MOSFET

Caractersticas:
Es un dispositivo de tres terminales, con uno de ellos el de puerta o GATE, que efecta el control de la corriente por el dispositivo, que se efecta del terminal del drenador (DRAIN) al del surtidor (SOURCE). A partir de un sustrato fuertemente dopado tipo N, conectado exactamente al terminal de drenaje (D), se construye una regin tipo N de bajo dopado y, sobre esta mediante dos procesos de difusin de impurezas aceptadoras y donadoras regiones P y N+, conectadas externamente al terminal de fuente (S). La puerta (G) se realiza a partir de procesos de oxidacin (SiO2) y depsito de polisilicio.

El transistor est constituido por mltiples clulas bsicas puerta-fuente paralelo, construida sobre la regin N y distribuida por toda la extensin semiconductor. De esta forma se aumenta la conductividad a travs incremento del cociente anchura/longitud del canal de conduccin y, consecuencia, se disminuye la cada de tensin en el dispositivo

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El control que se efecta en el MOSFET de potencia es por control de la tensin de puerta Las ventajas que prestan los MOSFET de potencia se pueden reducir a: Alta impedancia de entrada, que permite un control con poca potencia. Gran velocidad de conmutacin. Fcil puesta en paralelo. Ausencia de ruptura secundaria Buena estabilidad trmica

Los inconvenientes ms importantes pueden resumirse en: Coste elevado, que cada vez tiende a disminuir. Resistencia considerable en la zona hmica.

Funcionamiento Del Componente:

Por las caractersticas constructivas delos MOSFET, la variacin de la tensin en el terminal de la puerta es reducida, no pudindose sobrepasar el valor V GS(max) indicado en las caractersticas tcnicas, normalmente de +- 20. Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente. Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad. Las limitaciones que se imponen en su funcionamiento al MOSFET de potencia son: Tensin de ruptura entre drenador-surtidor (VDS) sin que se deterioren las caractersticas del transistor. Temperatura mxima de la unin, que coincida la mxima potencia que puede disipar el dispositivo. Mxima corriente del drenador ID.

Aplicaciones Del Componente:

Los Mosfet`s de potencia son muy populares para aplicaciones de bajo voltaje, baja potencia y conmutacin a altas frecuencias, as como en fuentes de potencia conmutadas, motor de CD sin escobillas, relevadores de CD de estado slido y aplicaciones automotrices.