ESCUELA MILITAR DE INGENIERIA

DISEO DE TRANSISTORES PARA UNA RESPUESTA DE FRECUENCIA DADA (BAJA FRECUENCIA)

1.- Objetivos. Calcular los componentes para determinar la respuesta de frecuencia en una frecuencia dada con un transistor bipolar. Estudiar los factores que contribuyen a la respuesta de baja frecuencia de un amplificador comn emisor.

1.1Marco terico: 1.2.-INTRODUCCIN. El anlisis de amplificadores hecho hasta ahora ha estado limitado en un rango de frecuencias, que normalmente permite ignorar los efectos de los elementos capacitivos, considerando nicamente elementos resistivos y fuentes. En este tema se estudia los efectos en frecuencia introducidos por condensadores de gran valor, generalmente externos, que limitan la frecuencia baja de operacin del amplificador, y condensadores internos a los dispositivos activos que limitan su comportamiento en alta frecuencia. Generalmente, el anlisis en frecuencia de un amplificador se realiza sobre un rango muy variable de valores de frecuencia. Para facilitar su caracterizacin se utiliza escalas logartmicas en trminos de decibelio. Inicialmente, el decibelio tuvo su origen para establecer una relacin entre potencia y niveles de audio en escala logartmica. La definicin de bel, cuyo nombre se debe a Alexander Graham Bell, relativa a dos niveles

de potencia P1 y P2 El bel es una unidad demasiado grande y para aplicaciones prcticas se utiliza el trmino decibelio (dB) definido como 1dB=0.1bel o

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Existe una segunda definicin del decibelio aplicada ms frecuentemente que opera sobre tensiones en vez de potencias. Si consideramos la potencia disipada por una resistencia, Pi=(Vi)2/Ri, entonces sustituyendo en 3.2, se obtiene

1.3.- Anlisis de baja frecuencia: Diagrama de Bode

En la regin de baja frecuencia, los condensadores externos de acoplo y desacoplo fijan la frecuencia de corte inferior. Los modelos que se utilizan para determinar esta L estn basados en el anlisis de redes RC. En la red RC es fcil observar que el condensador se comporta como un cortocircuito a frecuencias muy altas y un circuito abierto a frecuencias muy bajas. En general, la relacin entre la tensin de salida y entrada se expresa como

La magnitud de la relacin es

La frecuencia de corte inferior, L, se define como a la frecuencia a la cual |Av| decae en 1/raz de 2, es decir,

En trminos de decibelios sera equivalente a:

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Es decir, L se define como la frecuencia a la cual decae en 3 dB la ganancia del circuito respecto a la ganancia a frecuencias medias (Av=1).

La magnitud y fase de esta expresin compleja es

Desarrollando la expresin de la magnitud en trminos de dB se obtiene

Para frecuencias bajas en donde <<< L (es decir, L/ >>>1) entonces la anterior expresin se reduce a

1.4.-Respuesta a baja frecuencia de amplificadores bsicos

La red RC analizada en el apartado anterior constituye una buena base para extender los conceptos establecidos al caso de amplificadores con condensadores externos de acoplo y desacoplo. Cuando se analiza los efectos de un condensador para determinar la L de un amplificador, las reactancias del resto de los condensadores son muy bajas, prcticamente un cortocircuito, en comparacin con las impedancias del circuito. Bajo esta hiptesis, se puede deducir una ecuacin basada en el principio de superposicin en la cual la L se obtiene analizando la aportacin individual de cada uno de los condensadores supuesto el resto de los condensadores externos en cortocircuito. La expresin de la frecuencia de corte de un amplificador es:
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Donde Ci es un condensador externo y Rio la resistencia vista a travs de los terminales de este condensador, supuesto el resto de condensadores externos en cortocircuito. Una justificacin intuitiva se podra obtener analizando una red RC con mltiples condensadores y bajo la hiptesis de polo dominante, a esta red resultara

Siendo Li la aportacin individual del condensador i a la frecuencia de corte inferior. Aparece un amplificador bipolar con tres condensadores externos CS, CE y CC. La L viene dada por tres trminos:

1.5.-Teorema de Miller
En el comportamiento de alta frecuencia de un amplificador es importante las capacidades inter-terminales asociadas a los dispositivos activos. En amplificadores mono etapa inversores cuya ganancia est desfasada 180 (Av es negativa) la capacidad de realimentacin conectada entre la entrada y la salida influye de una manera significativa sobre la frecuencia de corte superior y limita su ancho de banda. Este fenmeno se denomina efecto Miller. Se la aplicacin del teorema de Miller sobre la capacidad C. Esta Electrnica Bsica para Ingenieros 50 I.S.B.N.: 84-607-1933-2 Depsito Legal: SA-1382001capacidad de realimentacin se puede descomponer en dos, C1y C2, resultando el circuito equivalente de la derecha. A la capacidad C1 se le denomina capacidad de entrada Miller e indica que en un amplificador inversor la capacidad de entrada se incrementa en un trmino que depende de la ganancia del amplificador y de la capacidad conectada entre los terminales entrada y salida del dispositivo activo. Obsrvese que si Av>>1, entonces C1Av C y C2C.

