Sunteți pe pagina 1din 192

DISPOZITIVE ELECTRONICE I OPTOELECTRONICE

Aldo DE SABATA








Bibliografie DEO

[1] P. E. Gray, C. L. Searle, Bazele electronicii moderne, vol. 1, Ed. Tehnic, Bucureti,
1973.

[2] S. Ionel, Dispozitive i circuite electronice, Ed. "Politehnica", Timioara, 2005.

[3] A. S. Sedra, K. C. Smith, Microelectronic Circuits, Oxford University Press, 2004

[4] P. Horowitz, W. Hill, The Art of Electronics, Cambridge University Press, 1999.

[5] J. Millman, A. Grabel, Microelettronica, McGraw Hill

[6] C. D. Cleanu, Dispozitive i circuite electronice experimente i simulare, Editura
"Politehnica", Timioara, 2003.
Curs DEO, 2013


Introducere
Echivalena Thvnin
Semnale sinusoidale
Puterea semnalelor periodice
Caracteristica static a jonciunii pn. Dioda
Caracteristica static a diodei aplicaii
Model simplu pentru diod la semnale mari modelul 1
Transformator funcional cu diode
Modele pentru diode. Tensiunea de deschidere.
Limitator simetric cu diode
Redresoare monoalternan
Filtrarea pulsaiilor la redresoare
Redresoare bialternan (dubl alternan)
Aplicaii
Semiconductoare intrinseci
Jonciunea pn
Rezistena dinamic a diodei
Strpungerea jonciunii pn
Stabilizator cu diod Zener
Tranzistorul bipolar introducere
Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar
Circuite echivalente i caracteristici ale tranzistorului bipolar
Circuite echivalente pentru tranzistorului bipolar care in cont de curenii de saturaie
Circuite echivalente n regiunile de saturaie i de blocare ale tranzistorului bipolar
Exemplu: amplificator cu un tranzistor n conexiunea emitor comun (EC)
Caracteristicile complete ale tranzistorului bipolar
Parametrii de semnal mic ai tranzistorului bipolar parametrii h
Modelul natural (), de semnal mic al tranzistorului bipolar (Giacoletto)
Preamplificator elementar cu un tranzistor n conexiunea emitor comun (EC)
Aplicaii TB
Tranzistorul cu efect de cmp de tip metal oxid semiconductor (MOS)
Rezisten comandat exemplu
Tranzistoare MOS cu canal iniial
Modelul de semnal mic al tranzistoarelor cu efect de cmp
Amplificator de semnal mic cu MOS FET: exemplu
Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune JFET
Amplificator de semnal mic cu J FET: exemplu
Lumina generaliti
Semiconductoare benzi energetice
Dioda emitoare de lumin (Light Emitting Diode - LED)
Aplicaii simple cu diode electroluminiscente
Fotodetectoare
Fototranzistorul
Aplicaii simple ale fotodetectoarelor





1
Introducere

Microelectronic: tehnologia circuitelor integrate care produce circuite cu milioane
de componente pe o bucat mic de siliciu (Si), numit chip, avnd aria de ordinul de
mrime a 100 mm
2
. Aceste circuite integrate pot fi analogice (CIA) sau digitale (CID) i
realizeaz funcii. Funciile analogice pot fi: amplificare, modulare, demodulare, generare
de semnale, stabilizare a tensiunii de alimentare etc. Funciile digitale pot fi de
implementare a funciilor logice (I, SAU), numrare, codificare, decodificare etc, dar un
chip poate implementa un calculator digital complet (microcalculatoare sau
microprocesoare).
Circuitele integrate sunt realizate din componente electronice: rezistene,
condensatoare, diode, tranzistoare. Aceste componente pot fi folosite i n form discret
pentru realizarea unor circuite pe plci de cablaj imprimat. Ele formeaz subiectul
cursului de fa.
Ne vom ocupa i de componentele optoelectronice: diode emitoare de lumin (LED),
fotodetectoare, celule solare etc. Diodele emitoare de lumin pot funciona i pe baza
principiului LASER.

Semnale i surse de semnal

Orice mrime fizic reprezentat ca funcie de timp i care poart informaie este un
semnal analogic.



Exemple de semnale din lumea fizic: presiunea sonor, luminana (strlucirea) i
crominana (culoarea) unui element de imagine, temperatura, presiunea, umiditatea,
intensitatea radiaiei solare etc.
Semnalele electrice sunt, n principal, cureni i tensiuni.
Semnalele din lumea fizic sunt transformate n semnale electrice i invers folosind
traductoare. De exemplu, un microfon traduce presiunea sonor n semnal electric, iar o
camer video conine traductoare care transform semnalele optice emise de o surs n
semnale electrice.
t
x(t)
Fig. 1. Un semnal este o mrime fizic x
funcie de timpul t.
2
n cadrul acestui curs vom considera c semnalele au fost transformate de traductoare
n semnale electrice. Studiul traductoarelor se face la alte discipline. n continuare, prin
semnal vom nelege un semnal electric.
Orice surs de semnal admite o schem echivalent. Dac sursa e liniar, atunci ea
const dintr-o surs de tensiune electromoare n serie cu o impedan (Thvnin). n
cazuri simple, impedana se reduce la o simpl rezisten. O reprezentare alternativ
const dintr-o surs ideal de curent n paralel cu o impedan sau cu o rezisten n
cazuri simple (Norton).

Orice surs de tensiune este echivalent (la borne) cu o surs de curent (echivalena e
bidirecional). Astfel, sursa (a) este echivalent cu sursa (d) dac ( )
( )
G
G
e t
i t
R
= . Din
motive care vor deveni clare ulterior, se prefer sursele de tensiune cnd rezistena R este
mic i sursele de curent cnd aceast rezisten este mare.
Conform teoremei lui Thvnin, orice circuit liniar cu dou borne (numit dipol sau
uniport) poate fi reprezentat ca o surs echivalent de tensiune (sau de curent). Tensiunea
electromotoare echivalent este egal cu tensiunea n gol a uniportului, iar rezistena (sau,
dup caz, impedana) sursei este egal cu rezistena (sau impedana) msurat la bornele
uniportului cnd sursele din componena acestuia sunt pasivizate (adic sursele de
tensiune sunt nlocuite cu scurtcircuite iar cele de curent sunt ntrerupte). Rezistena
sursei se mai numete rezisten intern.
De multe ori n cele ce urmeaz vom numi rezistena intern a unui uniport care
conine surse rezisten de ieire, iar cea a unui uniport care nu conine surse rezisten
de intrare.










R
+
+
_
_
e
G
(t) v(t)
(a)

+
_
+
_
R
e
g
(t) v(t)
(b)

i
G
(t)
R

i(t)

(d)

Fig. 2. Surse de semnal. (a) Surs de tensiune. (b) Surs de tensiune
sinusoidal. (c) Surs de tensiune continu. (d) Surs de curent.

_
+
_
R
E
g
V
(c)

+
3

Uniport conectat la o sarcin


n legtur cu schemele din fig. 3, au loc urmtoarele formule care sunt deseori
utilizate:
(a) formula divizorului de tensiune
( ) ( )
0
i
G
i
R
v t e t
R R
=
+
;
(b) formula divizorului de curent
( ) ( )
o
G
i o
R
i t i t
R R
=
+
.


+
+
_ _
R
o
e
G
(t) v(t) R
i
i(t)
(a)

i
G
(t)
R
o
i(t)

R
i
(b)

Fig. 3. Surs de tensiune (a) i surs de curent conectate la sarcini.

1
Echivalena Thvnin


S se determine schemele echivalente Thvnin i Norton pentru circuitul din figur.




3 2
1
3 4
15V
0,75A
20
E E
I
R R
+
= = =
+

2 1 3 2
7,5V 5V 2,5V
g
E I R E = = =
5 3 4
|| 5 R R R = =
1 1 2
18,5V
g g g
E E E E = + + =
6 2 5
11 R R R R = + + =
18,5V
1,68A
11
g
G
E
I
R
= = =





+
_
R=11
E
g
=18,5 V
V
+
_
E
g2
=2,5 V
R
5
=5
I
G
R=11

i(t)

+
_
R
6
=4
E
g1
=4 V
I=1 A
R
1
=4
+
_
E
2
=5 V
R
3
=10
+
_
E
3
=10 V
R
4
=10
+
_
E
1
=12 V
R
2
=2
+
_
V
I
1
I=0


Semnale sinusoidale

Semnalele sinusoidale sunt tensiuni i cureni care variaz sinusoidal n timp.
Acestea sunt deosebit de importante n electronic din dou motive:
(a) circuitele liniare nu schimb forma i frecvena semnalelor sinusoidale, adic, n orice
punct al circuitului (nod, respectiv latur), curenii i tensiunile rmn sinusoidale i de
aceeai frecven dac sursele au aceast proprietate;
(b) orice semnal fizic se poate scrie ca o sum (n sens larg, adic i integral) de semnale
sinusoidale.
Expresia general a unei tensiuni sinusoidale este

( ) ( ) sin
m
v t V t = + .

Avem urmtoarele mrimi caracteristice
Amplitudinea V
m

Pulsaia [rad/s] sau [
o
/s]
Faza iniial (argumentul sinusului la t=0) [rad] sau [
o
]
Frecvena
2
f =

[Hz]
Valoarea efectiv
,
2
m
m eff
V
V =
Perioada
1 2
T
f
= =

.
Pentru curent mrimile caracteristice sunt la fel

( ) ( ) sin
m
i t I t = +


t
v(t)
T T/2
V
m
-V
m
T/4 3T/4
Fig. 4. Tensiune sinusoidal cu faza iniial nul (=0).





Un semnal v(t) se numete periodic dac exist o constant pozitiv T astfel nct

( ) ( ) v t T v t + =

pentru orice valoare a lui t. Cea mai mic valoare a lui T pentru care are loc egalitatea
precedent se numete perioad a semnalului.
Semnalele periodice se folosesc deseori n electronic. Uzuale sunt: semnalul
dreptunghiular, semnalul triunghiular, semnalul n dini de fierstru, sinusoida simplu
redresat i sinusoida dublu redresat.





t
x(t)
T
A
Semnal dreptunghiular
Semnal triunghiular
t
x(t)
T

A










Cu referire la semnalul dreptunghiular, mrimea /T se numete factor de umplere.
De multe ori se folosete noiunea de semnal dreptunghiular pentru cazul factorului de
umplere 0,5. n acest caz, dezvoltarea n serie Fourier este

Semnal n dinte de fierstru (baz de timp)
t
x(t)
T
A
Sinusoid dublu redresat (T este perioada sinusoidei
iniiale; perioada semnalului este T/2.)
t
x(t)
T
A
T/2
Sinusoid simplu redresat
t
x(t)
T
A
( ) ( ) ( ) ( )
2 1 1 2
sin sin 3 sin 5 ... ,
2 3 5
A A
x t t t t
T

| |
= + + + + =
|
\ .

Mrimea
2
A
(constant) se numete componenta continu a semnalului. Ceilali
termeni se numesc armonicile semnalului i sunt sinusoide avnd frecvenele multipli
ntregi ai lui
1
2
F
T

= = . Armonica de frecven F se numete fundamental. Se


observ c amplitudinile armonicilor scad cu frecvena, astfel c cele de frecven nalt
se pot neglija. Reprezentarea amplitudinilor n funcie de frecven se numete spectru de
amplitudini.


Spre deosebire de semnalele periodice, semnalele tranzitorii au un spectru continuu de
frecvene.

3 5
ampl.
...
A/2
2A/
2A/(3)
2A/(5)
Spectrul de amplitudini al unui semnal
dreptunghiular.
Spectrul de amplitudini al unui semnal
dreptunghiular.

1
ampl.
A
max
0,707A
max

2
Banda de frecvene ocupat de un semnal este un parametru foarte important pentru
proiectarea aparaturii electronice destinate s l prelucreze. Aceast band se stabilete n
funcie de precizia cu care se dorete prelucrarea semnalului.

De multe ori, banda ocupat de semnal se definete la
1
0,707
2
din valoarea sa
maxim. n figura de mai sus, banda este
| |
1 2
1 2
; ;
2 2
f f


(
=
(

, iar limea de band este
| |
2 1
Hz B f f = .
De exemplu, semnalele audio ocup o band de frecvene ntre 0 i 20 kHz, iar
semnalele TV ntre 0 i 5 MHz (aproximativ). n transmisia radio MA (prin modulaie n
amplitudine), din spectrul audio se transmit doar frecvenele ntre 0 i 4,5 kHz. Cnd un
astfel de semnal este modulat n amplitudine, cu frecvena purttoare de 630 kHz, el
ocup o band ntre 625,5 i 634,5 kHz (limea de band se dubleaz). n telefonie se
transmit doar frecvenele audio ntre 0 i 3,4 kHz. Semnalele TV sunt de asemenea
modulate, dar, folosindu-se o alt tehnic, limea de band e de aproximativ 6 MHz.


Aplicaii [S&S]

1. S se gseasc frecvena i pulsaia corespunztoare unui semnal cu perioada T=1 ms.
R
3
1
1000Hz=1kHz
1 10 s
=2 2000 rad/s=6280rad/s
f
f

= =

=


2. Ct este perioada semnalelor sinusoidale avnd frecvenele (a) 50 Hz; (b) 10
-3
Hz;
(c) 1 MHz?
R
(a) 20 ms; (b) 1000 s; (c) 1 s (10
-6
s).

3. Banda TV UHF (Ultra High Frequency) se extinde de la canalul 14 i se extinde de la
470 MHz la 806 MHz. Dac fiecrui canal i se aloc 6 MHz, cte canale TV cuprinde
aceast band?
R
56 de canale, de la 14 la 69.






1
Puterea semnalelor periodice


1. Puterea ntr-o rezisten

Considerm un uniport rezistiv

Dac tensiunea i curentul sunt continue, ; v V i I = = , atunci puterea consumat de
rezistena R este

2
2
V
P VI RI
R
= = = .

Dac tensiunea i curentul sunt sinusoidale
( ) ( ) cos
m
v t V t = +
( )
( )
( ) ( ) cos cos
m
m
v t V
i t t I t
R R
= = + = +
atunci puterea este
2
2 2
2
2 2 2
eff
m m m m
eff
V
V I V I
P R I R
R R
= = = = = .
Dac tensiunea i curentul sunt periodice, de perioad T, atunci puterea se poate
calcula n dou moduri: fie ca medie pe o perioad a produselor

( )
( ) ( ) ( )
2
2
0 0 0
1 1 1
T T T v t dt
P i t Rdt v t i t dt
T R T T
= = =

,

fie ca sum a puterilor corespunztoare armonicilor din dezvoltrile n serie Fourier ale
tensiunii i curentului:

i

v
R

+
_
Uniport rezistiv

2
( ) ( )
( ) ( )
0
1
0
1
0 0
1
cos
cos
, 0..
2 2
k k
k
k k
k
m m
k k
k
u t U U k t
i t I I k t
U RI m
U I
P U I

=
= + +
= + +
= =
= +





2. Puterea ntr-o impedan

Considerm doar cazul sinusoidal. Impedana este o cantitate complex, care introduce
un defazaj ntre tensiune i curent. Dac

{ } arg
| |
j Z
Z R jX Z e = + = i ( ) ( ) cos
m
v t V t = + , atunci
( ) { } ( )
cos arg
| | | |
m m
m
V V
i t t Z I
Z Z

| |
= + =
|
\ .
.

Defazajul dintre tensiune i curent este egal cu argumentul impedanei privite ca numr
complex.


Puterea consumat de Z este dat de

( ) ( )
{ } ( )
( ) ( )
0
cos arg
1
cos arg
2
T
m m
eff eff
V I Z
P v t i t dt V I Z
T
= = =

.


Exemple
1. S se calculeze puterea debitat de o tensiune continu de 9 V ntr-o rezisten de
10 .
R
i

v

Z

+
_
Uniport liniar

3
2
9
8,1W
10
P = = .


2. S se determine puterea consumat de o rezisten de 10 dac la bornele sale
tensiunea variaz sinusoidal, amplitudinea fiind de 9 V. S se calculeze i valoarea
efectiv a tensiunii.
R
2
9 9
4,05W. 6,36V
2 10 2
eff
P V = = = =

.


3. S se calculeze puterea consumat de o impedan de 5+j5 dac la bornele sale
tensiunea variaz sinusoidal, amplitudinea fiind de 9 V.
R
{ } ( )
( )
2 2 o
o
| | 5 5 7,07V; arg arctan 1 45
9 9
cos 45 4,05W
2 7,07
Z Z
P
= + = = =

= =



4. S se calculeze puterea disipat de o tensiune sinusoidal pe o inductan sau o
capacitate.
R
n ambele cazuri rspunsul este 0 deoarece argumentul impedanei este
2

.

