Universit de Versailles Saint-Quentin

MASTER CSER

Cours dOptolectronique systme

(CSER1-101)
Version provisoire en cours de rdaction

2005-2006 Luc Chassagne

Chapitres :

1 Notions sur le bruit 2 Quelques exemples de systmes optolectroniques 3 Systme de photodtection : photodiodes 4 Systme dmission : diodes laser 5 Transmissions numriques en optolectronique

Documents associs :

Polycopis de TD : 4 TD Polycopis de TP : 2 TP Annales dexamen

Version du 15 novembre 2005

TABLE DES MATIRES

..............................................................................................................................................1 CHAPITRE 1 .........................................................................................................................................................4 NOTIONS SUR LE BRUIT ..................................................................................................................................4 1. 2. INTRODUCTION .....................................................................................................................................4 NOTIONS SUR LES PROCESSUS ALATOIRES.................................................................................5 2.1. 2.2. 2.3. 2.4. 3. 3.1. 3.2. 3.3. 3.4. 4. 4.1. 4.2. 4.3. 5. La densit de probabilit..................................................................................................................5 Les moments.....................................................................................................................................5 La densit spectrale de puissance ....................................................................................................6 Le bruit blanc ...................................................................................................................................6 Bruit thermique (bruit Johnson).......................................................................................................8 Bruit de grenaille (shot noise)..........................................................................................................9 Bruit de scintillation ou bruit en 1/f (bruit flicker)...........................................................................9 Bruit de quantification ...................................................................................................................10 Caractristique du quadriple .......................................................................................................11 Facteur de bruit .............................................................................................................................11 Quadriple en cascade...................................................................................................................12

DIFFRENTS TYPES DE BRUIT............................................................................................................8

QUADRIPLE ET FACTEUR DE BRUIT ............................................................................................11

CONCLUSIONS .....................................................................................................................................13

CHAPITRE 2 .......................................................................................................................................................14 QUELQUES EXEMPLES DE SYSTMES OPTOLECTRONIQUES.......................................................14 1. INTRODUCTION ...................................................................................................................................14

CHAPITRE 3 .......................................................................................................................................................15 SYSTMES DE DTECTION : PHOTODTECTEURS ..............................................................................15 1. INTRODUCTION ET PRINCIPE...........................................................................................................15 1.1. 1.2. 2. 2.1. 2.2. Symbole de la photodiode ..............................................................................................................15 Principe succinct dune jonction PiN.............................................................................................16 La surface active ............................................................................................................................17 La gamme spectrale dutilisation...................................................................................................17

CARACTRISTIQUES ..........................................................................................................................17

2.3. 2.4. 2.5. 2.6. 2.7. 2.8. 2.9. 2.10. 2.11. 2.12. 3. 3.1. 3.2. 3.3. 4. 4.1. 4.2. 5.

Lefficacit de dtection .................................................................................................................18 La sensibilit ..................................................................................................................................18 Le courant dobscurit ...................................................................................................................20 Mise en uvre ................................................................................................................................20 La caractristique

i = f (U ) ....................................................................................................21

Schma quivalent..........................................................................................................................22 La capacit parasite.......................................................................................................................22 Le temps de rponse et la bande passante .....................................................................................23 La rsistance parasite (rsistance de shunt) et le NEP..................................................................24 Les diffrentes sources de bruit......................................................................................................25 Photodiode non polarise ..............................................................................................................27 Photodiode polarise .....................................................................................................................27 Montage transimpdance ...............................................................................................................27 Photodiode avalanche.................................................................................................................30 Photodiode lments multiples....................................................................................................30

LES PRINCIPAUX SCHMAS DUTILISATION................................................................................27

STRUCTURES AMLIORES..............................................................................................................30

CONCLUSIONS .....................................................................................................................................31

CHAPITRE 4 .......................................................................................................................................................32 SYSTMES DMISSION : DIODES LASERS ..............................................................................................32 1. INTRODUCTION ...................................................................................................................................32

CHAPITRE 5 .......................................................................................................................................................33 TRANSMISSIONS NUMRIQUES EN OPTOLECTRONIQUE...............................................................33 1. INTRODUCTION ...................................................................................................................................33

CHAPITRE 1 NOTIONS SUR LE BRUIT

1. INTRODUCTION
Considrons une chane de transmission dinformation compose dun metteur, un canal et un rcepteur comme reprsent Figure 1. Ces trois lments peuvent tre perturbs par des bruits . On entend par bruit des phnomnes lectromagntiques alatoires.

