PRCTICA # 2

1. TEMA.
El transistor BJT como Amplificador
2. OBJ ETI VOS.

Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de los siguientes
amplificadores con el transistor BJT.

a. Amplificador a Emisor comn (ganancia de tensin total

).
b. Amplificador de colector comn (

).
c. Amplificador de base comn (

).

Verificar el comportamiento de los siguientes amplificadores anteriores
el momento en el que se quita el condensador.
Punto de trabajo al centro de la recta de carga.

3. MARCO TERI CO.
L NEA DE CARGA DE CA.
Excursin mxima de salida de CA al voltaje de CA Pico a Pico mximo, sin recortes, que
puede proporcionar un amplificador.
La lnea de carga de CA es una ayuda visual para entender la operacin con seales grandes.

Figura 4.3 Lnea de carga de CA y su relacin con la lnea de carga de CD.

Relacin de fase

La relacin de fase entre las seales senoidales de entrada y salida es importante por una
variedad de razones prcticas. Sin embargo y por fortuna: Para el amplificador de transistor
tpico, a frecuencias que permiten ignorar el efecto de elementos reactivos, las seales de
entrada y salida estn ya sea en fase o desfasadas por 180.

Nota:
Los parmetros de principal importancia para un amplificador; la impedancia de entrada Z
i
, la
impedancia de salida Z
o
, la ganancia de voltaje A
V
, la ganancia de corriente A
i
y las relaciones
de fase resultantes. Otros factores, tales como la frecuencia aplicada para los lmites inferior y
superior del espectro de frecuencias, afectarn algunos de estos parmetros.

FUNCI ONAMI ENTO

EMI SOR COMN
Circuito y recta de carga

Para que una seal esa amplificada tenga que ser una seal de corriente alterna. No tiene
sentido amplificar una seal de corriente continua, porque sta no lleva ninguna informacin.
En un amplificador de transistores estn involucradas los dos tipos de corrientes (alterna y
continua).
La seal alterna es la seal a amplificar y la continua
sirve para establecer el punto de operacin del amplificador.
Este punto de operacin permitir que la seal amplificada no
sea distorsionada.
En el diagrama se ve que la base del transistor est
conectada a dos resistores (R1 y R2). Estos dos resistores forman
un divisor de voltaje que permite tener en la base del transistor
un voltaje necesario para establecer la corriente de
polarizacin de la base.
El punto de operacin en corriente continua est
sobre una lnea de carga dibujada en la familia de curvas
del transistor.
Esta lnea est determinada por frmulas que se muestran.

Hay dos casos extremos:
- Cuando el transistor est en saturacin (Ic max.),
que significa que Vce es prcticamente 0 voltios.
- Cuando el transistor est en corte (Ic = 0), que significa que Vce es prcticamente
igual a Vcc.
Si se modifica R1 y/o R2 el punto de operacin se modificar para arriba o para abajo
en la curva pudiendo haber distorsin
Si la seal de entrada (Vin) es muy grande, se recortarn los picos positivos y negativos
de la seal en la salida (Vout).
Capacitor de bloqueo (C1)

Este capacitor (condensador) se utiliza para bloquear la corriente continua que pudiera
venir de Vin. Este capacitor acta como un circuito abierto para la corriente continua y un corto
circuito para la corriente alterna (la que se desea amplificar).
Estos capacitores no se comportan tan perfectamente en la realidad, pero se acercan
bastante, pudiendo suponerse como ideales.

Capacitor de derivacin (Ce)

El resistor Re aumenta la estabilidad de el amplificador, pero que tiene el gran
inconveniente que es muy sensible a las variaciones de temperatura (causar cambios en la
corriente de base, lo que causar variaciones en la corriente de emisor (Ic = Ib)).
Esto causar una disminucin en la ganancia de corriente alterna, lo que no es deseable.
Para resolver el problema se pone en paralelo con Re un capacitor que funcionar como un
corto circuito para la corriente alterna y un circuito abierto para corriente continua.

- El voltaje de salida estar dada por la siguiente frmula:
Vout = Ic x Rc = x Ib x Rc = hfe x Ib x Rc
- La ganancia de voltaje es:
V - Vout / Vin = - Rc / Zin. (El signo menos indica que Vout est 180 fuera de fase con la
entrada Vin)
- La ganancia de corriente es:
I = (Vout x Zin) / (Vin x Rc) = ganancia de voltaje x Zin / Rc
- La ganancia de potencia es = ganancia de voltaje x ganancia de corriente =
P = V x I
- Zin (impedancia de entrada) = R1 // R2 // hie, que normalmente no es un valor alto (contrario a
lo deseado)
- Zo (impedancia de salida) = Rc
- La salida est 180 desfasada con respecto a la entrada (es invertida)

Notas:
- = hfe son parmetros propios de cada transistor
- hie = impedancia de entrada del transistor dada por el fabricante.
- // significa "en paralelo"
COLECTOR COMN.
El amplificador seguidor emisor, tambin llamado colector comn, es muy til pues
tiene una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida baja.
Nota: La impedancia de entrada alta es una caracterstica deseable en un amplificador
pues, el dispositivo o circuito que lo alimenta no tiene que entregarle mucha corriente, cuando le
pasa la seal que se desea amplificar.

Este circuito no tiene resistencia en el colector y la salida
est conectada a la resistencia del emisor. El voltaje se salida
"sigue" al voltaje en el emisor, slo que es de un valor ligeramente
menor (0.6 voltios aproximadamente)
Ve = Vb - 0.6 Voltios
La ganancia de tensin es:
Av = Vout / Vin = Ve / Vb.

