TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET) El transmisor de efecto de campo(fet) es un dispositivo de 3 terminales . El transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje.

Para el FET la corriente Ia ser un funcin de voltaje VGS aplicando al circuito de entrada como se observa en la siguiente figura.

ID

FET

VGS (voltaje de control)

L a I del circuito de salida esta controlado por parmetro del circuito de in. Hay transistores FTE de canal N y de canal P. El FET es un dispositivo que depende nicamente de la conduccin o bien, de electrones ( canal n) o de huecos (canal p). CONSTRUCCION Y CARACTERISTICAS DE LOS JFET La construccin bsica del JFET de canal n obsrvese que la mayor que la mayor parte de la estructura es del material de tipo n que forma el canl entre las capas interiores del material tipo P.

DRENAJE (D)

CONTACTOS OHMICOS CANAL N

P
COMPUERTA (G)

REGION DE AGOTAMIENTO O FUENTE (S)

La parte superior del canal tipo n se encuentra conectada por medio de un contacto hmico a la terminal referida como el drenaje (d), mientras quie el extremo por medio de un contacto hmico a una terminal referido como la fuente (s), conectados entres si y tambin a una terminal de compuerta g. Por tanto el drenaje y la fuente se hallan conectados a los extremos del canal del tipo n y la entrada a las dos capas de material tipo p. Durante la ausencia de cualquier potencial el JFET tiene dos emisiones p-n bajo condiciones sin polarizacin. El resultado es una regin de agotamiento en c/ unin, lo cual se asemeja a la regin de un diodo de polarizacin. La regin de agotamiento es aquella que no presenta portadores libres y es por tanto, incapas de soporta la conduccin a travs de la regin. Analoga hidrulica para el mecanismo de control del JFET.

DIBUJO DE UNA LLAVE

La compuerta mediante una seal aplicada (potencia), controla el flujo de electrones hacia el drenaje.

Q1
G
2N5114

Q2
2N3967

G canal N S canal P

Caracterstica y Parmetros del JFET. VGS =0 VDS algn valor positivo

En la siguiente figura se a aplicado un voltaje positivo VDS a travs del canl y la entrada se conecto directamente a la fuente con objeto de establecer la condicin VGS=0. A medida que VDD (por tanto VDS) se incrementa desde cero la Id crece proporcionalmente como se muestra en la grafica entre los puntos A y B. En esta regin, la resistencia del canal es esencialmente cte.; pues la regin de empobrecimiento no es suficientemente grande para

tener un efecto significativo. Esta regin se denomina hmica porque ID y VDS estn relacionados por la ley de ohm. En el punto B de la grafica los niveles de la curva se estabilizan en Id se vuelve esencialmente cte.; cuando VDS crece desde el punto B hasta el punto C. ESTRANGULAMIENTO Para VGS=0, EL VALOR DE VDS al que Id se vuelve esencialmente cte. (punto B de la grafica), es el voltaje de estrangulamiento, Vp. Para un JFET dado, Vp tiene un valor fijo. Como se puede observar, un incremento continuado en VDS, por arriba del voltaje de estrangulamiento produce una corriente de drenaje casi constante, el valor de esta Id es Idss (corriente de drenaje a la compuerta en corto) y siempre se especifica en la hojas de datos de los JFET. Idss es la mxima Id que un JFET es capas de producir sin importar el circuito externo, y siempre se especifica par al condicin VGS=0 V. Al continuar sobre la grafica, la ruptura ocurre en el punto c cuando Id empieza a crecer muy rpido con cualquier incremento adicional en VDS. L ruptura puede dar por resultado el dao irreversible del dispositivo, de modo que los JFET siempre se operan por debajo de la ruptura y dentro de la regin de I cte.

DRENAJE (D) ID

P
COMPUERTA (G)

VDS BAT1
VDD

REGION DE AGOTAMIENTO S

Is

R1
0R1

RD

VGA

Id
VDS

BAT1
VDD

Q1
2N3458

VGS=0

Id VGS=0 Idss B C

REGION DE CORRIENTE CTE.

