Leon IX : SEMI-CONDUSTEUR ET DIODES

Le but de cette leon est d'introduire la notion de semi-conducteur, de se familiariser avec la caractristique exponentielle de la jonction PN qui est au fondement du fonctionnement de la diode standard. Dans cette partie, on prsente sans l'approfondir une introduction aux semi-conducteurs et la jonction PN. La physique des semi-conducteurs, tant dans sa dimension applique que dans sa dimension recherche technologique est bien reprsente l'cole polytechnique de Lausanne. Pour les tudiants physiciens, il y a le cours de matriaux de troisime anne ainsi que celui de semi-conducteurs de quatrime anne. Ce qui importe ici est de se familiariser avec le modle exponentiel de la diode et ses diverses simplifications dans des montages trs classiques. Les exercices et le premier travail pratique du semestre y sont consacrs. ______________________________________________________

PLAN DE LA LEON IX
1. Semi-conducteurs 1.1. Introduction 1.2. Description: semi-conducteur intrinsque 1.3. Description: semi-conducteur extrinsque de type n 1.4. Description: semi-conducteur extrinsque de type p 1.5. Commentaires 2. Jonction PN 2.1. Introduction 2.2. Description 2.3. Dfinition 2.4. Assertion 2.5. Proprit 2.6. Exemple 2.7. Commentaire 4. Capacit de transition 4.1. Introduction 4.2. Assertion 4.3. Dfinition 4.4. Description 4.5. Remarque

3. Caractristique lectrique de la jonction PN 3.1. Description 3.2. Dfinition 3.3. Proprits 3.4. Dfinitions 3.5. Commentaires 5. Exercices 5.1. Exercice 5.1. 5.2. Exercice 5.2. 5.3. Exercice 5,3. 5.4. Exercice 5.4. 5.5. Exercice 5.5. 5.6. Exercice 5.6. 5.7. Exercice 5.7. 5.8. Exercice 5.8. 5.9. Exercice 5.9.

6. Corrigs

1. SEMI-CONDUSTEUR :
1.1. Introduction : Cette section, essentiellement descriptive, a pour objet de donner au lecteur des modles simples de semi-conducteurs intrinsques et extrinsques de type n ou de type p. La connaissance de ces modles permet, par la suite, de rendre compte du comportement des dispositifs semi-conducteurs tels que diode, transistor bipolaire, transistors effet de champ, etc. 1.2. Description: semi-conducteur intrinsque Un cristal de semi-conducteur intrinsque est un solide dont les noyaux atomiques sont disposs aux noeuds d'un rseau gomtrique rgulier. La

cohsion de cet difice est assure par les liens de valence qui rsultent de la mise en commun de deux lectrons appartenant chacun deux atomes voisins de la maille cristalline. Les atomes de semi-conducteur sont ttravalents et le cristal peut tre reprsent par le rseau de la figure 1:

Figure 1: semi-conducteur intrinsque

Dfinitions : L'lectron qui possde une nergie suffisante peut quitter la liaison de valence pour devenir un lectron libre. Il laisse derrire lui un trou qui peut tre assimil une charge libre positive; en effet, l'lectron quittant la liaison de valence laquelle il appartenait dmasque une charge positive du noyau correspondant. Le trou peut tre occup par un autre lectron de valence qui laisse, son tour, un trou derrire lui: tout se passe comme si le trou s'tait dplac, ce qui lui vaut la qualification de charge libre. La cration d'une paire lectron libre-trou est appele gnration alors qu'on donne le nom de recombinaison au mcanisme inverse. Assertion : La temprature est une mesure de l'nergie cintique moyenne des lectrons dans le solide. On comprend ds lors que la concentration des lectrons libres et des trous dpende trs fortement de la temprature. Exemples : Le silicium a un nombre volumique d'atomes de 5 1022 par cm3. A 300K (27 C), le nombre volumique des lectrons libres et des trous est de 1,5 1010 cm-3, soit une paire lectron libre - trou pour 3,3 1012 atomes. Le nombre volumique des atomes dans le germanium est de 4,4 1022 par cm3. A 300K, le nombre volumique des lectrons libres et des trous est 2,5 1013 cm-3, soit une paire lectron libre - trou pour 1,8 109 atomes. 1.3. Description: semi-conducteur extrinsque de type n Un semi-conducteur dans lequel on aurait substitu quelques atomes ttravalents des atomes pentavalents est dit extrinsque de type n (Fig. 2)