5. S se calculeze puterea debitat de o tensiune periodic, dreptunghiular cu factorul de
umplere 0,5, amplitudinea de 10 V i frecvena de 1 kHz ntr-o rezisten de 10 .
R






t [ms]
v(t) [V]
1 0,5
10
Semnal dreptunghiular
4
Metoda 1
| | | |
3
0,5 10
2 2
3
0
1 1
10 V 0,5 10 5W
10 s 10
P dt

( = = =

.


Metoda a doua: se ine cont de dezvoltarea n serie Fourier

( ) ( ) ( ) ( )
2 1 1 2
sin sin 3 sin 5 ... ,
2 3 5
A A
x t t t t
T

| |
= + + + + =
|
\ .

( ) 10V A =

2 2
2 2
2
4 1 1
1 ... 2,5 2,026 1,15 4,83W
4 2 3 5
A A
P
R R
| |
| | | |
= + + + + = + =
|
| |
|

\ . \ .
\ .

(eroarea provine din neglijarea celorlali termeni din serie).

Cu ajutorul micului program Matlab listat n continuare se pot calcula puterile care se
obin considernd n nsumare mai multe armonici.

%puterea unui semnal dreptunghiular prin armonici
%pentru deo

A=10; %V
R=10; %ohm

Pcc=A^2/(4*R); %W
Coef=4*A^2/(2*pi^2*R);
N=10; %nr de componente considerate
P=ones(1,N+1);
P(1)=Pcc;

for k=1:N,
P(k+1)=P(k)+Coef*1/(2*k-1)^2;
end

Rezultatele sunt sintetizate n tabelul urmtor

Nr.
arm.
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
P
[W]
2.5000 4.5264 4.7516 4.8326 4.8990 4.9158 4.9277 4.8740 4.9368 4.9438 4.9494






1 Caracteristica static a jonciunii pn. Dioda

Dispozitivul electronic care conine o jonciune pn, dou contacte ohmice i
terminale metalice accesibile din exterior se numete diod.
Terminalul conectat la zona p se numete anod A, iar cel conectat la zona n se numete
catod K (Fig. 1).
Dioda poate fi polarizat direct sau invers, dup cum cderea de tensiune n sens direct
este pozitiv sau negativ.




Cel mai simplu circuit cu diod este reprezentat n Fig. 2. n acest caz, dioda este
polarizat direct, deoarece anodul este conectat la terminalul pozitiv al sursei, iar catodul
la cel negativ.




Fig. 1. Simbol pentru diod i modurile de polarizare. A anod. K catod.
A K
V
F
I
F
+


Polarizare direct

V
R
I
R
+

_

Polarizare invers

V
F
=V
R

I
F
=I
R
+
_
E
R
+
_
+
_
V
F
U
R
I
F
Fig. 2 Circuit simplu cu diod.

Msurnd tensiunea V
F
i curentul I
F
(de obicei indirect, prin /
F F
I U R = ) i
modificnd tensiunea E, se poate ridica punct cu punct dependena ( )
F F
I f V = .
Schimbnd polaritatea tensiunii E, se poate ridica punct cu punct aceast dependen i n
polarizare invers. Rezultate tipice ale unor astfel de msurtori sunt reprezentate, la scri
diferite, n Fig. 3 i Fig. 4.



Fig. 3. Caracteristica unei diode ideale la valori mici ale
tensiunii i curentului. (V=V
F
, I=I
F
)
Fig. 4. Caracteristica unei diode ideale la valori ale tensiunii
la care se observ existena tensiunii de deschidere. (V=V
F
,
I=I
F
)

Se observ n Fig. 3 c, la polarizare invers, curentul se satureaz (devine
constant la scderea tensiunii V
F
sau, echivalent, la creterea tensiunii V
R
). Valoarea
respectiv se noteaz cu I
S
, iar I
S
>0 se numete curent de saturaie.
Tensiunea invers pe diod nu trebuie s depeasc o valoare maxim,
dependent de dispozitivul concret i specificat de productor, care poate fi de ordinul
volilor, zecilor sau sutelor de volt. n polarizare direct, curentul depinde exponenial de
tensiune, care nu trebuie s depeasc cteva zecimi de volt (sau civa voli la unele
tipuri de diode, cum ar fi cele emitoare de lumin, fotodiode sau celule solare). Aceasta
explic prezena rezistenei R n schema de mai sus: este o rezisten de limitare a
curentului.
Din considerente fizice de comportare intern se poate deduce urmtoarea form
analitic a dependenei curent tensiune n regim static:

1
F
qV
mkT
F S
I I e

=


(1)

unde:
I
S
este curentul de saturaie al diodei;
19
1,6 10 q

= C este valoarea absolut a sarcinii electronului;
23
1,38 10 k

= J /K este constanta lui Boltzmann;
T este temperatura absolut, exprimat n [K], presupus aceeai n toate punctele
dispozitivului;
m factor de idealitate, 1 2 m , care de obicei se determin experimental. O diod
pentru care 1 m = se numete ideal.
Mrimea
T
kT
V
q
= [V] se numete tensiune termic. La 17
0
C (290K) are valoarea 25 mV,
iar la 27
0
C (300K), 25,9
T
V = mV (se poate considera de 26 mV).

n polarizare direct, la 100
F
V > mV, avem
S F
I I << i legea diodei (1) se poate
aproxima cu
F
F
T
V
qV
mV
mkT
F S S
I I e I e = . (2)


n polarizare invers, la 100
F
V < mV, exponeniala poate fi neglijat:

F S
I I . (3)

Caracteristica static a diodei aplicaii

1. n urma unor msurtori, s-au determinat punctele din tabel corespunztoare
caracteristicii statice a unei diode. S se gseasc expresia caracteristicii diodei n
domeniul de cureni considerat [cdp].
I
F
[nA] 10 100 1000
V
F
[V] 0,30 0,41 0,52

R

Se observ c:
-valorile corespunztoare curentului variaz exponenial (raportul dintre dou valori
consecutive este 10);
-valorile tensiunii variaz liniar (diferena dintre dou valori consecutive este 0,11 V).
Rezult c ntre tensiune i curent exist o dependen exponenial

F
T
V
mV
F S
I I e = .

Dac nu se specific temperatura, atunci se ia egal cu 17
o
C, deci V
T
=25 mV.

Rezult

0,3V
0,025V
0,41V
0,025V
10nA
100nA
m
S
m
S
I e
I e



Prin mprire: ( )
( )
0,11
0,025
0,11 0,11
10 ln 10 1,91
0,025 0,025 ln 10
m
e m
m

= = = =

.
Din a doua ecuaie:

0,41
1,91 0.025
100nA 0,0187nA=18,7pA
S
I e

= = .


Se observ c am folosit al treilea punct al caracteristicii doar pentru stabilirea
dependenei exponeniale dintre tensiune i curent.

2. Care este valoarea curentului prin dispozitivul de mai sus la V
F
=0,7 V? [cdp]
R

| |
0,7
12 5 1,91 0,025
18,7 10 A 4,35 10 A=43,5A
F
I e

= =

Algoritm pentru calculul PSF
I
V
E/R
E
caracteristica diodei
dreapta de
sarcin
PSF
3. n circuitul din figur, parametrii diodei sunt I
S
=1 A i m=1. S se calculeze punctul
static de funcionare (PSF) al diodei, adic tensiunea direct i curentul direct. Se d
V
T
=26 mV.

R
Trebuie rezolvat sistemul transcendent de ecuaii

ln 1
1
F
T
V
F
mV
F T
F S
S
F
F
F F
I
V mV
I I e
I
E V
I
E I R V
R
| |
| |
= +
|
= |

\ .
|


\ .

=
= +

.

Prima ecuaie este caracteristica static a diodei, iar a doua este ecuaia dreptei de
sarcin. Intersecia lor este PSF.
Sistemul poate fi rezolvat
iterativ, dup cum se arat n
figura urmtoare.
Pasul 1:
0
10V
10mA
1k
F
F
V
E
I
R
=
= = =

3
3
10
26 10 ln 1
10
0,239V
F
V

| |
= +
|
\ .
=

Pasul 2
| | 10 0,239 V
9,76mA
1k
F
I

= =
+
_
E=
10 V
R=1 k
+
_
+
_
V
F
U
R
I
F
3
3
9,76
26 10 ln 1 0,239V
10
F
V

| |
= + =
|
\ .
.
Se observ c, pentru precizia la care se lucreaz, algoritmul se poate opri dup doi pai.
n final 239mV, 9,76mA
F F
V I = = .

4. Variaia cu temperatura a tensiunii pe o diod la curent constant.
Se poate demonstra c, dac o diod din siliciu este conectat ntr-un circuit n sens
direct, astfel nct curentul s fie constant, atunci tensiunea pe diod scade cu
aproximativ 2 mV la o cretere a temperaturii cu 1
o
C.

O diod din siliciu, folosit ca termometru, este polarizat direct printr-un curent constant
i are un coeficient de temperatur de -2,17 mV/K. La 27
o
C, tensiunea direct pe diod
este de 700 mV. Ct va fi tensiunea pe diod la 80
o
C?
R

( )
( )
o o
mV
700mV-2,17 80 C-27
K
585mV.
final initial final initial
dV
V V T T
dT
C
= + =
= =
=


3. Model simplu pentru diod la semnale mari modelul 1

Diodele fiind elemente de circuit neliniare, pentru analiza i proiectarea schemelor
electrice cu diode se folosesc modele liniarizate pe poriuni, n care caracteristica diodei
este aproximat prin segmente de dreapt.
Nu exist un model unic; situaia particular n care este exploatat dioda impune
complexitatea modelului. Acesta nu trebuie s fie prea simplificat, pentru a nu pierde
unele proprieti importante ale circuitului i nici prea complicat, pentru a nu fi necesare
calcule laborioase fr rezultate relevante.
Analiza precis a circuitelor cu diode se face prin simulare pe calculator; pentru
proiectarea schemelor cu diode este ns necesar nelegerea dispozitivelor, care se poate
ctiga numai prin analiz manual.
Proprietatea cea mai important a unei diode este c permite trecerea unor cureni
semnificativi ntr-o direcie i blocheaz calea curenilor electrici n cealalt direcie,
asemenea unei supape.
Dac dioda este polarizat direct, 0
F
v > , se spune c este n zona de conducie sau
simplu n conducie, iar dac e polarizat invers 0
F
v < se spune c este n zona de
blocare sau simplu blocat. Cderea de tensiune n conducie este mic, n timp ce n
blocare este mare.
Dac dioda este utilizat ntr-un circuit n care curenii sunt mari n comparaie cu
curentul invers i tensiunile sunt mari n comparaie cu tensiunea direct, se poate folosi
modelul prezentat n fig. 1. Uneori pentru o diod exploatat n acest regim, numit
ideal, se folosete simbolul din figura respectiv [Gray_1973]
Model 1: dac i
F
>0 atunci v
F
=0 i dac v
F
<0 atunci i
F
=0.









Anod Catod
+
_
v
F
i
F
Fig. 1. Simbolul i caracteristica liniarizat pe poriuni ale unei diode
ideale.




n fig. 2 (a) este reprezentat schema unui limitator cu diod. Acesta este un circuit
care se conecteaz ntre sursa de alimentare sau sursa de semnal i un alt circuit pe care
trebuie s l protejeze de supratensiune la intrare. Rezistena serie R este aleas mult mai
mic dect rezistena de intrare a circuitului conectat la ieirea limitatorului. n felul
acesta cderea de tensiune pe limitator poate fi neglijat.




V este o tensiune continu fix, dat de o surs auxiliar, ce se alege mult mai mare
dect tensiunea pe diod n sens direct.

Pentru a gsi caracteristica intrare ieire a limitatorului, adic dependena tensiunii
de ieire n gol v
2
de tensiunea de intrare v
1
, observm c, dac
1
v V > , dioda este
deschis. Avnd n vedere modelul prezentat mai sus, dioda se comport ca n fig. 2 (b),
deci
2
v V = . Dac
1
v V < , atunci dioda este blocat i se aplic schema echivalent din fig.
2 (c). Rezult
2 1
v v = . Caracteristica intrare ieire astfel obinut este reprezentat n
R
V
v
1
v
2
+ +
+
_

_

_

v
1
>V
v
2
=V
(b)
R
V
v
1
v
2
+
+
+
_

_

_

v
1
<V
v
2
=v
1
(c) (d)
v
1
v
2
V

V

Fig. 3.2.2. Circuit limitator cu diod. (a) Schema electric. (b), (c) Modele n
diverse regiuni de funcionare. (d) Caracteristica static intrare-ieire

R
V
v
1
v
2
+
+
+
_


_

(a)
R
i
>>R
fig. 2 (d). Se observ c tensiunea de la ieire nu poate depi valoarea V indiferent de
intrare, de unde i denumirea circuitului.


O alt aplicaie simpl a modelului pe care l studiem este n domeniul porilor logice
[Gray 1973]. n circuitele digitale, nivelurile logice "0" i "1" sunt reprezentate prin
anumite domenii de tensiuni, ca n exemplul din fig. 3. (n practic se folosesc alte
niveluri; exemplul este ilustrativ).


n circuitul din fig. 4, dac tensiunile de intrare
1..4
v sunt mai mari dect -10V, va fi
deschis doar dioda conectat la cea mai mare dintre aceste tensiuni, celelalte fiind
polarizate invers.




Tensiunea maxim se regsete la ieirea circuitului, astfel c acesta implementeaz
funcia logic SAU.

R
v
1
v
2
v
3
v
4
v
0
10V

Pt. v
1..4
>10 V,
v
0
=max(v
1
, v
2
, v
3
,v
4
)
(poart SAU)
Fig. 4. Poart SAU cu diode. Tensiunile sunt definite fa de un punct numit
mas.
Mas (potenial v=0).
Fig. 3. Exemplu pentru definiia strilor logice
-5 -4 +4 +5 V [V]
Stare "0"
logic
Stare "1"
logic





n circuitul din fig. 5, dac tensiunile de intrare
1..4
v sunt mai mici dect 10V, va
conduce doar dioda conectat la cea mai mic dintre acestea, tensiune care se va regsi la
ieire. Circuitul poate fi folosit pentru implementarea funciei logice I.







Cderile de tensiune pe diode, care au fost neglijate n analiza de mai sus, fac
nepractic conectarea n cascad a porilor logice cu diode din cauza modificrii
tensiunilor de ieire fa de cele de intrare. Din acest motiv, porile cu diode nu se
folosesc n forma prezentat.













R v
1
v
2
v
3
v
4
v
0
+10V

Pt. v
1..4
<10 V,
v
0
=min(v
1
, v
2
, v
3
,v
4
)
(poart I)
Fig. 5. Poart I cu diode.
4. Transformator funcional cu diode

n fig. 1. este prezentat un circuit care are o caracteristic de intrare i(v) remarcabil
[Gray 1973], numit transformator funcional. Vom gsi aceast caracteristic folosind
pentru diode modelul simplu prezentat anterior. Tensiunea V este continu i fix. Cu G e
notat conductana rezistorului, 1/ G R = .




Se observ c, pentru ( 1) , 0..( 1) kV v k V k n < < + = , conduc diodele D
0
, D
1
, ..., D
k
,
restul fiind blocate. Vom nota cu i
k
valoarea pe aceste intervale a curentului de intrare i.
Se pot scrie urmtoarele relaii

0
1 0
2 1
3 2
1
0 ,
2 , 2 ( )
2 3 , 2 ( 2 )
3 4 , 2 ( 3 )
................................
( 1) , 2 [ ].
k k
v V i i Gv
V v V i i i G v V
V v V i i i G v V
V v V i i i G v V
kV v k V i i i G v kV

< < = =
< < = = +
< < = = +
< < = = +
< < + = = +



Adunnd aceste relaii i reducnd termenii asemenea obinem:

( 1)
2 [ (1 2 3 ... ) ] 2 ( )
2
k
k k
i Gv G kv k V Gv G kv V
+
= + + + + = +

(2 1) ( 1)
k
i Gv k GVk k = + +

Fig. 1. Transformator funcional cu diode.
...
...
G
D
0
V
+

2G
D
1
+
_
v
i
2V
+

2G
D
2
3V
+

2G
D
3
nV
+

2G
D
n
Pentru
k
v v kV = = rezult
2
2 k
k
v
i GVk GV
V

= =


,
iar pentru
1
( 1)
k
v v k V
+
= = + rezult
2
2 1
( 1)
k
k
v
i GV k GV
V
+

= + =


.
Cum ntre cele dou valori curentul are o variaie liniar, rezult c dipolul are o
caracteristic la borne ce aproximeaz liniar pe poriuni o parabol de ecuaie

2
v
i GV
V

=




(fig. 2).
n timp ce la bornele unei rezistene obinuite curentul este proporional cu tensiunea
aplicat, la bornele unui transformator funcional curentul este proporional cu ptratul
acesteia, deci cu puterea semnalului.







i
v
V 2V 3V 4V
GV
4GV
9GV
16GV
Fig. 2. Caracteristica de intrare a unui transformator
funcional cu diode.
5. Modele pentru diode. Tensiunea de deschidere.

