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LES COMPOSANTS ACTIFS LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

Il est constitu de 3 couches de semi-conducteur respectivement N P et N (ou PNP) .La couche centrale, la base ,est mince, sa largeur doit tre trs infrieure la longueur de diffusion des porteurs injects dans cette zone. Test avec un ohmtre un transistor se comporte comme deux diodes tte bche. Avec un tel appareil il est ainsi possible de dterminer si un transistor est en bon tat et de reprer son 'sexe' PNP ou NPN et la position de sa base. En fonctionnement normal la jonction base P metteur est polarise dans le sens passant IC ( VBE0,7V) et la jonction base collecteur dans N N le sens bloquant (VC>VB) Pour un dopage C d'metteur trs suprieur celui de la base, le B courant Emetteur-Base est essentiellement E C constitu par les porteurs ngatifs passant de IB E vers B .La largeur de la base tant infrieure la longueur de diffusion de ces lectrons E IE dans le matriau de base, la plus grande partie B d'entre eux parvient dans la rgion de charge d'espace de la jonction BC , polarise en inverse, ou ils sont capturs et atteignent le Zone de charge d'espace collecteur. C'est l'effet transistor qui se traduit par la Collecteur Emetteur Base relation simple IC=IE . infrieur 1 est le P N N gain en courant en base commune. W IE IC En introduisant on obtient la formule IE=IC+IB fondamentale du transistor : IB IC=IB avec =/(1-) est le gain en courant du transistor. Le fonctionnement du transistor est Concentration d'lectrons dans la base dcrit l'ordre zro (utilis pour calculer sa polarisation ) : z IC=IB et VBE0,7V Ce modle simple considre que la tension base metteur est constante, il est donc inadapt au calcul d'un montage amplificateur dans lequel la tension d'entre modifie prcisment cette tension. , pour un fonctionnement en rgime variable il faut introduire la caractristique exacte de la jonction :

I B = I 0 exp(VBE / )

Pour de petites variations de I et V autour d'un point de polarisation on est donc conduit au schma du premier ordre classique reproduit ci contre. Ces schmas ne donnent cependant qu'une approximation grossire du fonctionnement du transistor, aussi bien en courant continu que pour les petits signaux..

iB Base h11

iC Collecteur
Beta.IB

Emetteur iE

Schma pour petits signaux

Modlisation
Modle continu : Ebers et Moll
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Pour faire travailler un transistor bipolaire autour de VCE=0 il faut tenir compte des deux diodes EB et BC .. Dans le sens direct (collecteur du cot + pour un NPN) le comportement en continu du transistor est reprsent convenablement par le schma [A] ci dessous. Le comportement inverse s'obtient en inversant le schma, la jonction de commande tant la diode BC. Figure [B]. Le modle d'Ebers et Moll est obtenu en associant les deux schmas prcdents. Le transistor est alors dcrit par les deux quations :

V VBE 1) + I I C 0 (exp CB 1) V V I C = D I E 0 (exp BE 1) I CO (exp CB 1) I E = I E 0 (exp

On constate en particulier que pour VCB=0 comportement est dcrit par la seule quation: IE=-IE0 exp(VBE/) le

I direct

Collecteu Emetteur
A

Base

Mais ce modle n'explique pas l'augmentation du avec la tension de collecteur , pour l'expliquer il faut faire appel l'effet Early .Les porteurs injects dans base sont capturs par le champ interne existant dans la zone de charge d'espace de la jonction collecteur. Les quations de diffusion des porteurs montrent que la concentration des porteurs varie linairement entre l'metteur et le bord de cette zone, c'est ce qui a t reprsent sur une figure prcdente. Si la tension de collecteur augmente il en est de mme de l'paisseur W de la zone , tout se passe comme si la largeur de la base tait rduite, ce qui se Ic traduit par une augmentation du .Le calcul montre que toutes les caractristiques d'un IB=Cte transistor convergent vers un point sur la partie ngative de l'axe des tensions ,c'est la tension d'Early .Figure ci contre. Pour un transistor rel cette convergence n'est Vce qu'approximative .
V Early Le modle de Gummel et Pound utilis par SPICE est une modification du modle d'Ebers et Moll qui inclus l'effet Early. 0