A 0 REGION OHMICA Vp (voltaje de estrangulamiento) VDS

El VGS controla la IA.

Ahora se conectara un voltaje de polarizacin VGG, de la compuerta de la fuente a medida que VGS se establece en valores c/v mas negativas mediante el ajuste de VGS, se obtiene una familia de curvas caractersticas del drenaje como se observa en la siguiente grafica.

R1 Q1:A
2N3958 1k

VGG

BAT1
1V

BAT2
9V

IA

IDSS

VGS=0V VGS=-O.5V VGS=-1 VGS0-2V VGS=-3 VGS=-4V VDS VP

Observe que ID decrece a medida que la magnitud de VGS se incrementa a valores C/V mas negativos. Tambin observe que , por el incremento en VGS, que por c/ incremento en VGS, el JFET alcanza el estrangulamiento a valores de VDS mayores que VP. As la cantidad de ID es controlada por VGS.

CORTE El valor de VGS que hace a ID aprox. Cero es el valor de corte, VGS(apag). El JFET debe ser operado entre VGS=0 y VGS (apag). Para este rango de voltajes de la compuerta a la fuente, ID variara desde un mximo de IDSS. Hasta un mnimo a cero. Para un JFET de un canal N, mientras ms negativa sea. VGS menor se vuelve ID en la regin de I cte; cuando VGS asume un valor negativo suficientemente grande, IA se reduce a cero. Este efecto de corte es provocado por el ensanchamiento de la regin de empobrecimiento hasta un punto en el que cierra por completo el canal. -VGS (apag) y VP siempre son iguales en magnitud pero de signo opuesto. En una hoja datos por lo general se proporciona VG(apag) o VP, pero no ambos. Sin embargo, cuando se conoce uno tambin se conoce el otro. Por ejemplo: VGS (apag)=-5 VP=+5V Ejemplo: 1 Para un JFET, el VGS (apag)=-4v e IDSS=12m A. Determine el valor mnimo de VDD necesario para colocar el dispositivo en la regin de operacin de cte.

+
Q1
2N3458

R1
560R

VDD-VRD-VDS=0 VDD=VRD+VDS

BAT1
VDD

Como VGS (apag) =-4V por lo tanto VP=4v El valor mnimo de VDS para que el JFET se encuentre en la regin de I cte. Es : VDS=VP =4V En la regin de I cte; con VGS=0v ID=IDSS =12m A La cada a travs del resistor del drenaje es I=V/R VRD=(12m A)(560 ohm)= 6.72v

Al aplicar la ley de kirchoff alrededor del circuito del drenaje se obtien VDD= VDS+ VRD VDD=4V+ 6.72V= 10.72V Este es el valor de VDD para obtener VDS=VP y colocar el dispositivo en la regin de I cte. EJERCICIO. 2.- Si VDD se incrementa 15V, Cul es la corriente de drenaje? I=V/R =15V/560OHM= 26m A 3.- Un JFET particular de canal P tiene un VGS (apag) =4v Cul es el valor de Id cuando VGS=6V? El JFET de canal? Requiere un voltaje de compuerta a fuente positivo mientras mas positivo sea, menor la corriente del drenaje. Cuando VGS= 4v, la Id es 0. Cualquier incremento adicional en VGS mantiene en corte al JFET y si, la Id se mantiene en 0. CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA DEL JFET De las anteriores ya podemos comprender que un rango de valores de VGS, desde 0 hasta VGS (apag), controla la cantidad de corriente de drenaje. Para un JFET de canal N, EL VGS(apag) es negativo y para uno de canal P, el VGS(apag) es positivo. Como VGS controla a IA, la relacion entre estas dos cantidades es muy importante, y se ilustra en la siguiente grafico.
ID IDSS

