Scr

El tiristor (SCR, Silicn Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones PN con la disposicin PNPN. Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. El instante de conmutacin, puede ser controlado con toda precisin actuando sobre el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

1.- VAK positiva. El dispositivo se comporta como un circuito abierto. 2.- VAK positiva. El elemento est en estado de conduccin. 3.- VAK negativa. El dispositivo equivale a un cto. abierto. VDWM = Tensin mx. directa de trabajo VDRM = Valor mx. de voltaje repetitivo directo. VRRM = Valor mx. de voltaje repetitivo inverso. VT = Cada de tensin de trabajo IT = Intensidad de trabajo IH = Intensidad de mantenimiento IDRM = Intensidad directa en estado de bloqueo. (Intensidad de fugas) IRRM = Intensidad inversa en estado de bloqueo. (Intensidad de fugas) IL = Intensidad de enganche

En la fabricacin se emplean tcnicas de difusin y crecimiento epitaxial. El material bsico es el Si. En la figura estn representados algunos tipos de encapsulado

Principio de Funcionamiento Tensin de nodo negativa respecto a ctodo (VAK < 0): Los diodos U1 y U3 quedan polarizados en inverso y U2 en directo. La corriente del diodo viene dada por:

Mtodos de disparo: Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente largo como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo. Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:

Por puerta. Por mdulo de tensin. (V) Por gradiente de tensin (dV/dt) Disparo por radiacin.

Disparo por temperatura.

El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por Disparo por puerta Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo. Una vez disparado el dispositivo, perdemos el control del mismo por puerta. En estas condiciones, si queremos bloquearlo, debemos hacer que VAK < VH y que IA < IH

Disparo por mdulo de tensin

Este mtodo podemos desarrollarlo basndonos en la estructura de un transistor: si aumentamos la tensin colector - emisor, alcanzamos un punto en el que la energa de los portadores asociados a la corriente de fugas es suficiente para producir nuevos portadores en la unin de colector, que hacen que se produzca el fenmeno de avalancha. N Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobretensiones anormales en los equipos electrnicos.

Disparo por gradiente de tensin

Si a un tiristor se le aplica un escaln de tensin positiva entre nodo y ctodo con tiempo de subida muy corto, los portadores sufren un desplazamiento para hacer frente a la tensin exterior aplicada. La unin de control queda vaca de portadores mayoritarios; aparece una diferencia de potencial elevada, que se opone a la tensin exterior creando un campo elctrico que acelera fuertemente a los portadores minoritarios produciendo una corriente de fugas.

Disparo por radiacin

La accin de la radiacin electromagntica de una determinada longitud de onda provoca la elevacin de la corriente de fugas de la pastilla por encima del valor crtico, obligando al disparo del elemento. Los tiristores fotosensibles (llamados LASCR o Light Activated SCR) son de pequea potencia y se utilizan como elementos de control todo - nada.

Disparo por temperatura

El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn hueco generados en las uniones del semiconductor. As, la suma (a 1+a 2) tiende rpidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensin de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al aumentar sta.

Condiciones necesarias para el control de un SCR Disparo

Polarizacin positiva nodo - ctodo. La puerta debe recibir un pulso positivo (respecto a la polarizacin que en ese momento tengamos en el ctodo) durante un tiempo suficiente como para que IA sea mayor que la intensidad de enganche.

Corte

Anular la tensin que tenemos aplicada entre nodo y ctodo. Incrementar la resistencia de carga hasta que la corriente de nodo sea inferior a la corriente de mantenimiento (IH), o forzar a que IA < IH.

Tensin de nodo positiva respecto a ctodo (VAK > 0), con excitacin de puerta: El tiristor, idealmente, se comporta como un cortocircuito (VAK del orden de 1 a 2 V). Modelo de dos transistores:

Si ahora operamos en el circuito de forma que la suma ((a 1+ a 2) sea menor que 1, el dispositivo estar en estado OFF, mantenindose la IA muy pequea. Si aumentamos IG, la corriente de nodo tiende a incrementarse y por tanto, tiende a aumentar a 1 y a 2 producindose un efecto de realimentacin positiva. De aqu podemos deducir los dos tipos de disparo del SCR: 1.- Por tensin suficientemente elevada aplicada entre A K, lo que provocara que ste entrara en conduccin por efecto de "avalancha"; 2.- Por intensidad positiva de polarizacin en la puerta. Tanto para el estado de bloqueo directo, como para el estado de polarizacin inversa, existen unas pequeas corrientes de fugas.

Caractersticas:

Interruptor casi ideal. Amplificador eficaz (peq. seal de puerta produce gran seal A K). Fcil controlabilidad. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (Memoria). Soporta altas tensiones. Capacidad para controlar grandes potencias. Relativa rapidez.