Figure 2: semi-conducteur de type n

Quatre lectrons de la couche priphrique de l'atome pentavalent prennent part aux liens de valence alors que le cinquime, sans attache, est libre de se mouvoir dans le cristal. L'lectron libre ainsi cr neutralise la charge positive, solidaire du rseau cristallin, qu'est l'atome pentavalent ionis. Dfinitions : Le dopage est l'action qui consiste rendre un semi-conducteur extrinsque. Par extension, ce terme qualifie galement l'existence d'une concentration d'atomes trangers: on parle de dopage de type n. On donne le nom d'impurets aux atomes trangers introduits dans la maille cristalline. Dans le cas d'un semiconducteur extrinsque de type n, les impurets sont appeles donneurs car chacune d'entre elles donne un lectron libre. Modle : Les dopages courants sont d'environ 1016 1018 atomes par cm3. On peut admettre que le nombre volumique des lectrons libres est gal au nombre volumique des impurets et que le nombre volumique des trous (charges libres positives) est ngligeable. Etant donnes ces considrations, on tablit le modle de semi-conducteur reprsent la figure 3 dans lequel n'apparaissent que les charges essentielles, savoir: les lectrons libres et les donneurs ioniss. Les charges fixes sont entoures d'un cercle.

Figure 3: semi-conducteur de type n (modle)

1.4. Description: semi-conducteur extrinsque de type p

Si l'on introduit des atomes trivalents dans le rseau cristallin du semiconducteur, les trois lectrons de la couche priphrique de l'impuret prennent part aux liens de valence, laissant une place libre. Ce trou peut tre occup par un lectron d'un autre lien de valence qui laisse, son tour, un trou derrire lui. L'atome trivalent est alors ionis et sa charge ngative est neutralise par le trou (voir fig. 4). Le semi-conducteur est alors extrinsque de type p.

Figure 4: semi-conducteur de type p

Dfinition : Les impurets, dans un semi-conducteur extrinsque de type p. sont appeles accepteurs au vu de leur proprit d'accepter un lectron situ dans un lien de valence. Modle : On peut faire les mmes considrations qu'au paragraphe 1.8 concernant le nombre volumique des trous: il est approximativement gale au nombre volumique des impurets. Le nombre volumique des lectrons libres est alors considr comme ngligeable. Il s'ensuit un modle, reprsent la figure 5, dans lequel n'apparaissent que les charges prpondrantes: les trous et les accepteurs ioniss.

Figure 5: semi-conducteur de type p (modle)

1.5. Commentaire : Il faut remarquer que le semi-conducteur extrinsque, type p ou type n, est globalement neutre. On peut le comparer un rseau gomtrique dont certains noeuds sont chargs et dans lequel stagne un gaz de charges mobiles qui neutralise les charges fixes du rseau. On largit, par la suite, la notion de semi-conducteur de type n un semi-conducteur dont le nombre volumique des donneurs l'emporte sur celui des accepteurs et celle de semi-conducteur de type p un semi-conducteur dans lequel le nombre volumique des accepteurs est prpondrant. 2. JONCTION PN : 2.1. Introduction : Le dopage non uniforme d'un semi-conducteur, qui met en prsence une rgion de type n et une rgion de type p, donne naissance une jonction pn. Dans la prsente section, on tudie, qualitativement, les

phnomnes qui ont pour sige la jonction pn. On donne galement la relation exponentielle qui lie courant et tension dans une telle jonction. 2.2. Description : Soit le semi-conducteur dopage non uniforme de la figure 6 qui prsente une rgion p nombre volumique d'atomes accepteurs constant suivie immdiatement d'une rgion n nombre volumique de donneurs constant galement. La surface de transition entre les deux rgions est appele jonction pn abrupte. Du fait de la continuit du rseau cristallin, les gaz de trous de la rgion p et d'lectrons de la rgion n ont tendance uniformiser leur concentration dans tout le volume disposition. Cependant, la diffusion des trous vers la rgion n et des lectrons libres vers la rgion p provoque un dsquilibre lectrique si bien que, dans la zone proche de la jonction, la neutralit lectrique n'est plus satisfaite. On trouve, dans la rgion p, des atomes accepteurs et des lectrons, soit une charge locale ngative, et dans la rgion n, des atomes donneurs et des trous, soit une charge locale positive. Il s'est donc cr un diple aux abords de la jonction et, conjointement, un champ lectrique. Une fois l'quilibre atteint, ce champ lectrique est tel qu'il s'oppose tout dplacement global de charges libres.