Como Ve es siempre menor que Vb, entonces la ganancia siempre ser menor a 1.
La impedancia de entrada se obtiene con la siguiente frmula: Zin = ( + 1) x Re
Donde: es la ganancia de corriente del transistor (dato del fabricante)
Del grfico anterior. Si Re = 2.2 Kilohmios (2.2 K) y = 150
Zin = ( + 1) x Re = (150 + 1) x 2200 Ohmios = 332,000 Ohmios (332 K)
Este amplificador aparenta una impedancia de entrada de 332,000 Ohmios a la fuente de
la seal que se desea amplificar. Este tipo de circuito es muy utilizado como circuitos
separadores y como adaptadores de impedancia entre las fuentes de seal y las etapas
amplificadoras

BASE COMN

La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector.
La base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de
salida. En esta configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La impedancia
de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a
que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una
resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un
anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn, nos da la ganancia
aproximada siguiente:
La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja
impedancia de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.
4.4 Modelo re del BJ T.
El modelo r
e
emplea un diodo y una fuente controlada de corriente para duplicar el
comportamiento de un transistor en la regin de inters. Recurdese que una fuente de corriente
controlada por corriente es aquella donde los parmetros de la fuente de corriente se controlan
por medio de una corriente en otra parte de la red. En general:
Los amplificadores de transistor BJ T se conocen como dispositivos controlados por
corriente.
CONFI GURACI N DE BASE COMN
En la figura 4.14a se ha insertado un transistor PNP de base comn dentro de la estructura de
dos puertos empleada en nuestra discusin de las recientes secciones. En la figura 4.14b se ha
colocado el modelo r
e
para el transistor entre las mismas cuatro terminales.
Como se observ en la seccin 4.2, el modelo (circuito equivalente) se escoge de una forma tal
que se tenga una aproximacin del comportamiento del dispositivo al reemplazarlo en la regin
de operacin de inters. En otras palabras, los resultados obtenidos al colocar el modelo
deberan estar relativamente cercanos a los obtenidos con el transistor real. Hay que recordar
que una de las uniones de un transistor en operacin en la regin activa se polariza en forma
directa mientras que la otra se polariza inversamente.
La unin directamente polarizada se comportar de manera muy parecida a un diodo
(despreciando los efectos de los niveles cambiantes de V
CE
), como se verific mediante las
curvas de la figura 2.7. Para la unin de base-emisor del transistor de la figura 4.14a, el diodo
equivalente de la figura 4.14b entre las mismas dos terminales parece ser bastante apropiado.
Para el extremo de salida, recurdese que las curvas horizontales de la figura 2.8 revelaban que
I
C
= I
E
(como se dedujo de I
C
= oI
E
) para el intervalo de valores de V
CE
.
La fuente de corriente de la figura 4.14b establece el hecho de que I
C
= oI
E
con la corriente de
control I
E
que aparece en el extremo de entrada del circuito equivalente, como se indica en la
figura 4.14a. Por consiguiente, hemos establecido una equivalencia en las terminales de entrada
y salida con la fuente controlada por corriente, proporcionando un vnculo entre las dos (una
revisin inicial sugerira que el modelo de la figura 4.14b es un modelo vlido del dispositivo
real).

Figura 4.14 (a) Transistor BJ T de base comn; (b) modelo re para la configuracin de la figura 4.14a.

Recurdese del captulo 1, que la resistencia de CA de un diodo puede determinarse mediante la
ecuacin r
CA
= 26 mV/I
D
, donde I
D
es la corriente de CD a travs del diodo en el punto Q
(esttico). Esta misma ecuacin puede utilizarse para encontrar la resistencia de CA del diodo
de la figura 4.14b si sustituimos simplemente la corriente de emisor, como se muestra a
continuacin:
re = 26 mV / I
E

El subndice e de re se eligi para enfatizar que es el nivel CD de la corriente de emisor que
determina el nivel CA de la resistencia del diodo de la figura 4.14b. Al sustituir el valor
resultante de re en la figura 4.14b se obtendr el modelo de suma utilidad que se muestra en la
figura 4.15:

Figura 4.15 Circuito equivalente re de base comn.
A causa del aislamiento existente entre los circuitos de entrada y de salida de la figura 4.15,
debera ser bastante obvio que la impedancia de entrada Z
i
para la configuracin de base comn
de un transistor fuera simplemente re. Es decir,
Z
i
= re
Para la configuracin de base comn, los valores tpicos de Z, varan entre unos cuantos ohms y
un valor hasta de alrededor de 50 O .
Para la impedancia de salida, si establecemos la seal a cero, entonces I
E
= O A e I
C
= o I
E
= o
(0 A) = O A, resultando en un equivalente de circuito abierto en las terminales de salida. El
resultado es que para el modelo de la figura 4.15,
Z
o
~ O
En realidad:
Para la configuracin de base comn, los valores tpicos de Z
o
se hallan en el orden de los
Megaohms.
La resistencia de salida de la configuracin de base comn se determina por medio de la
pendiente de las lneas caractersticas de las caractersticas de salida, como se muestran en la
figura 4.16. Suponiendo que las lneas sean perfectamente horizontales (una excelente
aproximacin) resultara en la conclusin de la ecuacin (7.13). Si se tuviera el cuidado de
medir Z
o
grfica o experimentalmente, se obtendran los niveles tpicos en el intervalo de 1 a 2
MO .

Figura 4.16 Definicin de Z
o
.
En general, para la configuracin de base comn, la impedancia de entrada es relativamente
pequea mientras que la impedancia de salida es bastante alta.
La ganancia de voltaje se determinara ahora para la red de la figura 4.17.