metteur Information code et mise

Canal de transmission

Rcepteur Information reue et dcode

Bruits

Figure 1 : Chane de transmission

Il est difficile voire impossible de sen affranchir autrement quen modlisant ces phnomnes par des probabilits et des statistiques. Ces bruits peuvent tre dorigine soit : 9 externe : perturbations lectromagntiques (orages, appareils lectriques environnants, tensions issues du secteur,), 9 interne : bruits internes aux composants (voir plus loin). Il est ncessaire de bien connatre quelques bruits usuels des composants et des systmes lectroniques car les systmes optolectroniques ont souvent pour paramtre essentiel le rapport signal bruit. Celui-ci ne peut se calculer quen connaissant toutes les sources de bruit possibles. Cest pourquoi ce chapitre qui nest en aucun cas un cours exhaustif sur le bruit numre quelques proprits essentielles sur les bruits les plus usuels.

2. NOTIONS SUR LES PROCESSUS ALATOIRES 2.1. La densit de probabilit

Lorsquun signal lectrique nest plus priodique ou prvisible, il peut tre tudi en terme de probabilits. On essaye de trouver un processus ou une loi qui dcrive a priori ce signal. On dfinit la fonction densit de probabilit p( x) comme la loi qui estime a priori une fonction f (t ) . A chaque instant t, f (t ) est compris dans un intervalle dx avec une certaine

probabilit comme illustr Figure 2.

dx f(t) t t1
Figure 2 : Fonction densit de probabilit

2.2. Les moments

On peut ensuite associer la densit de probabilit les dfinitions suivantes :
9 Moment dordre 1 (moyenne) : m1 = E ( x ) =
+

xp( x)dx ,
+

9 Moment dordre 2 (moyenne quadratique) : m2 = 9 Variance : = m2 m12 ,

p( x)dx ,

9 Ecart type : gale la racine carre de la variance.

Le signal est dit stationnaire si les deux moments associs sont indpendants de t.

2.3. La densit spectrale de puissance

Un des principaux intrts de la densit de probabilit est dobtenir la densit spectrale de puissance (DSP). Celle-ci reprsente la rpartition nergtique en frquence dun signal alatoire dans une bande de frquence donne. On rappelle que dans le domaine temporel, la puissance dun signal f (t ) est donne par la relation :
P = lim 1 2 f (t ) .dt T T T / 2
T /2

Si lon suppose que lon mesure la puissance du signal aprs passage dans un filtre de largeur frquentielle f , on dfinit alors la densit spectrale de puissance S ( f ) par :
S ( f ) = lim P . f 0 f

La densit spectrale de puissance permet de calculer lnergie moyenne contenue dans le signal. On peut tirer de la connaissance de S ( f ) la valeur de la valeur efficace du signal :
2 veff = S ( f ).df . f

Dautre part, la DSP permet deffectuer des calculs associs la transmittance dun quadriple. Si lon considre la fonction de transfert dun quadriple H ( j ) , on montre que la connaissance de la DSP dun signal en entre Se ( f ) permet de calculer la DSP en sortie par la relation :
S s ( f ) = Se ( f ) H ( j .
2

2.4. Le bruit blanc

Lorsque la densit spectrale de puissance dun bruit est constante en fonction de la frquence, on le nomme bruit blanc. Il sagt dun cas particulier qui est assez frquent lorsque lon modlise une source de bruit. Il prsente deux proprits intressantes :
9 la valeur moyenne temporelle du bruit est nulle ; il sagt l dune proprit importante car on peut alors diminuer fortement linfluence de ce type de bruit sur un signal par simple moyennage,

9 la valeur efficace du bruit est aisment tire de la densit spectrale par lexpression 2 veff = S ( f ) f o f est la bande dintgration considre comme montr sur la

Figure 3 :