Figure 6: jonction pn abrupte.

2.3. Dfinitions :
La rgion dans laquelle la neutralit n'est pas satisfaite est appele zone de dpltion ou zone de charge spatiale alors que les autres rgions sont dites rgions neutres. Le champ lectrique interne cr par le diple est nomm champ de rtention de la diffusion car il s'oppose toute diffusion des charges mobiles.

2.4. Assertion : Gnralement, la concentration des charges mobiles dans la zone de charge spatiale est ngligeable vis--vis du nombre volumique des charges fixes. On idalise cet tat de fait et l'on admet qu'il n'y a pas de charges mobiles dans la zone de dpltion (voir fig. 7).

Figure 7: charges et champ lectrique

2.5. Proprit : Il existe, entre la rgion p et la rgion n, une barrire de potentiel nergtique pour les charges mobiles. L'existence de cette barrire se traduit par une diffrence de potentiel lectrique lie au champ de rtention de la diffusion. Preuve : L'existence de la barrire de potentiel est mise en vidence par le travail Wp qu'il faut fournir pour faire passer un trou de la rgion neutre p la rgion neutre n ou pour faire passer un lectron en sens contraire (voir fig. 8)

Figure 8: grandeurs spcifiques dans une jonction pn

(1) o F' est la force oppose la force de Coulomb donne, dans le cas du trou de charge +e, par l'expression: (2) En introduisant (2) dans (1), on fait apparatre la notion de potentiel lectrique:

(3) On dsigne par UB0 la hauteur de la barrire de potentiel dans une jonction l'quilibre (voir fig. 8).

2.6. Exemple : Pour une jonction pn au silicium avec un dopage NA = 1018 cm-3 dans la rgion p et un dopage ND = 1017 cm-3 dans la rgion n, la hauteur de la barrire de potentiel 300 K (27 C) l'quilibre vaut 872 mV. 2.7. Commentaires : La hauteur de la barrire de potentiel l'quilibre est telle que les trous qui sont dans la rgion p ont une nergie moyenne qui n'est juste pas suffisante pour leur permettre de passer la barrire de potentiel. Il en va de mme pour les lectrons qui se trouvent dans la rgion n.

3. CARACTERISTIQUE ELECTRIQUE DE LA JONCTION

3.1. Description : Si l'on applique une tension U la jonction, cette tension se reporte presque entirement la zone de dpltion qui prsente une rsistivit trs grande vu la quasi-absence de charges mobiles. Une tension U ngative (voir fig. 9) renforce le champ de rtention de la diffusion et augmente, par consquent, la hauteur de la barrire de potentiel, de telle sorte qu'aucune charge libre ne traverse la zone de charge spatiale.

Figure 9: polarisation de la jonction

Au contraire, si l'on applique une tension U positive (voir fig. 9), le champ lectrique de rtention de la diffusion est diminu et les charges mobiles qui ont une nergie suprieure celle que reprsente la hauteur de la barrire de potentiel peuvent traverser la zone de charge spatiale. Il est utile, ici, de se rappeler que l'nergie moyenne des charges mobiles est lie la notion de temprature (voir 1.4) et qu' temprature donne, cette nergie est constante. 3.2. Dfinitions : L'application d'une tension qui diminue la hauteur de la barrire de potentiel par rapport l'quilibre est appele polarisation directe par opposition la polarisation inverse qui augmente la hauteur de la barrire de potentiel par rapport l'quilibre. 3.3. Proprit : Une polarisation directe permet le passage d'un courant lectrique dans la jonction alors qu'une polarisation inverse l'empche. Cette proprit est traduite par les relations:

(4)

(5) soit

(6) o (7) dont la drivation sort du cadre de cette tude. La loi exprime par la relation (6) est reprsente la
figure 10.