V
o
= -I
o
R
L
= -(-I
C
) RL = o I
E
R
L

V
i
= I
E
Z
i
= I
E
r
e

A
V
= V
o
/ V
i
= o I
E
R
L
/ I
E
r
e

A
V
= o R
L
/ r
e
~ R
L
/r
e
Ecuacin 4.12
Para la ganancia de corriente
A
i
= I
o
/ I
i
= -I
C
/ I
E
= o I
E
/ I
E

A
i
= -o ~ -1 Ecuacin 4.13

4.17 Definicin de A
v
para la configuracin de base comn.
El hecho de que la polaridad del voltaje V
o
tal como se determina a partir de la corriente I
C
sea
la misma que se define mediante la figura 4.17 (o sea, el extremo negativo est al potencial de
referencia, o tierra) revela que V
o
y V
i
estn en fase para la configuracin de base comn. El
equivalente para un transistor NPN en la configuracin de base comn aparecera como se
ilustra en la figura 4.18.

Figura 4.18 Modelo aproximado para una configuracin de transistor NPN de base comn.

CONFI GURACI N DE EMI SOR COMN
Para la configuracin de emisor comn de la figura 4.19a, las terminales de entrada son las
terminales de base y emisor, pero el conjunto de salida lo componen ahora las terminales de
colector y emisor. Adems, la terminal de emisor es ahora comn entre los puertos de entrada y
salida del amplificador. Sustituyendo el circuito equivalente re para el transistor NPN dar por
resultado la configuracin de la figura 4.19b.
Advirtase que la fuente controlada por corriente an est conectada entre las terminales de
colector y de base y el diodo, entre las terminales de base y de emisor. En esta configuracin, la
corriente de base es la corriente de entrada, mientras que la corriente de salida an es I
C
.
Recuerde, del captulo 2, que las corrientes de base y de colector estn relacionadas por la
siguiente ecuacin:
I
C
= | I
B
Ecuacin 4.14
La corriente a travs del diodo se determina por lo tanto mediante:
I
e
= (| + 1)I
b
Ecuacin 4.15
Sin embargo, ya que la beta de CA es normalmente mucho mayor que 1, haremos uso de la
siguiente aproximacin para el anlisis de corriente:
Ie ~ | Ib Ecuacin 4.16
La impedancia de entrada se determina por medio de la siguiente relacin:
Z
i
= V
i
/ I
i
= V
be
/ I
b
Ecuacin 4.17
El voltaje V
be
se halla a travs de la resistencia del diodo, como se muestra en la figura 4.19. El
nivel de r
e
todava se determina por la corriente de CD: I
E
. El uso de la ley de Ohm conduce a:
V
i
= V
be
= I
e
r
e
~ | I
b
r
e
Ecuacin 4.18

Figura 4.19 (a) Transistor BJ T de emisor comn (b) Modelo r
e
aproximado para la configuracin de
la figura 4.18a

Figura 4.20 Determinacin de Z
i
empleando el modelo aproximado.
La sustitucin nos lleva a:
Z
i
~ |r
e
Ecuacin 4.19
En esencia, la ecuacin (4.19) establece que la impedancia de entrada para una situacin tal
como la mostrada en la figura 4.20 es beta veces el valor de r
e
. En otras palabras, un elemento
resistivo en la terminal del emisor se refleja en el circuito de entrada por un factor multiplicativo
|. Por ejemplo, si r
e
= 6.5 Ohms y | = 160 (situacin bastante comn), entonces la impedancia
de entrada se incrementa a un nivel de:
Z
i
~ |r
e
= (160)(6.5 ohms) = 1.04 Kohms Ecuacin 4.20

Figura 4.21 I mpacto de r
e
sobre la impedancia de entrada.
Para la configuracin de emisor comn, los valores tpicos de Z
i
que se definen mediante r
e
,
oscilan desde unos cuantos cientos de Ohms hasta el orden los Kohms, con valores mximos de
entre 6 y 7 Kohms.
Para la impedancia de salida las caractersticas de inters son el conjunto de salida de la figura
4.22, Obsrvese que la pendiente de las curvas se incrementa con el aumento en la corriente de
colector. Cuanto ms elevada sea la pendiente, menor ser el nivel de la impedancia de salida
(Z
o
). El modelo r
e
de la figura 4.19 no incluye una impedancia de salida, pero si se halla
disponible a partir de un anlisis grfico o de hojas de datos, puede incluirse como se ilustra en
la figura 4.23.

Figura 4.22 Definicin de r
o
para la configuracin de emisor comn.

Figura 4.23 I nsercin de r
o
en el circuito equivalente de transistor.

Para la configuracin de emisor comn, valores tpicos de Z
o
se encuentran en el intervalo que
va de los 40 a los 50 Kohms.
Para el modelo de la figura 4.23, si se establece a cero la seal aplicada, la corriente es de OA y
la impedancia de salida es:
Z
o
= r
o
Ecuacin 4.21

Por supuesto, si la contribucin debida a r
o
se ignora como en el caso del modelo r
o
la
impedancia de salida se define por Z
o
= O .
La ganancia de voltaje para la configuracin de emisor comn se determinar ahora por la
configuracin de la figura 4.24 haciendo uso de la suposicin que Z
o
= O . Para la direccin
definida por I
o
y polaridad de V
o
:

V
o
= -I
o
R
L
Ecuacin 4.22

Figura 4.24 Determinacin de la ganancia de voltaje y corriente para el amplificador de transistor de
emisor comn.