Caracteristica unei diode, cum este cea reprezentat n fig. 1, sugereaz faptul c, n
conducie, tensiunea nu este nul ci are o anumit valoare numit tensiune de deschidere.
Valoarea este n jurul a 0,6 V la diodele din siliciu i era n jur de 0,3 V la diodele din
germaniu (acestea nu se mai prea folosesc).
Tensiunea de deschidere scade cu temperatura diodei cu un coeficient n jur de
o
2mV/ C . Modelul liniar pe poriuni care ine cont de tensiunea de deschidere V
0
este
prezentat n fig. 1.



Se poate construi un model mai precis dac se ine cont de rezistena diodei R. Aceasta
este definit ca inversa pantei tangentei la caracteristic n punctul de funcionare. Avnd
n vedere c

0
1
F
T
v
mV
F
i I e

=




panta este dat de

0
1
F
T
v
mV F F
F T T
I di i
G e
R dv mV mV
= = = .

De exemplu, pentru o diod ideal care funcioneaz la un curent de 10 mA la 17
o
C, se
obin
10 mA
0,4 S
25 mV
G = = , adic 2,5 R = (aceast valoare mic justific neglijarea sa n
celelate modele). Schema echivalent n zona de conducie a diodei, n care se ine cont
de rezisten este prezentat n fig. 2.
V
0
+

Fig. 1. Caracteristic liniarizat i schem echivalent
pentru o diod n zona de conducie. Se ine cont de
tensiunea de deschidere.
v
i
V
0







Cnd dioda este blocat, ea se modeleaz printr-un circuit deschis.







v
i
V
0
Fig. 2. Caracteristic liniarizat i schem echivalent
pentru o diod n zona de conducie. Se ine cont de
tensiunea de deschidere i de rezistena serie.
panta=1/R
PSF
V
0
+

R
6. Limitator simetric cu diode

Considerm circuitul din fig. 1 (a), folosit pentru a evita ca aparatura conectat la
ieirea sa s fie expus la tensiuni prea mari n valoare absolut [Gray 1973].
Rezistena serie R
S
se alege mult mai mic dect rezistena de intrare a circuitului
protejat, din aceleai motive ca la limitatorul simplu, dar mult mai mare dect rezistena
serie a diodelor R, presupuse identice, care apare n schema liniarizat pe poriuni din fig.
1 (b). Motivul va rezulta de indat ce vom fi gsit caracteristica intrare ieire a
limitatorului simetric.



Pentru aceasta, s observm c, dac
1 0
v V > , unde V
0
este tensiunea de deschidere a
diodei, atunci D
1
este deschis (conduce) i D
2
este blocat. Circuitul fiind n gol, vom
avea

( )
1 0 0 1
2 0
s
s s s
v V R V R v R
v V
R R R R R R

= + = +
+ + +
.

Dac
1 0
0 v V < < , atunci ambele diode sunt polarizate invers, deci sunt blocate. Vom
avea
2 1
v v = .
D
1
V
0
+

R
R
S
+ +

v
1

v
2
D
2
V
0
+

R
(b)
Fig. 1. Limitator simetric cu diode. (a) Schema electric. (b)
Schema echivalent.
R
S
D
1
D
2
+
+
_

v
1
v
2
(a)
R<<R
S
<<R
i
R
i
Raionamente asemntoare se pot face pentru valori negative ale lui v
1
sau se poate
ine cont de faptul c circuitul este simetric. n final rezult caracteristica din fig. 2. Dac
se respect condiia
s
R R << , atunci pantele dreptelor din afara regiunii
0 1 0
V v V < < sunt
foarte mici, deci acestea sunt aproape orizontale ( lim 0
s
R
s
R
R R

=
+
) .







v
1
v
2
V
0
V
0
-V
0
-V
0
Fig. 2. Limitator simetric cu diode. Caracteristica static
intrare ieire.
7. Ecuaia diodei la nivel mare de injecie

Cnd curentul direct printr-o diod are valori mari, se spune c dioda lucreaz la
nivel mare de injecie din cauza numrului mare de purttori minoritari injectai n
regiunile neutre n unitatea de timp.
n aceste condiii se manifest rezistena electric a regiunilor neutre R
b
care apare
n serie cu dioda.
Va trebuie s distingem ntre tensiunea pe jonciune, notat v
F
i tensiunea la
bornele dispozitivului, ntre anod i catod, notat v. Relaia dintre ele este

F F b
v v i R = + .




Se poate ine cont c
0
1
F
qv
mkT
F
i I e

=


,

de unde
0
ln 1
F
F
i mkT
v
q I

= +


.



n final, rezult relaia tensiune curent la bornele unei diode la nivel mare de
injecie:


0
ln 1
F
F B
i mkT
v i R
q I

= + +


.

Modelul l diodei la nivel mare de injecie

v
+

R
b
/2 R
b
/2
+

v
F
i
F
Jonciune

Diod

1 Redresoare monoalternan

Redresoarele sunt circuite de conversie a puterii care transform puterea electric
furnizat sub forma unei tensiuni i unui curent alternative n tensiune continu i curent
continuu. Ele se folosesc ca surse de alimentare pentru aparatura care trebuie alimentat
n curent continuu.
Redresoarele simple cu diode pot fi de tip monoalternan sau bialternan (dubl
alternan).
Cea mai simpl schem de redresor monoalternan este reprezentat n fig. 1. Sursa
de tensiune sinusoidal este simbolizat prin parametrii si Thvnin: tensiunea
electromotoare e
G
(t) i rezistena intern R
G
. Generatorul fiind sinusoidal avem:

( ) ( ) sin
G m
e t V t = . (1)




Amintim c V
m
se numete amplitudine, legat de valoarea efectiv a tensiunii prin
2
m
ef
V
V = . Puterea debitat ntr-o rezisten R este
2
2
2
ef
m
V
V
R R
= . Mrimea 2 f = se
numete pulsaie i se msoar n radiani / secund, f fiind frecvena msurat n hertzi.
Dac n schema din fig. 1 nu ar fi prezent dioda, atunci tensiunea pe sarcina R
L
ar fi
sinusoidal i egal cu
L
G
G L
R
e
R R +
, amplitudinea sa fiind
L
Lm m
G L
R
V V
R R
=
+
, iar curentul,
de asemenea sinusoidal, ar fi
G
G L
e
R R +
. Dac se ine cont de diod i se presupune c este
ideal (fig. 2 (b)), atunci poriunile negative ale tensiunii i curentului devin nule, fiind
anulate de diod i variaia tensiunii pe sarcin v
L
(t) este cea din fig. 2 (c)). Avem

( ) , sin 0
( )
0, sin 0
L
G
G L L
R
e t t
R R v t
t

+ =

<

. (2)
+
_
+
_
R
G
R
L v
L
e
G
i
L
Fig. 1. Redresor monoalternan.

Sarcina fiind rezistiv, curentul este

L
L
v
i
R
= . (3)

Tensiunea v
L
este o funcie periodic, de perioad

2
T

= . (4)

Se poate arta c o tensiune periodic (sau un curent periodic) poate fi utilizat ca o
tensiune continu V
CC
egal cu valoarea sa medie pe o perioad (sau cu termenul constant
al dezvoltrii sale n serie Fourier). De exemplu, dac se vizualizeaz pe un osciloscop
tensiunea periodic folosind un cuplaj n curent continuu i se comut cuplajul
amplificatorului pe vertical pe curent alternativ (adic se trece semnalul printr-un
condensator), atunci spotul sare cu V
CC
. Avem deci

(a)

(b)

(c)

Fig. 2. Redresor monoalternan. (a) Schem electric. (b) Model pentru diod. (c) Forme de
variaie n timp ale tensiunilor.
+
_
+
_
R
G
R
L v
L
e
G
i
L
v
t
e
G
(t)
V
m
V
Lm
v
L
(t)
V
CC
V
CC
/2
0 0
1 1
( ) sin
( )
T T
Lm m L
CC L Lm
L G
V V R
V v t dt V tdt
T T R R


= = = =
+

. (5)

Pentru amplitudini mai mici ale tensiunii (n practic, mai mici dect 10 V), trebuie s
inem cont de tensiunea de deschidere a diodei V
0
. Cu scopul de a ilustra efectul acesteia
asupra tensiunii de ieire, presupunem c rezistena intern a generatorului este nul.
Dac dioda ar fi ideal, am avea
Lm m
V V = . Existena tensiunii de deschidere implic, pe
de o parte
0 Lm m
V V V = i, pe de alt parte, faptul c dioda se deschide abia cnd
tensiunea de intrare depete valoarea V
0.
. Efectul este reprezentat n fig. 3.


n realitate, valoarea maxim a tensiunii de ieire este limitat att de divizarea ntre
rezistenele generatorului i sarcinii, ct i de tensiunea de deschidere a diodei.
Am vzut c tensiunea v
L
conine, pe lng tensiunea util continu V
CC
, i o
component pulsatorie sau alternativ, dat de armonicile din dezvoltarea sa n serie
Fourier. Pulsaiile pot fi duntoare pentru aparatura alimentat prin redresor, ducnd la
funcionarea incorect a acesteia sau chiar la apariia defectelor.


+
_
V
0
(a)

(b)

(c)

Fig. 3. Redresor monoalternan. (a) Schem electric. (b) Model mai precis pentru diod.
(c) Forme de variaie n timp ale tensiunilor. Modelul este aplicabil n practic pentru
V
m
<10 V.
+
_
+
_
R
G
=0
R
L v
L
e
G
i
L
v
t
e
G
(t)
V
m
V
Lm
v
L
(t)
V
CC
V
m
V
0
V
CC
Exemplu
S se calculeze componentele continue ale tensiunii i curentului prin sarcina de 1 k a
unui redresor, dac sursa are o amplitudine a tensiunii electromotoare de 15 V i o
rezisten intern de 200 .
R

Deoarece se poate neglija cderea de tensiune pe diod, avem

( )
15 1000
3,98V 4V
( ) 1000 200
Lm m L
CC
L G
V V R
V
R R

= = = =
+ +

4
4mA
1k
CC
L
L
V V
I
R
= = = .



Randamentul redresorului se definete ca raportul dintre puterea de curent continuu
consumat de sarcin i puterea debitat de surs exprimat n procente.
Puterea de curent continuu consumat de sarcin este

2
16V
0,016W=16mW
1000
CC
CC
L
V
P
R
= = = .

Puterea debitat de surs este media pe o perioad a produsului dintre tensiune i curent.
Avem
( ) ( ) 15sin
G
e t t =
( )
( )
( )
( )
, dacasin 0
0, dacasin 0
G
L G L
e t
t
R R i t
t

>

+ =



Rezult

( )
( )
2 2
/2 /2
2
0 0
2 2
/2
0
1 15 1 15 1 cos(2 )
sin [W]
1200 1200 2
15 / 2 1 1 15
sin 2 0,047W=47mW
2 1200 2 4 1200
T T
G
T
t
P t dt dt
T T
T
t
T T

= = =
(
= = =
(





Randamentul

16
100 34%
47
= = .


2 Filtrarea pulsaiilor la redresoare

Reducerea pulsaiilor care apar la redresoarele monoalternan se realizeaz prin
conectarea unui condensator n paralel cu sarcina, ca n fig. 1.





Pentru a nelege funcionarea acestui circuit este necesar s ne amintim desfurarea
fenomenului de descrcare a unei capaciti C ncrcate la o tensiune U
0
peste o
rezisten R, la care e conectat la un anumit moment, pe care l lum ca origine a
timpului (fig. 2).





Ecuaia ce descrie variaia tensiunii la bornele capacitii este

Fig. 1 . Redresor monoalternan cu diod ideal i filtru
capacitiv.
+
_
e
G R
L C
+
_
v
L
i
L
i
D
Fig. 2. Descrcarea unei capaciti peste o
rezisten; la t<0 tensiunea pe capacitate este
U
0
.
u(t)
(u(0)=U
0
)
+
+


R
C
t=0
i(t)
0
0
, 0
( )
, 0
t
RC
U e t
u t
U t


=

<

. (1)

Se observ c tensiunea variaz exponenial (fig. 3).



Mrimea

RC = (2)

se numete constant de timp a circuitului. Pe durata unei constante de timp tensiunea la
bornele capacitii scade de e ori i panta tangentei la grafic n origine este
0
/ U . ntre
momentul iniial i un moment ulterior mult mai mic dect constanta de timp, se poate
aproxima curba de descrcare a capacitii cu o dreapt avnd panta egal cu cea a
tangentei n origine.

Dup cum se tie, ntre sarcina Q stocat pe armtura pozitiv a unei capaciti C (pe
cealalt armtur sarcina este Q) i tensiunea dintre armturi u exist relaia


Q Cu = (3)

iar ntre tensiune i curentul i, cu sensurile de referin ca n fig. 2, relaia este

du
i C
dt
= . (4)

Dac tensiunea variaz liniar, atunci curentul este constant I i sarcina extras de pe
armturi n timpul t este Q=It.
t
u
U
0
U
0
/e

Fig. 3. Descrcarea unei capaciti peste o
rezisten form de und.
Revenind la circuitul din fig. 4.2.1, observm c, atunci cnd dioda presupus ideal
este deschis, tensiunea pe sarcin urmrete tensiunea generatorului i capacitatea se
ncarc, iar cnd dioda este blocat capacitatea se descarc peste rezistena de sarcin.
Faptul c dioda este deschis atunci cnd tensiunea ntre anod i catod tinde s devin
pozitiv completeaz explicaia formei de und a tensiunii pe sarcin v
L
reprezentat n
fig. 4.





n ceea ce privete curentul prin diod i
D
, acesta devine foarte mare, prezentnd
"vrfuri", n intervalele n care dioda conduce i este nul n rest. Curentul prin sarcin i
L

este uor de determinat folosind relaia
Fig. 1 . Redresor monoalternan cu diod ideal i filtru
capacitiv.
+
_
e
G R
L C
+
_
v
L
i
L
i
D
Fig. 4. Redresor cu filtru capacitiv - Forme de
und.
t
t
t
i
D
i
L
v
L
v
t
1 t
0
T

v
L
e
G
Dioda se
deschide
Dioda se
nchide
i
D
I
D

L
L
L
v
i
R
= . (5)

Experiena arat c intervalul de conducie al diodei este mult mai mic dect perioada
T a sinusoidei de la intrarea circuitului:

1 0
t t t T = << . (6)

De aceea, se poate aproxima descrcarea condesatorului de la valoarea V
m
la
m
V v ca
fiind liniar:

1
L
T
R C
m m
L
T
v V e V
R C

| |
= |
|
\ .
. (7)

Se numete factor de ondulaii (sau pulsaii) al redresorului mrimea
m
v
V

, exprimat
uneori n procente. Din (7) rezult

m L
v T
V R C

= . (8)

n practic se impune un factor de ondulaie mic, astfel nct rezult c perioada este mic
n raport cu constanta de timp a circuitului RC, ceea ce justific aproximaia de
descrcare liniar a capacitii pe care am fcut-o mai sus.

Factorul de ondulaii, rezistena de sarcin i perioada fiind de obicei impuse de
situaia concret, (8) furnizeaz o relaie pentru dimensionarea capacitii:

m
L
V T
C
R v
. (9)

Se observ c obinerea unor ondulaii mici impune alegerea unei capaciti mari.

Pentru dimensionarea diodei este necesar s estimm curentul maxim care o strbate.
Datorit formei lui i
D
(fig. 4), putem face aproximaia c acest curent este constant pe
durata t i are o valoare I
D
. Acest curent este folosit pentru a compensa sarcina pierdut
de capacitate pe intervalul T t . De asemenea, avnd n vedere aproximaia liniar
pentru descrcarea capacitii, curentul prin sarcin rezult aproximativ constant:

(1 ) , ( )
L
t
R C m
L m m L L
L L
V d d t
i C V e C V I T R C
dt dt R C R
| |
| |
= = = << |
|
|
\ .
\ .
. (10)

Deoarece, dup cum am vzut, toi curenii sunt aproximativ constani, egalitatea dintre
sarcina ctigat de capacitate pe intervalul de conducie al diodei i sarcina pierdut pe
intervalul complementar din cadrul unei perioade este

( ) ( )
D L L
I t I T t I T T T = << (10)

unde, n ultima egalitate aproximativ, am inut cont de (6).
Ecuaia (10) permite calcularea lui I
D
dac se cunoate intervalul de conducie t.
Observm pe fig. 4 c t
1
corespunde unui maxim al funciei cosinus (sinus ntrziat cu un
sfert de perioad), iar la t
0
funcia este cu v mai mic:

( ) ( )
2 1
cos
2
m m m
v V V t V t = . (11)

Ultima egalitate aproximativ am scris-o innd cont c intervalul de conducie foarte mic
face ca argumentul funciei cosinus s fie de asemenea foarte mic, ceea ce justific
aproximarea acestei funcii cu primii doi termeni ai dezvoltrii n serie Taylor n jurul
originii
2
1
cos 1 ...
2
x x = + .