3.4. Dfinitions : Le courant Is est appel courant inverse de saturation; c'est la valeur asymptotique du courant I en polarisation inverse. On appelle tension thermodynamique la tension UT qui vaut (8) o k est la constante de Boltzmann, T la temprature absolue et e la charge de l'lectron. A 25 C, UT = 25mV. Le facteur n est appel coefficient d'mission. Il est voisin de 1 dans les jonctions de transistors au Si et dans les diodes au Ge. Il est compris entre 1 et 2 dans le cas de diodes au Si.

Figure 10: caractristique de la jonction

3.5. Commentaires : Le courant inverse de saturation des jonctions au Silicium est de l'ordre de grandeur de 10-12 10-15 A de telle sorte qu'on peut gnralement le considrer comme nul en polarisation inverse.

Figure 11: caractristique de la jonction

Dans les cas pratiques, U >> nUT, la relation (6) peut se mettre sous la forme approche: (9) La reprsentation semi-logarithmique de la figure 11 fait apparatre l'erreur commise en utilisant la relation (9) plutt que (6). A courant constant, la tension la jonction dcrot de 2 mV pour une augmentation de temprature de 1 C (voir fig. 10). On appelle coefficient de temprature la grandeur qui rend compte de ce phnomne:

(10) o = -2 mV / C. 4. CAPACITE DE TRANSITION 4.1. Introduction : La largeur de la zone de dpltion dpend de la hauteur de la barrire de potentiel et, par consquent, de la tension applique. Or, pour varier les dimensions de cette zone, on doit introduire ou retirer des charges mobiles qui neutralisent les charges fixes des atomes ioniss. Dans la description de la jonction en rgime dynamique, on traduit ce comportement capacitif par la notion de capacit de transition. 4.2. Assertion : La largeur l de la zone de dpltion suit la loi:

(11)

(11) dans laquelle le paramtre m est compris entre 1/3, pour une jonction progressive linaire, et 1/2, pour une jonction abrupte. 4.3. Dfinition Soit QT la charge de la zone de dpltion dans la rgion neutre n. Un accroissement dUB de la hauteur de la barrire de potentiel, gal l'accroissement dU de tension appliqu la jonction, provoque un accroissement dQT de la charge QT (voir figure 12).

Figure 12: capacit de transition

On appelle capacit de transition la capacit diffrentielle dfinie par la relation:

(12) 4.4. Description Comme pour tout condensateur plan, la capacit de transition se calcule d'aprs la relation: (13) ou est la permittivit du semiconducteur, A la section de la jonction et l la largeur de la zone de dpltion. Comme la largeur de la zone de dpltion dpend de la tension U applique (12), la capacit de transition varie galement en fonction de U selon la relation:

(14) o CT0 est la capacit de transition tension nulle; elle a pour expression:

(15) A la figure 13, on a reprsent l'allure de la capacit de transition en fonction de la tension applique la jonction.

Figure 13: capacit de transition

4.5. Remarque Dans les diodes dites VARICAP, on utilise la proprit de variation de la capacit de transition en fonction de la tension moyenne applique. On a recours de tels lments en radio, par exemple, pour raliser des circuits oscillants dont la frquence de rsonance est rgle au moyen d'une tension.

______________________________________________________

5. EXERCICES _____________
5.1. Exercice ; 5.2. Exercice ; 5.3. Exercice ; 5.4. Exercice ; 5.5. Exercice ; 5.6. Exercice ; 5.7. Exercice ; 5.8. Exercice ; 5.9. Exercice 5.1. Exercice : NONC---Corrig - On rappelle le modle exponentiel de la caractristique courant-tension de la diode :

- Reprsentez cette caractristique. - Reprsentez la caractristique simplifie correspondant au modle suivant :

5.2. Exercice : NONC---Corrig Soit le circuit diode suivant :

On veut imposer un courant I0 = 1 mA partir dune source U0 = 2 V. - En utilisant le modle exponentiel de la diode, calculez a) la chute de tension aux bornes de la diode b) la rsistance R ncessaire pour imposer le courant I0

c) la rsistance dynamique de la diode au point de fonctionnement - En utilisant le modle simplifi de la diode (UD = Uj = 0.7 V), calculez le courant I0 en prenant la mme rsistance que celle trouve prcdemment. 5.3. Exercice

NONC---Corrig
La diode Zener prsente un comportement similaire la diode normale en sens direct. Par contre en sens inverse le courant ne passe pratiquement pas jusqu' une tension dite "Zener", puis partir de cette valeur de tension, le composant prsente une rsistance dynamique pratiquement nulle.