S(f)

f
f
Figure 3 : Densit spectrale dun bruit blanc

3. DIFFRENTS TYPES DE BRUIT 3.1. Bruit thermique (bruit Johnson)

Une particule porte une temprature T possde un mouvement alatoire. Dans le cas des porteurs lectroniques, leur vitesse moyenne est nulle, mais la variation de leur vitesse instantane est dautant plus grande que la temprature T augmente. Or le courant est une quantit de charge par unit de temps. On peut donc associer un bruit de courant la cette variation de vitesse alatoire. Considrons le cas dune rsistance. Elle est compose dun matriau possdant des lectrons libres. Mme si cette rsistance nest pas polarise, les lectrons possdent un mouvement alatoire dpendant de la temprature. Elle est donc source dun bruit de courant. Cest ce que lon appelle le bruit thermique. Il sagt dun bruit blanc de frquence (des modles plus complexes tiennent compte de la remonte de bruit en trs haute frquence non aborde ici). On peut modliser toute rsistance par une rsistance parfaite non bruyante, associe un gnrateur de bruit.

veff ou Rrelle Rparfaite ieff Rparfaite

Figure 4 : Bruit dans une rsistance

Lexpression de la valeur efficace du courant de bruit (respectivement de la tension de bruit) est :

ieff = 4kTB R

ou

eeff = 4kTRB

o k est la constante de Boltzmann (1,3.10-23 J.K-1), T la temprature en Kelvin, R la valeur de la rsistance et B la bande de frquence dintgration considre. Par exemple, pour une rsistance R = 10 k, une temprature de 20C, le bruit gnr dans une bande de 10 kHz est de 1,3 V.

3.2. Bruit de grenaille (shot noise)

Le bruit de grenaille est un bruit qui entache tout flux de particules (lumire flux de photons, courant flux de porteurs lectroniques, semi-conducteurs paires lectrons/trous). Dans le cas lectrique, tout courant dans un circuit sera donc entach dun bruit de courant intrinsque. Il sagit dun bruit blanc li la fluctuation du nombre des porteurs lectroniques autour de la valeur moyenne (variations qui suit une loi de Poisson). La valeur efficace tir de sa densit spectrale sexprime par la relation : ieff = 2qIB o q est la charge de llectron (1,6.10-19 C), I est le courant nominal et B la bande dintgration de frquence considre.

3.3. Bruit de scintillation ou bruit en 1/f (bruit flicker)

Il sagit dun bruit basse frquence dorigine plus ou moins bien connue. Le bruit flicker est lorigine de nombreux problmes dans les systmes de mesures lentes ou long terme car il est difficile de sen affranchir totalement. On lappelle galement bruit en 1/ f car sa densit spectrale nest pas constante en fonction de la frquence mais suit une loi en 1/ f en basse frquence comme le montre le graphique de la Figure 5.

S(f)
~ qq Hz 1 kHz selon les systmes

f
Figure 5 : Bruit flicker

La densit spectrale suit la loi S ( f ) =

CkT , o lon retrouve toujours T la temprature en f

Kelvin, la constante de Boltzmann (1,3.10-23 J.K-1), ainsi que C une constante qui dpend des cas. Labscisse du coude peut varier de quelques hertz quelques kilohertz selon les systmes.

3.4. Bruit de quantification

Le bruit de quantification est li aux systmes numriques. Ds lors que des CAN ou des CNA interviennent, il y a quantification de linformation autour dun nombre de paliers finis (voir cours de licence). On peut donc dfinir une erreur entre la valeur analogique avant quantification, et la valeur numrique aprs quantification. Dans la plupart des CAN courants qui sont des CAN par arrondis, la valeur moyenne de lerreur est nulle, mais pas sa valeur efficace qui vaut eff = troncature, eff = q2 (dans le cas des CAN par 12

q2 , donc plus importante, do le moindre intrt de ce type de 3 convertisseur) ou q est le pas de quantification (attention ne pas confondre avec q la charge de llectron !) Ce type de bruit diminue si le nombre de bits utiles des convertisseurs augmente (car alors q diminue).

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4. QUADRIPLE ET FACTEUR DE BRUIT 4.1. Caractristique du quadriple

La notion de facteur de bruit est trs utilise car elle permet de caractriser les performances en bruit dun amplificateur ou plus gnralement dun quadriple. On y associe souvent la notion de temprature de bruit. Toutefois ce chapitre ntant quune introduction aux notions de bruit, on ne dtaillera pas cet aspect. Considrons un quadriple Q comme reprsent Figure 6 et possdant un gain en puissance G.

Rg i Eg Re Quadriple Q de gain G Rc

Figure 6 : Facteur de bruit

Ce quadriple est connect en entre un gnrateur de rsistance de sortie gale Rg et dbite sur une charge note Rc . On note le rapport signal bruit en entre
Se o Se Ne reprsente la puissance du signal utile en entre et N e la puissance de bruit en entre.