El signo menos refleja simplemente el hecho de que la direccin de I
o
en la figura 4.24
establecer un voltaje V
o
con polaridad opuesta. Al continuar llegamos a:
V
o
= -I
o
R
L
= -I
c
R
L
= -| I
b
R
L
Ecuacin 4.23
V
i
= I
i
Z
i
= I
b
|r
e
Ecuacin 4.24
A
v
= V
o
/ V
i
= -| I
b
R
L
/ I
b
|r
e
Ecuacin 4.25
A
v
= -R
L
/r
e
Ecuacin 4.26
El signo menos resultante para la ganancia de voltaje revela que los voltajes de entrada y salida
se encuentran desfasados en 180. La ganancia de corriente para la configuracin de la figura
4.24:

A
i
= I
o
/ I
i
= I
c
/ I
b
= |I
b
/ I
b
Ecuacin 4.27
A
i
= | Ecuacin 4.27
Utilizando el hecho de que la impedancia de entrada es |r
e
, que la corriente de colector es |I
b
y
que la impedancia de salida es r
o
,el modelo equivalente de la figura 4.25 puede ser una
herramienta efectiva para el anlisis que sigue a continuacin.

Para valores de parmetros tpicos la configuracin de emisor comn puede considerarse como
aquella que disfruta de un nivel moderado de impedancia de entrada, un voltaje y una ganancia
de corriente altos, y una impedancia de salida que puede tener que incluirse en el anlisis de la
red.

Figura 4.25 Modelo r
e
para la configuracin de transistor de emisor comn.

CONFI GURACI N DE COLECTOR COMN

Para la configuracin de colector comn normalmente se aplica el modelo definido para la
configuracin de emisor comn de la figura 4.25, en vez de definir un modelo propio para la
configuracin de colector comn. En captulos subsecuentes se investigarn varias
configuraciones de colector comn y llegara a ser evidente el efecto de utilizar el mismo
modelo.

4.5 El modelo equivalente hbrido.
En la seccin 4.4 se seal que el modelo re para un transistor es sensible al nivel de operacin
de cd del amplificador. El resultado es una resistencia de entrada que variar en el punto de
operacin de cd. Para el modelo equivalente hbrido que se describir en esta seccin se definen
los parmetros en un punto de operacin que puede o no reflejar 1as condiciones de operacin
reales del amplificador.
Esto se debe al hecho de que las hojas de especificaciones no pueden proporcionar los
parmetros para un circuito equivalente para todo punto de operacin posible. Los fabricantes
deben escoger las condiciones de operacin que creen que reflejarn las caractersticas generales
del dispositivo.

Figura 4.26 Circuito equivalente hbrido de entrada.

Figura 4.27 Circuito equivalente hbrido de salida.




Figura 4.28 Circuito equivalente hbrido completo.



4. LI STADO DE MATERIALES / PRESUPUESTO

# Equipo o Material
1 Resistencias
1 Transistores BJT (2N3904)
1 Condensadores
1 Proto-board
1 Banco de Trabajo
1
Fuente de alimentacin
Variable
1 Multmetro digital
1 Generador de funciones
1 Osciloscopio
1 Sondas
1 Cables de conexin
1 Elvis (opcional)
$ 2.50



5. DESARROLLO.
Amplificador a Emisor comn +condensador



Clculos de la polarizacin.
v V
V V
V V
mA I
V
V
V V
V V
Datos
ce
CC ce
eq
C
CC
RE
CE
CC
20
10
175
20
2V
10
5 . 7
20
max
=
=
=
=
=
= =
=
=
|

mA mA mA I I I
mA
mA
I
HFE Ic I
I
Ic
HFE
HFE
proceso
b C e
b
B
B
11 . 20 11 . 0 20
11 . 0
175
20
/
175
= + = + =
= =
=
=
= = |


Rc
400
Re
100
R2
132k
R1
132k
Cs
VCC
20V
V1
RL
Ce
0
5
4
2
1
VCC
Ci
R3
50
3
6
Q1
2N3904
V V V
V V V
B
BE RE B
7 . 2 7 . 0 2 = + =
+ =


CE RE CC RC
V V V V =

V V V V V
RC
8 10 2 20 = =


O = = =
O ~ O = = =
400
20
8
100 . 45 . 99
11 . 20
2
mA
V
I
V
R
mA
V
I
V
R
C
RC
C
E
RE
E


k R R R
k
mA
V V V
I
V V V
R
eq
B
E BE eq
eq
72 . 132 2
36 . 66
11 . 0
2 7 . 0 10
2 1
= = =
=

=

=

Proceso en Dinmica.
Circuito equivalente.


O =
O =
=
k
hoe
k hie
Av
TOTAL
40
1
2
50

) (

Mxima dinmica

v 98 . 3 V
199 20mA V
Rpc Ic V
CEP
CEP
CEP
=
=
=

V 159
50
7.96V
96 . 7 V
2 98 . 3 V
s
s
CEPP
CEPP
m e
e
v
V
=
=
=
=



Condensadores:

( )

( )

( )

( )

()

()




Amplificador a Emisor comn - condensador


Clculos de la polarizacin.

mA I
V
V
V V
V V
Datos
C
CC
RE
CE
CC
20
2V
10
5 . 7
20
=
= =
=
=

v V
V V
V V
ce
CC ce
eq
20
10
175
max
=
=
=
= |

mA mA mA I I I
mA
mA
I
HFE Ic I
I
Ic
HFE
HFE
proceso
b C e
b
B
B
11 . 20 11 . 0 20
11 . 0
175
20
/
175
= + = + =
= =
=
=
= = |


V V V
V V V
B
BE RE B
7 . 2 7 . 0 2 = + =
+ =


CE RE CC RC
V V V V =

V V V V V
RC
8 10 2 20 = =


O = = =
O ~ O = = =
400
20
8
100 . 45 . 99
11 . 20
2
mA
V
I
V
R
mA
V
I
V
R
C
RC
C
E
RE
E


k R R R
k
mA
V V V
I
V V V
R
eq
B
E BE eq
eq
72 . 132 2
36 . 66
11 . 0
2 7 . 0 10
2 1
= = =
=

=

=

Rc
400
Re
100
R2
132k
R1
132k
Cs
VCC
20V
V1
RL
4
2
1
VCC
Ci
R3
50
3
6
Q1
2N3904
5
0
Proceso en Dinmica.
Circuito equivalente.