- Reprsentez ce comportement sur un graphique courant-tension. En utilisant le modle simplifi des diodes et des diodes Zener (chute de tension constante de Uj = 0.7 V dans le sens direct et, pour les diodes Zener, chute de tension constante Uz dans le sens inverse), tudiez le comportement des circuits suivants en traant un diagramme de la tension de sortie en fonction du temps.

v1 : signal triangulaire symtrique 5 V 5.4. Exercice

NONC---Corrig
Circuit d'alimentation : la tension 220 V du rseau alimente un transformateur assurant une conversion de niveau. La diode D supprime l'alternance ngative et le condensateur C, avec la charge qu'il "voit" ont un effet de filtrage. La diode Zener DZ assure, dans certaines limites, une stabilisation de la tension de sortie V0 .

V1eff = 12 V, Uz= 10 V, Izmin = 5 mA, IL = 0 50 mA. - Dessinez l'allure de V1, V2 et V0 indiqus dans la figure, en supposant que le courant IZ ne sannule jamais et que les diodes D et DZ ont une rsistance diffrentielle nulle. - En admettant que V2 ne descend pas en dessous de 14 V, calculez R pour que le courant IZ ne descende jamais au-dessous du minimum spcifi. - Calculez la capacit de filtrage pour assurer que la tension V2 ne descend pas au-dessous de 14 V. - Dterminez les conditions de charge qui entranent un courant IZ maximum. Calculez IZmax et en dduire la puissance moyenne maximum dissipe dans la diode Zener. 5.5. Exercice

NONC---Corrig
On propose le montage suivant :

VIN = 7sin () Uj = 0.7V et VZ = 4.3V Tracez sur un mme graphe VIN et VOUT en fonction du temps. 5.6. Exercice

NONC---Corrig
On propose le montage suivant :

On donne : R1 = 1 K , R2 = 10 K , C = 1F et Uj = 0.7 V. Vin est un signal carr 1 KHz. Tracez sur un mme graphe VIN et VOUT en fonction du temps. 5.7. Exercice

NONC---Corrig
Dcrivez le fonctionnement des circuits diodes suivants :

5.8. Exercice

NONC---Corrig
Dcrivez et calculez le fonctionnement du circuit suivant :

5.9. Exercice

NONC---Corrig
Une diode lectroluminescente (LED) envoie des signaux numriques dans un canal optique, et est branche de la sorte :

R=1.2 Kohm La tension d'entre a, en moyenne, les caractristiques suivantes :

- Reprsentez le fonctionnement du systme sur un graphique courant-tension. - Calculez les puissances en jeu, en supposant une mission permanente.

_________________________________________

6. CORRIGE DES EXERCICES _____________

Corrig 5.1. Corrig 5.2. Corrig 5.3. Corrig 5.4. Corrig 5.5. Corrig 5.6. Corrig 5.7. Corrig 5.8. Corrig 5.9.

Exercice 5.1. CORRIG---nonc

Reprsentation de la caractristique courant tension statique :

Rem: les chelles ne sont pas respectes. Reprsentation simplifie : linaire par morceaux. En direct, on considre que la barrire de potentiel peut tre modlise par une source de tension avec en srie une rsistance modlisant les pertes joule.

En inverse, on considre le courant de fuite IS comme ngligeable. La diode se comporte donc en circuit ouvert.

Exercice 5.2. CORRIG---nonc

1.1 a) De l'quation de la diode on obtient

UD =

UD = 0.72 V

b) Comme UD = U0 - RI0, on obtient pour R :

R= R = 1.28 k c) Rsistance dynamique : rd = rd = 39 1.2 Avec le modle simplifi de la diode, Ud = 0.7V => I0 = = 1.016 mA. soit une diffrence de 1.6% au rsultat donn par le modle exponentiel.