La puissance de bruit en entre est typiquement due limpdance dentre du quadriple : 4kTRe B N e = i 2 Re avec i = 2 ( Re + Rg ) Lorsque limpdance dentre respecte la loi dadaptation Re = Rg , on obtient N e = kTB qui est indpendant de la valeur de la rsistance.
2 eg Se . Le rapport signal bruit en entre vaut alors = N e 4kTRg B

4.2. Facteur de bruit

Dans lidal :
S s = G.Se

et

N s = G.N e

En pratique, le quadriple est source de bruit et rajoute une puissance de bruit intrinsquement que lon note N q .

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La puissance de sortie est donc plutt :

N s = G.N e + N q = G.N e (1 +

Nq Ne

).

On note F = (1 +

Nq Ne

facteur de bruit. Si le quadriple est parfait, F = 1. Il est dfinit

une temprature T donne. On obtient alors :

N s = F .G.N e

La puissance de bruit apporte par le quadriple est donc :

N q = ( F 1).G.N e

4.3. Quadriple en cascade

Supposons que lon veuille mettre en cascade deux amplificateurs, Q1 et Q2, de gains en puissance respectifs G1 et G2, et de facteurs de bruit respectifs F1 et F2. On dsire modliser lensemble par un quadriple global Q de gain G et de facteur de bruit F. On montre que lon obtient et G = G1 G2 , F = F1 + F2 1 . G1

On peut gnraliser le principe pour n quadriples o le gain total est le produit des gains, et F 1 F 1 F3 1 le facteur de bruit global vaut F = F1 + 2 + + ...... n . G1 G1G2 G1...Gn 1
Ce rsultat montre clairement que dans une chane damplification, le premier quadriple est le plus important. Sil possde un gain en puissance lev et un bon facteur de bruit, les amplificateurs qui suivent ne dgraderont pas le rapport signal bruit.

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5. CONCLUSIONS
9 Un bruit est un signal alatoire caractris par une densit de probabilit, 9 La connaissance de la densit de probabilit permet de calculer la densit spectrale de puissance puis la valeur efficace du bruit, 9 Certains bruits sont intrinsques aux circuits lectroniques : bruit thermique, bruit de grenaille, bruit flicker, etc, 9 Dans une chane damplification, le premier quadriple est le plus important, cest lui qui assure le rapport signal bruit.

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CHAPITRE 2 QUELQUES EXEMPLES DE SYSTMES OPTOLECTRONIQUES

1. INTRODUCTION
En cours de rdaction

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CHAPITRE 3 SYSTMES DE DTECTION : PHOTODTECTEURS

1. INTRODUCTION ET PRINCIPE
On ne dtaillera pas ici tous les photodtecteurs existants, mais on sattardera essentiellement sur la photodiode. On essaiera de laborder non pas sous laspect fonctionnement interne de la jonction PN, mais plutt par un modle lectrique et ses caractristiques utiles pour ensuite lutiliser dans un schma pratique de conversion lumire tension.

1.1. Symbole de la photodiode

Le symbole de la photodiode est le mme quune diode normale. Pour le diffrencier dans la suite de ce cours, on portera une flche symbolisant le flux lumineux incident.

idiode

Udiode

Figure 7 : Symbole de la photodiode

La convention classique porte la tension ses bornes de la cathode vers lanode, et le courant de lanode vers la cathode. On portera une attention particulire respecter cette norme car on verra que le phnomne de courant photognr induit un courant ngatif ce qui entrane parfois des confusions.

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1.2. Principe succinct dune jonction PiN

Ce paragraphe vise clairer trs rapidement le principe actif de ralisation dune photodiode. Il fait appel la thorie des semiconducteurs. On se reportera la littrature des jonctions PN pour de plus amples dtails, seul un descriptif rapide se fait ici pour noter les termes utiles pour la suite.
Photons dnergie E = h N + + + P Vp < 0 N + + dZCE Courant ID b) Bande dnergie P