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2.-Marco practico. 2.1.-MATERIALES. TRANSISTOR un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales.
Es

RESISTENCIAS Componente electrnico diseado para introducir una resistencia elctrica determinada entre dos puntos de un circuito.

CONDENSADORES Es un dispositivo pasivo, utilizado en electricidad y electrnica, capaz de almacenar energa sustentando un campo elctrico.

OSCILOSCOPIO Un osciloscopio es un instrumento de medicin electrnico para la representacin grfica de seales elctricas que pueden variar en el tiempo.

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TESTER Es un instrumento elctrico porttil para medir directamente magnitudes elctricas como corrientes y potenciales (tensiones) o pasivas como resistencias, capacidades y otras.

PROTOBOARD Es un tablero con orificios conectados elctricamente entre s, habitualmente siguiendo patrones de lneas, en el cual se pueden insertar componentes electrnicos y cables para el armado y prototipo de circuitos electrnicos y sistemas similares.

2.2.-Calcular los componentes para determinar la respuesta de frecuencia en una frecuencia dada con un transistor bipolar. TABLA Re = Ve/Icq Rc = (Vcc-Vce-Ve)/10 mA Rb = 2v 800 => (1K) 6.4 K

2.3.- Determinar la respuesta en baja frecuencia para el amplificador de la figura 1 cuando C2=2uF,R1=1 K, Re=200, C1=4uF, Rl=2k, Beta=100 y Vcc=20 v.

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TABLA DE DATOS

R1 R2 Rc Re Rl Vcc C1 C2

100 6.4 K 1 K 1 K 200 1 K 20 v 4 uF 2 uF

TABLA DE RESULTADOS ECUACIONES Eth = (R2*VCC)/(R1+R2) Rth = R1//R2 Ib =( Eth - Vbe)/( Rth+( +1)Re) Ic = * Ib Vce= Vcc- Ic(Rc+Re) Vb =(R2/R1+R2)*Vcc Ve =Vb-Vbe Ie = Ve/ Re re = 26mA/Ie Zi = (Rth// *re) Zo = Rc Av= -Rc/re Vi/Vs= Zi/( Zi+Rs) Avs = Av*(Vi/Vs) Fls = 1/(2 (Rs+Ri)Cs) Flc =1/(2 (Rc+Ri)C1) RESULTADOS 2.702 V 864.86 95.039 mA 9.503mA 8.596 V 2.70 v 2.00 v 10 mA 2.6 199.90 1k - 384.61 0.09086 - 34.94 39.74 Hz 198.94 Hz

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2.4.- Repita 2.1 con el transistor que va a usar en laboratorio. TABLA DE DATOS

151 6.4 K 1 K 1 K 220 1 K 20 v 4 uF 2 uF

R1 R2 Rc Re Rl Vcc C1 C2

TABLA DE RESULTADOS ECUACIONES Eth = (R2*VCC)/(R1+R2) Rth = R1//R2 Ib =( Eth - Vbe)/( Rth+( +1)Re) Ic = * Ib Vce= Vcc- Ic(Rc+Re) Vb =(R2/R1+R2)*Vcc Ve =Vb-Vbe Ie = Ve/ Re re = 26mA/Ie Zi = (Rth// *re) Zo = Rc Av= -Rc/re Vi/Vs= Zi/( Zi+Rs) Avs = Av*(Vi/Vs) Fls = 1/(2 (Rs+Ri)Cs) Flc =1/(2 (Rc+Ri)C1) RESULTADOS 2.70 V 864.86 58 mA 8.80 mA 9.26 V 2.70 v 2.00 v 10 mA 2.6 270.02 1k - 384.61 0.2126 - 34.94 62.66Hz 198.94 Hz

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2.5.- Grafique un Bode para 2.1 y 2.2

2.6.- Si en la figura 1 se aumenta un Ce en paralelo con Re como influye en la respuesta en frecuencia? cuando Ce=1uF, 10uF y 100 uF.