Exercice 5.3. CORRIG---nonc

Modes de fonctionnement de la diode Zener :

2.1 On dduit le diagramme v2(t) suivant :

2.2 On se ramne au premier cas (2.1) grce au thorme de Thvenin :

Application numrique : V1crte/2 = 5 V < Uz => la diode Zener nest jamais en mode de conduction inverse. Allure de V2 en fonction du temps :

2.3 Cas semblable 2.2, sauf que la diode D limine les alternances ngatives de la source V1. v1(t) < 0.7 V => D est bloque => ID = 0 => V2 = 0 0.7 V v1(t) => D conduit => V2 = (V1-0.7) = 0.99 (V1 - 0.7) tant que V2 < Uz V2 = Uz = 6 V ds que la diode Zener conduit en mode inverse 2.4 Si au dpart vC(0) = 0 et V1 = 0 : 0 t T/2 : v1(t) 0 => D est bloque => I = 0, C ne se charge pas => vC(t) = 0 => v2(t) = v1(t) - vC(t) = v1(t) T/2 t 3T/4 : ds que v1(t) -0.7 V D conduit => v2(t) = -0.7 V et vC(t) = v1(t) + 0.7 V. D ne conduit que dans un sens donc tant que = < 0 et donc jusqu la crte ngative du triangle. A cet instant VCmin = V1min - 0.7 V = -4.3 V t > 3T/4 : D se bloque ds que la pente de v1(t) sinverse => i(t) = iC(t) = 0 => vC(t) = cst = VCmin => v2(t) = v1(t) - VCmin = v1(t) + 4.3 V

Exercice 5.4. CORRIG---nonc

a) Allure de V2, V1 et V0 en fonction du temps :

b) Calcul de R : Pour que V0 = Uz reste stable, Iz ne doit jamais tre infrieur Izmin dans les conditions les plus dfavorables, soit : V2 =V2min = 14 V et IL = ILmax = 50mA IR = IZ + IL = 55 mA => Rmax = = 72.7 En valeur normalise on prendra R = 68 c) Calcul de la capacit minimum : Lorsque la diode est bloque, la capacit est dcharge par le courant IR. => iR(t) = = => v2(t) est une exponentielle dcroissante avec une constante de temps RC. Pour simplifier, on considre que v2(t)dcrot linairement durant en temps T T = 20 ms. Approximation linaire => QC = C V2 = TIRmoyen avec: V2max = V1eff - Uj = 16.3 V et V2min = 14 V => V2 = V2max -V2min = 2.3 V => IRmoy = = 76 mA.

=> Cmin = = 650 F En valeur normalise on prendra 680 F. d) Calcul de la puissance maximum dissipe dans la diode Zener : IZ = IR - IL est maximum lorsque IL = ILmin = 0 => IZmax = IR La constante de temps thermique dune diode Zener tant gnralement plus grande que la priode T on sintresse la puissance moyenne sur une priode :

PZmax = V0IRmoy =

= 760 mW

Exercice 5.5. CORRIG---nonc

On propose le montage suivant :

VIN = 7sin (t), Uj = 0.7V et VZ = 4.3V Les deux diodes ne peuvent conduire que lorsque VOUT = VZ + Uj = 5 V. - Lorsque VIN est infrieur 5V, VOUT suit parfaitement VIN. - Lorsque VIN dpasse cette tension, les deux diodes limitent VOUT 5V.

Exercice 5.6. CORRIG---nonc

On propose le montage suivant :

On donne : R1 = 1 K, R2 = 10 K, C = 1F et Uj = 0.7 V. VIN est un signal carr 1 KHz. Chaque front |VCC| vaut 5V Pour rsoudre le problme, on va dvelopper des cas par complexits croissantes : a) Sans les diodes et l'quilibre, on a VOUT = VDD aprs une charge ou une dcharge compltes. b) Avec les diodes et l'quilibre on aura : VOUT = VDD - Uj aprs une charge complte. La charge commence VOUT = VDD + Uj - VCC VOUT = VDD + Uj aprs une dcharge complte. La dcharge commence VOUT = VDD - Uj + VCC

c) Supposons R1 = R2, les diodes et la constante RC = R1C = R2C trop leve pour avoir une charge ou une dcharge compltes. A l'quilibre on a: VOUT = VDD - vf < VDD - Uj aprs la charge partielle. La charge commence VOUT = VDD + vf - VCC VOUT = VDD + vf > VDD + Uj aprs une dcharge partielle. La dcharge commence VOUT = VDD - vf + VCC

d) Cas rel. Supposons R1 R2, les diodes et les constantes R1C R2C trop leves pour avoir une charge ou une dcharge compltes. A l'quilibre on a : VOUT = v2 < VDD - Uj aprs la charge partielle. La charge commence VOUT = v1 - VCC VOUT = v1 > VDD + Uj aprs une dcharge partielle. La dcharge commence VOUT = v2 + VCC avec v1 v2