Modle pour petits signaux

Le transistor considr comme un quadriple est le plus souvent dcrit par sa matrice h :

v1 = h11i1 + h12 v 2 i2 = h21i1 + h22 v 2

avec v1=VBE v2=VCE i1=IB i2=IC On peut lui associer le schma quivalent en reprsent ci contre , ou: RCE1/h22 RBE/RCBh12 et RBEh11 g/h11

Cbc B Rbc Rbe Rce Cbe C gVbe

E Modle dordre 1 Lorsque la charge extrieure place entre collecteur et metteur est petite devant le 1/h22 et pour des frquences faibles les termes h12 et h22 peuvent tre ngligs ,(il faut les garder ou les ngliger tous les deux )Il ne reste alors que les quations du modle simplifi , ordre 1 ,: B C v1 = h11i1
I1
h11

i2 = i1
correspondant au schma simplifi ci contre :

i1 E

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Ce schma simplifi donne toujours une valeur trop grande du gain dun tage, lerreur tant dautant plus grande que le rsultat est proche de la valeur du Modle HF , schma de Giacoletto Pour tenir compte du comportement du transistor lorsque la frquence augmente on introduit les capacits internes Cbe et Cbc. Ce ne sont pas nB Vce seulement les capacits normales des jonctions Vce+DVce polarises mais des capacits de diffusion. Considrons d'abord CBE ; nous avons vu plus haut que la concentration des porteurs Collecteur minoritaires dans la base ( des lectrons pour un transistor NPN ) dcroissait linairement de x l'metteur la zone de charge d'espace de la Base jonction de collecteur. Ces porteurs en transit ont une charge totale qui est proportionnelle la surface colore en bleu ple dans la figure ci contre , donc proportionnelle au courant metteur IE. Q=k IE Si ce courant varie de IE Q varie de Q=kIE mais IE = VBE/h11 Donc Q=k/h11.VBE qui est de la forme Q=CBEVBE ou CBE est la capacit de diffusion.
Zone charge d'espace

La nature de CBC fait intervenir l'effet Early. Si la tension collecteur base varie, il en est de mme de la largeur effective de la base, la rpartition des porteurs en transit est donc modifie , la charge varie d'une quantit proportionnelle au triangle color en bleu fonc. Cette variation est sensiblement proportionnelle VCB , le coefficient de proportionnalit est la capacit de diffusion annonce. Mme en faisant intervenir ces Cb'c condensateurs internes , le modle n'est pas satisfaisant car on constate que Rbb' B' Rb'c C B l'impdance d'entre ne tend pas vers zro lorsque la frquence augmente ( ce qui serait le cas cause de CBE qui courtgVbe Rce circuite l'entre ) Il faut faire intervenir la Rb'e Cb'e rsistance du matriau de base qui se comporte comme une rsistance en srie E avec l'entre. Le modle obtenu est le schma de Giacoletto , il est reprsent ci contre . -3 Pour un transistor de faible puissance h12 est de lordre de 10 , Rbc est donc 1000 fois plus grand que Rbe cest dire de lordre du M et son action est ngligeable devant celle de Cbc on le nglige le plus souvent. Frquences de coupure : Le gain en courant apparent du quadriple est le quotient Ic/Ib pour Vce=0. En ngligeant Cbc devant Cbe si un courant i1 est inject dans la base, la tension sur la base

rb 'e i1 1 + jrb 'e C b 'e Le courant de sortie tant i2 = gvb 'e

interne est :

v b 'e =

On en dduit le gain en courant de la forme :

Cb'c B Rbb' B' Rce C gVb'e

= 0

1+ j

avec

0 = grb 'e

Cb'e

Rb'e

E
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et

1 rb 'e C b 'e

cest la pulsation de coupure du gain en courant, pour les transistors courants elle est de lordre de quelques MHz au plus. On donne plus souvent dans les documentations commerciales la pulsation I au del de laquelle le gain en courant tombe en dessous de 1 . En crivant que le module de est gal 1 il est facile de montrer que I=o. Amplificateur charge rsistive, effet Miller Nous considrerons que la rsistance de charge RL est faible devant rCE et limpdance du condensateur Cbc Alors la tension de sortie scrit :

Rbb'

