Dispositivo capaz de almacenar informacin(Datos e Instrucciones): Operaciones:

Escritura Lectura

Celdas de memoria: circuito electrnico que se usa para almacenar un solo bit. Palabra de memoria: grupo de celdas NIBBLE BYTE WORD

numero de bits que se almacena=N Palabras* N bits de cada palabra

Capacidad de direccionamiento Es la capacidad de almacenamiento de las posiciones de acuerdo a los bits del bus

DIRECCIN: numero que identifica la localidad de una palabra en memoria.

 tiempo de acceso: tiempo que pasa desde que empieza hasta que concluye una operacin Tiempo de ciclo: tiempo que pasa desde que empieza una operacin hasta que se empieza con la siguiente. Velocidad de ciclo: numero de palabras que se pueden leer o escribir por unidad de tiempo.

Voltil

retiene Informacin mientras reciba alimentacin elctrica

No voltil

Retiene Informacin aun cuando no este alimentado elctricamente

Memorias principales

Flash, disco duro

Numero entero=70960543 Complemento a 2=0x043AC59F Almacena en posicin=0x00001000

BIG ENDIAN

LITTLE ENDIAN

BLOQUES Va a una direccin dada seguida x una bsqueda secuencial

SECUENCIAL Lee los datos que estn antes que l

DIRECTO Poseen direcciones nicas

RANDOM

FORMAS DE ACCESO

ASOCIATIVA Una palabra es recuperada en base a su contenido

Asncronas

No utilizan reloj para la lectura y escritura de datos interno

RAM,ROM

sncronas

Utilizan un reloj para alcanzar mayor velocidad. DDR y sus variedades

Tipo de memoria Tipo RAM RAM EDO RAM BEDO RAM DRAM

Significado "Random Access Memory", memoria de acceso aleatorio

Descripcin Memoria primaria de la computadora, en la que puede leerse y escribirse informacin en cualquier momento, pero que pierde la informacin al no tener alimentacin elctrica.

"Extended Data Out Random Access Tecnologa opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que permite acortar el camino de la transferencia Memory", memoria de acceso aleatorio con de datos entre la memoria y el microprocesador. salida de datos extendida "Burst EDO Random Access Memory", Tecnologa opcional; se trata de una memoria EDO RAM que mejora su velocidad gracia al acceso sin latencias a memoria de acceso aleatorio con salida de direcciones contiguas de memoria. datos extendida y acceso Burst "Dinamic Random Access Memory", memoria dinmica de acceso aleatorio "Synchronous Dinamic Random Access Memory", memoria dinmica de acceso aleatorio Es el tipo de memoria mas comn y econmica, construida con capacitores por lo que necesitan constantemente refrescar el dato que tengan almacenado, haciendo el proceso hasta cierto punto lento. Tecnologa DRAM que utiliza un reloj para sincronizar con el microprocesador la entrada y salida de datos en la memoria de un chip. Se ha utilizado en las memorias comerciales como SIMM, DIMM, y actualmente la familia de memorias DDR (DDR, DDR2, DDR3, GDDR, etc.), entran en esta clasificacin.

SDRAM

FPM DRAM RDRAM

"Fast Page Mode Dinamic Random Access Tecnologa opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que aumenta el rendimiento a las direcciones Memory", memoria dinmica de paginacin mediante pginas. de acceso aleatorio "Rambus DRAM", memoria dinmica de acceso aleatorio para tecnologa Rambus Memoria DRAM de alta velocidad desarrollada para procesadores con velocidad superior a 1 GHz, en esta clasificacin se encuentra la familia de memorias RIMM.

Memoria RAM muy veloz y relativamente cara, construida con transistores, que no necesitan de proceso de refresco SRAM / Cach "Static Random Access Memory", memoria de datos. Anteriormente haba mdulos de memoria independientes, pero actualmente solo se encuentra integrada esttica de acceso aleatorio dentro de microprocesadores y discos duros para hacerlos mas eficientes. Tipo ROM ROM PROM EPROM

"Read Only Memory", memoria de solo lectura

"Programmable Read Only Memory", memoria programable de solo lectura

Memoria que permite un nmero indeterminado de lecturas pero no puede ser modificada. Memoria ROM que permite una programacin y posteriormente un nmero indeterminado de lecturas pero no puede ser modificada.