Bande de conduction nergie de gap E = q(V0+Vp) + Bande de valence

dZCE zone de charge despace Courant ID a) Jonction PiN

Figure 8 : Jonction PiN

Considrons une jonction PN dope (Figure 8a) polarise. Le centre de la jonction PN, habituellement appele zone dappauvrissement ou zone de dpltion, est lgrement dop N pour former une zone active intrinsque que lon appelle zone de charge despace. Lensemble forme une jonction parfois appele PiN. Cette zone est l pour faciliter labsorption des photons. Si un photon incident possde une nergie suprieure lnergie de gap entre les bandes de conduction et de valence (Figure 8b), une paire lectron-trou est forme (lectron dans la bande conduction et trou dans la bande de valence). Lnergie de gap dpend de la structure des bandes dnergie, donc du matriau, du dopage et de la tension de polarisation. Une diffrence de potentiel apparat au borne de la jonction, facilit par laction de la polarisation (si V p augmente, dZCE augmente, et lnergie de gap diminue) ; si le composant est insr dans un circuit lectrique, un courant peut ainsi se crer, que lon appelle courant photognr.

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2. CARACTRISTIQUES
Ce paragraphe prsente les caractristiques principales utiles pour modliser le fonctionnement et le comportement lectrique dune photodiode.

2.1. La surface active

On notera dans la suite S la surface active de la photodiode. Elle correspond la taille de la surface utile de la photodiode. Elle peut varier de quelques millimtres sur une photodiode construite pour capter un faisceau lumineux large, quelques micromtres carrs sur des photodiodes construites pour tre intgres en bout de fibre optique. On verra dans la suite du cours, que la surface influe sur plusieurs paramtres et que le choix dune photodiode plus ou moins grande nest pas anodin. Choisir une photodiode large permet daugmenter la surface de capture et donc doptimiser la dtection, mais cela augmente par contre la capacit parasite et diminue fortement la bande passante dutilisation.

2.2. La gamme spectrale dutilisation

Selon le type de compos utilis, lnergie de gap associ peut varier. Le domaine spectral defficacit dune photodiode dpend alors de sa composition. Les composs les plus courants sont le silicium (symbole : Si), le germanium (Ge), lindium (In), le gallium (Ga), le Phosphore (P), larsenic (As), le mercure (Hg), le tellure (Te), le cadmium (Cd). Le graphique de la Figure 9 rcapitule les composs les plus courants et ltendue spectrale des photodiodes associes :
0,2m Si 1,1m 0,9m InGaAs 1,7 m 0,3m GaAsP 0,8 m 0,4m Ge 1,9 m 1 m InAs 3,8 m 1 m HgCdTe 25 m UV 0,4 m gamme visible 0,8 m Infrarouge

Figure 9 : Gamme spectrale des photodiodes

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On peut noter que le silicium est particulirement intressant car il couvre toute ltendue du spectre visible (0,4 m 0,8 m) ainsi que le proche ultraviolet et le proche infrarouge.

2.3. Lefficacit de dtection

Lefficacit de dtection traduit la qualit du rendement lumire courant. Un photon incident induit 0 photon absorb, avec 0 < 1 car certains photons peuvent ne pas atteindre la couche utile de la photodiode en tant rflchi sur la surface par exemple. De nombreuses photodiodes sont protgs par une fentre en verre ou en plexiglas qui peuvent induire des rflexions inutiles. Dans certains cas, des traitements optiques anti-reflet peuvent tre appliqus. Un photon absorb induit e lectron avec e < 1. Le rendement e dpend du matriau semiconducteur, il vaut environ 0,99 pour le silicium. La combinaison de ces deux rendements aboutis ce que lon appelle lefficacit quantique qui traduit le rapport entre le nombre de photon incident et le nombre dlectron gnr.

2.4. La sensibilit
Lorsquon utilise la photodiode en tant que composant lectronique, la notion de rendement quantique est peu pratique. On introduit la notion de sensibilit S. Cest le rapport entre la puissance lumineuse incidente Plumire et le courant photognr ID :
I D = S Plumire .

La sensibilit est exprime en ampre.watt-1 et est comprise entre 0 et 1. Elle dpend des composs du photodtecteur et varie fortement en fonction de la longueur donde comme le montre la Figure 10 pour les composs les plus courants.
ATTENTION ! Selon la norme rappele Figure 7, le courant ID est ngatif.