B' Cb'e+gRLCb

Rb'e E

v 2 = gvb 'e RL
Si i est le courant dentre on peut crire au nud B : (avec g=1/R) on en dduit limpdance dentre sur la base :

i vb 'e ( g b 'e + jC b 'e ) + (v 2 vb 'e ) jC b 'c = 0 Z E = rbb ' + g b 'e + j [C b 'e + gRL C b 'c ] 1

Ce qui correspond au schma ci contre: La capacit apparente dentre nest pas seulement due Cbe mais surtout Cbc multiplie par le gain de ltage.Cest leffet Miller. De faon gnrale soit un amplificateur de gain G shunt par un condensateur C, le courant circulant dans C vaut :

(v1 v 2 ) jC = jC (1 G )v1

Cest dire que limpdance dentre est celle dun condensateur C(1-G) qui si G est grand et ngatif scrit |G|C .Le condensateur est multipli par le gain. Avec les approximations faites le schma de lamplificateur est reprsent ci dessous.

Ze G v1 Gv1

B v1 E

Rbb'

B'

gvb'e RL v2

Le calcul montre alors que le gain global peut se mettre sous la forme :

gb'e Cb'e+gRLCb'c

G = G0
avec :

1 1+ j

G0 =

Rg 1 + g b 'e rbb '

et la frquence de coupure du gain en tension :

S =

rbb ' + rb 'e C b 'e rbb ' rb 'e

1 R 1+ L RLC

et

Frequence de coupure wS

RLC =

1 C b 'e g C b 'c RL 0 RLC

Cette frquence de coupure est trs infrieure la frquence de transition prsente plus haut, quelques dizaines de MHz au plus, elle ne tend pas vers linfini si la charge RL tend vers zro et chute rapidement si cette charge augmente au del

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de RLC ,qui vaut en gnral quelques centaines dohms seulement. Avec un 2N2925 on a par exemple : -3 Cbe=80pF Cbc=10pf rbb=100 rbe=2k g=30 10 0=200 mais fS=21Mhz et RLC=270

f=1Mhz fI=200Mhz

Les trois montages

Il est d'usage de distinguer trois montages de base suivant l'lectrode qui est commune l'entre et la sortie .

Le montage metteur commun

C'est le plus naturel et aussi le plus employ . Nous rappellerons rapidement ses proprits en utilisant le modle dordre 1, le modle d'ordre 0 ( VBE=0,7V et Ic= Ib ) est utilis pour le calcul du point de polarisation Impdance dentre h11 en parallle sur la rsistance de polarisation RB Impdance de sortie Rc Gain en tension -Rc/h11 Le paramtre h11 tant inversement proportionnel au courant base , h11=/IB et =kT/q=26mV pour 300K
E Rb Rc

v1

v2

Le montage collecteur commun

Trs utilis lui aussi pour ses qualits dadaptateur dimpdance . En premire approximation le gain vaut 1 V2=V1-0,7V relation entre les tensions continues sur la base et lmetteur. Le schma quivalent permet dcrire :
V1 Re V2

v1 = h11i1 + RE ( + 1)i1

v 2 = RE ( + 1)i1 dou limpdance dentre Z E = h11 + ( + 1) R E

qui pour des valeurs pas trop faible de RE est de lordre de RE, rsultat important retenir . Le courant de sortie circulant dans la charge est i2=(+1)i1 mais si on fait intervenir la source dattaque de rsistance interne RG : v2=u0-(RG+h11).I1 cest dire :

i1 Rg Uo H11 I1

v 2 = v1

h11 + RG i2 +1

Re

V2 (+1)I1

expression qui montre que limpdance de sortie sur lmetteur est

h11 + RG , si limpdance de source est leve et grand devant 1 +1

,cette expression se simplifie en ZS=RG/ autre rsultat fondamental . Remarque importante : Le montage collecteur commun est trs souvent utilis comme adaptateur dimpdances, on constate cependant parfois des instabilits ( oscillations ) qui sont surprenantes puisque son gain est infrieur lunit. Le schma de Giacoletto permet de comprendre lorigine des ces problmes, en effet si la charge dmetteur est capacitive limpdance dentre dun montage CC peut avoir une partie relle ngative.

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La courbe ci dessous est obtenue avec un 2N2222 dont lmetteur est charg par une rsistance de 1k en parallle avec un condensateur de 1nF.La partie relle de limpdance atteint 5k au voisinage de 1Mhz.La mise en place dune rsistance dans le circuit de collecteur modifie la courbe mais ne touche pas notablement au rsultat. Une telle impdance ngative peut tre lorigine doscillations quil est trs difficile dliminer ,une rsistance en srie avec la base peut tre ncessaire .

