ELECTRNICA ANALGICA.

ELAI-EUITI Primer Control -- Grupo A-302

CURSO 12/13

En el circuito de la figura se tienen los siguientes datos: VBE=0,7V, =100, VA, VT=25mV, 1. Disee el circuito de manera tal que ICQ==0,25mA y VCEQ=3V 2. Encuentre la ganancia de voltaje de pequea seal en media frecuencia 3. Determine la resistencia de entrada vista por la fuente de seal y la resistencia de salida.

A.

(3 puntos)

B.

Los parmetros para el circuito de la figura son los siguientes: Kn1= Kn2 = 4 mA/V2, VT1 = VT2 = 2V y 1= 2= 0. Calcular:

1. Determine el punto de trabajo de los dos transistores 2. El circuito de pequea seal para frecuencias medias. 3. La ganancia de tensin V.

(4 puntos)

C.

Suponga que el circuito emplea A.O. ideales. 1. Deduzca las expresiones para v01=f(vi1, vi2) y v0=f(vi1, vi2, vi3) 2. Calcule v0 para vi1 = 0,5v, vi2 = 1v y vi3 = 2v

(3 puntos)

Tiempo mximo: 1 hora 30 minutos

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CURSO 12/13

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CURSO 12/13

Ejercicio 1: El amplificador de la figura tiene las siguientes caractersticas: C1 = C2 = 22 A C2 = 47 A K = 1 mA/V2 W/L = VT = 3 V. rd = 20 K

VD D = 15 V. R1 150 K Rg = 600 C1 RD 3,9 K C2 + vg R2 150 K
R 3 =1,2M

(3 puntos)

RS 1 K

C3

RL 10 K

v0 -

R i

R0

Si se considera el TRT ideal. Calcular: a) El punto de trabajo del transistor b) La transconductancia. c) La ganancia de tensin. d) La impedancia de entrada y de salida Ejercicio2: Dado el circuito de la figura: (4 puntos)

Datos del circuito: VCC=12 V, R1=27 K, R2=56 K, RE=100 , RC=200 , RL=200 , RB=5,6 K, Rg=600 Datos del transistor: VBE=0,7 V, =0=200, VT= 25 mV, ICQ1=250 A, ICQ2=25 mA A. calcular los valores de r y gm para ambos transistores B. Dibujar el circuito equivalente en pequea seal. C. Calcular la ganancia en tensin del amplificador a frecuencias medias D. Calcular la impedancia de entrada a frecuencias medias que ve el generador real Ejercicio 3: Suponga que el circuito emplea A.O. ideales. (3 puntos) 3. Deduzca las expresiones para v01=f(v1, v2) y v0=f(v1, v2) 4. Calcular v0 para v1 = 1 v, v2 = 2 v, R1=20 , R2=30 , R3=10 , RF1= RF2=60 , C=0,1F

Tiempo mximo: 1 hora 30 minutos

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Ejercicio 1: El amplificador de la figura 1-3 tiene las siguientes caractersticas: K = 1 mA/V2, W/L = , VT = 3 V. C1 = C2 = 22 A, C2 = 47 A,
VDD = 15 V. R1 150 K Rg = 600 C1 RD 3,9 K C2 +
R3 =1,2M

rd = 20 K

vg

R2 150 K

RS 1 K

C3

RL 10 K

v0 -

Ri

Fig 1-3

R0

Si se considera el NMOS ideal. Calcular: a) El punto de trabajo del transistor b) La transconductancia. c) La ganancia de tensin. d) La impedancia de entrada y de salida Solucin a) En el estudio en continua los condensadores actan como circuitos abiertos (figura 14). La red de polarizacin de la base indicada en esta ltima figura se puede sustituir por su equivalente de Thvenin como en la figura 1-5 La tensin y la resistencia de Thvenin, sern: VDD . R2 R . R2 VGG = R RG = R 1 + R2 + R 2 1 1 15 . 150 150 . 150 VGG = = 7,5 V. RG = = 75 K 150 + 150 150 + 150
VDD = 15 V. VDD = 15 V. ID R1 150 K
R3 =1,2M