-VGS

.
VGS (apag) 0

ID=0 cuando VGS = VGS (apag) ID=IDSS cuando VGS=0 ID=IDSS (1-VGS/VGS (apag))

Con la ecuacion anterior la Id puede determinarse para cualquier VGS si se conocen IDSS y VGS (apag).En virtud del termino cuadrtico en la ecuacion a los JFET y los MOSFET a menudo se les conoce como dispositivos de ley cuadrtica. EJEMPLO: La hoja de datos para un JFET indica que IDSS=15m A y VGS(apag)=-5v . Determine la ID para VGS=0V, -1V Y -4V. SOLUCION Para VGS0=0V, ID=IDSS= 15m A Para VGS=-1V ID=IDSS(I-VGS/VGS(APAG))2 0(15m A)(1-1V/-5V) ID=(15m A )(1-0.2)2= (15m A)(O.64)= 9.6m A

TRANSDUCTANCIA DIRECTA DEL JFET La transconductancia directa gm, es el cambio en la corriente del drenaje (AID) pa ra un cambio dado en el voltaje de la compuerta a la fuente (AVGS), con el voltaje del dranje ala fuente constante. Se expresa como una razn y sus unidades son siemens(S). Gm=AID/AVGS Otras designaciones comunes para este parmetro son Gfs y Yfs (admitancia de transferencia directa). Gm es muy importante en los amplificadores FET como factor primordial para determinar la ganancia en voltaje.Debido a que la curva caracterstica de transferencia (transconductancia) de un JFET es no lineal. Como se puede observar en la siguiente figura el valor Gm mayor cerca del extremo superior de la curva( cerca de VGS=0), Y gm es menor en la parte inferior.

IA

IDSS
AID2= gm 2 =AID2/AVGS

. .
-VGS VGS (APAG)

) )
0

gm 2>gm1

AID1= gm1= AID1/AVGS

gm = gm 0 (1- VGS/VGS(APAG))

En las hojas de especificacin suele proporcionarse el valor gm medido en VGS=0V es decir (gmo). Cuando no se dispone de un valor de gm0 es posible calcularlo usando valores de IDSS y VGS (apag). Las rectas verticales indican un valor absoluto (sin signo). Gm0 = 2IDSS/VGS (apag). En la hoja de datos de un JFET se proporciona la siguiente informacin IDSS= 20 m AVGS (apag)=-8v y gm0=4000US. Determine la transconductancia en directa para VGS=-4V y encuentre ID en este punto. 1.- gm se calculo Gm=gm0 (1-VGS/VGS (apag)) = (1000u S) (1-(-4V)/ (-8))= 2000u S 2.- Se calcula ID en VGS=-4V ID=IDSS(I-(VGS)/VGS(apag))2 =20m A (1-(-4)/(-8)2= 5m A. EJERCICIO Un JFET dado tiene las dos siguientes caractersticas: IDSS=12m A, VGS(apag)=-5v cuando VGS=-2V. Gm=gm0 (1-(VGS)/VGS (apag)) = 1800u S ID=IDSS (1-(VGS)/VGS (apag)) 2= 4.32m A.

RESISTENCIA Y CAPACITANCIA DE ENTRADA. Un JFET opera con su unin GS polarizada en inversa. Por tanto, la resistencia de entrada en la compuerta es muy alta. Las hojas de datos de los JFET especifican para la corriente inversa de compuerta la Igss en cierto VGS. La resistencia de entrada puede entonces determinarse usando la siguiente ecuacion. RENT= VGS/Igss La capacitancia de entrada Ciss de un JFET es considerablemente con respecto al BJT pues el JFET opera con una unin pn polarizado en inversa recuerde que una unin PN polarizada en inversa funciona como un capacitor cuya capacitancia depende de la cantidad de voltaje inverso.

EJEMPLO: Un JFET tiene un ma Igss de 1 m A para VGS=-20V. Determine la resistencia de entrada RENT=VGS/Igss =20v/1m A=20 000 u ohm. EJERCICO Determine la resistencia de entrada para cualquiera de las hojas de especificacin que conseguiste.