Caractersticas estticas: Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores mximos que colocan al elemento en lmite de sus posibilidades: VRWM, VDRM, VT, ITAV, ITRMS, IFD, IR, Tj, IH. Construccin de la curva caracterstica de puerta: La unin puerta ctodo se comporta como un diodo, por lo que representamos la caracterstica directa de dicho diodo. Para una misma familia de tiristores existe una gran dispersin. Para no complicar demasiado el proceso, se dibujan nicamente las dos curvas extremas, puesto que todas las dems quedan comprendidas entre ambas.

Anlisis grfico del concepto de disipacin mxima

Para ello tomamos un tiristor tpico con los valores nominales y las
caractersticas de puerta siguientes: VRGM max= 5V PGAV max= 0.5W PGM max = 5W VGT > 3.5V IGT > 65mA Tensin insuficiente para disparar ningn elemento < 0.25V Una solucin muy utilizada en la prctica es conectar en paralelo con el tiristor un cto RC (Red SNUBBER), para evitar variaciones bruscas de tensin en los extremos del semiconductor: Puede presentarse un inconveniente: la energa disipada en la resistencia snubber sea elevada si esta resistencia es muy pequea. Debemos llegar a una solucin de compromiso que nos permita limitar el valor de

El transistor Bipolar de Puerta Aislada Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el TBJ. El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta. El IGBT de la figura es una conexin integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones

SIMBOLOGIA
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su smbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente.

Su estructura microelectrnica es bastante compleja es por ello que lo describimos en base a su esquema equivalente.

CURVA CARACTERISTICA IGBT:

COMO FUNCIONA:
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja. EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz. EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se autolimita. El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW.

CARACTERISTICAS A TENER EN CUENTA EN UN IGBT:

IDmax Limitada por efecto Latch-up. VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio. Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 &#956;s. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta. VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como &#945; es muy baja, ser

VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV). La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan valores mayores) Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp. La tensin VDS apenas vara con la temperatura &#8658; Se pueden conectar en paralelo fcilmente &#8658; Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad, p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios. En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

se presentan algunas de las presentaciones mas comunes de un IGBT

GTO (Gate Turn-off Thyristor) Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. se usan desde 1960, pero se potencializaron al final de los aos setenta. son comunes en las unidades de control de motores, ya que eliminan componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc. CARACTERISTICAS El disparo se realiza mediante una VGK >0 El bloqueo se realiza con una VGK < 0. La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que requieren los SCR. La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar mas dimensionado. El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia. FUNCIONAMIENTO DEL GTO

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control.

La ganancia se calcula con la siguiente formula.

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado.
Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la puerta, debe ser lo mayor posible, para ello debe ser a2=1 (lo mayor posible) y a1=0 (lo menor posible): alfa2=1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y poco dopada y que su emisor (capa catdica) este muy dopado. Estas condiciones tambin son normales en los SCRs.

alfa1=0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y tenga una vida media de los huecos muy corta.

ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO

FORMA DE ONDA EN EL ENCENDIDO DEL GTO

Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM suficientes para poner en conduccin todo el cristal. Si solo entra en conduccin una parte y circula toda la corriente se puede daar. Si solo entra en conduccin bajara una parte de la tensin nodo-ctodo y el resto de celd Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON de mantenimiento para asegurar que no se corta espontneamente (tiene menos ganancia que el SCR). illas que forma el cristal no podrn entrar en conduccin. APLICACIONES

Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la
potencia, como el factor de potencia. A nivel industrial algunos usos son: troceadores y convertidores. Control de motores asncronos. Inversores. Caldeo inductivo. Rectificadores. Soldadura al arco. Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI). Control de motores. Traccin elctrica.

Caractersticas de disparo Para disparar el SCR hay que introducir corriente por la puerta Par 1. La corriente de puerta debe ser superior a un cierto valor a que el disparo sea efectivo, se deben de cumplir dos condiciones

Zona de disparo seguro

Ningn SCR se dispara

El circuito de disparo debe tener una recta de carga tal que el punto de corte est en la zona de disparo seguro

Zona de disparo seguro

2. Hay que mantener el disparo hasta que la corriente nodo-ctodo sobrepase un cierto valor que se llama Corriente de Enclavamiento Una vez disparado, el SCR sigue conduciendo aunque no tenga corriente en puerta Podramos disparar el SCR con un pulso de corriente Esto funciona con carga resistiva ya que la corriente crece rpidamente y se alcanza fcilmente la corriente de enclavamiento

Para evitar esto, se suele disparar los SCR con trenes de pulsos

El SCR se puede llegar a disparar por derivada de tensin Si la tensin nodo-ctodo cambia muy bruscamente, puede inducirse corriente en la puerta y entrar en conduccin

