURACIN DE BASE COMN La notacin y smbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor parte de los textos y manuales que se publican en la actualidad, se indican en la figura para la configuracin de base comn con transistores pnp y npn, La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base es usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra. A lo largo de estos apuntes todas las direcciones de corriente se referirn a la convencional (flujo de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones. Esta eleccin se fundamenta principalmente en el hecho de que enorme cantidad de literatura disponible en las instituciones educativas y empresariales hace uso del flujo convencional, de que las flechas en todos los smbolos electrnicos tienen una direccin definida por esta convencin. Recurdese que la flecha en el smbolo del diodo define la direccin de conduccin para la corriente convencional. Para el transistor: La flecha del smbolo grfico define la direccin de la corriente de emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo.

Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura son las direcciones reales, como se definen con base en la eleccin del flujo convencional. Ntese en cada caso que IE = IC + IB. Tambin advirtase que la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la corriente en la direccin indicada para cada rama. Es decir, comprese la direccin de IE con la polaridad o VEE para cada configuracin y la direccin de IC con la polaridad de ICC. Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, tales como los amplificadores de base comn de la figura se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los parmetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn, como se muestra en la figura, relacionar una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).

El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (IC) con un voltaje de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra en la figura. El conjunto de caractersticas de salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters, como se indican en la figura: las regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la regin empleada normalmente para amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la regin actva la unin colector-base est inversamente polarizada, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada en forma directa. La regin activa se define por los arreglos de polarizacin de la figura. En el extremo ms bajo de la regin activa la corriente de emisor (IE) es cero, la comente de colector es simplemente la debida a la corriente inversa de saturacin ICO , como se indica en la figura. La corriente ICO es tan pequea (del orden de microamperios) en magnitud comparada con la escala vertical de IC (del orden de los miliamperios), que aparece virtualmente sobre la misma lnea horizontal que IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuracin base comn se ilustran en la figura. La notacin usada con ms frecuencia para ICO, en hojas de datos y de especificaciones es ICBO como se indica en la figura. A causa de las tcnicas mejoradas de construccin, el nivel de ICBO para transistores de propsito general (especialmente silicio) en los intervalos de potencia bajo y medio es por lo general tan reducido que su efecto puede ignorarse. Sin embargo, para unidades de mayor potencia ICBO an aparecer en el intervalo de los microamperios. Adems, recurdese que ICBO para el diodo (ambas corrientes inversas de fuga) es sensible a la temperatura.

SATURACIN DE CORRIENTE INVERSA Ntese, en la figura, que conforme la corriente del emisor aumenta sobre cero, la corriente del colector aumenta a una magnitud esencialmente igual a la corriente del emisor determinada por las relaciones bsicas del transistorcorriente. Advirtase tambin el casi desdeable efecto de VCB sobre la corriente del colector para la regin activa. Las curvas indican claramente que una primera aproximacin a la relacin entre IE e IC en la regin activa la da IC IE Como se deduce de su nombre, la regin de corte se define como aquella regin donde la corriente de colector es de 0 A, como se demuestra en la figura. En suma: En la regin de corte ambas uniones, colector-base y base-emisor, de un transistor estn inversamente polarizadas. La regin de saturacin se define como la regin de las caractersticas a la izquierda de VCB = 0 V. La escala horizontal en esta regin se ampli para mostrar claramente el gran cambio en las caractersticas de esta regin. Ntese el incremento exponencial en la comente de colector a medida que el voltaje VCB se incrementa ms all de los 0 V. En la regin de saturacin las uniones colector-base y base-emisor estn polarizadas directamente. LAS CARACTERSTICAS DE ENTRADA Para valores fijos de voltaje de colector (VCB), a medida que el voltaje de base a emisor aumenta, la corriente de emisor se incrementa de una manera que se asemeja mucho a las caractersticas del diodo. De hecho, los niveles de aumento de VCB tienen un efecto tan insignificante sobre las caractersticas que, como una primera aproximacin, la variacin debida a los cambios en VCB puede ignorarse y se dibujan las caractersticas como se ilustra en la figura. Si aplicamos entonces el mtodo del modelo de segmentos lineales del diodo ideal, se obtendrn las caractersticas de la figura. Adelantando un paso ms e ignorando la pendiente de la curva y por tanto la resistencia asociada con la unin directamente polarizada, se obtendrn las caractersticas de la figura lOc. Para los siguientes anlisis en estos apuntes, el modelo equivalente de la figura.l0c se emplear para todos los anlisis de cd para redes de transistores. Es decir, una vez que el transistor esta en el estado "encendido" o de conduccin, se supondr que el voltaje de base a