RD 3,9 K
R3 =1,2M

RD 3,9 K VDS
+

RG 75 K RS 1 K VGG 7,5 V

IG 0

R2 150 K

VGS ID

RS 1 K

Fig 1-4

Fig 1-5

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Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo puerta-fuente del circuito, considerando IG 0 - VGG + ID RS + VGS = 0 despejando ID y dando valores 7,5 - VGS ID = 1 Situando el MOS en zona de saturacin, por utilizarse como amplificador W 1 2 2 ID = K VGS - VT ) = 1 . VGS - 3) ( ( L 2 Igualando ambas ecuaciones, ordenando y despejando VGS:
7,5 - VGS 1 2 = 1. VGS - 3) ( 1 2 VGS = - 1,16 V valor no valido 0,5 VGS - 2 VGS - 3 = 0 V = 5,16 V. GS Dando valores a ID 1 ( 5,16 - 3) 2 = 2,33 mA ID = 1 . 2 Aplicando la ley de Kichhoff al lazo drenador-fuente y dando valores a VDS

- VDD + ID (RD + RS ) + VDS = 0 VDS = VDD - ID (RD + RS ) = 15 - 2,33 ( 3,9 + 1 ) = 3,58 V. b) La transconductancia W 1 . ID = 2 1 . . 2,33 = 2 mA / V gm = 2 K . L 2 c) Para hacer al anlisis de la amplificacin se utiliza el modelo equivalente de baja frecuencia y pequea seal del MOS, el circuito se representa en la figura 1-6. Se considera la tensin de polarizacin VDD como un cortocircuito y a la frecuencia de la seal las reactancias de los condensadores son suficientemente bajas, pudindose considerar a stos como cortocircuitos
rd = 20 K Rg = 600 Vg Ri Fig 1-6 + Vi _ + G R3 + RG 1275 k Vgs _ S Ro D Id RD 3,9 K RL 10 K + Vo _

La ganancia de tensin V V V V = o = o . i Vg Vi Vg Al ser una etapa en fuente comn

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ELAI-EUITI - gm ( RD / / RL ) Vo - 2 ( 3,9 / /10) = = = - 4,9 Vi ( R D / / R L ) 1 + ( 3,9 / /10) 1 + 20 rd Vi 1275 = 1 Vg 0,6 + 1275 La ganancia de tensin
V = Vo = - 4,9 Vg

d) La resistencia de entrada: Ri = R3 + RG = 1275 K La resistencia de salida Ro = RD // rd = 3,9 // 20 = 3,26 K

Ejercicio2: Dado el circuito de la figura: (4 puntos) Datos del circuito: VCC=12 V, R1=27 K, R2=56 K, RE=100 , RC=200 , RL=200 , RB=5,6 K, Rg=600 Datos del transistor: VBE=0,7 V, =0=200, VT= 25 mV, ICQ1=250 A, ICQ2=25 mA A. calcular los valores de r y gm para ambos transistores

r 1 =

200 10.10-3

= 20 k

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ELAI-EUITI 200 r 2 = = 200 1

B. Dibujar el circuito equivalente en pequea seal.

C. Calcular la ganancia en tensin del amplificador a frecuencias medias

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ELAI-EUITI

D. Calcular la impedancia de entrada a frecuencias medias que ve el generador real

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Ejercicio 3: Suponga que el circuito emplea A.O. ideales. (3 puntos) 5. Deduzca las expresiones para v01=f(v1, v2) y v0=f(v1, v2) 6. Calcular v0 para v1 = 1 v, v2 = 2 v, R1=20 , R2=30 , R3=10 , RF1= RF2=60 , C=0,1F

Solucin:

v1 v2 v01 = RF1 R + R = 7 2 1 v0 = v01 RF 2 R3 + 1 Cs

v0 = v01

R F 2 Cs 6.10 6 42.10 6 = 7 6 = 6 R3Cs + 1 10 s + 1 10 s + 1