MOSFET DE POTENCIA MOSFET de potencia. Estos transistores comparten todas las caractersticas de sus hermanos pequeos, permitiendo conmutaciones muy veloces y un bajo consumo de energa, pero con capacidad para manejar grandes tensiones y corrientes. Los mosfets de potencia son muy populares para aplicaciones de bajo voltaje, baja potencia y alta frecuencia, as como en fuentes de potencia conmutadas, motor de cd sin escobillas, relevadores de CD de estado solido y aplicaciones automotrices El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET. El trmino 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET es actualmente incorrecto debido a que el material de la compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino. En sus inicios se utiliz aluminio para fabricar la compuerta, hasta mediados de 1970 cuando el silicio policristalino comenz a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, debido a que es complicado incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes metlicos en la compuerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por otros materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de tensiones ms pequeas. Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente est conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo. Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un trmino relacionado que es equivalente a un MOSFET. El trmino IGFET es un poco ms inclusivo, debido a que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es metlica, y un aislante

de compuerta que no es un xido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (Metalinsulator-semiconductor field-effect transistor).

PRINCIPIOS DE OPERACION Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p. Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad. Modos de operacin La operacin de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de operacin, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la presente discusin se utiliza un modelo algebraico que es vlido para las tecnologas bsicas antiguas, y se incluye aqu con fines didcticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos computacionales que exhiben un comportamiento mucho ms complejo. Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: Corte Cuando VGS < Vth Regin lineal Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS Vth ) Saturacin

Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS Vth )

APLICACIONES La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Vase Tecnologa CMOS Las aplicaciones de MOSFET ms comunes son: Resistencia controlada por tensin. Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

TRIAC
El TRIAC (Triode of Alternating Current) es un tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y vivecersa, y puede ser disparado con tensiones de puerta de ambos signos. Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos de circulacin de la corriente. Evidentemente, con un SCR, slo podemos controlar el paso de corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de semiconductores han diseado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente. El primer TRIAC fue inventado a finales de los aos 60. Simplificando su funcionamiento, podemos decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De esta forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulacin de corriente. Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto, requiriendo nicamente un nico circuito de control, dado que slo dispone de un terminal de puerta. Sin embargo, tal y como est fabricado, es un dispositivo con una capacidad de control de potencia muy reducida. En general est pensado para aplicaciones de pequea potencia, con tensiones que no superan los 1000V y corrientes mximas de 15A. Es usual el empleo de TRIACs en la fabricacin de electrodomsticos con control electrnico de velocidad de motores y aplicaciones de iluminacin, con potencias que no superan los 15kW. La frecuencia mxima a la que pueden trabajar es tambin reducida, normalmente los 50-60Hz de la red monofsica.

METODOS DE DISPARO Como hemos dicho, el Triac posee dos nodos denominados ( MT1 y MT2) y una compuerta G. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con respecto al nodo 1. El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. Veamos cules son los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo. 1 El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con respecto al nodo MT1 y este es el modo mas comn (Intensidad de compuerta entrante). La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la union P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2, que es favorecida en el rea prxima a la compuerta por la caida de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de compuerta. Esta cada de tensin se simboliza en la figura por signos + y - . Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea el potencial exterior y son acelerados por ella inicindose la conduccin. 2 El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos con respecto al nodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente). Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin. 3 El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de disparo de la compuerta es negativa con respecto al nodo MT1( Intensidad de compuerta saliente).

El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin. 4 El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensin del nodo T2 es negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin de disparo de la compuerta es positiva con respecto al nodo MT1(Intensidad de compuerta entrante). El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura P2N1P1N4. La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbido por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en conduccin.

APLICACIONES
Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas. Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mecnicos convencionales y los rels. Funciona como interruptor electrnico y tambin a pila. Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz, controles de velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de control computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores elctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de Corriente alterna. Debido a su poca estabilidad en la actualidad su uso es muy reducido.

DIAC
El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lmpara de nen. Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase de tiristor. Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts segn la referencia. DIAC de tres capas Existen dos tipos de DIAC: DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones. DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo, lo que le da la caracterstica bidireccional. Sus principales caractersticas son: - Tensin de disparo - Corriente de disparo - Tensin de simetra (ver grafico anterior) - Tensin de recuperacin - Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1 watt.) Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que

se llegue a su tensin de cebado o de disparo (30v aproximadamente, dependiendo del modelo). Hasta que la tensin aplicada entre sus extremos supera la tensin de disparo VBO; la intensidad que circula por el componente es muy pequea. Al superar dicha tensin la corriente aumenta bruscamente y disminuyendo, como consecuencia, la tensin anterior. La aplicacin ms conocida de este componente es el control de un triac para regular la potencia de una carga. Los encapsulados de estos dispositivos suelen ser iguales a los de los diodos de unin o de zener.