Mrimea t = se numete unghi de conducie al diodei i se poate exprima n
radiani sau n grade (dezvoltarea de mai sus i relaia care urmeaz sunt valabile ns
numai dac este exprimat n radiani). Avem din (11)

2
m
v
t
V

= = . (12)

Se observ c impunerea unor ondulaii mici implic un unghi de conducie mic, ceea ce
justific aproximaiile fcute.

nlocuind intervalul de conducie din (12) n ( )
D L L
I t I T t I T = (10) obinem

2
2 2
m
D L L L
m
V T
I I I T I
t v v
V


= = = . (13)

Curentul prin diod se poate exprima i n funcie de unghiul de conducie:

2
D L L
T
I I I
t


= = . (14)

n (14) unghiul de conducie este exprimat n radiani. Dac se exprim n grade, atunci
factorul trebuie nlocuit cu 180
0
.
La un curent de sarcin dat, cu ct unghiul de conducie este mai mic, cu att curentul
de vrf prin diod este mai mare. Acest curent de vrf repetitiv este un parametru
important pentru alegerea tipului de diod.

3. Redresoare bialternan (dubl alternan)

Redresoarele dubl alternan folosesc ambele alternane ale sinusoidei de la intrare pentru a
dubla tensiunea continu pe care o furnizeaz sarcinii n raport cu redresoarele monoalternan.
Variantele de scheme uzuale conin un transformator cu priz median i dou diode (fig. 1 (a))
sau o punte de patru diode (fig. 1 (b)).


Forma de variaie n timp a tensiunii pe sarcin n ipoteza c diodele sunt ideale este
reprezentat n fig. 1 (c). Componenta continu are valoarea:
(a)

e
G
R
L
+
+
_
_
v
L
(b)

Fig. 1. Redresarea dubl alternan. (a) Redresor cu priz median. (b) Redresor
cu punte de diode. (c) Forme de und n ipoteza c diodele sunt ideale.
t
v
V
m
V
CC
(c)

e
G
v
L
R
L
+
+
_
_ e
G
v
L
2
m
CC
V
V

= .

Amplitudinea tensiunii de intrare este divizat dac sursa are o rezisten intern.


i pentru redresoarele dubl alternan se folosete tehnica filtrrii capacitive. O analiz
asemntoare cu cea efectuat n paragraful anterior conduce la concluzia c, la acelai factor de
ondulaii impus, capacitatea necesar i curentul prin diod n intervalele de conducie sunt de
dou ori mai mici.
Analiza pe care am prezentat-o poate fi folosit i la tensiuni redresate mai mici, cnd
trebuie luat n considerare tensiunea de deschidere a diodelor. Capacitatea se va ncrca la o
valoare mai mic dect amplitudinea intrrii cu o valoare egal cu tensiunea de deschidere.











4. Aplicaii

1. Se realizeaz un redresor monoalternan care trebuie s dea o tensiune continu de
ieire de 12 V la bornele unei sarcini rezistive i un curent de 10 mA. Valoarea
ondulaiilor vrf-la-vrf trebuie s fie sub 0,1% din tensiunea continu de ieire. Se cer:
capacitatea de filtrare i curentul maxim prin diod. [Gray_1973]
R


Rezistena de sarcin
12V
1,2k
10mA
L
R = =
Capacitatea
-3
1 12V
16,7mF
50Hz 1200 12 10 V
m
L
V T
C
R v
= = =

: valoarea mare a acestei capaciti
indic necesitatea unei alte soluii (redresor bialternan) sau a acceptrii unor ondulaii
mai mari.

Unghiul de conducie

o
2 2
0,0447rad=2,56
1000
M
v
t
V

= = =
Curentul maxim prin diod

3
2 2
10 10 A 1,41A
0,0047
DP L
I I
t


= = =

2. Circuitul din figur este utilizat pentru a produce o tensiune continu de 10 V la
bornele unei rezistene de 1000 . Capacitatea filtrului are valoarea de 500 F. S se
calculeze:
(a) valoarea ondulaiilor;
(b) unghiul de conducie al diodei;
(c) curentul mediu prin diod;
(d) curentul maxim prin diod;
(e) amplitudinea necesar a tensiunii de intrare;
(f) amplitudinea tensiunii de intrare, dac exist o cdere de tensiune pe diod de 0,8 V.
[Gray_1973]

















(a)
-6
1
10V 0,4V
50Hz 1000 500 10 F
m
L
V T
v
R C
= = =



(b)
o
2 0,4
2 0,283rad=16,21
10
m
v
t
V

= = =

(c)
10V
10mA
1000
L
I = =
(d)
2 2
10mA 222mA
0,283
DP L
I I
t

= = =
(e) 10V
m
V = sau mai precis
0,4
10 10,2V
2 2
gm m
v
E V

= + = + =
(f) 10,2V+0,8V=11V.


3. Redresorul dubl alternan din figur este utilizat pentru a da o tensiune continu de
40 V la bornele unei rezistene neliniare care cere un curent constant de 25 mA. Valoarea
relativ o ondulaiilor este mic, iar diodele se presupun ideale.
(a) Care trebuie s fie valoare lui V
m
?
Redresor monoalternan cu diod ideal i filtru capacitiv.
+
_
e
G R
L C
+
_
v
L
i
L
i
D
(b) Ce valoare trebuie s aib capacitatea dac valoarea relativ a ondulaiilor este de
1%? [Gray_1973]

R





( ) ( ) sin
G m
e t V t =


(a) 40V
m
V =
(b)
2
m L
v T
V R C

=
4
3
1 1
6,25 10 F=625F
40V 1
2
2 50Hz 2
25 10 A 100
m
m
L
L m
V T
C
V v
R v
f
I V

= = = =

.











e
G
R
L
+
+
_
_
v
L
C

v
L
i
L
Semiconductoare intrinseci

Semiconductoarele fac parte din categoria corpurilor solide, zise i cristaline.
Atomii sau moleculele care constituie un cristal ocup poziii n nodurile unei reele
spaiale periodice.
Corpurile solide conductoare de electricitate sunt metalele i semiconductoarele.
Conducia curentului electric n metale se explic prin micarea ordonat a unor purttori
de sarcin negativ numii electroni. Rezistivitatea metalelor este foarte mic, de exemplu
de
9
20 10

m pentru cupru.
Conducia curentului electric n semiconductoare se explic prin micarea
ordonat a dou tipuri de purttori de sarcin: electroni, ncrcai negativ i goluri,
ncrcate pozitiv. Valoarea absolut a sarcinii oricrui purttor este
19
1,6 10 q

= C.
Rezistivitatea semiconductoarelor este mai mare dect cea a metalelor; de exemplu,
pentru siliciu este de 500 m la temperatura camerei.
Pe lng conductoare i semiconductoare, exist i corpuri solide izolatoare. De
exemplu, mica are rezistivitatea de
9
20 10 m.
Un atom al unui semiconductor din grupa a IV-a, cum sunt siliciul i germaniul,
are patru electroni de valen, pe care i pune n comun cu cei patru cei mai apropiai
atomi din reeaua cristalin, formnd legturi covalente. Dei reeaua cristalin este
tridimensional, se poate desena un model bidimensional, ca n fig. 1, care ilustreaz
proprietile eseniale ale structurii. Diagrama din fig. 1 este valabil la temperatura de
0 K. Deoarece nu exist purttori liberi de sarcin, conducia curentului electric nu poate
avea loc.
La temperaturi peste 0 K, unii electroni pot prsi legturile covalente datorit
energiei termice. Acetia devin purttori liberi de sarcin negativ i pot conduce curentul
electric. Locul rmas liber se numete gol ("hole" n limba englez), iar electronii
respectivi se numesc electroni liberi (fig. 2). Electronilor din legturile covalente li se
spune uneori legai.
Golul se poate deplasa liber prin semiconductor, ca i electronul care l-a generat i
independent de acesta. Micarea e posibil prin ocuparea poziiei libere din legtura
covalent de ctre un electron dintr-o alt legtur covalent i repetarea procesului din
aproape n aproape (fig. 3). n fig. 4 este prezentat un model unidimensional care
ilustreaz "deplasarea" golului prin ocuparea succesiv a poziiei acestuia de ctre
electronii legai. n realitate, fenomenul se desfoar n trei dimensiuni. Prin analiz
fizic se poate arta c golurile se comport ca nite particule ncrcate electric pozitiv (n
jurul golului exist o sarcin pozitiv net de la nucleele atomilor nvecinai).
Un semiconductor pur din punct de vedere chimic se numete semiconductor
intrinsec.
n concluzie, ntr-un semiconductor intrinsec exist purttori liberi de sarcin
pozitiv i de sarcin negativ, care apar n perechi la temperaturi de peste 0 K i care se
pot mica independent unii de alii. Concentraiile acestor purttori cresc odat cu
creterea temperaturii.


Semiconductoare extrinseci

Un semiconductor extrinsec se obine dintr-unul intrinsec din grupa a IV-a
(germaniu sau siliciu) prin nlocuirea n unele noduri ale reelei cristaline a atomilor
originali cu atomi ai altor elemente numite impuriti. Procesul se numete dopare sau
impurificare. Se folosesc impuriti pentavalente: antimoniu (stibiu Sb), arsen (As) sau
fosfor (P), pecum i impuriti trivalente: aluminiu (Al), bor (B), galiu (Ga) sau indiu
(In).
Prin impurificare cu elemente pentavalente se obin semiconductoarele de tip n
(fig. 5). Impuritile pentavalente se mai numesc donoare (de electroni). Electronul n
plus asociat impuritii devine liber la temperatura camerei, iar atomul de impuritate
devine ionizat pozitiv, aprnd n felul acesta o sarcin pozitiv fix n reeaua cristalin.
+4
+4 +4
+4
+4 +4
+4
+4 +4
Fig. 1. Model bidimensional pentru structura cristalin a
unui semiconductor din grupa a IV-a la 0K.




De obicei exist mult mai muli electroni liberi provenii prin dopare dect electroni liberi
intrinseci (i evident goluri intrinsece). ntr-un semiconductor de tip n, electronii se
numesc purttori majoritari, iar golurile minoritari.
Prin impurificare cu elemente trivalente se obin semiconductoare de tip p (fig. 6).
Golul suplimentar asociat unui atom oarecare de impuritate devine liber la temperatura
camerei. Atomul nsui devine ionizat negativ, aprnd astfel o sarcin negativ fix n
reeaua cristalin. De obicei exist mult mai multe goluri provenite din dopare dect
goluri intrinseci. ntr-un semiconductor p, golurile sunt purttori majoritari, iar electronii
minoritari (de obicei se renun la specificarea atributului de "liberi" pentru electroni,
deoarece doar acetia particip la procesul de conducie alturi de goluri, electronii legai
neavnd nici un rol n acest proces).
n procesul de dopare rezult concentraii de impuriti mult mai mici dect
concentraiile de atomi. De aceea, proprietile chimice, mecanice i metalurgice ale
semiconductorului nu sunt afectate prin dopare, n schimb proprietile electrice sunt mult
schimbate.
+4
+4 +4
+4
+4 +4
+4
+4 +4
Fig. 2. Apariia unei perechi electron-gol la T>0K

Concentraiile atomilor sunt de ordinul de mrime al numrului lui Avogadro,
adic 10
23
cm
-3
. O dopare de 10
20
cm
-3
atomi de impuriti, considerat destul de mare,
duce la o concentraie de abia 0,1%.












+4
+4 +4
+4
+4 +4
+4
+4 +4
Fig. 3. Electronii i golurile se pot deplasa prin
semiconductor independent unele de altele. Micarea
golurilor echivaleaz micarea electronilor prini n
legturile covalente.






Mecanisme de conducie a curentului n semiconductoare

n semiconductoare exist dou mecanisme care provoac micarea ordonat a
purttorilor de sarcin, deci implicit apariia curentului electric: driftul (deriva) n cmp
electric i difuzia din cauza existenei gradienilor de concentraie.
Se tie c, ntr-un cmp electric E, o sarcin q este supus unei fore F=qE, sub
aciunea creia se mic uniform accelerat. Datorit semnului sarcinii pe care o poart,
golurile se mic n sensul cmpului, iar electronii n sens contrar (fig. 7). n interiorul
semiconductoarelor, micarea de acceleraie are loc pentru intervale foarte scurte de timp
din cauza cicnirilor purttorilor liberi cu reeaua cristalin. n urma acestor ciocniri,
energia cinetic a particulelor se pierde i micarea rencepe cu vitez iniial nul. Din
cauza numrului mare de ciocniri, la nivel macroscopic, adic privind semiconductorul n
ansamblu pe o perioad suficient de lung de timp, micarea purttorilor apare ca i cum
s-ar efectua cu vitez constant. n fig. 8 este ilustrat situaia idealizat, unidimensional
a unei particule care se deplaseaz sub aciunea unei fore constante i sufer ciocniri
periodice n urma crora i pierde toat energia cinetic acumulat i este indicat viteza
medie a particulei. Din punct de vedere electric, particulele n micare dau natere unui
curent de drift.
Curentul de difuzie apare din cauza faptului c, asemenea oricror particule
microscopice, electronii i golurile au tendina de a se deplasa dinspre zonele cu
concentraie mai mare spre zonele adiacente cu concentraie mai mic, dnd astfel natere
unui curent electric (fig. 9).
Curenii de drift i de difuzie au roluri eseniale n funcionare dispozitivelor
electronice semiconductoare.

t=t
1
t=t
2
>t
1
t=t
3
>t
2
Fig. 4. Imagine unidimensional pentru micarea unui gol
(spre dreapta n acest exemplu)






+4
+4 +4
+4
+5 +4
+4
+4 +4
Fig. 5. Semiconductoare extrinseci de tip n. O impuritate
donoare (pentavalent) se ionizeaz foarte uor (pierde un
electron). Apare un electron liber i o sarcin pozitiv
fix.

















+4
+4 +4
+4
+3 +4
+4
+4 +4
Fig. 6. Semiconductoare extrinseci de tip p. O impuritate
acceptoare (trivalent) se ionizeaz foarte uor (accept un
electron). Apare un gol i o sarcin negativ fix.










_
+
+
F=qE
_
F=-qE
E
Fig. 7. Micarea accelerat a purttorilor n cmp electric

+
F=qE
t
v
v
med
Fig. 8. Sarcin pozitiv n micare unidimensional, sub influena unui
cmp electric, ntr-o reea cristalin (se neglijeaz agitaia termic).






