RESISTENCIA DEL DRENAJE A LA FUENTE Y a se aprendi de la curva caracterstica de drenaje que, por arriba de la regin de estrangulamiento, la ID es relativamente etc. Dentro de un rango de voltaje drenaje- fuente (VDS). La razn de estos cambios es la resistencia drenaje-fuente del dispositivo RDS. Las hojas de datos especifican frecuencia a este parmetro como conductancia de salida, Yos. Los valores tpicos para RDS son el orden de varios k ohm. Mtodo manual grafico para trazar la curva de transferencia. Se puede trazar una curva de transferencia con un nivel satisfactorio de precisin utilizando simplemente 4 puntos definidos en la siguiente tabla. VGS 0 0.3VP 0.5VP VP ID IDSS IDSS/2 IDSS/4 0m A

EJEMPLO: Trazar la curva definida por Idss=12m A Y VP=+6V. IDSS=12m A Id= 0m A 0.3VP 0.3(-6V) =-1.8V 0.5VP 0.5(-6V)=-3V Vgs=0v VGS=VP=-6V IDSS/2 12m A/2=6m A IDSS=3m A

IDSS=12m A

. . .
VGS=VP0-6V VGS

EJERCICIO: Traza la curva de transferencia para el JFET cualquiera de las hojas tcnicas que conseguiste. POLARIZACION DEL JFET El objeto de la polarizacin es elegir el VGS apropiado a fin de establecer un valor deseado de ID. Existen 2 tipos primordiales de polarizacin; los de auto polarizacin y los de polarizacin mediante divisor de voltaje. AUTOPOLARIZACION Los circuitos de auto polarizacin para los JFET son los siguientes.
+VDD -VDD

R2
1k

R6

RD

1k

RD

Q1
2N2608

Q2
2N2608

RG +
R3
1k

IGSS +
R1
1k

+
R5

R4
1k

ID
1k

RG
ID

RS

CANAL N IS=ID EN TODOS LOS JFET

CANAL P

L a compuerta esta polarizada aproximadamente a 0v, por el resistor RG conectado a tierra. La corriente de fuga inversa IGSS produce un voltaje muy pequeo en RG como se indica aunque en rango mayor parte de los casos es posible despreciarlo. Formulas para calcular algunos elementos en los JFET. VS=ID *RS VGS= -ID* RS VD= VDD-ID*RD VDS=VD-VS VDS= VDD- ID (RD+RS)

EJEMPLO: Encuentre VDS y VGS del siguiente circuito dado que ID= 5m A
+10 V

VDS=VD- VS VD=VDD- ID * RD R2 1k RD Q1
2N2608

VD=10V- ( 5m A ) (1K OHM)

VD=10V -5V=5V R3
1k

R1
470R

RS

VS=ID * RS= 5m A (470 ohm )

VS=2.35V

VDS=VD - VS=5V - 2.35V= 2.65 V VGS= -ID * RS = 5m A (470 ohm ) = -2.35V

EJERCICIO: Determine VDS y VGS del siguiente circuito.

+ 12V

R3
820R

Q1
2N2608

R1
1k

R2
390R

ESTABLECIMIENTO DEL PUNTO Q DE UN JFET POLARIZADO El mtodo bsico para establecer un punto de polarizacin para el JFET es determinar la ID para un valor deseado de VGS y calcular enseguida el valor requerido de RS. RS= VGS/ID Para un valor deseado de VGS, la ID puede determinarse en cualquiera de estas 2 formas. A partir de la curva caracterstica de transferencia para un JFET particular o utilizando la formula. ID= IDSS( 1- VGS/VGS(apag))2

Ejemplo: determina en el valor RS requerido para auto polarizar a un JFET, en VGS =-5V y VGS(apag)=-10v, IDSS=25m A ; B)VGS=-3V Ejercicio Determina el valor de Rs requerido para autopolarizar a un JFET utilizando su curva de transferencia. Nota que usen una que puedan recortar. Verificar con las formulas.

