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Estructura
Historia de la microscopa electrnica Principios bsicos y magnitudes Teora de STM Construccin y preparaciones del experimento Grabacin y anlisis de imgenes con STM STM posibilidades y fronteras SEM principios y comparacin con STM
Gorkhover&Rupp, con GFNL en Sevilla, 22-01-2007
www.ieee-virtual-museum.org
Teora de STM
Efecto tnel
Ecuacin de Schrdinger ~ e-x en la barrera de potencil I ~ 2 ~ e-2d
Visin esquemtica
distancia grande: mismo nivel de vaco; i trabajo de extraccin distancia pequea: equilibrio trmico, mismo EF (energa de Fermi) con tensin: EF empujado por U*e
pequ.
4e 2 m p IT = m (EFermi + ) p (EFermi + ) M d h 0
eU
Suposiciones:
La densidad de estados en la punta p es constante. Slo el tomo ms externo de la punta interviene en el proceso tnel. La funcin de onda de ese tomo proporciona un orbital tipo s.
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p :
densidad de estados en la punta con energa EF+ en la coordenada R del tomo externo de la punta
Gorkhover&Rupp, con GFNL en Sevilla, 22-01-2007
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IT ~ Ubias : para U pequeo, independiente de U IT ~ e-d : viene de m (densidad de estado local) IT ~ m(r,EFermi) : importante para interpretacin de las imgenes
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) (r, E
m
m Fermi
Corriente constante significa densidades de estados locales constantes (cerca de EF) en la superficie de la muestra
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Scanning-Tunneling-Spectroscopy
coordenada fija (x,y,z) Ubias variando => la funcin caracterstica I(U) informacin sobre la estuctura de bandas de los semiconductores
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Ventaja: ptima para estucturas rugosas por regulacion de altura Desventaja: barrido lento, errores a causa del piezoelctrico que se retarda
Gorkhover&Rupp, con GFNL en Sevilla, 22-01-2007
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Scanner
Modo cc: el ordenador arregla los piezoelctricos de x e y ajusta Ubias y Itnel requerido lee la corriente de tnel IT lo reacopla al piezoelctrico de z
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Proceso de aproximacin
Problema: para cambiar la muestra es necesario una distancia macroscopica (~cm) contacto de tnel solo a distancia mucho ms pequea (~ 0,5-5nm) al principio, acercamiento hasta < 0,1mm despus walker con longitud de paso < 5nm pero puede pasar distancia ~ 0,1mm
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Preparacin de la punta
La punta monoatomica es condicin necesaria para la STM! punta delgada mediante corrosin con NaOH
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Perfil de altura
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Perfil de altura
perfil de altura muestra el grosor de la capa de casi 0,3 nm La constante de celda unidad gGaAs = 0,6nm => 1/2 de celda unidad (distancia entre los tomos de Ga y As)
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Sistema muestra-punta
REAL IT depende de EFermi de la punta perdida de resolucin por escalones puntas multiples intercambio de material movimiento trmico
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SEM-Principios y magnitudes
Focalizacin fina del rayo de electrones en lneas sobre la muestra Construccin de la imagen por productos de la interaccin de electrones primarios energticos (E=30eV) y los tomos superficiales de la muestra Topografa (resolucin nm) y anlisis qumico
Argonne, University of Chicago
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RadiacinInformacin
Topografa de la muestra Distribucin de los potenciales elctrico y magntico Anlisis de los elementos Orientacin cristalogrfica Distribucin del dopado
www2.unijena.de/chemie/institute/glaschemie/Anleitung_REM. pdf
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SEM-Medida
Construccin tpica, muestra en vaco
www.microscopy.ethz.ch
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Imgenes de SEM
Topografa superficial visible mediante distintos efectos de contraste, ej. contraste por rugosidad Igual para propiedades del material, ej. contraste del material Mezcla de ambos procesos
Mica muscovita y disilicato de lutecio tras una transformacin reconstructiva
J.Phys. Chem. B 2006,110,24112-24120,Archilla et al.
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SEM STM
Comn: solo para superfcies conductoras Ventajas resolucin mnm muestras biolgicas anlisis qumico
orientacin cristalogrfica
Desventajas
no tiene resolucin atomica es necesario el vaco destruccin de la muestra no hay informacin 3-D errores de aberracin
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