Suprafee de
egal
concentraie
Vectorul
gradient n
punctul P
P
Fig. 9. Curentul de difuzie are sensul gradientului ntr-un cmp de
concentraii

Jonciunea pn

a) Jonciunea pn la echilibru
O jonciune pn const dintr-o bar de metal semiconductor n lungul axei creia
concentraie de impuriti variaz brusc de la o majoritate de impuriti acceptoare la o
majoritate de impuriti donoare.
J onciunea nu poate fi construit prin punerea n contact a dou buci de
semiconductor dopate diferit, deoarece ar rezulta o ntrerupere a structurii cristaline n
zona de contact. Pentru a nelege fenomenele din jonciune, s ne imaginm totui c ar
fi posibil s punem n contact dou buci din acelai material semiconductor, una dopat
p i cealalt n, fr a exista o discontinuitate a reelei cristaline. Din cauza diferenelor de
concentraie, golurile difuzeaz din zona p n zona n, iar electronii din zona n n zona p,
neutraliznd purttorii din vecintatea jonciunii (fig. 1). n regiunile respective apar
sarcini fixe necompensate ale atomilor de impuritate (nu mai sunt neutralizate de ctre
purttorii mobili). Ca urmare, ia natere un cmp electric ce se opune micrii n
continuare a purttorilor mobili. Se realizeaz un echilibru dinamic, n care micarea de
difuzie a electronilor din zona n n zona p este compensat de micarea de drift invers a
acestora i la fel pentru goluri (pricipiul echilibrului detaliat). Curentul electric total este
nul ntr-o astfel de jonciune aflat la echilibru (adic temperatura este aceeai n toate
punctele semiconductorului i acesta nu este supus nici unui cmp electric extern, radiaii
luminoase sau ionizante, nucleare etc).
Regiunea n care predomin cmpul electric se numete zon srcit (de
purttori mobili). n aceast zon se spune c exist o sarcin spaial (dat de atomii de
impuritate ionizai, fici). De multe ori se folosete aproximaia de golire, conform creia
zona srcit este complet golit de purttori. Celelalte dou zone (p i n) se numesc
regiuni neutre.
Cmpul electric E
0
d natere unei diferene interne de potenial ntre zona n i
zona p numit diferen de potenial de contact, sau barier de potenial. Ea este de
ordinul zecimilor de volt.

b) Jonciune pn n polarizare direct

Polarizarea direct a jonciunii pn nseamn aplicarea unei diferene de potenial
V
F
pozitive ntre marginile exterioare ale zonelor p i n. Ca urmare, datorit cmpului
electric exterior care este aplicat implicit, cmpul electric intern i deci i diferena
intern de potenial scad i limea regiunii srcite scade i ea (fig. 2). Se poate
demonstra c apar creteri ale concetraiilor de purttori mobili, minoritari la marginile
regiunii de sarcin spaial, care variaz exponenial cu V
F
. Se genereaz astfel purttori
n exces (suplimentari fa de situaia de la echilibru). Fenomenul se numete injecie de
purttori minoritari (purttorii sunt injectai din regiunile n care sunt majoritari n cele n
care sunt minoritari). Se stric i echilibrul dintre curenii de drift i de difuzie. Curenii
de drift scad din cauza scderii cmpului electric i sunt deci favorizai curenii de
difuzie. Vor difuza desigur purttorii majoritari (n regiunile din care pleac) strbtnd
jonciunea, deci curentul rezultat poate avea valori mari; se poate demonstra c i acesta
variaz exponenial cu V
F
. n corpul semiconductorului predomin fenomene de
recombinare, prin care purttorii injectai se recombin cu purttori de semn opus.
Curentul este susinut de generarea de purttori la contactele metalice.



c) Jonciunea pn n polarizare invers

Polarizarea invers a jonciunii pn nseamn aplicarea unei diferene de potenial
pozitive V
R
ntre marginile exterioare ale zonelor n i p (fig. 3). Ca urmare, diferena
intern de potenial crete i limea regiunii srcite crete i ea. Concentraiile de
purttori minoritari la marginile regiunii de golire scad. Apare o srcire de purttori
minoritari, ceea ce nseamn valori negative pentru concentraiile de purttori n exces.
Fenomenul se numete extracie de purttori minoritari. Deoarece cmpul electric intern
crete, cresc curenii de drift n dauna celor de difuzie. Cum prin drift strbat jonciunea
purttori ce pleac din regiunile n care sunt minoritari, curentul rezultat este foarte mic i
se satureaz (adic atinge o valoare limit la creterea tensiunii V
R
) din cauza lipsei de
purttori disponibili. n corpul semiconductorului predomin procesele de generare de
purttori care susin micul curent de purttori minoritari. Dup cum vom vedea, dac V
R

depete o anumit valoare, apar fenomene de strpungere, n urma crora curentul I
R

poate crete foarte mult.



Contactele ohmice (metal semiconductor) introduc diferene de potenial de contact
care compenseaz diferena intern de potenial a jonciunii n condiii de echilibru, astfel
nct tensiunea la borne s se anuleze. Ele sunt bune conductoare de electricitate n
ambele direcii i bariera de potenial metal semiconductor nu i schimb semnificativ
valorea n urma polarizrii. Se poate arta c, pentru ca s se produc aceste fenomene,
este necesar fie ca n regiunea de contact metal semiconductor s se produc o
mbogire cu purttori mobili, fie ca timpul de via al puttorilor n exces s fie extrem
de redus n semiconductor n vecintatea contactului. Timpul de via al purttorilor n
Fig. 1. Jonciune pn la echilibru (nepolarizat)
atomi acceptori
ionizai (regiune
de sarcin spaial)
l
0
10
-4
cm
electroni
goluri atomi donori
ionizai (regiune de
sarcin spaial)
regiune p regiune n
E
0
exces este mrimea intervalului mediu de timp scurs ntre momentul cnd apar, n corpul
semiconductorului, purttori n exces fa de situaia de la echilibru i momentul cnd
acetia se recombin. este un parametru foarte important pentru funcionarea n regim
dinamic a dispozitivelor construite cu semiconductoare, influennd viteza acestora.






l
d
<l
0

regiune p regiune n
E
d
<E
0
+
_
R
I
F
+
_
V
F
>0
E

contact
ohmic

Fig. 2. Jonciune pn polarizat direct.







Fig. 3. Jonciune pn polarizat invers.

l
r
>l
0

regiune p regiune n
E
r
>E
0
+
_
R
I
R
_
+
V
R
>0
E

contact
ohmic

Rezistena dinamic a diodei

Vom introduce nite notaii importante, care au o utilizare larg rspndit.
Variabilele electrice, tensiuni i cureni, pot fi scrise ca sume dintre valorile lor de
curent continuu i componentele lor variabile sau de semnal. n multe dintre circuitele
electronice, n special n cele de semnal mic, cum sunt preamplificatoarele, valorile de
curent continuu sunt folosite pentru polarizarea componentelor diode, tranzistoare etc
adic pentru stabilirea unui punct static de funcionare PSF iar variabilele de semnal
sunt folosite ca suport pentru transportul informaiei.
Variabilele totale de semnal le vom nota cu litere mici crora le vom afecta indici
scrii cu litere mari, de exemplu v
F
.
Componentele continui le vom nota cu litere mari afectate de indici scrii cu litere
mari, de exemplu V
F
.
Variabilele de semnal le vom scrie cu litere mici i indici mici, de exmplu v
f
.
Avem

F F f
v V v = + . (1)

De obicei variabilele de semnal au valori mici n raport cu cele de polarizare | |
f F
v V << .
O importan aparte o au componentele de semnal care sunt sinusoide.
Amplitudinile acestora se notez ci litere mari i indici mici, de exemplu V
f
. Vom avea de
exemplu:

( ) cos( )
f f
v t V t = + . (2)

Amintim c 2 f = se numete pulsaie, f fiind frecvena,
2 1
T
f

= = se numete
perioad, iar
2
f
eff
V
V = se numete valoare efectiv.
Amintim c importana semnalelor sinusoidale n studiul circuitelor provine din
faptul c sistemele (circuitele) liniare nu schimb nici forma acestora (adic variabilele
electrice sunt sinusoidale n toate punctele i la toate bornele circuitului) i nici frecvena.
Un sistem este liniar dac ascult de principiul superpoziiei, adic rspunsul sistemului
la o combinaie liniar de semnale este combinaia liniar a rspunsurilor la semnalele
individuale, adic aplicate pe rnd. n plus, teoria lui Fourier asigur faptul c orice
semnal se poate scrie ca o sum (n sens larg, adic poate fi i integral) de sinusoide.
Cunoscnd rspunsul circuitului la orice sinusoid, se poate aplica superpoziia pentru a
cunoate (n principiu) rspunsul la un semnal oarecare. Din aceste motive, de foarte
multe ori circuitele sunt caracterizate prin rspunsurile lor la semnale de excitaie
sinusoidale, de frecven arbitrar.
Folosind diodele, vom ilustra acum separarea funcionrii circuitelor n dou
regimuri: de curent continuu i de curent variabil.
Cosiderm un circuit care conine o diod, fig. 1 i presupunem c tensiunea la
bornele acesteia este dat de (1), componenta variabil fiind (2) cu
f F
V V << . de fapt,
impunem ca amplitudinea s fie mult mai mic dect tensiunea termic, aa-numita
condiie de semnal mic:

f T
kT
V V
q
<< = . (3)




Presupunem c frecvena f este suficient de mic nct fenomenele care se produc
s poat fi considerate ca o succesiune de stri statice, adic, n fiecare moment, relaia
dintre curentul i tensiunea la bornele diodei s fie

0
1
F
T
v
mV
F
i I e
| |
= |
|
\ .
. (4)

n sens strict, (4) e valabil dac variabilele se nlocuiesc cu V
F
i I
F
; dac variaiile sunt
lente, atunci putem face aproximaia (4), numit de cuasistaionaritate.
Construcia punct cu punct care d, n fiecare moment, curentul prin diod i
F

pornind de la tensiunea v
F
i folosind caracteristica diodei este artat n fig. 2. Dac este
adevrat (3), atunci putem aproxima caracteristica diodei cu tangenta dus prin punctul
static de funcionare ( , )
F F
PSF V I = . n felul acesta se comit dou erori: una de
amplitudine, evideniat pe figur de mrimile
1
i
2
i una de form, deoarece, dac
prin folosirea tangentei se ajunge la un curent sinusoidal, prin folosirea caractersiticii
reale nu se ntmpl acest lucru. Dup cum se vede, aceste erori sunt mici; ele devin
neglijabile avnd n vedere (3) deoarece, pe figur, amplitudinile sunt mult exagerate din
motive de vizualizare.
Prin folosirea tangentei la grafic, relaia dintre variabilele de semnal devine
liniar:

f
f
d
v
i
r
= (5)

Fig. 1 Circuit cu diod.

+

v
F
i
F


Alte
circuite
unde r
d
se numete rezisten dinamic i are evident valoarea dependent de punctul
static de funcionare:

( , )
1
F F
F
d F
PSF V I
di
r dv
=
= . (6)

Relaia dintre variabilele de curent continuu rmne (4) cu
F F
v V = i
F F
i I = . Se observ
c am separat n acest fel studiul funcionrii schemei n curent continuu de cel n curent
alternativ, o tehnic pe care o vom folosi deseori mai trziu, n cazul unor scheme
nebanale.




ncheiem acest paragraf prin calculul rezistenei dinamice.
( ) ,
F F
PSF V I =
0 0 0
0
1
1
F F
T T
v v
mv mv F F
d F T T T
PSF
PSF PSF
I i I I I d
I e e
r dv mV mV mV
| | | |
+ +
= = = = | |
| |
\ . \ .

deci
0
T
d
F
mV
r
I I
=
+
. (7)
Fig. 2. Forme de und la semnal mic pentru o diod.

2
v
F
i
F
t

i
f
v
f
t

(V
F
,I
F
)




Observaie
O alt tehnic pentru obinerea valorii rezistenei dinamice, care n plus pune
direct n eviden separarea dintre regimul de curent continuu i cel de curent alternativ
fr ajutoare grafice i totodat arat necesitatea lui (3) este dezvoltarea n serie Taylor n
jurul PSF. Prelucrm (4) dup cum urmeaz:

0 0 0
0
0 0
1 1 1 1
1
1 .
F f f
F F
T T T T
F F
T T
V v v
V V
f mV mV mV mV
F
T
V V
f mV mV F
F f F f F f
T T d
v
i I e I e e I e
mV
v
I I
I e I e I v I v I i
mV mV r
+
| | | |
(
| |
| | = = + = (
|
| |
\ . (

\ . \ .
| |
+
= + = + = + = + |
|
\ .



Rezult imediat (7). Evident c cele dou abordri sunt asemntoare fiindc se bazeaz
pe proprietile derivatei unei funcii.


Aplicaie

Se consider circuitul din Fig. 3., n care dioda are un curent de saturaie I
S
=1 nA i un
factor de idealitate m=1,5. Generatorul de semnal sinusoidal are amplitudinea V
g
=0,5 V,
iar condensatorul are o reactan neglijabil la frecvena de lucru. S se calculeze
amplitudinea tensiunii de semnal la bornele diodei V
f
i amplitudinea curentului prin
diod I
f
. La frecvena semnalului se pot neglija efectele capacitive din diod. Se va lua
V
T
=26 mV.

+
+


v
g
V=20 V
R
1
=10 k
R
2
=10 k
C
i
F
=I
F
+i
f
+

v
F
=V
F
+v
f
Fig. 3. Circuit cu diod.

( ) ( ) sin
g g
v t V t = .
R

Schema echivalent n curent continuu a circuitului este prezentat n Fig. 4.



Datorit tensiunii mari n serie cu dioda, putem neglija cderea de tensiune pe aceasta
Rezult

1 2
20V
1mA
20k
F
V
I
R R
= =
+

Se calculeaz rezistena dinamic a diodei n punctul de funcionare
3
3 9
1,5 26 10
39
10 10
T
d
F S
mV
r
I I



= = =
+ +

(curentul I
S
se poate neglija fa de curentul direct).

Schema echivalent pentru variaii este reprezentat n Fig. 5.





V=20 V
+

R
1
=10 k R
2
=10 k
I
F
+

V
F
Fig. 4. Schema echivalent n curent continuu a circuitului din Fig. 3.
+

v
g
R
1
=10 k
i
f
+

v
f
r
d
Fig. 5. Schema echivalent pentru variaii a circuitului din Fig. 3.

Se aplic regula divizorului de tensiune:

-3
1
39
0,5 V=1,94 10 V=1,94mV
10039
d
f g
d
r
V V
R r
= =
+


Se observ c este respectat condiia
f T
V V << .

1,94mV
0,05mA=50A
39
f
f
d
V
I
r
= = .
Capacitile de barier i de difuzie ale unei jonciuni pn

Dup cum am vzut la prezentarea jonciunii pn, variaia tensiunii la capetele
barei de semiconductor provoac, printre altele, dou fenomene: variaia limii regiunii
srcite (numit i de sarcin spaial) i variaia concentraiilor de impuriti n cele dou
regiuni neutre. Dac tensiunea variaz lent, atunci aceste schimbri au loc simultan cu
tensiunea i putem considera c are loc un regim de cuasistaionaritate. Dac viteza de
variaie a tensiunii este mai mare, atunci schimbrile din interiorul semiconductorului nu
au loc instantaneu, deci trebuie s inem cont de fenomenul de inerie. n particular, se
poate demonstra c ineria poate fi modelat n cazul jonciunii pn prin introducerea a
dou capaciti de semnal mic: capacitatea de barier i capacitatea de difuzie.
Capacitatea de barier C
b
modeleaz fenomenele care au loc ca urmare a
modificrii regiunii de srcire. Dac are loc condiia de semnal mic | |
f T
v V << , atunci se
poate demonstra c, n ipoteza de golire, avem

0
0
1
b
F
C
C
V

(1)

unde C
0
este o constant, iar
0
se numete diferen intern de potenial (de asemenea o
constant, sub 1 V).
Capacitatea de difuzie C
d
modeleaz faptul c nu pot avea loc variaii brute ale
concentraiilor de purttori din regiunile neutre ca urmare a variaiilor tensiunii directe pe
jonciune. Ea depinde aproximativ exponenial de V
F
, dar nu se poate da o formul
precis.
Dependena capacitilor de barier i de difuzie de tensiunea de polarizare este
dat n fig. 1, iar schema echivalent complet a jonciunii la semnal mic este dat n fig.
2. Unele elemente pot s lipseasc din aceast schem, de exemplu capacitatea de difuzie
cnd jonciunea este polarizat invers. De altfel, acesta este regimul n care se
exploateaz diodele cel mai frecvent la nalt frecven i semnal mic pe post de
capaciti comandate n tensiune. Diodele respective se numesc diode varicap.
Capacitatea diodelor varicap la nalt frecven este de ordinul zecimilor de pF pn la
ordinul ctorva pF. La polarizare invers, rezistena diferenial a diodei devine foarte
mare, deci i ea poate fi neglijat n multe situaii sau n prim aproximaie.
Capacitatea de difuzie poate fi de ordinul ctorva pF pn la zeci de nF.
Exist diode de construcie special care pot fi exploatate la nalt frecven la
semnal mare. Acestea se numesc diode de comutaie. Nu trebuie confundate cele dou
regimuri de nalt frecven.
















Aplicaie
Se consider circuitul acordat din Fig. 3 (a), realizat cu o diod varicap. Capacitatea se
consider suficient de mare pentru a fi practic un scurtcircuit la frecvena de lucru, iar
rezistena R suficient de mic pentru ca tensiunea invers pe diod s fie V. tiind c
C
0
=20 pF, L=21,9 H,
0
=1 V i c V variaz ntre 2 i 47 V, ntre ce limite poate fi
reglat frecvena de rezonan a circuitului? [Gray 1973]



Fig. 1. Variaiile capacitilor de barier C
b
i de
difuzie C
d
cu tensiunea direct pe o jonciune pn.
v
F
0
C
b
C
d
C
d
, C
b
varicap

r
d
C
b
C
d
Fig. 2. Schem echivalent la
semnal mic a unei jonciuni pn.
Valorile componentelor depind de
PSF.