emisor ser el siguiente: VBE = 0.7 V Alfa ( ) En el modo de cd los niveles de IC e IE debidos a los portadores mayoritarios estn relacionados Por una cantidad denominada alfa y que se define por medio de la siguiente ecuacin: cd = IC / IE Donde IC e IE son los niveles de corriente al punto de operacin. Aun cuando las caractersticas de la figura parecen sugerir que = 1, para dispositivos prcticos el nivel de alfa se extiende tpicamente de 0.90 a 0.998, aproximndose la mayor parte al extremo superior del intervalo. Ya que alfa se define nicamente por los portadores mayoritarios, la ecuacin se convierte en IC = IE + ICBO Para las caractersticas de la figura cuando IE = 0 mA, IC es por tanto igual a ICBO, pero como se mencion con anterioridad el nivel de ICBO es por 1o general tan pequeo que es virtualmente indetectable en la grfica de la figura. En otras palabras, cuando IE = 0 mA en la figura, IC aparece tambin con 0 mA para el intervalo de valores de VCB. 29 Para las situaciones de ca en donde el punto de operacin se mueve sobre la curva de caractersticas, un alfa de ca se define por

El alfa de ca se denomina formalmente el factor de amplificacin de base comn en corto circuito, por razones que sern obvias cuando examinemos los circuitos equivalentes de transistor en el capitulo 4. Por el momento, admitamos que la ecuacin especifica que un cambio relativamente pequeo en la corriente de colector se divide por el cambio correspondiente en IE manteniendo constante el voltaje colector a base. Para la mayora de las situaciones las magnitudes de ca y de cd se encuentran bastante cercanas, permitiendo usar la magnitud de una por otra. POLARIZACIN La polarizacin adecuada de la base comn puede determinarse rpidamente empleando la aproximacin IC IE y suponiendo por el momento que IB 0 uA. El resultado algunos estudiantes les parece que pueden recordar si la flecha del smbolo del dispositivo apunta hacia afuera haciendo corresponder las letras del tipo de transistor con las letras apropiadas de las frases "apuntando hacia adentro" Como probar un transistor Para probar transistores bipolares hay que analizar un circuito equivalente de ste, en el que se puede utilizar lo aprendido al probar diodos

Se ve que los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN y PNP estn compuestos por diodos y se sigue la misma tcnica que probar diodos comunes. La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal E y C. Los mtodos a seguir en el transistor NPN y PNP son opuestos. Al igual que con el diodo, si uno de estos "diodos del equivalente del transistor" no funcionan como se espera hay que cambiar el transistor. Nota: Aunque este mtodo es muy confiable (99 % de los casos), hay casos en que, por las caractersticas del diodo o el transistor, esto no se cumple. Para efectos prcticos se sugiere tomarlo como confiable en un 100%.

Estructura atmica iones

Todo parte de los tomos, constituyentes fundamentales de la materia, que estn formados por un ncleo (compuesto de protones y neutrones) cubierto de un cmulo de nubes de electrones orbitando alrededor de l en

trayectorias no completamente constantes en el tiempo. Cada electrn no tiene una trayectoria definida, pero si tiene una REGION de orbitas bien definida. Cada regin identifica un Nivel Energtico: la nica forma de que un electrn pase de una regin de orbitas permitidas a otra es que cambie su energa. Adicionalmente a esto, en el modelo de la mecnica cuntica, se sabe que en presencia de un potencial, todos los niveles Energticos de una partcula estn cuantiados: esto quiere decir que los niveles posibles son mltiplos enteros de una cantidad determinada. Esto es igualmente valieo para molculas, tomos y cualquier situacin microscpica en la que una o ms partculas experimentan una fuerza, asociada a un potencial, si esto tiene como efecto estados ligados (estados donde la partcula no tiene completa libertad de movimiento).