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Figure 10 : Variation de la sensibilit en fonction de la longueur donde (documentation Hamamatsu)

Pour chaque compos, les courbes prsentent un maximum une longueur donde prcise. Cest gnralement ce maximum qui est donn dans les documentations techniques des photodtecteurs. On peut noter que la sensibilit dpend galement de la temprature. Un ordre de grandeur typique est une variation de 1% pour 2C, ce qui peut savrer non ngligeable lors de grandes variations de temprature ou dans des systmes de mesure damplitude o la calibration du capteur est importante. Autre point notable, la trs grande plage de linarit de la sensibilit en fonction de la puissance incidente. Dans lexemple de la Figure 11, on peut voir que le courant gnr est proportionnel la puissance incidente pour une gamme dentre de 0,1 pW 1 mW soit 10 ordres de grandeur. Un phnomne de saturation apparat pour des puissances suprieures. Pour des puissances trs faibles, on atteint ce que lon appelle le plancher de bruit : la photodiode fournit un courant constant, appel courant dobscurit et nest plus vraiment sensible la lumire incidente. Les valeurs de saturation et de plancher de bruit sont lies au type de photodiode et peuvent tre trs diffrentes selon les modles.

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100 10-4
Courant (A)

photodiode Si srie 1336

Rc = 10 100

10-8 10-12 10-16 10-16

10-12

10-8

10-4

100

Puissance incidente (W)

Figure 11 : Linarit en puissance de la sensibilit S

2.5. Le courant dobscurit

La jonction PN peut gnrer des lectrons, mme en labsence de lumire. Cela induit, un courant mme si la photodiode est plonge dans le noir absolu. On appelle cette limitation courant dobscurit, (dark current). Il reste trs faible, quelques nanoampres ou picoampres en rgle gnral. Toutefois, mme faible, dans le cas o la photodiode est utilise pour dtecter un flux lumineux trs faible, cela peut savrer contraignant. On notera alors dans la suite de ce cours pour tre rigoureux :

I photognr = I D + iobs = S Plumire + iobs

On peut noter que ce courant dobscurit augmente fortement avec la polarisation de la photodiode, et avec la surface active. Il augmente galement avec la temprature. On appelle parfois ce courant dobscurit la limite de sensibilit.

2.6. Mise en uvre

La photodiode gnre un courant ngatif selon la norme dfinie plus haut. Elle peut tre non polarise (Figure 12a) ou polarise (Figure 12b).

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+V0 Rc a) b) Rc

Figure 12 : Mise en uvre simple de la photodiode a) Non polarise b) Polarise

Dans le cas dune polarisation, celle-ci doit tre imprativement ngative pour que la photodiode soit dans un rgime de fonctionnement intressant. On note la tension de polarisation V0. Ltude exhaustive des deux schmas ci-dessus figure dans la suite du cours, dans limmdiat, on ne retiendra que la polarisation ngative.

2.7. La caractristique i = f (U )
La Figure 13 reprsente la caractristique courant en fonction de la tension aux bornes de la photodiode. Lorsque la tension de polarisation est positive, le mode de fonctionnement est dit photovoltaque. On ne sintressera pas ici ce mode. Pour obtenir un mode de photodtection, la polarisation doit tre nulle ou ngative conformment aux schmas de la Figure 12. Le rseau de courbe est trac pour une puissance lumineuse incidente croissante dans le sens de la flche. La courbe en gras correspond donc une puissance incidente nulle.
Ignr

Mode photodtection

iobs

Plumineuse

Mode photovoltaque

Figure 13 : Caractristique

i = f (U ) de la photodiode

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Ltude de cette courbe nous apporte les informations suivantes : 9 lorsque la puissance lumineuse est nulle (courbe en gras en haut), il existe tout de mme un courant gnr. On retrouve l le courant dobscurit. Celui-ci augmente si la polarisation augmente, do la lgre pente de la courbe, iobs |U =0 < iobs |U <0 ,
9 lorsque la puissance lumineuse augmente, le courant photognr augmente proportionnellement et se rajoute au courant dobscurit, 9 si la tension de polarisation est positive, le mode photovoltaque est un mode comparable une diode classique, 9 la polarisation ne doit pas tre trop importante, il existe une tension de claquage.

2.8. Schma quivalent

On peut maintenant associer aux diffrents phnomnes et caractristiques vus ci-dessus un schma lectrique quivalent de la photodiode, reprsent Figure 14.