Il est possible d'valuer les valeurs v1 et v2. Il faut poser les deux quations deux inconnues exprimes partir de la formule gnrale: V(T) = V(0) + (V( ) - V(0))*(1 - e-T/) avec = RC ou encore v1 = [v2 + VCC]+ ([VDD + Uj] - [v2 + VCC])*(1 - e-T/1) avec 1= R1C v2 = [v1 - VCC]+ ([VDD - Uj] - [v1 VCC])*(1 - e-T/2) avec 2 = R2C Un dbut de rsolution donnerait : v1= [v2 + VCC]+ ([VDD + Uj] - [v2 + VCC])*(1 - e-T/1) v1= [[v1 - VCC]+ ([VDD - Uj] - [v1 - VCC])*(1 - e-T/2) + VCC] +([VDD+Uj]-[[v1-VCC]+([VDD-Uj]-[v1-VCC])*(1-e-T/2)+VCC])*(1-e-T/1) ..........

Exercice 5.7. CORRIG---nonc

A: La diode place en parallle sur la self na aucun effet en mode de fonctionnement normal lorsque linterrupteur est ferm. En effet elle se trouve en polarisation inverse et ne conduit donc pas. Lors de louverture du circuit une surtension apparat aux bornes de la self selon la loi. Comme le est norme la tension rsultante lest aussi. Au moment o lon ouvre linterrupteur la surtension est limite 0.7V qui est la tension de conduction de la diode. Lnergie magntique est dissipe par la rsistance de la bobine et de la diode. Cette diode est appele diode de roue libre.

B:

Il suffit que Ua ou Ub soit mis la masse pour que lon observe une tension de sortie Uo presque nulle. On crit la table de fonctionnement : Ua 0V 0V 5V 5V Ub 0V 5V 0V 5V Uo 0.7V 0.7V 0.7V 5V

On traduit en langage logique : A 0 0 B 0 1 O 0 0

1 1

0 1

0 1

Il sagit dune fonction logique ET (AND) symbolise ainsi :

C:

Les diodes ont dans ce montage pour effet de limiter lexcursion de la tension de sortie 0.7V. Si on considre le modle linaire par morceaux :

Il sagit dun dispositif rudimentaire de protection maintenant la tension de sortie dans la fourchette 0.7V. D:

Ce circuit est une variante du circuit D avec une valeur dcrtage Vcc +0.7V. Cest sur ce principe que sont ralises les protections dentre des circuits logique de type MOS.

Exercice 5.8. CORRIG---nonc

Sans la capacit, le circuit aurait la fonction de redresseur simple alternance.

La capacit forme avec la rsistance un filtre passe bas et lnergie emmagasine dans la capacit se substitue celle de la source lors du blocage de la diode.

Le calcul de la tension de sortie et du Ur est relativement compliqu et long. Comme il est rarement ncessaire de connatre ces paramtres avec prcision on fera les approximations suivantes : La priode de dcharge = priode (approximation dautant meilleur que Ur est faible) La dcharge se fait de manire linaire (en ralit il sagit dune exponentielle) On obtient pour la dcharge les quations suivantes : De ceci on peut tirer la fluctuation : que lon peut exprimer sous la forme Lorsque une frquence donne on augmente la constante de temps, la fluctuation diminue. Si on augmente la priode, elle augmente.

Exercice 5.9. CORRIG---nonc

Si on nglige les effets capacitifs, la tension, le courant et donc la puissance sont en phase:

Pendant les pics de consommation, la puissance consomme par la diode sera:

Si l'on moyenne cette puissance sur le temps, on obtient:

_________________________________________________________________ FIN DE LA LECON Numro IX