R

Circuitul echivalent pentru semnal alternativ sinusoidal (schema echivalent pentru
variaii) este reprezentat n Fig. 3 (b). Tensiunea de alimentare fiind constant, variaia sa
este nul, deci, n schema pentru variaii ea apare ca un scurtcircuit.
Frecvena de rezonan se obine din condiia ca impedana de intrare s fie real:

1 1
Y j C
R j L

= + + real implic

1
L
C
=

, de unde

0 0
1 1
;
2
f
LC LC
= =

.

Avem
0
0
20pF 20pF
; 2,89pF; 11,55pF
47 2
1 1+ 1+
1 1
b bmin bmax
C
C C C
V
= = = = =
+

.


R C
b
L
+

V
C
D
R
L
(a)
(b)
Fig. 3. (a) Circuit acordabil cu diod varicap. (b) Schema echivalent la
variaii
Y


Rezult

7
6 12
1 1
10 Hz=10MHz
2
2 21,9 10 11,55 10
min
max
f
LC

= =


;


7
6 12
1 1
2 10 Hz=20MHz
2
2 21,9 10 2,89 10
max
min
f
LC

= =


.

Frecvena se poate regla pe un interval de o octav.

















Concentraiile de purttori ntr-o jonciune pn







Fig. 1. Concentraiile de purttori ntr-o jonciune
(a) la echilibru; (b) polarizat direct; (c) polarizat
invers.
p n
n,p [cm
3
]

x

l
n0
n

p

Regiune de
srcire

l
p0
10
9

10
16

x
l
n+
n

p

Regiune de
srcire

l
p+
10
9

10
16

n,p [cm
3
]

x

l
n
n

p

Regiune de
srcire

l
p
10
9

10
16

n,p [cm
3
]

(a)
(b)
(c)











r
d
C
b
C
d
Fig. 2. Schem echivalent la
semnal mic a unei jonciuni pn.
Valorile componentelor depind de
PSF.
Strpungerea jonciunii pn

Strpungerea jonciunii pn const n creterea curentului invers la o anumit
tensiune invers numit tensiune de strpungere V
BR
(fig. 1).



Fenomenul de strpungere este reversibil i nu distruge jonciunea dac se
limiteaz valoarea maxim a curentului invers la o anumit valoare dependent de
construcia dispozitivului I
Rmax
. Tensiunea invers este aproximativ constant pentru un
domeniu larg de variaie a curentului invers, notat ( ) ,
Rmin Rmax
I I .
Dispozitivul a crui funcionare se bazeaz pe fenomenul de strpungere se
numete diod Zener i se folosete la construcia stabilizatoarelor de tensiune, deoarece
tensiunea invers este aproximativ constant de ndat ce curentul invers depete
valoarea I
Rmin
.
Exist dou fenomene fizice care explic strpungerea: multiplicarea n avalan
i efectul Zener.
Pentru a explica multiplicarea n avalan, pornim de la faptul c, la polarizare
invers, curentul este mic deoarece numrul purttorilor care strbat jonciunea este mic.
Dac tensiunea invers crete, atunci cmpul electric din regiunea de srcire crete.
Deoarece, la polarizare invers, micarea purttorilor este n principal guvernat de
driftul n cmp electric, creterea cmpului duce la creterea energiei cinetice a
purttorilor. La o anumit tensiune invers, cmpul devine suficient de puternic pentru a
imprima purttorilor o energie care s provoace, n urma ciocnirilor cu atomii reelei
cristaline, ruperi ale legturilor covalente i formri de perechi noi electron gol. Noii
purttori astfel formai sunt accelerai de cmp i formeaz prin ciocniri, la rndul lor,
perechi electron gol i procesul se multiplic n avalan (fig. 2 (a)).
Fig. 1. Caracteristica unei jonciuni pn n zona de
strpungere. Panta poate fi mai abrupt dect cea
reprezentat.

v
F
i
F
I
0
I
Rmax
V
BR
I
Rmin
Efectul Zener apare n cazul jonciunilor puternic dopate, la concentraii de
impuriti mai mari de 10
18
cm
-3
. n acest caz, sub aciunea direct a cmpului electric se
rup legturi covalente ceea ce duce la creterea concetraiilor de purttori mobili i
implicit a curentului. Tensiunile inverse ale jonciunilor la care se manifest efectul Zener
sunt mici, sub 5 V.
Diodele construite pentru a fi utilizate pe baza fenomenului de strpungere se
numesc diode Zener indiferent de mecanismul care st la baza funcionrii lor.
n fig. 3 se prezint simbolul pe care l vom folosi i modelul diodei Zener cnd
jonciunea e polarizat invers. Cnd aceasta e polarizat direct, dispozitivul se comport
ca o diod obinuit. Rezistena serie R, definit analog cu cea a unei diode obinuite,
este mic, de multe ori neglijabil, de ordinul ohmilor.







(a)
(b)

Fig. 2. Strpungerea jonciunii pn. (a) Avalan. (b)
Efect Zener.

E

F

+4 +4
v
+
v
R
i
R
v
R
= v
F
i
R
= i
F
(a)

Fig. 3 Simbol (a) i schem echivalent (b) ale unei diode Zener n zona de
strpungere.
V
BR
+

R
R=dv
F
/di
F
+

i
R
v
R
(b)

Stabilizator cu diod Zener

Schema echivalent Thvnin a unei surse liniare conine o surs ideal de tensiune
continu V
G
n serie cu o rezisten echivalent R
G
. O sarcin rezistiv liniar poate fi
reprezentat printr-o rezisten R
L
. Alimentarea sarcinii de ctre surs este modelat prin
schema din fig. 1.



Tensiunea i curentul prin sarcin sunt date de

L
L G
G L
G
L
G L
R
V V
R R
V
I
R R
=
+
=
+
. (1)

Dac
G L
R R << , atunci sarcina este alimentat la aproximativ tensiunea
electromotoare a sursei. Din pcate, multe dintre sursele de tensiune nu ndeplinesc
aceast condiie i atunci tensiunea la care e alimentat sarcina depinde de valoarea
sarcinii. n plus, chiar dac este ndeplinit condiia
G L
R R << , tensiunea V
G
are uneori
pulsaii, ca n cazul unui redresor, chiar filtrat i aceste pulsaii se transmit sarcinii. n
multe situaii, prezena pulsaiilor nu este admisibil. Eliminarea pulsaiilor i reducerea
dependenei tensiunii pe sarcin de valoarea acesteia se realizeaz prin stabilizare.
Cea mai simpl schem de stabilizare a tensiunii de alimentare const n conectarea
unei diode Zener mpreun cu o rezisten de limitare a curentului R
1
, ca n fig. 2 (a). n
fig. 2 (b) este reprezentat schema ce se obine nlocuind dioda cu modelul n zona de
strpungere. Dac considerm pentru nceput 0 R = , observm c
L BR
V V = , deci
variaiile lui V
G
nu se transmit sarcinii. Preul pltit pentru stabilizare este puterea
consumat n rezistena R
1
.
Dac notm cu I
Zmax
curentul maxim suportat de dioda Zener, atunci rezistena de
limitare se alege din condiia ca acest curent s nu fie depit. Prin diod circul cel mai
mare curent cnd R
L
lipsete (circuit deschis), deci

Fig. 1. Surs liniar de
tensiune continu.

I
L
R
G
V
L
V
G
+

R
L
+







1
0
G BR
L Z Zmax
G
V V
I I I I
R R

= = =
+


1
( 0)
G Zmax G BR
Zmax
V I R V
R R
I

. (2)



Curentul absorbit de la surs este constant n raport cu sarcina (nu depinde de R
L
):

1
( 0)
G BR
Z L Zmax
G
V V
I I I I R
R R

= + =
+
. (3)

Aceast relaie furnizeaz o explicaie pentru mecanismul fizic de stabilizare: variaiile
curentului de sarcin sunt preluate de curentul prin diod. Curentul prin sarcin nu poate
depi valoarea I
Zmax
dac schema este proiectat la limit, caz n care prin diod nu
curge curent (semnificativ).
Stabilizarea este posibil atta timp ct curentul prin diod depete valoarea I
Zmin
.
Din (3) rezult
Fig. 2. Schem electric (a) i schem echivalent (b)
ale unui stabilizator cu diod Zener.
(a)

R
G
V
G
+

I
L
v
L R
L
+

R
1
(b)

V
BR
+

R
I
Z
R
G
V
G
+

I
L
v
L
R
L
+

R
1 I

1
( 0)
G BR
L Z
G
V V
I I R
R R

=
+


deci

max
1
( 0)
G BR
L L Zmin
G
V V
I I I R
R R

= <
+
. (4)

Dac se ine cont de rezistena serie a diodei R, atunci caracterizarea cea mai bun a
stabilizatorului se poate face n termenii circuitului echivalent Thvnin, adic tensiunea
n gol i rezistena de ieire. Pentru tensiunea n gol, considerm c R
L
este absent n fig.
2 (b). Rezult (fig. 3)



1
1 1 1
G BR S
gol BR G BR BR
S S S
V V R R R
V R V V V V
R R R R R R R R R
+
= + = +
+ + + + + +
. (5)

Pentru rezistena de ieire n gol pasivizm (scurtcircuitm) sursele de tensiune. Rezult

0 1
||( )
S
R R R R R = + . (6)


Fig. 3. Schem pentru calculul elementelor
echivalente Thvnin (a) tensiunea n gol (b)
rezistena intern.
R
1
(a)

V
BR
+

R
I
Z
R
G
V
G
+

V
gol
+

R
1 I

(b)

R
R
G
R
0
I

Valorile din ultimii membri din (4) i (5) sunt valabile cnd ,
G L
R R R << , fapt ce se
ntmpl n majoritatea situaiilor.



Exemplu:

S se dimensioneze un stabilizator cu diod Zener care s furnizeze o tensiune stabilizat
de 9 V, fiind alimentat de la o surs nestabilizat de 25 V, astfel nct stabilizatorul s
poat funciona n gol. S se determine rezistena de sarcin minim care poate fi
conectat la bornele stabilizatorului. Se dau: I
Zmax
=100 mA, I
Zmin
=6 mA; se neglijeaz
rezistena dinamic a diodei Zener (care e n jur de 4 ).
R


25V-9V
160
0,1A
L Z Zmax S
R I I I R = = = = =
9V
95,7.
100-6mA
Z Zmin
L Lmin Lmin
Lmax Zmax Zmin
I I
R R R
I I I
=
= = =



Puterea maxim disipat pe dioda Zener este

9V 100mA=900mW.
Z Z Zmax
P V I = =


Factorul de stabilizare
Variaiile tensiunii de ieire ale stabilizatorului apar din cauza pulsaiilor tensiunii de
alimentare i ale curntului de sarcin. Cu ct aceste variaii sunt mai mici, cu att
stabilizatorul este mai bun. Pentru a caracteriza cantitativ proprietile de stabilizare ale
circuitului, se procedeaz dup cum urmeaz.
Se consider schema din figura urmtoare, considernd mrimile electrice ca fiind
variabile, cu excepia tesiunii date de dioda Zener (reprezentat prin modelul su).


Stabilizator cu diod Zener

I

25 V

+

I
L
v
L
R
L
+
_
R
S
9 V

I
Z




Avem:
( )
1
0
G G L
L Z
Z BR L
e i R R v
i i i
i R V v
= + +

= +

+ =



Se elimin i
Z
din a doua i a treia ecuaie i se nlocuiete i n prima. Rearanjnd termenii
rezult

( )
1 1
1
1
G G
G L G L Z
R R R R
e i R R v V
R R
+ + | |
= + + +
|
\ .
.
Trecnd la variaii i innd cont c V
Z
este constant rezult

( )
1
1
1
G
G G L L
R R
e R R i v
R

+ | |
= + + +
|
\ .
.

Cele dou surse de variaii sunt independente. Se definete factorul de stabilizare:

1
0
L
G G
L
i
e R R R
S
v R

=
+ +
= =

i rezistena de ieire n regim dinamic

( )
( )
1
1
1
0
||
G
G L
o G
L G
e
R R R v
r R R R
i R R R

=
+
= = = +
+ +
.
Se observ c aceasta este egal cu rezistena echivalent Thvnin a circuitului care
alimenteaz R
L
n figura anterioar.



V
BR
+

R
i
Z
R
G
e
G
+

i
L
v
L
R
L
+

R
1 i

Exemplu.
S se calculeze factorul de stabilizare i rezistena de ieire n regim dinamic a circuitului
din exemplul anterior. Dac tensiunea de intrare are pulsaii de 1V i curentul de sarcin
i
L
variaz ntre 60 mA i 40 mA, care vor fi pulsaiile tensiunii de ieire?
R:
Avem

1
160
0
4
S
G
R R
R =
R
= =
=


Rezult

160 4
41
4
S
+
= = ;
160 4
3,9
160 4
o
r

= =
+
.
Pulsaiile cauzate de tensiunea de intrare:
1
1V
24,39mV
41
L
v = = .
Pulsaiile cauzate de curentul de sarcin:
( )
2
60mA 40mA 3,9 78 mV
L
v = = .
n cazul cel mai defavorabil, vom avea
1 2
102,39mV
L L L
v v v = + = .

Tranzistorul bipolar introducere


1. Structura constructiv



Tranzistoarele cu o dopare complementar sunt de tip npn.

Ariile jonciunilor sunt cuprinse ntre cteva sute i cteva mii de microni ptrai.
Jonciunile se gsesc la civa microni sub suprafaa semiconductorului.
Grosimea bazei (ntre planele jonciunilor) poate scdea la cteva zecimi de microni.















Fig. 1. Structura constructiv a unui tranzistor pnp.
p+
n
p
contactul
emitorului
contactul
bazei
contactul
colectorului
RSS
2. Comportarea fizic intern
Se spune c tranzistorul se afl n regiunea activ, direct dac jonciunea emitorului
este polarizat direct i jonciunea colectorului este polarizat invers.
Pentru o prezentare transparent a funcionrii tranzistorului n regiunea activ (se
subnelege direct), considerm modelul unidimensional din Fig. 2.


Jonciunea emitorului este polarizat direct; prin urmare, este injectat un curent mare
de goluri din emitor n baz i un curent foarte mic de electroni din baz n emitor.
Dezechilibrul dintre cureni este determinat de doparea, din construcie, mult mai
puternic a emitorului dect a bazei. Electronii injectai n emitor se recombin cu goluri,
acest proces avnd o dimensiune foarte redus.
Golurile tranziteaz baza, unde recombinarea lor cu electroni este foarte mic, aproape
neglijabil, datorit grosimii mici a bazei i a timpului de via mare al purttorilor n
exces.
Ajunse la jonciunea colectorului, golurile traverseaz regiunea de sarcin spaial sub
aciunea cmpului electric i trec n colector. Curentul nu depinde de tensiunea colector
baz, ca la orice jonciune polarizat invers (n prim aproximaie; exist o uoar
dependen din cauza variaiei grosimii bazei cu tensiunea colector baz: efectul Early).
Curgerea curenilor prin tranzistor este reprezentat n Fig. 3.
Simbolurile folosite pentru reprezentarea tranzistoarelor pnp i npn sunt artate n Fig.
4.
n cursul acestui capitol, vom adopta convenia ca sensurile de referin pentru cureni
s fie nspre tranzistor. Notaiile pentru tensiuni indic implicit sensurile de referin n
indici, care arat potenialele terminalelor. De exemplu

BE B E EB
V V V V = = etc.






Fig. 2. Structur simplificat pentru un tranzistor bipolar.
RSS
E
Emitor
p+
Baz
n
RSS
E
Colector
p E
B
C
Polarizat direct
Polarizat invers













Fig. 3. Curenii ntr-un tranzistor bipolar pnp.

flux de goluri
flux de electroni
RSS
(pol.
direct)
RSS
(pol.
invers)
E
E
E
C
E (p+)

B (n)

C (p)

Recombinri

C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor npn

C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor pnp

Fig. 4. Simboluri pentru tranzistoare.
2. Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar






Considerm, pentru nceput, cazul unui tranzistor pnp, aflat n regiunea activ, direct.
Admitem c el este puternic polarizat (prin surse de tensiune continu exterioare), aceast
nsemnnd

EB T
kT
V V
q
>> = ,
CB
kT
V
q
<< .

(De fapt, aceste condiii sunt uor de ndeplinit, avnd n vedere valoarea mic a tensiunii
termice).