Le montage base commune

Dans ce dernier cas cest la base qui est le point commun entre lentre et la sortie , cest dire la masse pour les petites variations. Le signal dentre est alors appliqu lmetteur . Sur le schma quivalent au nud emetteur +E
Rc Ie V1 Re Cb R2 R1 V2 V1 I1 h11 I1 Rc V2

i E + i1 + i1 = 0 mais v1 = h11i1 h11 i1 soit v1 = +1

limpdance dentre au niveau metteur est trs basse de lordre de h11/, cest la caractristique essentielle du montage , par contre le gain est au signe prs le mme que pour le montage EC . Le montage BC est surtout utilis en haute frquences car les impdances des sources sont naturellement basses (50) et de plus la base la masse isole lentre de la sortie , la capacit metteur collecteur est faible ce qui rduit leffet Miller . Application : Montage cascode La figure ci contre reprsente un amplificateur utilisant un 2N2222 et attaqu par une source dimpdance interne 600.Son gain maximal est de lordre de 100 et sa bande passante. 3dB denviron 1Mhz. Le montage cascode consiste placer en srie un transistor mont en metteur commun et un autre en base commune. L'impdance d'entre du base commune constitue la charge de collecteur de lmetteur commun. Si les deux transistors sont identiques, travaillant avec le mme Ic ils ont le mme h11. Or limpdance dentre dun montage BC est h11/ et le gain dun montage EC -Rc/h11.,cest au signe prs le mme en BC. Avec Rc= h11/ le montage EC

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aura un gain de 1 seulement ,donc un effet Miller faible [ ( 1-G)=2 ] mais le montage BC redonne au montage total le gain dun EC seul. Lensemble a donc le mme gain que le montage EC mais une impdance dentre bien moins capacitive ce qui accrot normment la bande passante. Dans le montage ci dessous RB dtermine le courant dans Q1 donc aussi dans Q2 alors que le pont R1 R2 dfini le potentiel du collecteur de Q1 .Le condensateur C2 dcouple la base de Q2 de faon que ce transistor fonctionne en base commune.

Les courbes de gain ci dessous montrent les performances remarquables du montage cascode, pour un gain voisin de celui du montage EC la frquence de coupure est multiplie par 10 .

Le transistor en saturation
Un transistor fonctionne en saturation lorsque son courant collecteur est limit par les lments extrieurs une valeur infrieure Ib .Le point de fonctionnement se trouve alors sur la partie ohmique des caractristiques et la tension VCE est faible ,voisine de zro pour un courant faible. ( Pour des courants plus importants cette tension est r.IC ou r est la rsistance de saturation du transistor, pente de la caractristique issue de l'origine.) ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ Universit Pierre et Marie Curie IST SETI ---

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Dans ces conditions la puissance dissipe dans le transistor est faible , sinon nulle, le composant se comporte comme un interrupteur ferm. En dehors des applications en commutation IC pure , il faut viter de saturer un transistor car son Caractristique IB=Cte retour l'tat bloqu est considrablement allong. En E effet le courant base tant plus grand que ncessaire, Rc Rb une charge importante est stocke dans la base et son vacuation prend du temps. Droite de charge Considrons par exemple le montage suivant ;
Rb < beta Rc

Vce

un signal carr 0 5V est appliqu l'entre et compte tenu des valeurs de RB et RC sature largement le transistor. Le signal de sortie est reproduit ci dessous , courbe 1 . On constate: Que le signal de sortie descend aprs un retard d'environ 100nS mais surtout , aprs la disparition du signal d'entre ne commence remonter qu'aprs un retard de prs de 400nS et ne retrouve son tat de repos qu'au bout de 700nS . Le temps de descente est amlior si l'on diminue la rsistance d'attaque RB , mais la saturation est encore plus forte ce qui accrot encore le retard la remonte. La solution est de placer en parallle sur RB un petit condensateur , dont la valeur est voisine de la capacit d'entre du transistor, l'amlioration est spectaculaire comme le montrent les courbes ci dessous ( Le signal d'entre est la trace infrieure , celle du milieu reprsente la tension de sortie sans capacit acclratrice, celle du haut avec 47 pF , dans ce dernier cas le fonctionnement est quasiment parfait . )