De

aqu que

exista

la

llamada BANDA PROHIBIDA (GAP). Los

electrones en un atomo tienen un ltimo nivel de suma importancia para la teora de enlaces moleculares: los electrones ubicados en el ltimo nivel energtico son los Electrones de Valencia, y son los que son transferidos de un tomo a otro o compartidos entre los tomos, formando los enlaces que dan estructura a las molculas.

Existen dos tipos de enlaces principales:

- IONICOS: Los electrones de un tomo son totalmente atrados y prcticamente transferidos a otro tomo, vctima de la fuerza electromagntica atractiva que ejerce sobre el ese ncleo.

- COVALENTES: Los electrones de un tomo son tambin atrados por el otro tomo, pero en este caso no es suficiente la fuerza de atraccin y se genera un estado estable orbital para ambos tomos con el mismo nico electrn. El electrn se dice entonces que es compartido.

Realmente, no son solo las fuerzas electromagnticas las que gobiernan los enlaces y fenmenos atmicos. Como se vio en la breve anlisis del Amoniaco, ni siquiera el potencial

conceptualizacin de

intraatmico tiene una forma simple. Asimismo, se sabe que existe la llamada REGLA DEL OCTETO: Lo s enlaces entre tomos tienden a darse de tal manera que cada tomo tienda a Completar 8 electrones en su nivel de valencia, o, si solo tiene un nivel de energa, 2 e lect ron e s e n su n ive l d e va len cia .

Teora de bandas

En un

material

cualquiera

siempre

existirn

rutas

de

viaje

de

los

electrones. Podemos esperar que un electrn se mantenga en rbita relativamente aleatoria alrededor de su ncleo o que se transfiera a otro tomo en razn a diferentes causas:

1.) Mucha energa trmica: se mueve tan rpido la molcula que en algn momento el electrn puede saltar a otro tomo.

2.) Campo elctrico: una fuente de carga lo atrae o lo repele muy fuertemente de un momento a otro (puede ser entendido como un voltaje)

3.) Campo Magntico: igual a lo anterior, pero por causa de un imn.

4.) Energa mecnica microscpica: un golpe macroscopio de gran impacto puede alterar la estructura interna de un slido (por ejemplo, chocar dos metales puede sacar chispas).

Entre otras. La teora de bandas modela la manera como se distribuyen los estados electrnicos segn se alteran los parmetros relevantes del sistema. As, una banda no es ms que un intervalo de energas asociadas como es natural a un intervalo de estados posibles. Para el anlisis del comportamiento electromagntico de los semiconductores lo ms importante es entender lo referente a las bandas de valencia y conduccin:

Si se analiza el comportamiento de un electrn que se mueve a travs de un slido saltando de tomo a tomo, se entender que el potencial que experimenta el potencial que ve el electrn es tan peridico como la disposicin de los tomos lo sea. Si tenemos una sucesin de cien tomos, el electrn experimenta un decrecimiento de fuerza elctrica que le ejerce el tomo del que se est alejando mientras se incrementa la fuerza elctrica ejercida por el tomo al que se est acercando. El potencial debido a cada tomo es de la misma forma (el potencial electroesttico decrece como 1/ r y cada tomo funciona como un ion visto desde la perspectiva del electrn) y por esto tendramos un potencial peridico en el caso de un material

compuesto por N tomos de algn elemento especifico.

Grficamente tendramos:

Potencial experimentado por un electrn: la lnea horizontal es donde se encuentran los tomos de inters, que el eje vertical representa la energa potencial experimentada en cada punto.

Recurdese que el mximo de energa potencial (en valor absoluto) se experimenta cuando se encuentra justo en el punto donde est la fuente del campo elctrico.

Ahora, un electrn viajero no debe estar muy fuertemente atado a ninguno de los tomos. Su energa cintica debe ser mayor que la magnitud de energa potencial que lo atrae a cada tomo. Es por esto que el modelo de energa potencial usado para cualquier estado en el que una partcula se encuentra de alguna manera oscilando en una zona definida (orbitas, vibraciones, etc.) es definido con SIGNO NEGATIVO. As como la energa potencial Gravitacional que la tierra tiene al girar alrededor del sol es un numero negativo, la energa potencial electromagntica del electrn alrededor de un centro de carga positiva es siempre negativa, para usar este hecho en el clculo de la energa total y definir un criterio que especifique cundo es posible que el electrn escape de la atraccin y cuando no; en ste ltimo caso hablamos de un ESTADO LIGADO. Para entender lo anterior se consignan las

ecuaciones:

Donde hablamos de la carga Q del ncleo, la distancia R y Epsilon sub cero , la permitividad del espacio libre.