Dup cum am vzut, curentul este determinat de polarizarea direct a jonciunii
emitorului. Curentul prin jonciune depinde exponenial de tensiunea pe jonciune, care,
n acest caz, este V
EB
(ca mrime de comand se poate considera i curentul de baz dar,
n acest paragraf, vom lua tensiunea pe jonciunea emitorului ca mrime de comand).
Este destul de clar din punct de vedere intuitiv (i, n orice caz, admitem) c toi cei
trei cureni variaz exponenial cu tensiunea V
EB
.
Deoarece mrimea de ieire este curentul de colector, vom porni de la dependena
exponenial a acestuia de tensiunea V
EB
, sub forma:

1
1
EB
qV
kT
C
I I e

=


(1)

unde I
1
are sensul fizic al unui curent de saturaie.
C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor npn

C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor pnp

Fig. 4. Simboluri pentru tranzistoare.
Curentul de baz are acelai tip de dependen de tensiunea V
EB
. El este ns mult mai
mic, deoarece trebuie s susin doar micile recombinri din baz i din emitor. Vom
scrie:

1
1 , 1
EB
qV
kT
B C
I I I e

= = <<


. (2)

Coeficientul se numete pierdere n baz sau defect n baz deoarece provine din efecte
nedorite.
Curentul de emitor rezult din faptul c suma curenilor care intr i ies printr-o
suprafa nchis este nul. Rezult:

( )
1
1 1
EB
qV
kT
E B C
I I I I e

= = +


. (3)

n cazul unui tranzistor npn, se schimb doar semnele curenilor i sensul tensiunii
directe pe jonciunea emitorului:

( )
1
1
1
1 ,
1
1 1
BE
BE
BE
qV
kT
C
qV
kT
B C
qV
kT
E B C
I I e
I I I e
I I I I e


=



= =



= = +


(4)

Se noteaz, att pentru tranzistoarele pnp ct i pentru cele npn:

1
1
C
E
I
I

= =
+
. (5)

Se noteaz de asemenea:

1
C
B
I
I

= = , (6)

mrime care se numete amplificare n curent, de semnal mare. Avem 1 >> deoarece
1 << .
Relaii ntre i : din (5)

1
1
1
1

= =
+
+
, (7)

de unde rezult c este o mrime subunitar dar foarte apropiat de unitate. Relaia
invers:

1

. (8)






2. Circuite echivalente i caracteristici ale tranzistorului bipolar




n acest context, vom folosi pentru diode simbolul din Fig. 1, indicnd curentul de
saturaie.
Tranzistorul este un dispozitiv cu trei terminale, care se conencteaz ntr-un circuit ca
un dipol, adic un dispozitiv cu dou borne de intrare i cu dou borne de ieire. Rezult
c unul dintre terminale trebuie s fie comun celor dou pori. n aplicaiile de
amplificare de semnal, terminalul de colector aparine circuitului de ieire. Dac
terminalul de emitor aparine doar circuitului de intrare, se spune c tranzistorul lucreaz
n conexiunea baz comun. Dac terminalul de baz aparine doar circuitului de intrare,
se spune c tranzistorul lucreaz n conexiunea emitor comun.
n cele ce urmeaz, deducem nite circuite echivalente pentru tranzistor plecnd de la
relaiile matematice care descriu comportarea sa deduse n paragraful precedent.















C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor npn

C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor pnp

Fig. 1. Simboluri pentru tranzistoare i diode.
_

V
F
I
F
+

I
S
Simbol pentru
diode.

1. Tranzistor pnp n conexiunea baz comun

Relaiile care descriu comportarea circuitului sunt

Caracteristica de intrare

( )
1
1 1
EB
qV
kT
E
I I e

= +


.

Caracteristica de ieire

C E
I I = .

O schem care implementeaz aceste relaii este reprezentat n Fig. 2 (a), iar
caracteristicile de ieire, parametrizate dup curentul de emitor, n Fig. 2 (b).
Dup cum am artat, modelul nu e valabil pentru valori mici ale tensiunilor de
polarizare (jonciuni insufucient polarizate). Aceasta explic forma diferit a graficelor
din apropierea axei verticale, form pe care o admitem fr deducii suplimentare, ca un
fapt de natur experimental.







(b)

(a)

V
CB
[V]
I
C
[mA]
1
2
3
4
1
I
E
=1 mA
I
E
=0
2
2 mA

3
3 mA

4
4 mA

Fig. 2. Tranzistor pnp n conexiunea baz comun. (a) Schem echivalent. (b)
Caracteristici de ieire (exemplu).

I
E
I
C
I
B
(1+)I
1
I
E
V
EB
>>kT/q
V
CB
<<kT/q
E

C

B



2. Tranzistor pnp n conexiunea emitor comun.

Relaiile care descriu comportarea circuitului sunt

Caracteristica de intrare

1
1
EB
qV
kT
B
I I e

=


.

Caracteristica de ieire

C B
I I = .

O schem care implementeaz aceste relaii este reprezentat n Fig. 3 (a), iar
caracteristicile de ieire, parametrizate dup curentul de emitor, n Fig. 3 (b). i n acest
caz, relaiile de mai sus nceteaz s fie adevrate dac jonciunile sunt insuficient
polarizate.








(b)

(a)

V
CE
[V]
I
C
[mA]
2
4
6
8
1
I
B
=20 A
I
B
=0
2
40 A

3
60 A

4
80 A

Fig. 3. Tranzistor pnp n conexiunea emitor comun. (a) Schem echivalent. (b)
Caracteristice de ieire (exemplu).

I
E
I
C I
B
(1+)I
1
I
B
V
EB
>>kT/q
V
CB
<<kT/q
B
C

E



3. Tranzistor npn, conexiunea baz comun (Fig. 4)

Caracteristica de intrare

( )
1
1 1
BE
qV
kT
E
I I e

= +


.

Caracteristica de ieire

C E
I I = .















(b)

(a)

V
CB
[V]
I
C
[mA]
1 2 3 4
1
I
E
=1 mA
I
E
=0
2
2 mA

3
3 mA

4
4 mA

Fig. 4. Tranzistor npn n conexiunea baz comun. (a) Schem echivalent. (b)
Caracteristice de ieire (exemplu).

I
E
I
C
I
B
(1+)I
1
I
E
V
BE
>>kT/q
V
BC
<<kT/q
E

C

B



4. Tranzistor npn n conexiunea emitor comun (Fig. 5).

Caracteristica de intrare

1
1
BE
qV
kT
B
I I e

=


.

Caracteristica de ieire

C B
I I = .













(b)

(a)

V
CE
[V]
I
C
[mA]
1 2 3 4
2
I
E
=20 A
I
B
=0
4
40 A

6
60 A

8
80 A

Fig. 5. Tranzistor npn n conexiunea emitor comun. (a) Schem echivalent. (b)
Caracteristici de ieire (exemplu).

I
B I
C
I
E
(1+)I
1
I
B
V
BE
>>kT/q
V
BC
<<kT/q
E

C

B

Circuite echivalente pentru tranzistorului bipolar care in cont de curenii de
saturaie


Folosind modelul electronilor i golurilor, se poate demonstra c, n regiunea activ,
direct, exist componente de valori mici ale curenilor independente de tensiunea V
EB
la
toate cele trei terminale.
Aceti cureni pot fi modelai prin dou surse independente de curent, datorit
teoremei lui Kirchhof pentru cureni.

1. Tranzistor pnp n conexiunea BC


I
S
i I
C0
au valori de ordinul de mrime al lui I
1
, curentul de saturaie al jonciunii
emitorului. Pentru tranzistoarele cu siliciu, ordinul de mrime este ntre 1 nA i 1 pA. I
C0
se numete curent de saturaie al colectorului n circuit deschis (cu emitorul n gol).

C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor npn

C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor pnp

Fig. 1. Simboluri pentru tranzistoare. Simbolul pentru diod
conine curentul de saturaie.
_

V
F
I
F
+

I
S
Fig. 2. Tranzistor pnp n conexiunea baz comun: schem
echivalent coninnd sursele de curent independente.

I
E
I
C
I
B
(1+)I
1
I
E
E

C

B

I
C0
I
S
2. Tranzistor pnp n conexiunea EC.



Trecerea de la schema din Fig. 2. la cea din Fig. 3. se face dup cum urmeaz.

( )
0 0 0 C E C C B C C B C
I I I I I I I I I = = = + , de unde
1




( )
0 0
1
1
1 1
C B C B C
I I I I I



= = +

.

3. Tranzistor npn n conexiunea BC.



Fig. 3. Tranzistor pnp n conexiunea emitor comun: schem
echivalent coninnd sursele de curent independente.


I
B
I
C
I
E
(1+)I
1
B

C

E

I
B
(1+)I
C0
I
S
Tranzistor npn n conexiunea baz comun: schem echivalent.

I
E
I
C
I
B
(1+)I
1
I
E
E

C

B

I
C0
I
S
4. Tranzistor npn n conexiunea EC.














Tranzistor npn n conexiunea emitor comun: schem echivalent.

I
B
I
C
I
E
(1+)I
1
B

C

E

I
B
+(1+)I
C0
I
S
Circuite echivalente n regiunile de saturaie i de blocare ale tranzistorului bipolar

Dac ambele jonciuni ale tranzistorului sunt invers polarizate, se spune c tranzistorul
se afl n regiunea de blocare sau c este blocat. Curenii la borne sunt mici, de ordinul
lui I
C0
sau I
1
i independeni de tensiunile pe jonciuni. n prim aproximaie,
comportarea electric a tranzistorului poate fi modelat printr-un circuit deschis, ca n
Fig. 1 (a).
Dac ambele jonciuni ale tranzistorului sunt polarizate direct, se spune c tranzistorul
este saturat. n regiunea de saturaie, exist injecie de purttori prin ambele jonciuni, iar
tensiunile pe jonciuni sunt mici i puin dependente de cureni. ntr-o prim aproximaie,
comportarea tranzistorului saturat poate fi modelat printr-un scurtcircuit, ca n Fig. 1 (b).
Aceste regimuri de funcionare sunt importante pentru circuitele digitale.



E
B
C
(a)
E
B
C
(b)
Fig. 1. Scheme echivalente n regiunile de blocare (a) i
saturaie (b) ale tranzistorului bipolar.
Exemplu: amplificator cu un tranzistor n conexiunea emitor comun (EC)









Rezistena de sarcin este R
L
. Se cere s se determine tensiunea de ieire E
O
n funcie
de tensiunile E
C
i E
B
[Gray_1973]. Se dau 1k, 1k, =100
B L
R R = = .
Tranzistorul funcioneaz n regiunea activ, direct, deci

0, 0, 0;
0
B EC C
C C L EC C C L
E V I
E I R V E I R
> > <
+ = >


Aplicm teorema lui Kirchhoff pentru tensiuni pe bucla de intrare:

0
B
B B B B
S
E
E I R I
R
+ = =
Fig. 1. Amplificator simplu n conexiunea EC.
R
B
+
+
+



R
L
E
B
E
C
E
O
I
C
V
EC
+

I
B
Fig. 2. Amplificator elementar n conexiunea
EC, cu model simplu pentru tranzistor.
R
B
+
+
+



R
L
E
B
E
C
E
O
I
C
I
B I
B
Aplicm teorema lui Kirchhoff pentru tensiuni pe bucla de ieire:

0
O C L C O C C L
E I R E E E I R = = + .

Relaia intrare ieire

C B
I I =

Rezult

B L
O C B L C L C B
B B
E R
E E I R E R E E
R R
= + = = .

Circuitul are proprietatea de a amplifica variaiile tensiunii de intrare

100
o O L
u
b B B
e E R
A
e E R

= = = = .

Circuitul nu este sensibil la variaia tensiunii de alimentare
1 100
o O
c C
e E
e E

= = << .

Simultan cu amplificarea de tensiune, circuitul amplific i variaiile de curent:

100
c C
i
b B
i I
A
i I

= = = = .

O amplificare a variaiilor de tensiune ar fi putut fi realizat cu un transformator. Acesta
nu ar fi putut ns s amplifice i variaiile de curent.

Circuitul realizeaz o amplificare de putere (total, nu numai la variaii):

2 2 2 2
2
2
10000
iesire B L B L L
intrare B B B B B
P I R I R R
P E I I R R

= = = =

.

Amplificarea de putere are loc pe baza puterii consumate de la sursa de alimentare.



Refacem calculele pentru cazul alegerii unui model mai elaborat pentru tranzistor.








( )
( )
0
0
1 0
1
B
B B B B E B
B E
O C B L
E V
E I R I R V I
R R
E E I R

+
+ + + = =

+ +

= +



( )
( )
0
1
L
O C B
B E
R
E E E V
R R

=
+ +
;

( ) 1
o O L
u
b B B E
e E R
A
e E R R


= = =
+ +
.

Valori tipice pentru un tranzistor cu siliciu:
0
0,6V; 5
E
V R = = . Cu
1k, =100
B L
R R = = , rezult

3
3
100 10
66,45
10 101 5
u
A

= =
+
.
Fig. 3. Amplificator elementar n conexiunea
EC, cu model complex pentru tranzistor.
R
B
+
+
+



R
L
E
B
E
C
E
O
i
C
I
B I
B
V
0
+

R
E
Efectul Early

Am neglijat pn acum influena tensiunii colector baz asupra caracteristicilor de
semnal mare ale tranzistorului n regiunea activ, direct. Grosimea bazei variaz odat
cu tensiunea V
CB
, deoarece limea regiunii de sarcin spaial a colectorului variaz cu
aceast tensiune. Printr-o analiz teoretic se poate arta c grosimea bazei influeneaz
curentul de colector, deci acesta va varia i cu tensiunea V
CB
.
n Fig. 1, se prezint rezultatul analizei teoretice n cazul unui tranzistor npn.
Caracteristicile I
C
V
CE
admit asimptote care se intersecteaz ntr-un punct care
definete tensiunea Early V
A
. Aceasta are valori uzuale de zeci sute de voli, astfel c
pantele dreptelor reprezentate punctat sunt foarte mici. nclinarea caracteristicilor
tranzistorului se poate neglija n cazul unei analize manuale, dar se ia n considerare n
programele de simulare.
Parametrizarea n Fig. 1 este n funcie de tensiunea V
BE
, dar rezultatul este
aproximativ acelai dac se folosete ca parametru curentul I
B
.
Fenomenul este asemntor i n cazul tranzistoarelor pnp. Difer doar cadranul n
care se afl caracteristicile.








V
CE
I
C
V
BE1
V
BE2
V
BE3
V
A
Fig.1. Caracteristicile unui tranzistor npn pentru o plaj larg de
variaie a tensiunii colector-emitor. V
A
este tensiunea Early.
Caracteristicile complete ale tranzistorului

Este prezentat exemplul unui tranzistor npn. Se trateaz conexiunea cu emitorul
comun.
La creterea tensiunii inverse pe jonciunea colectorului apare un fenomen de
strpungere. Tensiunea respectiv se noteaz cu V
BRCB0
. Avnd n vedere valoarea mare a
acestei tensiuni fa de tensiunea baz emitor (zeci de V fa de sute de mV), de multe
ori se specific tensiunea emitor colector la care apare strpungerea. Fenomenele fizice
care se manifest n vecintatea strpungerii sunt complexe.
Tranzistorul poate funciona i invers, cu jonciunea emitorului polarizat invers i
jonciunea colectorului polarizat direct, astfel c rolurile emitorului i colectorului apar
inversate. n acest regim, adic n regiunea activ, invers, amplificarea n tensiune este
foarte mic, insuficient pentru construcia amplificatoarelor. Motivul acestei comportri
provine din asimetria constructiv a tranzistorului.



Caracteristicile unui tranzistor pnp se obin din cele de mai sus prin analogie.


Fig.1. Caracteristicile de ieire complete ale unui tranzistor npn
n conexiunea cu emitorul comun.
V
CE
[V]
I
C

[mA]
I
B
=0,01 mA
Regiunea activ,
direct
100;
j.e. pol. direct
j.c. pol. invers
V
BRCB0
10 20 30
1
2
3
4
0,02 mA
0,03 mA
0,04 mA
0,04
0,08
I
B
=0,01 mA
0,02 mA
0,03 mA
0,04 mA
Regiunea de saturaie
Regiunea de blocare
Regiunea activ, invers
2;
j.e. pol. invers
j.c. pol. direct
Parametrii de semnal mic ai tranzistorului bipolar parametrii h


Dup cum am mai artat, n majoritatea aplicaiilor, tranzistorul este conectat ca un
diport. n funcie de terminalul comun ambelor pori ale diportului, conexiunea se
numete: emitor comun (EC), baz comun (BC) sau colector comun (CC). Primele dou
conexiuni sunt reprezentate n Fig. 1.
Tranzistorul este un element neliniar. El se poate liniariza atunci cnd funcioneaz la
semnal mic (variaii n jurul unui punct static de funcionare PSF).
Presupunem c variabilele din Fig. 1 sunt totale i se scriu ca sume dintre o
component continu i una variabil, de amplitudine foarte mic; de exemplu,

1 1 1
u U u = + :

u
1
este variabila total, U
1
este componenta continu i u
1
este componenta variabil.
Ansamblul (U
1
, I
1
, U
2
, I
2
) formeaz punctul static de funcionare.



n cazul diporilor liniari, oricare dou dintre cele patru variabile de intrare se pot
exprima n funcie de celelalte dou, folosind parametri specifici diportului. Dac
variabilele independente sunt i
1
i u
2
, atunci se recurge la parametrii h.
Fie
( )
( )
1 1 1 2
2 2 1
2
,
,
u u i u
i i i u
=



Dezvoltnd aceste funcii de dou variabile n serie Taylor n jurul PSF i reinnd doar
termenii de ordinul nti obinem

Baz comun
Fig. 1. Conectarea unui tranzistor ca diport.
Emitor comun
+
u
1
+

u
2
i
1 i
2
+

+

u
1
u
2
i
1
2
1 1
1 1 1 1 2
1 2
2 2
2 2 2 1 2
1 2
PSF PSF
PSF PSF
u u
U u U i u
i u
i i
I i I i u
i u



+ = + +

+ = + +



n felul acesta, se pot defini parametrii h ai tranzistorului

1 11 1 12 2
2 21 1 22 2
u h i h u
i h i h u


= +

= +



Parametrii h au interpretri fizice specifice, dup cum urmeaz:


2
1
11 0
1
u
u
h
i

=
= : impedan de intrare cu ieirea n scurtcircuit;
1
1
12 0
2
i
u
h
u

=
= : factor de transfer invers n tensiune cu intrarea n gol;
2
2
21 0
1
u
i
h
i

=
= : factor de transfer direct n curent cu ieirea n scurtcircuit;
1
2
22 0
2
i
i
h
u

=
= : admitan de ieire cu intrarea n gol.