Les transistors de puissance

Il existe des transistors de puissance capable de grer des courants de plusieurs dizaines dampres et pour certains des tensions jusqu' 1000V. Le calcul des circuits utilisant ces transistors est dlicat car leurs paramtres h12 et h22 sont faibles et mal connus ce qui enlve lapproximation habituelle ( et h11 seulement ) toute prcision. Le gain en courant de ces lments ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ Universit Pierre et Marie Curie IST SETI ---

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est en gnral faible, 50 au plus pour un courant de 1A , quelques units seulement pour 10A et au del .De plus ces transistors ont le plus souvent une frquence de coupure faible, le clbre 2N3055 a du mal travailler au del de la bande audio (20kHz). Un problme permanent est le refroidissement de ces composants dont la jonction ne doit jamais dpasser une temprature de 185C sous peine de destruction. Ce refroidissement est assur garce des radiateurs, plaques de mtal fixes sur le botier du composant et qui vacuent la chaleur par rayonnement ou conduction. Calcul des radiateurs :

T1
Entre les deux faces dune paroi traverse par un flux thermique P (puissance en watts ) il existe une diffrence de temprature :

T2

T = RTH P
RTH est la rsistance thermique de la paroi.

T1-T2=Rth.P

Dans un transistor la puissance thermique P=VCE.IC est cre au niveau de la jonction de collecteur. Cette puissance doit dabord passer du matriau au botier , puis du botier au radiateur et enfin du radiateur lair ambiant. Ces trois interfaces sont parcourues par la mme puissance. Or on peut crire : Tjonction T ambiante= (Tjonction-Tboitier)+(Tboitier-Tradiateur)+(Tradiateur-Tambiante) Cest dire en introduisant les rsistances thermiques : Tjonction T ambiante=T=(Rjb+Rbr+Rra)P Ou les Rij sont les rsistances thermiques des interfaces jonction botier, botier radiateur et radiateur ambiante . La puissance maximale indique dans les caractristiques commerciales est toujours la puissance maximale admissible 25C botier. Considrons par exemple un 2N3055 donn pour 80W max. Cela veut dire que si le botier est maintenu 25 la jonction atteint la limite 185C pour une puissance dissipe de 80W. La rsistance jonction botier est donc : Rjb=(185-25)/80 = 2C/W Plaons ce transistor sur un radiateur dont la rsistance thermique est de 2C/W : Rra=2C/W, si lon considre que le contact entre le botier et le radiateur est thermiquement parfaite cest dire que Rbr=0 alors la puissance dissipable pour une temprature ambiante de 50C est P=(185-50/(2+2)=33,75 Watts seulement. Ce mode de calcul est valable pour tous les composants de puissance .Mais les transistors de puissance sont lobjet dun phnomne trs gnant , le second claquage. Le plus souvent un composant est caractris par la puissance maximale quil peut dissiper cest dire le produit VI de la tension et du courant ses bornes. Sur le rseau de caractristique le point de fonctionnement statique doit se trouver en I dessous de lhyperbole de dissipation dquation VI=Pmax .Pour les transistors de puissance cela nest VI=Pmax malheureusement vrai que pour une tension infrieure 50V .Au del la dissipation admise est fortement rduite. Par exemple un transistor capable de supporter 500V et une puissance de 100W pourra tre polaris un courant moyen de 10A si Vce=10V ,mais sera dtruit pour 1A sous 100V .A cette tension de 100V la valeur Second claquage maximale du courant est peut tre de 200mA seulement et 10mA pour 500V (au lieu de 200mA.)Ce second V 0 claquage est un phnomne thermique local trs rapide. 50V Sous 100V et 0,9A le transistor est dtruit en quelques dizaines de microsecondes bien que la puissance quil dissipe ne soit que de 90W Aux tensions basses au contraire , lensemble du matriau constituant le transistor intervient et la constante de temps thermique peut dpasser la seconde. En consquence si un fusible est plac en srie avec le transistor, en dessous de 50V le fusible protge le transistor alors quau del de 100V cest le transistor qui est dtruit avant le fusible. ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ Universit Pierre et Marie Curie IST SETI ---