Y si recordamos que si la magnitud de energa potencial almacenada es mayor que la energa cintica entonces tenemos un estado ligado, podemos decir que un estado ligado tiene energa total menor que cero. Esto tiene sentido porque la energa potencial siempre se define arbitrariamente con respecto a un nivel de referencia, as que podemos entenderla como negativa y en ese caso la energa total puede ser tambin as. Es la ENERGIA CINETICA la que no puede ser menor que cero. Con todo, es muy claro que si el valor absoluto (la magnitud) de la energa potencial es mayor que la energa cintica del electrn (es decir, esta orbitando o en estado ligado), es cierto que la energa total hallada como se menciono anteriormente es menor que cero.

Ahora, como el electrn ligado es muy diferente al electrn libre, se definen Bandas para Electrones Ligados y Banda para electrn Libre. Primero

enunciamos cual es cada una e inmediatamente justificamos el porqu:

BANDA DE CONDUCCION: Es el intervalo que corresponde a las energas de los electrones que pueden ser los electrones libres. Estas energas deben corresponder a la ltima banda de energas del sistema atmico que NO ESTE LLENA; es decir, el intervalo de energas que no tiene electrones o no tiene el nmero mximo de electrones posibles para esa banda. Con la definicin de Banda de Valencia se aclara la razn de esto.

BANDA DE VALENCIA: Es la Banda asociada a los Electrones Ligados y es la ultima banda que este llena. .Por qu? Porque es claro que, los electrones libres ocupan un nivel de energa en el que haya posibilidad de perder y ganar electrones. Si el electrn pasa por un sistema cuya ltima capa est llena, se deduce que tomar los valores energticos de la siguiente banda. Por otro lado, si existe una banda parcialmente llena, estos electrones pueden ser removidos fcilmente porque toda la capa es susceptible de interactuar con los electrones de conduccin. De hecho, se puede decir sin entrar en las razones exactas de esto que las bandas llenas estn conduccin. blindadas contra la

Esto tiene ciertas sutilezas que pueden constituirse en una especie de excepcin, pero tal efecto lo revisaremos en el siguiente apartado, al hablar de Solapamiento de Bandas.

Caractersticas trmicas y electromagnticas generales aplicables a la teora de bandas

Existe una dependencia de la temperatura y de la distancia en las graficas de las bandas energticas que existen en los materiales. Como se menciono cuando se describieron inicialmente los semiconductores, las formas como existen y evolucionan las bandas en cada material definen la clasificacin de estos. A la luz de los conceptos anteriormente explicados, podemos comprender la siguiente figura esquemtica:

Bandas de conduccin y de valencia, extrado de www.wikimedia.org

Como puede verse en la figura, existe el solapamiento de bandas. Es decir, los estados energtico pueden que estar solapados (superpuestos), de manera que, aunque la banda de valencia est llena, parte de sus energas son tambin parte de los intervalos de la banda de conduccin, de manera que un mismo electrn en cierta forma pertenece a cualquiera de las dos bandas. En la figura 39 tambin se aprecia que la superposicin de estados del silicio (grafica a la izquierda) ocurrir en un punto especfico del diagrama. La flecha que seala el orden A, B, C indica un proceso de compresin. La forma de la grafica de las bandas del carbono es casi exactamente igual al del silicio, como quiera que ambos elementos tengan cuatro electrones en su ltima capa. Los subndices S y P diferencian las energas de los orbitales s de la de los orbitales p , que son los asociados a cada banda.

DIODO IDEAL.

Diodo ideal es un dispositivo

construido con dos terminales y con

unas caractersticas tal como se muestran en las figuras.