O =
O =
=
k
hoe
k hie
Av
TOTAL
40
1
2
50

) (

Mxima dinmica

v 98 . 3 V
199 20mA V
Rpc Ic V
CEP
CEP
CEP
=
=
=

V 159
50
7.96V
96 . 7 V
2 98 . 3 V
s
s
CEPP
CEPP
m e
e
v
V
=
=
=
=


Condensadores:

( )

( )

( )

( )





Amplificador a Colector comn +condensador






RE
R1
R2
RC
VCC
20V
Ci
Cs
RL
V1
1
5
0
4
Q1
2N3904
R3
50
2
6
Cc
VCC
3
Clculos de la polarizacin.

v V
V V
V V
mA I
V
V
V V
V V
Datos
ce
CC ce
eq
C
CC
RE
CE
CC
20
10
175
20
2V
10
5 . 7
20
max
=
=
=
=
=
= =
=
=
|

mA mA mA I I I
mA
mA
I
HFE Ic I
I
Ic
HFE
HFE
proceso
b C e
b
B
B
11 . 20 11 . 0 20
11 . 0
175
20
/
175
= + = + =
= =
=
=
= = |


V V V
V V V
B
BE RE B
7 . 2 7 . 0 2 = + =
+ =


CE RE CC RC
V V V V =

V V V V V
RC
8 10 2 20 = =


O = = =
O ~ O = = =
400
20
8
100 . 45 . 99
11 . 20
2
mA
V
I
V
R
mA
V
I
V
R
C
RC
C
E
RE
E


k R R R
k
mA
V V V
I
V V V
R
eq
B
E BE eq
eq
72 . 132 2
36 . 66
11 . 0
2 7 . 0 10
2 1
= = =
=

=

=

Proceso en Dinmica.
Circuito equivalente.

( )
()

Mxima dinmica

v v
V
v
2 98 . 1 V
2 99 . 0 V
2 V V
99 . 0 V
49.92 20mA V
Rpe Ic V
CEPP
CEPP
CEP CEPP
CEP
CEP
CEP
~ =
=
=
=
=
=

v 2 es
1
2v
es
V
51 . 6 99 . 0 5 . 7 V
V V V
49 . 8 99 . 0 5 . 7 V
V V V
CEPP
CEPmin
CEP CE CEPmin
CEPmx
CEP CE CEPmx
=
=
=
= =
=
= + =
+ =
tot
S
A
e
v v
v v

Condensadores:

( )

( )

( )

( )

()

()


Amplificador a Colector comn - condensador

RE
R1
R2
RC
VCC
20V
Ci
Cs
RL
V1
1
5
0
4
Q1
2N3904
R3
50
2
6
VCC
3
Clculos de la polarizacin.
20
2V
10
5 . 7
20
mA I
V
V
V V
V V
Datos
C
CC
RE
CE
CC
=
= =
=
=

v V
V V
V V
ce
CC ce
eq
20
10
175

max
=
=
=
= |

mA mA mA I I I
mA
mA
I
HFE Ic I
I
Ic
HFE
HFE
proceso
b C e
b
B
B
11 . 20 11 . 0 20
11 . 0
175
20
/
175
= + = + =
= =
=
=
= = |


V V V
V V V
B
BE RE B
7 . 2 7 . 0 2 = + =
+ =


CE RE CC RC
V V V V =

V V V V V
RC
8 10 2 20 = =


O = = =
O ~ O = = =
400
20
8
100 . 45 . 99
11 . 20
2
mA
V
I
V
R
mA
V
I
V
R
C
RC
C
E
RE
E


k R R R
k
mA
V V V
I
V V V
R
eq
B
E BE eq
eq
72 . 132 2
36 . 66
11 . 0
2 7 . 0 10
2 1
= = =
=

=

=

Proceso en Dinmica.
Circuito equivalente.

( )
()

Mxima dinmica

v v
V
v
2 98 . 1 V
2 99 . 0 V
2 V V
99 . 0 V
49.92 20mA V
Rpe Ic V
CEPP
CEPP
CEP CEPP
CEP
CEP
CEP
~ =
=
=
=
=
=

v 2 es
1
2v
es
V
51 . 6 99 . 0 5 . 7 V
V V V
49 . 8 99 . 0 5 . 7 V
V V V
CEPP
CEPmin
CEP CE CEPmin
CEPmx
CEP CE CEPmx
=
=
=
= =
=
= + =
+ =
tot
S
A
e
v v
v v




Condensadores:

( )

( )

( )

( )








Amplificador a Base comn +condensador




Clculos de la polarizacin.


v V
V V
V V
mA I
V
V
V V
V V
Datos
ce
CC ce
eq
C
CC
RE
CE
CC
20
10
175
20
2V
10
5 . 7
20
max
=
=
=
=
=
= =
=
=
|

mA mA mA I I I
mA
mA
I
HFE Ic I
I
Ic
HFE
HFE
proceso
b C e
b
B
B
11 . 20 11 . 0 20
11 . 0
175
20
/
175
= + = + =
= =
=
=
= = |

V V V
V V V
B
BE RE B
7 . 2 7 . 0 2 = + =
+ =


CE RE CC RC
V V V V =

V V V V V
RC
8 10 2 20 = =


O = = =
O ~ O = = =
400
20
8
100 . 45 . 99
11 . 20
2
mA
V
I
V
R
mA
V
I
V
R
C
RC
C
E
RE
E

k R R R
k
mA
V V V
I
V V V
R
eq
B
E BE eq
eq
72 . 132 2
36 . 66
11 . 0
2 7 . 0 10
2 1
= = =
=

=

=

RC
RE
R1
R2
VCC
20V
C1
Ci
Cs
V1
Rcarga
VCC
1
6
0
2
3
Q1
2N3904
rs
4 5
Proceso en Dinmica.
Circuito equivalente.