ID

Iobs Rsh Cj
Figure 14 : Schma quivalent dune photodiode

Rc

Le courant photognr est modlis par une source de courant, conventionnellement orient dans le sens adopt aux paragraphes prcdents. Une diode idale est assemble en parallle, qui permet galement de modliser le passage du courant dobscurit. Une rsistance parasite (note Rsh, rsistance de shunt) et une capacit parasite de jonction Cj sont ajouts au modle. Le schma reprsente une rsistance de charge supplmentaire Rc sur laquelle la photodiode est branche.

2.9. La capacit parasite

Dans le modle ci-dessus, on a fait apparatre une capacit parasite Cj, galement appele capacit de jonction car elle trouve son origine dans la jonction PN et peut sexprimer par la relation : S Cj = , d ZCE

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o est la permittivit du matriau, S la surface active et dZCE la zone de charge despace. On voit que plus la photodiode est grande, plus la capacit parasite est importante. La zone de charge despace diminue si la tension de polarisation de la photodiode augmente. Lorsque le composant est intgr dans son botier, les connections et lintgration peuvent faire apparatre dautres capacits parasites qui viennent sadditionner. On note la capacit totale :

Ct = C j + C p ,
o Cp reprsente les capacits lies lintgration.

2.10. Le temps de rponse et la bande passante

Lorsque la photodiode est connecte une rsistance de charge Rc, linfluence de la capacit parasite apparat car on retrouve ltude classique dun circuit RC. On peut dfinir une constante de temps lectronique que lon notera :

t RC = 2, 2 Rc Ct .
Le temps de rponse sur une impulsion lumineuse, selon la norme classique 10% - 90%, comme reprsente Figure 15 peut sestimer par la relation :
2 2 2 tr = t p + tdiff + t RC ,

o tp reprsente le temps de traverse de la zone de charge despace et tdiff le temps de diffusion des porteurs dans la zone N ou la zone P. Ces deux temps diminuent si la tension de polarisation Vp augmente ; ils sont souvent infrieurs tRC.

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Impulsion lumineuse

90% Courant gnr 10%

tr
Figure 15 : Temps de rponse 10% - 90%

On peut ensuite dfinir la bande passante lie ce temps de rponse

BP =

0,35 . tr

Ce critre de bande passante est un critre important dans le cas de transmission optolectronique haut dbit.

2.11. La rsistance parasite (rsistance de shunt) et le NEP

Dans le modle vu prcdemment, le deuxime lment important est la rsistance parallle Rsh. Cette rsistance parasite est trs grande, souvent plusieurs G. Sa principale contribution est en tant que source de bruit thermique, o il faut tenir compte du bruit de courant apport :
iRsh = 4kTB , Rsh

comme vu au chapitre 1. Cela signifie quune photodiode est une source de bruit de courant intrinsque qui va se superposer au courant photognr. La valeur de Rsh nest pas toujours connue, on introduit souvent la notion de puissance de bruit quivalent (Noise Equivalent Power - NEP). Cela correspond au bruit intrinsque de la photodiode, que lon ne modlise pas sous forme dune rsistance mais dune puissance quivalente incidente. Elle correspond la limite de dtection du photodtecteur :
iNEP = S NEP B ,

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avec le NEP exprim en W / Hz . On peut le dfinir par :

NEP = iNEP . S B

Le NEP est souvent donn dans les documentations techniques plutt que la rsistance de shunt. Sa valeur diminue fortement si la surface active diminue ; au premier ordre, il est inversement proportionnel. Une photodiode petite est donc moins bruyante quune photodiode de grande surface (au premier ordre, une photodiode 10 fois plus petite est 10 fois moins bruyante). Il dpend de la temprature et de la longueur donde galement.

Pour fixer quelques ordres de grandeur : Une photodiode en InGaAs, de sensibilit 0,9 est utilis dans un systme de transmission ayant pour bande passante 1 GHz. Son NEP est donn pour 2.10-15 W / Hz . La puissance de bruit lumineuse quivalente dans la bande considre vaut donc
2.10-15 109 = 63 pW. Le bruit de courant correspondant vaut iNEP = 0,9 63.1012 = 57 pA.

2.12. Les diffrentes sources de bruit

Si lon reprend le schma quivalent de la Figure 14, il est possible dtablir un bilan exhaustif des sources de bruit qui viennent sajouter au courant gnr :
9 le bruit de grenaille du courant gnr : isD = 2qI photognr B , 9 le bruit thermique ou le NEP : iRsh =
4kTB ou iNEP = S NEP B , Rsh 4kTB . Rc

9 le bruit de grenaille du courant dobscurit : isobs = 2qI obs B , 9 le bruit thermique de la rsistance de charge : iRc =

2 2 2 2 Le courant de bruit total est la somme quadratique itotal = iRsh + isD + iRc + iobs .