"Erasable Programmable Read Only Memoria PROM que permite reprogramacin por medio de un dispositivo especial y borrado por medio de luz Memory", memoria programable y borrable ultravioleta. de solo lectura "Electrically Erasable Programmable Read Evolucin de las memorias EROM que permite alterar su contenido por medio de seales elctricas. Es la mas Only Memory", memoria elctricamente utilizada en las computadoras actuales para albergar el SetUp de la computadora. programable y borrable de solo lectura "Flash NAND", el trmino Flash es debido a la alta velocidad que puede manejar y Memoria que permite almacenar datos y mantenerlos almacenados sin necesidad de alimentacin elctrica hasta por NAND a un tipo de conexin especial de 10 aos. Se utiliza en las memorias USB, memorias SD, MemoryStick de Sony, unidades SSD, e incluso para BIOS, etc. sus elementos electrnicos (Compuerta tipo NAND)

EEPROM Tipo Flash

Flash NAND

Tipo Swap Se trata de una simulacin de RAM en un rea de un disco duro, lo cul no permite que se detengan servicios al escasear memoria RAM pero ralentiza a la computadora. Tambin se puede actualmente crear SWAP en una memoria USB, utilizando el software ReadyBoost de Microsoft Windows Vista u otros programas para Microsoft

Swap / Virtual De intercambio memoria virtual Memory

Entre estas podemos clasificarlas:

De lectura y escritura (RAM) Estticas (SRAM) Dinmicas o con refresco (DRAM) De slo lectura ROM (Read Only Memory) PROM (Programmable Read Only Memory) EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) EEROM (Electricaly Erasable Read Only Memory)

Tiempo de acceso independiente a la posicion

1.

Cdigo binario del registro de direcciones al bus de direcciones Orden de lectura Copia del bit (no destructiva) se carga al registro de datos
Decodificacin de ese cdigo

2. 3.

DRAM (Dynamic RAM) VRAM (Vdeo RAM) SRAM (Static RAM) FPM (Fast Page Mode) EDO (Extended Data Output) BEDO (Burst EDO) SDRAM (Synchronous DRAM) DDR SDRAM SDRAM II (Double Data Rate SDRAM) PB SRAM (Pipeline Burst SRAM) RAMBUS ENCAPSULADOS SIMM (Single In line Memory Module) DIMM (Dual In line Memory Module) DIP (Dual In line Package) Memoria Cach RAM Cach RAM Disk

DRAM (Dynamic RAM)

tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos Un bit de RAM esttica se construye con un --- como circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basndose en cual de los dos transistores es activado

SRAM (Static RAM)

de gran capacidad pero que precisa ser constantemente refrescada (re-energizada) Generalmente usa un transistor y un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser energizados cientos de veces por segundo para mantener las cargas

65 nm nanotechnology

Imgenes obtenidas con TEM (Transmission Electron Microscope) de una cepa del virus de la gripe, y de un transistor construido con la tecnologa de 65 nm utilizada desde el ao 2005 en el Procesador Pentium IV y posteriores.

CAS RAS
Cd

Buffer
Transistor

Bit de datos de salida al bus

Diagrama de un bit elemental de DRAM (Dynamic RAM).

Almacena la informacin como una carga en una capacidad espuria de un transistor. Una celda (un bit) se implementa con un solo transistor mxima capacidad de almacenamiento por chip. Ese transistor consume mnima energa Muy bajo consumo. Al leer el bit, se descarga la capacidad necesita regenerar la carga aumenta entonces el tiempo de acceso de la celda.

Lnea de Bit

Lnea de Bit Seleccin

Diagrama del biestable de un bit bsico de SRAM (Static RAM).

Almacena la informacin en un biestable. Una celda (un bit) se compone de seis transistores menor capacidad de almacenamiento por chip. 3 transistores consumen energa mxima en forma permanente y los otros 3 consumen mnima energa Mayor consumo La lectura es directa y no destructiva tiempo de acceso muy bajo

Procesador
CONTROL ADDRESS DATOS
Bus Local del Procesador

Desde fines de los aos 80, los procesadores desarrollaban velocidades muy superiores a los tiempos de acceso a memoria. En este escenario, el procesador necesita generar wait states para esperar que la memoria est lista (READY) para el acceso. Tiene sentido lograr altos clocks en los procesadores si no puede aprovecharlos por tener que esperar (wait) a la memoria?