TABLA DE RESULTADOS CUANDO Ce=1uF ECUACIONES Eth = (R2*VCC)/(R1+R2) Rth = R1//R2 Ib =( Eth - Vbe)/( Rth+( +1)Re) Ic = * Ib Vce= Vcc- Ic(Rc+Re) Vb =(R2/R1+R2)*Vcc Ve =Vb-Vbe Ie = Ve/ Re re = 26mA/Ie Zi = (Rth// *re) Zo = Rc Av= -Rc/re Vi/Vs= Zi/( Zi+Rs) Avs = Av*(Vi/Vs) Fls = 1/(2 (Rs+Ri)Cs) Flc =1/(2 (Rc+Ri)C1) F1 =Fle= 1/(2 (Re*Ce) RESULTADOS 2.702 V 864.86 95.039 mA 9.503mA 8.596 V 2.70 v 2.00 v 10 mA 2.6 199.90 1k - 384.61 0.09086 - 34.94 39.74 Hz 198.94 Hz 795.577 Hz

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TABLA DE RESULTADOS CUANDO Ce=10uF ECUACIONES Eth = (R2*VCC)/(R1+R2) Rth = R1//R2 Ib =( Eth - Vbe)/( Rth+( +1)Re) Ic = * Ib Vce= Vcc- Ic(Rc+Re) Vb =(R2/R1+R2)*Vcc Ve =Vb-Vbe Ie = Ve/ Re re = 26mA/Ie Zi = (Rth// *re) Zo = Rc Av= -Rc/re Vi/Vs= Zi/( Zi+Rs) Avs = Av*(Vi/Vs) Fls = 1/(2 (Rs+Ri)Cs) Flc =1/(2 (Rc+Ri)C1) F1 =Fle= 1/(2 (Re*Ce) RESULTADOS 2.702 V 864.86 95.039 mA 9.503mA 8.596 V 2.70 v 2.00 v 10 mA 2.6 199.90 1k - 384.61 0.09086 - 34.94 39.74 Hz 198.94 Hz 79.577 Hz

TABLA DE RESULTADOS CUANDO Ce=100uF ECUACIONES Eth = (R2*VCC)/(R1+R2) Rth = R1//R2 Ib =( Eth - Vbe)/( Rth+( +1)Re) Ic = * Ib Vce= Vcc- Ic(Rc+Re) Vb =(R2/R1+R2)*Vcc Ve =Vb-Vbe Ie = Ve/ Re re = 26mA/Ie Zi = (Rth// *re) Zo = Rc Av= -Rc/re Vi/Vs= Zi/( Zi+Rs) Avs = Av*(Vi/Vs) Fls = 1/(2 (Rs+Ri)Cs) Flc =1/(2 (Rc+Ri)C1) F1 =Fle= 1/(2 (Re*Ce) RESULTADOS 2.702 V 864.86 95.039 mA 9.503mA 8.596 V 2.70 v 2.00 v 10 mA 2.6 199.90 1k - 384.61 0.09086 - 34.94 39.74 Hz 198.94 Hz 7.957 Hz

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2.7.- Simulacin de computadora.

3.-Laboratorio. 3.1.- Arme el circuito de la figura 1.

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3.2.-Tome medidas con el tester para la polarizacin. TABLA DE DATOS PRACTICOS ECUACIONES Eth = (R2*VCC)/(R1+R2) Rth = R1//R2 Ib =( Eth - Vbe)/( Rth+( +1)Re) RESULTADOS 2.702 V 864.86 95.039 mA 9.503mA 8.596 V 2.70 v 2.00 v 10 mA 2.6 199.90 1k - 384.61 0.09086 - 34.94 39.74 Hz 198.94 Hz

Ic = * Ib Vce= Vcc- Ic(Rc+Re) Vb =(R2/R1+R2)*Vcc Ve =Vb-Vbe Ie = Ve/ Re re = 26mA/Ie Zi = (Rth// *re) Zo = Rc Av= -Rc/re Vi/Vs= Zi/( Zi+Rs) Avs = Av*(Vi/Vs) Fls = 1/(2 (Rs+Ri)Cs) Flc =1/(2 (Rc+Ri)C1)

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3.3.- Medicin con el osciloscopio de las formas de onda.

4.3.- Errores de medicin. Calculo de componentes (resistencias) Calibracin de instrumentos 4.4.-Puntos para minimizar los errores. Hacer un buen calculo para iniciar con las mediciones Verificar q los instrumentos estn calibrados Verificar lo batera de los instrumentos 4.5.-CONCLUSIONES. -No pudimos concluir el laboratorio por un problema que no pudimos detectar en el circuito el cual no daba voltaje de amplificacin. -No obstante se pudo detectar los errores en los clculos realizados el cual nos trajo un mejor entendimiento en la respuesta de baja frecuencia para los transistores bjt.
5.- BIBLIOGRAFIA. http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/el%20transistor.pdf/07/04/2013 http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor/04/07/2013

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