On peut distinguer trois cas dutilisation :

9 photodiode illumine : alors iD > iobs et le bruit isobs est ngligeable ; en gnral,

iRsh est galement ngligeable, et le bruit total est alors itotal de bien dimensionner la rsistance de charge pour que itotal

2 2 isD + iRc . Le but est

2 isD .

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9 photodiode dans le noir et polarise : alors iD iobs et le bruit isobs nest plus ngligeable ; souvent iRsh est galement ngligeable car avec la polarisation le

courant dobscurit augmente ; le bruit total devient itotal

2 2 2 isD + iRc + iobs .

9 photodiode dans le noir non polarise : le rle de la rsistance de shunt devient souvent prpondrant et mme largement plus important que le courant

dobscurit ; le bruit total est itotal

2 2 2 isD + iRc + iRsh .

26

3. LES PRINCIPAUX SCHMAS DUTILISATION

3.1. Photodiode non polarise

En cours de rdaction, voir TD.

Rc

Figure 16 : Schma dutilisation, photodiode non polarise

3.2. Photodiode polarise

En cours de rdaction, voir TD.
V0 + Rc

Figure 17 : Schma dutilisation, photodiode polarise

3.3. Montage transimpdance

Le montage transimpdance utilise un AOP pour convertir le courant photognr en une tension. Lintrt rside dans le fait que limpdance de sortie globale est celle de lAOP, donc proche de 0. Quel que soit le montage connect ensuite, ladaptation dimpdance est assure pour transmettre la tension gnre correctement. Linconvnient majeur est la limitation en frquence que peut apporter lAOP. Ce type de schma est donc choisi pour des montages basse frquence (< quelques dizaines de kHz quelques MHz) faible bruit ncessitant ensuite une adaptation dimpdance. Un des schmas possible est illustr Figure 18.

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R + vs

Figure 18 : Schma dutilisation, transimpdance

On peut brancher la photodiode dans un sens ou ans lautre, cela ninfluera que sur le signe de la tension de sortie. On montre que ce schma a une fonction de transfert du second ordre avec : GBP 9 frquence de coupure : f c = , 2 .R.(C + Ct )
9 amortissement : m = .R.C. f c ,

o GBP est le produit gain-bande de lAOP, et Ct la capacit du photodtecteur. Dautre part, aux sources de bruit dtailles prcdemment, il faut rajouter les sources de bruit issues de lAOP :
9 source de bruit de courant dentre : dpend de lAOP ; quelques pA quelques fA pour les AOP paire diffrentielle FET. (AOP : OP27, OPA606, OPA627, OPA637) ; ce type de bruit est un bruit blanc et un bruit de scintillation qui peut dmarrer ds 1 kHz selon les modles, 9 source de bruit de tension dentre de lAOP : bruit blanc et bruit de scintillation parfois assez important ; quelques V en rgle gnrale.

Le schma peut tre symtris pour quilibrer les impdances vues des deux broches dentre de lAOP et devient celui de la Figure 19 :

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2C

R/2 + vs 2C R/2

Figure 19 : Schma transimpdance symtrique

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4. STRUCTURES AMLIORES

4.1. Photodiode avalanche

En cours de rdaction

4.2. Photodiode lments multiples

En cours de rdaction

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5. CONCLUSIONS
9 Une photodiode peut tre considre comme un gnrateur de courant proportionnel la puissance lumineuse incidente, 9 De nombreux dfauts entache ce gnrateur de courant : courant dobscurit, capacit parasite, sources de bruit intrinsque, etc 9 Lutilisation que lon peut faire dune photodiode est avant tout histoire de compris : non polarise pour optimiser le rapport signal bruit, polarise pour optimiser la rapidit et la bande passante. La valeur de la rsistance de charge est choisie selon lapplication et influe fortement sur les performances du montage.

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CHAPITRE 4 SYSTMES DMISSION : DIODES LASERS

1. INTRODUCTION
En cours de rdaction

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CHAPITRE 5 TRANSMISSIONS NUMRIQUES EN OPTOLECTRONIQUE

1. INTRODUCTION
En cours de rdaction

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