Bus de Control

Buffer de Buffer de Datos Address

BUS DEL SISTEMA

Memoria del Sistema

E/S del Sistema

Se compone de celdas de memoria construidas con condensadores. Las celdas de memoria son de fabricacin ms sencillas en comparacin a las SRAM, lo cual permite construir memorias de gran capacidad.

REFRESCADO
Circuito de refrescado includo en un chip Una tcnica
Deshabilitar el chip DRAM mientras se refrescan todas las celdas Recorre todos los valores de la fila Lee y escribe de nuevo

Lleva tiempo Aparentemente baja el rendimiento

MAG.MIGUEL CAMARENA INGARUCA

32

Se compone de celdas formadas por flipflops (biestables) construidos generalmente con transistores MOSFET

Memori a SRAM

Ventajas Velocidad de acceso alta Para retener los datos solo necesita estar polarizada Son mas fciles de disear

Desventajas Menor capacidad, una celda de almacenamiento necesita mas transistores Mayor costo por bit Mayor consumo de potencia

DRAM

Mayor densidad y La velocidad de acceso es capacidad baja Menor costo por bit Necesita recargar la Debido Menor al consumo dede fabricacin informacin (refrescar) alto coste de la SRAM ya potencia para retenerla su alta velocidad, su uso ms comn est en la Diseo complejo memoria cach de los ordenadores

La memoria ROM, (read-only memory) o memoria de slo lectura, es la memoria que se utiliza para almacenar los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los diagnsticos. La mayora de los ordenadores tienen una cantidad pequea de memoria ROM (algunos miles de bytes). Puesto que la memoria ROM tambin permite acceso aleatorio, si queremos ser precisos, la memoria RAM debera llamarse memoria RAM de lectura y escritura, y la memoria ROM memoria RAM de slo lectura

PROM:
por las siglas de Programmable Read Only memory, en castellano ROM programable, se caracteriza por ser digital. En ella, cada uno de los bits depende de un fusible, el cual puede ser quemado una nica vez. La memoria PROM es utilizada en casos en que los datos necesiten cambiarse en todos o la mayora de los casos.

EPROM:

por las siglas en ingls de Erasable Programmable Read-Only Memory, en castellano, ROM programable borrable de slo lectura. Esta memoria ROM es un chip no voltil y est conformada por transistores de puertas flotantes o celdas FAMOS que salen de fbrica sin carga alguna. Esta memoria puede programarse a travs de un dispositivo electrnico cuyos voltajes superan a los usados en circuitos electrnicos.

Ejemplo memoria OTP EPROM

EEPROM:

por las siglas en ingls de Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, en castellano ROM programable y borrable elctricamente. Esta memoria, como su nombre indica puede ser programada, borrada y reprogramada elctricamente y no con rayos ultravioleta, como en el caso de las EPROM, lo que hace que resulten no voltiles. Adems de tener las puertas flotantes, como las anteriores, cuenta con una capa de xido ubicado en el drenaje de la celda MOSFET, lo que permite que la memoria pueda borrarse elctricamente.

derivada de la memoria EEPROM permite la lectura y escritura de mltiples posiciones de memoria en la misma operacin. Gracias a ello, la tecnologa flash, siempre mediante impulsos elctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnologa EEPROM primigenia

Las memorias en disco ptico almacenan informacin usando agujeros minsculos grabados con un lser en la superficie de un disco circular. La informacin se lee iluminando la superficie con un diodo lser y observando la reflexin. Los discos pticos son no voltil y de acceso secuencial
CD, CD-ROM, DVD: Memorias de simplemente solo lectura CD-R, DVD-R, DVD+R: Memorias de escritura nica CD-RW, DVD-RW, DVD+RW, DVD-RAM: Memoria de escritura lenta y lectura rpida. Blu-ray: Formato de disco ptico pensado para almacenar vdeo de alta calidad y datos. HD DVD

Las Memorias de disco magneto ptico son un disco de memoria ptica donde la informacin se almacena en el estado magntico de una superficie ferromagntica. La informacin se lee pticamente y se escribe combinando mtodos magnticos y pticos. Las memorias de discos magneto pticos son de tipo no voltiles, de acceso secuencial, de escritura lenta y lectura rpida