( )

Mxima dinmica.
V
V
v
96 . 7 V
2 98 . 3 V
98 . 3 V
199 20mA V
Rpc Ic V
CEPP
CEPP
CEP
CEP
CEP
=
=
=
=
=

v v v
v v v
02 . 6 98 . 3 10 V
V V V
98 . 13 98 . 3 10 V
V V V
CEPmin
CEP CE CEPmin
CEPmx
CEP CE CEPmx
= =
=
= + =
+ =

v 4 . 2 es
3.3
7.96V
es
V
CEPP
=
=
=
tot
S
A
e

Condensadores

( )

( )

( )

( )

()

()

Amplificador a Base comn condensador



Clculos de la polarizacin.

20
2V
10
5 . 7
20
mA I
V
V
V V
V V
Datos
C
CC
RE
CE
CC
=
= =
=
=

v V
V V
V V
ce
CC ce
eq
20
10
175

max
=
=
=
= |

RC
RE
R1
R2
VCC
20V
Ci
Cs
V1
Rcarga
VCC
1
6
2
3
Q1
2N3904
rs
4 5
0
mA mA mA I I I
mA
mA
I
HFE Ic I
I
Ic
HFE
HFE
proceso
b C e
b
B
B
11 . 20 11 . 0 20
11 . 0
175
20
/
175
= + = + =
= =
=
=
= = |


V V V
V V V
B
BE RE B
7 . 2 7 . 0 2 = + =
+ =


CE RE CC RC
V V V V =

V V V V V
RC
8 10 2 20 = =


O = = =
O ~ O = = =
400
20
8
100 . 45 . 99
11 . 20
2
mA
V
I
V
R
mA
V
I
V
R
C
RC
C
E
RE
E


k R R R
k
mA
V V V
I
V V V
R
eq
B
E BE eq
eq
72 . 132 2
36 . 66
11 . 0
2 7 . 0 10
2 1
= = =
=

=

=

Proceso en Dinmica.
Circuito equivalente.

( )

Mxima dinmica.

V
V
v
96 . 7 V
2 98 . 3 V
98 . 3 V
199 20mA V
Rpc Ic V
CEPP
CEPP
CEP
CEP
CEP
=
=
=
=
=


v v v
v v v
02 . 6 98 . 3 10 V
V V V
98 . 13 98 . 3 10 V
V V V
CEPmin
CEP CE CEPmin
CEPmx
CEP CE CEPmx
= =
=
= + =
+ =


v 4 . 2 es
3.3
7.96V
es
V
CEPP
=
=
=
tot
S
A
e


Condensadores

( )

( )

( )

( )




VERI FI CACI N DE LOS CI RCUI TOS AMPLI FI CADORES

Amplificador a Emisor comn + condensador


Rc
400
Re
100
R2
132k
R1
132k
Cs
VCC
20V
V1
RL
Ce
0
5
4
2
1
VCC
Ci
R3
50
3
6
Q1
2N3904
FORMAS DE ONDA OBTENI DAS CON EL OSCI LOSCOPI O


Escalas: CH1, CH2

(

)
(

0



Tabla de mediciones.


2ms 2ms 1ms 1ms 1ms 0.5ms 0.1ms 10us 10us 10us 10us
fc
F (Hz)
25 50 75 90 100 200 1K 10K 100K 1M 7M

()
0.8 0.18 0.18 0.18 0.16 0.18 0.18 0.18 0.18 0.18 0.18

()
2.4 4.6 6.4 7.8 8 12 14.8 15 15 12 2.8

3 25.55 35.55 43.33 50 67 82 83.33 83.33 66.66 15.55

9.54 27.95 30.8 33 33.97 36.5 38 38.4 38.4 36.4 23.52
t (ms)
1.8 0.8 1.2 1.1 1 1 0.2 0 0 0 0
T(ms)
40 20 13.33 11.11 10 5 1 0.1 0.01 0.001 0.000143

16.2 14.4 32.41 35.64 36 72 72 0 0 0 0

Amplificador a Emisor comn condensador





FORMAS DE ONDA OBTENI DAS CON EL OSCI LOSCOPI O


Escalas: CH1, CH2

(

)
(

0







Rc
400
Re
100
R2
132k
R1
132k
Cs
VCC
20V
V1
RL
4
2
1
VCC
Ci
R3
50
3
6
Q1
2N3904
5
0

Tabla de mediciones.

2ms 2ms 1ms 1ms 1ms 0.5ms 0.1ms 10us 10us 10us 10us
fc
F (Hz)
25 50 75 90 100 200 1K 10K 100K 1M 7M

() 0.18 0.18 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2

() 0.65 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8

3.61 4.4 4 4 4 4 4 4 4 4 4

11.2 12.8 12 12 12 12 12 12 12 12 12
t (ms)
1.8 0.8 1.2 1.2 1.2 1 0.2 0 0 0 0
T(ms)
40 20 13.33 11.11 10 5 1 0.1 0.01 0.001 0.000143

16 14 32 38.8 43.2 72 72 0 0 0 0

Amplificador a Colector comn +condensador






RE
R1
R2
RC
VCC
20V
Ci
Cs
RL
V1
1
5
0
4
Q1
2N3904
R3
50
2
6
Cc
VCC
3

FORMAS DE ONDA OBTENI DAS CON EL OSCI LOSCOPI O


Escalas: CH1, CH2

(

)
(

0


Tabla de mediciones.