Polarizacin en el punto medio A menudo es deseable polarizar un JFET cerca del punto medio. Para ellos se utiliza la siguiente frmula para calcular ID. ID= 0.50 Idss VGS= VGS (apag)/3.414

Tarea determinar Rs requerido para auto polarizar un JFET utilizando su curva de transferencia recorta y pega verifica con formulas. Para establecer el voltaje del drenaje VD en el punto medio (Vd.=Vdd./2), se elige un valor de Rd para obtener la cada de voltaje deseada. Rg se elige grande. Ejemplo Seleccionar los valores de los resitores del circuito, a fin de establecer una polarizacin aproxiomada en el punto medio. Los parmetros del JFET son IDSS=15m A y VGS(apag) =8v
+12V

RD
1k

Q1
2N2608

RG
1k

RS
1k

ID= IDSS/2=7.5m A VGS=VGS(apag) /3.414 VGS=-8V /3.414=-2.343 RS= VGS/ID = 2.343V/7.5m A =312 ohm VD=VDD-(ID) (RD) Despejando RD RD=VDD-VD/ID =12V 6V/ 7.5m A =800 ohm Rg debe ser muy grande.

Tarea calcule y selecciona los valores de las resistencias para establecer una polarizacin aproximada en el putno medio de algn JFET que consegusite (hojas tcnicas). Ejercicio Seleccione los valores de los resitores del siguiente circuito para establecer un apolarizacion aproximada en el punto medio. Los paramtros del JFET son IDSS=10m A y VGS(apag)= -10v ; VDD=15V.
+12V

RD
1k

Q1
2N2608

RG
1k

RS
1k

1.- Qu es un MOSFET simbologa? 2.- tipos de MOSFET 3.- Realiza una tabla acerca de c/u de los tipos 4.- iIustra un MOSFET canal N y canal P 5.- Ilustra y describe el modo de empobrecimiento de un MOSFET canal N.

1.- Que significa el termino MOSFET? 2.- Qu es un MOSFET? 3.- En una tabla comparativa coloca las caractersticas generales de un mosfet tipo D, tipo E, tipo V y de compuerta dual. 4.- Realiza una tabla comparativa donde escribas las ventajas y desventajas de cada uno de ellos, con respecto a una referencia. 5.- En el cuadro sinptico escribe como trabaja el MOSFET D, E y el V el modo de empobrecimiento y enriquecimiento. 6.- Dibuja la estructura bsica y simbologa de cada uno de los MOSFET.
9+ 8V

R1
68k
2M2

RS
1k2

3.3k VD= 9V

Q1
2N2608

ID= 0.909m A VGS= -0.9163V 1M ohm

R2
2M2

RS 2.7k
3k3

PRACTICA UJT
R3
A
4k7

R1
470R

VBB Q1
UJT

VEE
1.5V

VE

R2
100R

PRIMERO VBB=0V VEE=INCREMENTOS Corriente m A 0.3 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 1.8 2.1 VBB=0V/V VBB=5V/V VBB=10V/V

CUESTIONARIO 5.1De que es el transistor que se utiliza en la practica? 5.2Cul es el valor de la resistencia con polarizacin inversa de emisor-base? 5.3 Es igual el valor de la resistencia con polarizacin directa entre B1 y B2? Por qu? 5.4 A que valor de la resistencia es igual el valor de la resistencia emisor-base + emisor-base2 cuando se mide en polarizacin directa. 5.5 Cuando el transistor se polariza nicamente entre emisor y B1, sin que se polarice la B2 el funcionamiento del transistor es parecido al del____________________ 5.6 El funcionamiento del UJT se encuentra dentro de la regin de resistencia______________ 5.7 Cual es el voltaje del disparo del UJT? Cuando se polariza B1 y B2 a 10 v? Identifiquelo en la curva caracterstica. Vp= 0.7+ n VBB