Memoria pequea y rpida situada en el procesador y la memoria principal Almacena una copia de la informacin ms recientemente utilizadada Disminuye el tiempo de acceso a memoria Objetivo: Dar la impresin de que las referencias a memoria se realizan a una velocidad muy cercana a la del procesador

palabras

bloques

Tag

Lnea

Direccin
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Lnea

Lnea: Elemento mnimo de palabra de datos dentro del cache. Corresponde a un mltiplo del tamao de la palabra de datos de memoria. Razn: Cuando se direcciona un tem en memoria generalmente se requerir de los tem que lo rodean (Principio de vecindad espacial)

Ancho de palabra

Bit de validez del Tag Tag 17 bits Set 0

Bits de validez de las lneas

1 Lnea = 4 bytes
Lnea
Lnea

Set 1

32 Kbytes (igual tamao que el de la cache)

Pag.217 -1 Set 1023 Directorio de Cach Interno Memoria Cach Pag.0 4 Gbytes de Memoria Principal

Cach Address (1 de 8 KLneas)

A 31

A 15 A 14

A5A4 A 2

Tag de 17 bits (1 de las 217 pginas)

Set Address (1 de 1024 sets) Selector de Lnea (1 de 8 lneas)

Bit de validez del Tag 0 1 Bits de validez de la lnea

Nro de Set

1023
Directorio de Cach Interno

Interna
Una para datos y otra para instrucciones. Estn incluidas en el procesador junto con su circuitera de control, lo que significa tres cosas: comparativamente es muy cara; extremadamente rpida, y limitada en tamao Como puede suponerse, su velocidad de acceso es comparable a la de los registros, es decir, centenares de veces ms rpida que la RAM.

Externa

Es ms antigua que la interna, dado que hasta fecha "relativamente" reciente estas ltimas eran impracticables. Es una memoria de acceso rpido incluida en la placa base, que dispone de su propio bus y controlador independiente que intercepta las llamadas a memoria antes que sean enviadas a la RAM La cach externa tpica es un banco SRAM ("Static Random Access Memory") de entre 128 y 256 KB. Esta memoria es considerablemente ms rpida que la DRAM ("Dynamic Random Access Memory") convencional, aunque tambin mucho ms cara Actualmente la tendencia es incluir esta cach en el procesador.

Se aade un segundo nivel de cach fuera del chip (L2) con un tiempo de acceso menor que el de la memoria principal. Cuando ocurre un fallo en la cach primaria (L1), se accede a la cach secundaria (L2) para buscar los datos.

CPU

Cach L1

Si estn all se reduce la penalizacin de fallo. Si no estn accedemos a la memoria principal.

Cach L2

Normalmente la L1 es de pequeo tamao y con asociatividad 2 o 4, mientras que la L2 es grande y con asociatividad 2, como mucho.

Memoria principal

CPU

CPU

Cach de instrucciones

Cach de datos

Cach unificada

Memoria principal

Memoria principal

Intel Pentium II

MEMORIAS CACH EN MICROPROCESADORES ACTUALES

Intel Pentium VI

MEMORIAS CACH EN MICROPROCESADORES ACTUALES

Intel Itanium 2
L1I +L1D - 16k bytes por cach - Asociativa por conjuntos: 4 lneas L2 - 256k bytes - Asociativa por conjuntos: 8 lneas L3 - 6 M bytes - Asociativa por conjuntos: 12 lneas

TIPOS DE CACH
En un PC existen muchos otros sistemas de cach, como: unidades de almacenamien to

Memoria RAM como cach:

discos duros, discos flexibles, etc.

Disco duro como cach:

Se emplea al disco duro

unidades CD-ROM

Los navegadores Web: utilizan el disco duro como cach.

TIPOS DE MEMORIA CACHE SEGN EL MODO DE TRADUCCIN

Modo de traduccin de las direcciones de memoria principal o direcciones de memoria cache estas se clasifican en: correspondencia directa cada bloque debe ir solamente en un lugar dentro de la cache asociativa un bloque puede ubicarse en cualquier lugar de la cache asociativa por conjuntos un bloque puede ser colocado en un grupo restringido de lugares de la cache un conjunto es un grupo de dos o ms marcos (bloques) de la cache