5ms 5ms 5ms 5ms 2ms 2ms 1ms 10us 10us 0.1us 0.1us
fc
F (Hz)
25 50 75 90 100 200 1K 10K 100K 1M 7M

()
1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2

()
1 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2

0.83 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

-1.62 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
t (ms)
6 1.9 1 0.5 0.2 0 0 0 0 0 0
T(ms)
40 20 13.33 11.11 10 5 1 0.1 0.01 0.001 0.000143

54 34.2 27 16.2 7.2

Amplificador a Colector comn condensador



FORMAS DE ONDA OBTENI DAS CON EL OSCI LOSCOPI O


Escalas: CH1, CH2

(

)
(

0





RE
R1
R2
RC
VCC
20V
Ci
Cs
RL
V1
1
5
0
4
Q1
2N3904
R3
50
2
6
VCC
3


Tabla de mediciones.

5ms 5ms 5ms 5ms 2ms 2ms 1ms 10us 10us 0.1us 0.1us
fc
F (Hz)
25 50 75 90 100 200 1K 10K 100K 1M 7M

()
1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2

()
1 1 1 1.1 1.1 1 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2

0.83 0.83 0.83 0.92 0.92 0.83 1 1 1 1 1

-1.62 -1.62 -1.62 -0.72 -0.72 -1.62 0 0 0 0 0
t (ms)
6 0.15 0.1 0.05 0.05 0 0 0 0 0 0
T(ms)
40 20 13.33 11.11 10 5 1 0.1 0.01 0.001 0.000143

54 2.7 2.7 1.62 1.8

Amplificador a Base comn +condensador



FORMAS DE ONDA OBTENI DAS CON EL OSCI LOSCOPI O

Escalas: CH1, CH2

(

)
(

)

RC
RE
R1
R2
VCC
20V
C1
Ci
Cs
V1
Rcarga
VCC
1
6
0
2
3
Q1
2N3904
rs
4 5

Tabla de mediciones.

5ms 5ms 5ms 5ms 5ms 2ms 0.5ms 50us 5us 0.1us 0.1us
fc
F (Hz)
25 50 75 90 100 200 1K 10K 100K 1M 7M

()
2.6 2.4 2.2 2.1 2 1.3 0.8 0.6 0.6 0.6 0.6

()
1.6 4 5.2 6.8 7.4 8.8 9 9.4 9.4 9.4 9.4

0.62 1.7 2.4 3.24 3.7 6.8 11.25 15.6 15.6 15.6 15.7

-4.15 4.6 7.6 10.2 11.4 16.7 21.02 23.9 23.9 23.9 23.9
t (ms)
4 3 2.8 2.2 2.1 3 3.1 0 0 0 0
T(ms)
40 20 13.33 11.11 10 5 1 0.1 0.01 0.001 0.000143

36 54 75.6 71.3 75.6 216 1116 0 0 0 0

Amplificador a Base comn condensador

FORMAS DE ONDA OBTENI DAS CON EL OSCI LOSCOPI O

Escalas: CH1, CH2

(

)
(

Tabla de mediciones.
5ms 5ms 5ms 5ms 5ms 1ms 0.2ms 20us 5us 0.5us 0.5us
fc
F (Hz)
25 50 75 90 100 200 1K 10K 100K 1M 7M

()
2.8 2.4 2.4 2.4 2 2 2 2 2 2 1.8

()
0.4 0.5 0.8 1 1.1 1.2 1.6 1.2 1.2 2 1.8

0.14 0.21 0.33 0.42 0.55 0.6 0.8 0.6 0.6 1 1

-17.1 -13.55 -9.63 -7.5 -5.2 -4.4 -1.9 -4.43 -4.43 0 0
t (ms)
4.5 5 4 3.5 3.2 10 11.5 0 0 0 0
T(ms)
40 20 13.33 11.11 10 5 1 0.1 0.01 0.001 0.000143

40.5 90 108 113 115.2 720 4140 0 0 0 0

RC
RE
R1
R2
VCC
20V
Ci
Cs
V1
Rcarga
VCC
1
6
2
3
Q1
2N3904
rs
4 5
0

Graficas y valores obtenidos de las polarizaciones. (Medidas y Calculadas)

Puntos de trabajo y rectas de carga: esttica, dinmica,

Amplificador a Emisor comn

Vcc Vce I c I b
Calculados 20v 10v 20mA 0.11mA
Medidos 20.1v 10.38v 20.4mA 0.11mA
Simulados 20.2v 10.2v 20.1mA 0.10mA




2 4 6 8 10 12 14 16 18 20v
2
4
6
Ic mx 1
mA
Vce mx (v) Vcep mx
Vce Vce 1
Vcep
min
Vcep
min1
Ic 1
Ic
Ic mx
Recta en dinmica
simulada y medida
Vcep mx 1
Recta en dinmica
calculada


Amplificador a Colector comn


Vcc Vce I c I b
Calculados 20v 10v 20mA 0.11mA
Medidos 20v 10.3v 20.7mA 0.12mA
Simulados 20v 10v 20.2mA 0.11mA







2 4 6 8 10 12 14 16 18 20v
2
4
6
Ic mx 1
mA
Vce mx (v)
Vcep mx
Vce Vce 1
Vcep min
Vcep min1
Ic 1
Ic
Ic mx
Rectas en dinamica
calculada
Vcep mx 1
Rectas en dinamica
medida y simulada



Amplificador a Base comn



Vcc Vce I c I b
Calculados 20v 10v 20mA 0.11mA
Medidos 20.1v 10.1v 20mA 0.11mA
Simulados 20v 10v 20.2mA 0.11mA