El diodo ideal tiene caractersticas semejantes a la de un interruptor solo permite la conduccin de corriente en una sola direccin. En la direccin que indica la flecha en la figura 1.1a. Donde uno de sus terminales, el cual se llama nodo, tiene aplicado un potencial positivo (indicado en la grfica con el signo +), y en el otro terminal, el cual se llama ctodo, tiene aplicado un potencias negativo. De esta forma, el diodo ideal cumple con lo siguiente: RF= VF / IF=0v /KmA=0 circuito cerrado(1.1)

Donde,

RF es el valor de la resistencia directa. VF es el valor del voltaje de polarizacin directa. IF es el valor de la corriente a travs del mismo. K es cualquier valor positivo de corriente.

Si invertimos la polarizacin, esto es al nodo le aplicamos el potencial negativo y al ctodo el positivo, entonces se cumple con:

RR= VR/IR=Kvol / 0Ma= circuito abierto (1.2)

Donde,

RR es el valor de la resistencia inversa. VR es el valor del voltaje de polarizacin inversa. IR es el valor de la corriente a travs del mismo. K es cualquier potencial de polarizacin

inversa.

Grficamente podemos concluir: Cuando un diodo ideal esta polarizado directamente tenemos un cortocircuito.

Los semiconductores advirtiendo que el germanio (Ge) y el silicio (Si) no son los nicos dos materiales semiconductores, pero ellos son los que ms se han trabajado en el desarrollo de dispositivos semiconductores. Pues estos materiales poseen una consideracin especial, se pueden fabricar con un alto nivel de pureza. Esto es fundamental, porque si los niveles de impurezas son mayores se puede pasar de un material semiconductor a uno conductor. La otra razn importante para que el silicio y el germanio sean tenidos en cuenta en la fabricacin habilidad de semiconductores est en para transformar la las

significativamente

caractersticas del material en un proceso llamado dopado. Adems, pueden ser modificados por otros mtodos como la aplicacin de luz o de calor.

Vamos a representar un cristal de silicio de la siguiente forma:

Representacin de un cristal de silicio

Cada tomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los tomos vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia. La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones que quedan aunque sean compartidos) con cada tomo, gracias a esta caracterstica

los enlaces covalentes son de una gran solidez.

Segn un convenio ampliamente aceptado tomaremos la direccin de la corriente como contraria a la direccin de los electrones libres.

Grafica de movimiento de electrones en el silicio.

En la figura vemos que los electrones libres (electrones) se mueven hacia la izquierda ocupando el lugar del hueco. Los electrones ligados (huecos) se mueven hacia la derecha. Carga del electrn libre = -1.6x10-19 Culombios. Carga de electrn ligado = +1.6x10-19 Culombios. Diodo semiconductor.

Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de tipo p, esa unin PN tiene unas propiedades muy tiles y entre otras cosas forman los "Diodos".

Entonces la representacin de un semiconductor tipo n sera:

Y la de un SC tipo p:

La unin de las regiones p y n ser:

Al juntar las regiones tipo p y tipo n se crea un "Diodo de unin" o "Unin pn".

Zona de deplexin Los dipolos tienen un campo elctrico entre los iones positivo y negativo, y al entrar los electrones libres en la zona de deplexin, el campo elctrico trata de devolverlos a la zona n. La intensidad del campo elctrico aumenta con cada electrn que cruza hasta llegar al equilibrio.

El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada "Barrera de Potencial" que a 25 C vale:

0.3 V para diodos de

Ge. 0.7 V para diodos de Si.

Polarizar: Poner una pila o fuente de voltaje DC.

Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n, diremos que estamos en "Polarizacin Directa".

La conexin en polarizacin directa tendra esta forma:

Figura Polarizacin directa

En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unin. Al moverse los electrones libres hacia la unin, se crean iones positivos en el extremo derecho de la unin que atraern a los electrones hacia el cristal

desde el circuito externo. As los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario al del electrn.

Sentido del movimiento del electrn libre (e-) y de la corriente (I).

Lo que le sucede al electrn: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente entra por el extremo derecho del cristal. Se desplaza a travs de la zona n como electrn libre. En la unin se recombina con un hueco y se convierte en electrn de valencia. Se desplaza a travs de la zona p como electrn de valencia. Tras abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.

CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO IDEAL Si el diodo est polarizado directamente, su circuito equivalente es el de un conmutador cerrado, pequea resistencia.

Con polarizacin inversa, el circuito representa un conmutador abierto, gran resistencia.

CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO Con la polarizacin directa los electrones portadores aumentan su velocidad y al chocar con los tomos generan calor que har aumentar la temperatura del semiconductor. Este aumento activa la conduccin en el diodo.

Caracterstica I/V de un diodo semiconductor

Vu Vs Vr OA AB OC

Tensin umbral Tensin de saturacin Tensin de ruptura Zona de baja polarizacin directa, pequea corriente Zona de conduccin Corriente inversa de saturacin A partir de C, zona de avalancha

Circuitos diodos.

equivalentes

para

Se define un circuito equivalente como una combinacin de elementos elegidos de forma apropiada para representar de la mejor manera las caractersticas terminales reales de un dispositivo, sistema o similar, para una regin de operacin particular.

La idea es sustituir por un circuito equivalente que no afecte de forma importante el comportamiento real del sistema. Para poder conseguir una red que pueda resolverse con las tcnicas tradicionales de anlisis de circuitos. La forma ms fcil de hacerlo es mediante el uso de segmentos donde los comportamientos son lineales. Aun cuando no se represente de forma exacta las caractersticas reales del dispositivo o sistema. Sin embargo, el resultado est muy aproximado a la curva real, lo cual, establece un circuito equivalente que proporciona una muy buena aproximacin al comportamiento real del dispositivo.

Previamente debemos tener en cuenta, en el comportamiento la funcin resistiva que posee el diodo. Antes de ver el diodo vamos a ver las caractersticas de la resistencia.

La resistencia de carbn tpica est formada por polvo de carbn machacado. Son importantes las dimensiones del carbn.

Anlisis de una resistencia

Para analizar el comportamiento de esa resistencia la polarizaremos primero en directa. Se toman los valores con un Ampermetro y un Voltmetro y se representa la I en funcin de V, con lo que tendremos el comportamiento de la resistencia.

Comportamiento de una resistencia en la regin de polarizacin directa.

Entonces al final nos quedar de la siguiente forma:

Curva caracterstica de una resistencia.

A esta representacin se le llama "Curva Caracterstica" y es una recta, por ello se dice que la resistencia es un "Elemento Lineal". Es ms fcil trabajar con los elementos lineales porque sus ecuaciones son muy simples.

Analizamos de la misma forma el diodo:

Se le van dando distintos valores a la pila y se miden las tensiones y corrientes por el diodo, tanto en directa como en inversa (variando la polarizacin de la pila). Y as obtenemos una tabla que al ponerla de forma grfica sale algo as:

Entonces al final nos quedar de la siguiente forma:

Curva caracterstica de una resistencia.

A esta representacin se le llama "Curva Caracterstica" y es una recta, por ello se dice que la resistencia es un "Elemento Lineal". Es ms fcil trabajar con los elementos lineales porque sus ecuaciones son muy simples.

CONCLUSIONES En esta entrega estudiamos a los diodos y sus caractersticas como un previo a su utilizacin en circuitos convertidores de CA en CC. Este es el primer componente activo que le presentemos, el ms simple de usar y aquel que se utiliz por primera ves en nuestra querida ciencia de la electrnica. Por supuesto que si Fleming volviera hoy a nuestro mundo y observara un pequeo diodo de silicio no podra reconocer su viejo dispositivo. En realidad el que construy el primer diodo no fue Fleming sino Tomas Alva Edison, solo que no supo reconocer su utilidad y simplemente anot en sus famosos cuadernos de bitcora que haba construido una lmpara incandescente pero que tena el problema de que el vidrio se oscureca y espejaba con el uso. La colocacin de una pequea plaquita metlica en su interior conectada al positivo de la batera solucionaba el problema y como Edison solucion su problema simplemente anot la solucin y se olvid. Fleming se encontr con ese cuaderno aos mas tarde, sinti curiosidad y repiti la experiencia que result totalmente cierta. El estudio de este hecho olvidado por Edison y la sagacidad de Fleming que lo aplic a los receptores de radio, fue uno de los grandes pasos de nuestra ciencia electrnica sino el ms grande de todos.