DIVISION DE LA MEMORIA CAHE

PAGINA

FUNCIONAMIENTO CACHE DE CORRESPONDENCIA DIRECTA 1

FUNCIONAMIENTO CACHE DE CORRESPONDENCIA DIRECTA 2

FUNCIONAMIENTO CACHE DE CORRESPONDENCIA DIRECTA 3

FUNCIONAMIENTO CACHE DE CORRESPONDENCIA DIRECTA 4

FUNCIONAMIENTO CACHE DE CORRESPONDENCIA DIRECTA 5

FUNCIONAMIENTO CACHE DE CORRESPONDENCIA DIRECTA 6

FUNCIONAMIENTO CACHE DE CORRESPONDENCIA DIRECTA 7

FUNCIONAMIENTO CACHE DE CORRESPONDENCIA DIRECTA 8

FUNCIONAMIENTO CACHE DE CORRESPONDENCIA DIRECTA 9

CACHE HIT Y MISS

Mapa de Memoria: espacio direccionable (2n) Acierto (hit) : un acceso a un bloque de memoria que se encuentra en el nivel superior Fallo (miss) : el bloque no se encuentra en ese nivel Frecuencia de aciertos : fraccin de accesos a memoria encontrados en el nivel superior

Frecuencia de fallos (1 - frecuencia de aciertos) : fraccin de accesos a memoria no encontrados en el nivel superior

ORGANIZACIN TOTALMENTE DE LA CACHE ASOCIATIVA

MEMORIA CACHE PERDIDA DE PGINA(cache MISS)

Ocurre cuando se referencia a una direccin virtual y ella no reside en la memoria real, se presenta una interrupcin MISS PAGE(cache

miss).

DIRECCION VIRTUAL

HD
TABLA DE PAGINAS

MP

ALGORITMO ESTADISTICO

MEMORIA CACHE

Fallos de pgina
Se produce cuando el bit de presencia est en off (0) Quiere decir que la pgina no est en M.P. Acudir al nivel superior de memoria (disco) Transferirla a M.P.

MEMORIA VIRTUAL
Concepto de Memoria Virtual: Mtodo para conseguir que
la suma de los espacios de pila, datos y texto de un programa pueda ser mayor que el tamao fsico de la memoria disponible para l. (Fotheringham, 1961) Cada proceso se asigna un rea de direcciones contiguo. El SO mantiene en memoria solamente las partes del programa que se estn utilizando y mantiene en disco (intercambiadas) el resto. Sirve para sistemas mono y multiprogramados Permite optimizar el uso de la memoria, al mantener en disco partes del proceso poco usadas (rutinas de atencin a errores poco frecuentes, funciones de uso espordico, datos no usados, ) La memoria virtual se implementa normalmente mediante paginacin

MEMORIA VIRTUAL
Es una memoria lgica, parte va a la memoria y parte a la memoria virtual. Una memoria virtual es aquella memoria lgica que dispone una computadora, que le permite al programador disponer de una memoria mucho ms grande que la que dispona. Memoria Virtual

0000
Mapa Fsico (Real) Memoria Fsica (VLS2)

00000000 Memoria Lgica (Disco)

Mapa Lgico (Virtual)

FFFF

FFFFFFFF

MEMORIA VIRTUAL
Ejemplos de tamaos de pginas
Computadora
Atlas Honeywell-Multics IBM 370/XA y 370/ESA Familia VAX IBM AS/400 DEC Alpha MIPS UltraSPARC Pentium Power Pc

Tamao de pgina
512 palabras de 48 bits 1.024 palabras de 36 bits 4 Kbytes 512 bytes 512 bytes 8 Kbytes de 4 Kbytes a 16 Mbytes de 8 Kbytes a 4 Mbytes de 4 Kbytes a 4 Mbytes 4 Kbytes

MEMORIA VIRTUAL

MEMORIA VIRTUAL
La

paginacin remedia la fragmentacin externa, pero no la fragmentacin interna. Un intento de acceso a una pgina virtual que no est asociada a un marco produce un sealamiento al SO (trap), llamado fallo de pgina.
Como respuesta al fallo de pgina, el SO:
1. selecciona una pgina poco usada del proceso 2. Intercambia la pgina a disco 3. Asigna el marco de la pgina liberada a la pgina virtual que se intenta acceder

Paginacin

Esto supone una forma de reasignacin dinmica por bloques de las direcciones de memoria del proceso

Unidad de Manejo de Memoria (MMU)

Veamos cmo se gestiona la ocurrencia de un fallo de pgina: La MMU genera una excepcin. Normalmente deja en un registro especial la direccin que caus el fallo Se activa el SO, que comprueba:

Si la pgina es invlida, se aborta el proceso (solucin normal, aunque tambin podra bastar con el envo de una seal). Si la pgina es ausente se siguen los pasos siguientes:

a) Se consulta la tabla de marcos para ver si hay algn hueco libre:

i. Si no hay ningn marco libre se aplica el algoritmo de reemplazo, que decidir el marco a desalojar. La pgina almacenada hasta entonces se marca como invlida. Si ha sido modificada, antes hay que salvar su contenido en memoria secundaria ii. Si hay marco libre: se inicia la lectura desde memoria secundaria y se vuelca al marco, marcndose como vlida dicha entrada en la TP y apuntando el marco en que est almacenada

Existen distintos tipos de memoria virtual y estos se diferencian por sus polticas de desplazamiento y por los mtodos que emplean en la organizacin de la memoria. Las ms importantes tenemos:
Memoria paginada Memoria segmentada Memoria de segmentos paginados

PAGINADA Correspondencia Directa Segmentada De Segmentos Paginados

S. O.
Programa Referencia 1 LOAD M 6 Reiniciar la instr. 5
0

La pgina est en memoria auxiliar

2 Excepcin

Memoria secundaria

Marco libre 4 Cargar la Actualizar la pgina que tabla de pginas falla

Tabla de pginas

Memoria principal

p #pag Desplazamiento

101 01010100111 000 001 010 011 100 11 00 0 1 1

Direccin Virtual Memoria Principal(parte)

BLOQUE 1 01 0101010011
Registro de Direccin de Memoria Principal Direccin Fsica
ACIERTO FALLO

00 01 10 11

0
0 01 10 1 1

BLOQUE 2 BLOQUE 3 BLOQUE 4 Buffer de

101
110 111

0
01 1

PAGINADA Correspondencia Asociativa Segmentada De Segmentos Paginados

DIRECCION VIRTUAL

npv
N de pgina virtual

d
Desplazamiento

MEMORIA ASOCIATIVA

Pgina Fsica 0
Pgina Fsica 1 Pgina Fsica 2

Pgina Virtual
Pgina Virtual Pgina Virtual

Error de acceso Falta de pgina

---------Pgina Fsica N Pgina Fsica

---------Pgina Virtual Desplazamiento

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DIRECCION FISICA

CACHE DE MAPEO ASOCIATIVO

MEMORIA VIRTUAL
Pgina Direccin lgica

1er nivel

2 nivel

Byte
0 1 2 3

Marcos de pgina

0 1 2 3

Registro base de la TP (RIED)

n 0 1 2 3

MP: direcciones fsicas

Fallos de pgina
Se produce cuando el bit de presencia est en off (0) Quiere decir que la pgina no est en M.P. Acudir al nivel superior de memoria (disco) Transferirla a M.P.

PROCESAMIENTO DE FALLOS

Cuando se usa Memoria Virtual, o cuando una direccin es leda o escrita por la CPU, una parte del hardware dentro de la computadora traduce las direcciones de memoria generadas por el software (direcciones virtuales) en:
Memoria generada por el software

la direccin real de memoria (la direccin de memoria fsica)

una indicacin de que la direccin de memoria deseada no se encuentra en memoria principal (llamado excepcin de memoria virtual)

92

En sistemas operativos de computadoras, los sistemas de paginacin de memoria dividen los programas en pequeas partes o pginas. Del mismo modo, la memoria es dividida en trozos del mismo tamao que las pginas llamados marcos de pgina.

Como todos sabemos virtual significa falso, irreal, ficticio de ah el nombre de memoria virtual (porque no es autntica memoria RAM). Pero... porqu se llama espacio privado de direcciones virtuales? Pues porque es un rango de direcciones falso. Simplemente se trata de una numeracin que Windows asigna a las pginas de memoria

Existen otras funciones que nos permiten realizar otras tareas con la memoria virtual:
VirtualLock Bloquea un grupo de pginas (previamente comprometidas) en memoria fsica
VirtualUnlock Desbloquea un grupo de pginas que han sido previamente bloqueadas con VirtualLock

VirtualProtect VirtualProtect Cambiael elestado estadode de Cambia proteccinde deun un proteccin grupode depginas pginasdel del grupo procesoactivo activo proceso

VirtualProtectEx Cambia el estado de proteccin de un grupo de pginas de un proceso dado

VirtualQuery Consulta el estado y el tipo de un grupo de pginas del proceso activo.

VirtualQuery Consulta el estado y el tipo de un grupo de pginas del proceso activo.