2 4 6 8 10 12 14 16 18 20v
2
4
6
Ic mx 1
mA
Vce mx (v)
Vcep mx
Vce Vce 1
Vcep min
Vcep min1
Ic 1
Ic
Ic mx
Rectas en dinamica
calculada
Vcep mx 1
Rectas en dinamica
medida y simulada


DI AGRAMAS DE BODE

DDB Calculados:

Amplificador a Emisor comn +condensador





Amplificador a Emisor comn - condensador








Amplificador a Colector comn + condensador









Amplificador a Colector comn condensador











Amplificador a Base comn + condensador









Amplificador a Base comn condensador











Diagramas De Bode medidos:

Amplificador a Emisor comn + condensador




Amplificador a Emisor comn - condensador









Amplificador a Colector comn + condensador






Amplificador a Colector comn condensador













Amplificador a Base comn + condensador







Amplificador a Base comn - condensador









SI MULACI N DE LOS CI RCUI TOS

Diagramas de Bode.
Formas de onda: Ingreso y Salida.

Amplificador a Emisor comn + condensador










Onda ingreso


R1
133k
U1
2N3904
V1
20 V
C1
123F
R2
133k
R3
400
R4
100
R5
50
C2
4F
C3
240F
R6
470
XFG1
XSC1
A B
Ext Trig
+
+
_
_
+
_
XBP1
IN OUT
U2
DC 10MOhm
10.767 V
+
-








Onda salida









Amplificador a Emisor comn - condensador














R1
133k
U1
2N3904
V1
20 V
C1
123F
R2
133k
R3
400
R4
100
R5
50
C2
4F
R6
470
XFG1
XSC1
A B
Ext Trig
+
+
_
_
+
_
XBP1
IN OUT
U2
DC 10MOhm
10.767 V
+
-
Onda ingreso









Onda salida




Amplificador a Colector comn + condensador













R1
133k
U1
2N3904
V1
20 V
C1
1.469F
R2
133k
R3
400
R4
100
R5
50
C2
7.98F R6
1k
XFG1
XSC1
A B
Ext Trig
+
+
_
_
+
_
U2
DC 10MOhm 10.319 V
+
-
C3
5833.8F
XBP1
IN OUT



Onda ingreso



Onda salida









Amplificador a Colector comn - condensador















R1
133k
U1
2N3904
V1
20 V
C1
1.469F
R2
133k
R3
400
R4
100
R5
50
C2
7.98F R6
1k
XFG1
XSC1
A B
Ext Trig
+
+
_
_
+
_
U2
DC 10MOhm 10.319 V
+
-
XBP1
IN OUT

Onda ingreso





Onda salida








Amplificador a Base comn + condensador













R1
133k
U1
2N3904
V1
20 V
R2
133k
R3
400
R4
100
U2
DC 10MOhm 9.773 V
+
-
R5
50
C3
4F
R6
390
C2
31.1F
C1
139.4F
XSC1
A B
Ext Trig
+
+
_
_
+
_
XFG1
XBP1
IN OUT
Onda ingreso




Onda salida













Amplificador a Base comn - condensador
















R1
133k
U1
2N3904
V1
20 V
R2
133k
R3
400
R4
100
U2
DC 10MOhm 9.773 V
+
-
R5
50
C3
4F
R6
390
C2
31.1F
XSC1
A B
Ext Trig
+
+
_
_
+
_
XFG1
XBP1
IN OUT
Onda ingreso




Onda salida









6. CONCLUSI ONES
Observaciones y Recomendaciones

- Revisar el circuito antes de alimentar.
- Para obtener valores ms aproximados es necesario utilizar un multmetro de gran
precisin y los materiales.
- Para un correcto funcionamiento de cualquier circuito tener en cuenta los terminales
del transistor BJT y sobretodo debe ser bien calculada la polarizacin.
- Se comprob el amplificador a colector comn con o sin condensador de colector.
Se vio que la seal de salida era prcticamente la misma que ingresa y por lo tanto
la ganancia de voltaje es aproximadamente a 1, no existe ngulo de desfase nos
ayuda a amplificar corriente y al quitar el condensador de colector la variacin en la
ganancia era insignificante por lo que podemos decir que ambos modelos son
equivalentes.
- En el emisor comn se noto que tiene una ganancia (voltaje como corriente) grande
cuando se encuentra conectado el condensador de desvo mientras que sin este la
ganancia se reduce considerablemente.
- Y en la base comn se observo que conforme la frecuencia aumentaba, la amplitud
del voltaje de ingreso disminua, y el ngulo de desfase entre la onda de ingreso y la
salida disminua, tiene baja impedancia de ingreso no nos ayuda con una ganancia
de corriente pero si tenemos ganancia de voltaje


summations and recommendations

" To revise the circuit before feeding.
" To obtain more approximate securities it is necessary to use a multmetro of great precision
and the materials.
" For a correct operation of any circuit to keep in mind the terminals of the transistor BJT and
overalls should be very calculated the polarization.
" He/she was proven the amplifier to collector common with or without collector condenser. It
was seen that the output signal was practically the same one that enters and therefore the voltage
gain is approximately at 1, lag time angle doesn't exist he/she helps us to amplify current and
when removing the collector condenser the variation in the gain it was insignificant for what we
can say that both models are equivalent.
" In the common originator one notices that he/she has a gain (voltage like current) big when it
is connected the deviation condenser while without this the gain decreases considerably.
" And in the common base one observes that it conforms the frequency it increased, the width of
the entrance voltage diminished, and the lag time angle between the entrance wave and the exit
diminished, he/she has low entrance impedance he/she doesn't help us with a current gain but if
we have voltage gain





7. BI BLI OGRAF A

Libro Robert L. Boylestad.
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