Pe lng semnificaia lor teoretic, aceste relaii indic i condiiile concrete de msurare
ale parametrilor. Se observ c msurrile impun condiii de scurtcircuit i de gol pentru
porile diportului.
Se obine urmtoarea schem echivalent (Fig. 2):






+
+
+



i
1
i
2
u
1 u
2
h
12
u
2 h
21
i
1
h
11
1/h
22
Fig. 2. Parametrii h: schem echivalent de semnal mic

Din modul n care au fost definii, se vede c parametrii h pot fi folosii doar n joas
frecven, cnd tranzistorul nu este afectat de fenomene de inerie (sau, n cazul
semnalelor sinusoidale, cnd nu introduce defazaje).
Valorile parametrilor h depind de tipul conexiunii tranzistorului i de PSF.
Conexiunea se identific printr-un indice suplimetar: e pentru EC (de exemplu h
21e
), b
pentru BC i c pentru CC. n cataloage, parametrii h sunt dai pentru condiii de msur
(PSF) clar specificate i sub form de grafice. Cunoscnd parametrii corespunztori unei
conexiuni, se pot calcula cei corespunztori celorlalte dou.

De multe ori, n calculele manuale, n funcie de fenomenele urmrite i de precizie,
schema echivalent la variaii se poate simplifica. De exemplu, nite parametri tipici n
conexiunea EC sunt
11
2...7k
e
h = ,
4
12
10
e
h

,
21
100...500
e
h = ,
5 4
22
10 ...10 S
e
h

= .
Neglijnd h
12e
i h
22e
, se obine urmtoarea schem echivalent (Fig. 3):





i
c
+ +

u
be
u
ce h
21e
i
b
h
11e
Fig. 3. Schem simplificat de semnal mic pentru un
tranzistor, n conexiunea emitor comun.

i
b
Modelul natural (), de semnal mic al tranzistorului bipolar (Giacoletto)

Efectund o analiz fizic a comportrii unui tranzistor bipolar n conexiunea EC (Fig.
1), se obine un model de semnal mic care include i fenomenele de inerie. Acesta se
numete modelul natural, sau modelul n , sau Giacoletto.

Modelul este reprezentat n Fig. 2.



Se observ c baza este mprit n dou, punctul b' numindu-se baz intrinsec.
Celelalte elemente pasive sunt autoexplicative.
Parametrul g
m
se numete transconductana sau panta tranzistorului i depide de PSF
dup legea

[mA/V=mS]
C
m
T
I
g
V
=


Fig. 1. Conectarea unui tranzistor ca dipol.
+

+

Emitor comun
U
1
U
2
I
1
I
2
Fig. 2. Modelul natural (Giacoletto).

+
+

i
b
i
c
v
be v
ce r
b'e
(r

) g
m
v
b'e

r
bb'
r
ce
b

b'

e
e

c

C
b'e
C
b'c
r
b'c
Exemplu pentru un tranzistor tipic de semnal mic:
I
C
=1 mA, T=290 K:

1mA
40mS
0,025V
m
g = =
r
bb'
=100
r
b'e
=2,5 k
r
b'c
=2 M
r
ce
=20 k

C
b'c
=2...5 pF
C
b'e
=200 pF



n joas frecven (n sensul c nu se manifest fenomene de inerie), capacitile fiind
mici, reactanele capacitive pot fi neglijate. Pentru o analiz rapid, multe dintre elemente
se pot neglija (Fig. 3):






Deseori se folosete notaia

0 c m be m b b
i g v g r i i

= = =

0
: se numete amplificare de curent de semnal mic, n joas frecven. Are loc
0

( - amplificarea de curent, de semnal mare, n joas frecven). Acest parametru depinde
n foarte mic msur de PSF (variaii de cel mult 20%).






+

v
ce
Fig. 3. Modelul natural simplificat.

i
c
+

v
be
g
m
v
be
=

0
i
b
r

i
b
Tipuri de amplificatoare

n funcie de valorile elementelor din schemele echivalente Thvnin de la intrare i de
la ieire, (pre)amplificatoarele liniare de joas frecven sunt de patru tipuri.
n teorie, oricare dintre cele patru modele poate fi folosit n orice situaie. n proiectare
i analiz ns, este convenabil s se utilizeze una dintre cele patru scheme n funcie de
situaiile detaliate n continuare

1. Amplificator de tensiune
Elementele amplificatorului sunt: rezistena de intrare R
in
, rezistena de ieire R
o
i
amplificarea n tensiune A (Fig.1).


Dac amplificatorul funcioneaz n gol ( )
L
R , atunci
o in
v Av = .
Dac amplificatorul este conectat ntre un generator i o sarcin, atunci

0
in
in g
g in
in L
o g
g in o L L
in
o L
R
v e
R R
R R
v A e
R R R R R
v Av
R R

=

+

=

+ +

=

+


generator (sau schema
echivalent Thvnin la
ieire a etajului anterior)
sarcin (sau schema
echivalent Thvnin
la intrare a etajului
urmtor)
amplificator
Fig. 1. Amplificator de tensiune.
i
L
v
L
R
L
+

+
+


i
in
v
in
R
in
R
o
Av
in +

R
g
e
g
+

v
o
Este de dorit s existe o relaie intrare ieire ct mai apropiat de
o g
v Ae . Pentru
aceasta este suficient ca
0
,
in g L
R R R R >> << . De aceea, este necesar ca un
amplificator de tensiune s aib o rezisten de intrare ct mai mare i o rezisten
de ieire ct mai mic. Amplificatoarele de tensiune sunt cel mai des ntlnite n
aplicaii.


2. Amplificatoare de curent
Elementele amplificatorului sunt: rezistena de intrare R
in
, rezistena de ieire R
o
i
amplificarea n curent A (Fig.2).





Avem
o
L in
L o
g
o
L g
g
in g L o
in g
in g
R
i Ai
R R
R
R
i A i
R
R R R R
i i
R R

=

+

=

+ +

+

.
generator (sau schema
echivalent Thvnin la
ieire a etajului anterior)
sarcin (sau schema
echivalent Thvnin
la intrare a etajului
urmtor)
amplificator
Fig. 2. Amplificator de curent.
i
L
v
L
R
L
+

+

i
in
v
in
R
in
R
o
Ai
in
+

v
o
R
g
+

i
g
Este de dorit s avem
L g
i Ai . Pentru aceasta este suficient ca ,
in g o g
R R R R << >> .
de aceea, un amplificator de curent trebuie s aib o rezisten de intrare ct mai
mic i o rezisten de ieire ct mai mare.


3. Amplificatoare transconductan
Prima situaie intermediar ntre cele dou de mai sus este reprezentat n Fig. 3.
Elementele amplificatorului sunt: rezistena de intrare R
in
, rezistena de ieire R
o
i
transconductana G.




Avem

o
L in
L o
in o
L g
in g in L o
in g
g in
R
i Gv
R R
R R
i G e
R R R R R
v e
R R

=

+

=

+ +

=
+


generator (sau schema
echivalent Thvnin la
ieire a etajului anterior)
sarcin (sau schema
echivalent Thvnin
la intrare a etajului
urmtor)
amplificator
Fig. 3. Amplificator transconductan.
i
L
v
L
R
L
+

+

i
in
v
in
R
in
R
o
Gv
in
+

v
o
+

R
g
e
g
Ideal ar fi ca
L g
i Ge . Pentru aceasta este suficient ca ,
in g o L
R R R R >> >> . De
aceea, un amplificator transconductan trebuie s aib rezistenele de intrare i de
ieire ct mai mari.

4. Amplificatoare transrezisten

A doua situaie intermediar ntre amplificatoarele de tensiune i de curent este
reprezentat n Fig. 4.
Elementele amplificatorului sunt: rezistena de intrare R
in
, rezistena de ieire R
o
i
transrezistena R.



Avem

L
L in
o L
g
L
L G
g
in g o L
in G
in g
R
v Ri
R R
R
R
v R i
R
R R R R
i i
R R

=

+

=

+ +

+



generator (sau schema
echivalent Thvnin la
ieire a etajului anterior)
sarcin (sau schema
echivalent Thvnin
la intrare a etajului
urmtor)
amplificator
Fig. 4. Amplificator transrezisten.
i
L
v
L
R
L
+

+
+


i
in
v
in
R
in
R
o
Ri
in
+

v
o
R
g
+

i
g
Ideal ar fi ca
L g
v Ri = . Pentru aceasta este suficient ca ,
in g o L
R R R R << << . De
aceea, un amplificator transrezisten trebuie s aib rezistenele de intrare i de
ieire ct mai mici.


Analiza de mai sus nu este restrns la amplificatoarele de semnal mic, pentru care
variabilele electrice reprezint variaii mici n jurul PSF. Aceast analiz este aplicabil
tuturor amplificatoarelor liniare, fr memorie.
(Un circuit cu una sau mai multe intrri i o ieire se numete fr memorie, dac
valoarea ieirii la momentul t depinde doar de valorile intrrilor la acelai moment t. n
caz contrar, circuitul este cu memorie).

Preamplificator elementar cu un tranzistor n conexiunea emitor comun (EC)

n acest paragraf i n urmtoarele dou abordm cele trei tipuri de amplificatoare cu
un tranzistor, n funcie de conexiune: EC, BC i CC.
Sunt alese cele mai simple scheme posibile, motiv pentru care am numit aceste
amplificatoare "elementare". De exemplu, n situaiile reale, nu se folosesc dou surse
separate pentru polarizarea tranzistoarelor, adic stabilirea PSF. Totui, prin echivalri
Thvnin se ajunge la astfel de situaii.
Dup cum am vzut, mrimile relevante sunt amplificrile de tensiune i de curent i
rezistenele de intrare i de ieire. Acestea pot fi definite n diferite puncte ale schemei.
Schema unui amplificator elementar n conexiune EC este reprezentat n Fig. 1.







Sursele de tensiune continu asigur polarizarea tranzistorului: jonciunea emitor
baz este polarizat direct, iar cea colector baz este polarizat invers.
Pentru determinarea mrimilor de semnal mic, se deseneaz schema echivalent
pentru variaii (Fig. 2). Prin aceasta, se nlocuiete tranzistorul cu modelul su (natural,
simplificat n acest caz), iar sursele de tensiune continu se scurtcircuiteaz, deoarece
variaia tensiunii pe care o dau este nul.







Fig. 1. Amplificator simplu n conexiunea EC.
R
B

+

+
R
C
V
BB
v
O
V
CC
I
B
+

v
g







Amplificarea n tensiune:
be in
o
u m C
o m be C in
v v
v
A g R
v g v R v
=
= =

=


Rezistena de intrare ; '
i
b in in B
v
i R r R R r
r

= = = +
Valoare aproximativ ( ) '
in B B
R R r R

<<
Amplificarea n tensiune extins
o o i in
ug m C m C
g i g B in B
v v v R r
A g R g R
v v v R R R r

= = = =
+ +
.
Valoare aproximativ ( )
0 0
;
C
ug m B
B
R
A g r r R
R

= = <<
Fig. 2. Amplificator elementar n conexiunea EC: schem de semnal mic

+
+




v
in
=v
be
v
o
g
m
v
be
r

i
in
=i
b
+
v
g

R
B
R
C
R
in
R
in
'
r
o
b

e

c

i
c
i
o
Fig. 1. (repetat) Amplificator simplu n
conexiunea EC.
R
B

+

+
R
C
V
BB
v
O
V
CC
I
B
+

v
g
Amplificarea n curent
0
o o
i m C m
b C i C
i v r r
A g R g r
i R v R

= = = = = .

(Se tie c, spre deosebire de
0
,
C
m
T
I
g
V
= nu depinde dect n mic msur de curentul
de colector).

Amplificarea de putere = puterea consumat n rezistena R
C
/ puterea care intr pe la
bornele din stnga
( ) ( )
( ) ( )
sin
sin
g g
o o
v t V t
v t V t

=
=


( )
2
2 2 2
2
2
0 0
0
1
2
2
o B in C
p ug m
g C C B
B in
C C
i ug
B B
V R R R
A A g r
V R R R r
R R
R R
A A
R r R r

+
= = = =
+
+
= = =
+ +




Rezistena de ieire



0
t
be o C
t
v
v r R
i
= = = .




Fig. 3. Amplificator elementar n conexiunea EC: calculul rezistenei
de ieire

i
c
i
b
i
t
+
+




v
be
=0
v
t
g
m
v
be
r

+
v
g
=0

R
B
R
C
r
o
b

e

c

Preamplificator elementar cu un tranzistor n conexiunea baz comun (BC)






Amplificarea de tensiune
be in
o
u m C
o m be C in
v v
v
A g R
v g v R v
=
= =


Rezistena de intrare
be in
in in m in
in in m be
v v
v i r g r v
v i r g v r


=
=

= +

;
0
1 1
in
in
in m
v r r
R
i g r


= = =
+ +
(foarte mic).
Formul aproximativ
0
in
r
R



0
'
1 1
in E in E E
m
r r
R R R R R
g r


= + = + = +
+ +
.
Formul aproximativ '
in E
R R
Fig. 1. Amplificator simplu n conexiunea BC.
R
E


+
+
R
C
V
BB
v
O
V
CC
<0
I
E
+

v
g
Fig. 2. Amplificator elementar n conexiunea BC: schem de semnal mic

i
in
i
o
+
+

v
in
v
o
g
m
v
be
r

+
v
g

R
E
R
C
R
in
R
in
'
r
o
e

b

c


Amplificarea de tensiune extins
( ) ( )
0
0
1
1 1
1
in m C
ug u m C m C
E in m E E
E
m
r
R g r r R
A A g R g R
r
R R r g r R r R
R
g r

+
= = = =
+ + + + +
+
+

Formul aproximativ ( )
0
1
C
ug
E
R
A
R
>>
Amplificarea de curent
0
o m be
be
in m be
i g v
v
i g v
r

+ + =

;
0
0
1 1
o m be m
i
be
in m
m be
i g v g r
A
v
i g r
g v
r

= = = =
+ +

.
Formul aproximativ ( )
0
1 1
i
A >>


Rezistena de ieire






( )
0
0
e E be
be
be e m be
i R v
v
v i g v r

= +

;
t
o C
t
v
r R
i
= = .




Fig. 3. Amplificator elementar n conexiunea BC: calculul rezistenei de
ieire.

i
e
i
o
i
t
+
+
+



v
be

v
t
g
m
v
be

r


v
g
=0

R
E
R
C
r
o
e

b

c

Preamplificator elementar cu un tranzistor n conexiunea colector comun (CC)
repetorul pe emitor







Rezistena de intrare ( ) ( )
0 0
1 1
in b b E in E
v i r i R R r R

= + + = + +
Formul aproximativ ( )
0 0
1
in E
R R >>
( )
0
' 1
in B in B E
R R R R r R

= + = + + +
Formul aproximativ ( )
0 0
1
in B E
R R R + >>
Amplificarea de tensiune ( )
0 0
1
b E
v i R = + ;
( )
( )
0
0
1
1
E o
u
in E
R v
A
v r R

+
= =
+ +

Aproximativ ( )
0
1 1
u
A >>
Fig. 1. Amplificator simplu n conexiunea EC.
R
B

+

+
R
E
V
BB
v
O
V
CC
I
B
+
_
v
g
Fig. 2. Amplificator elementar n conexiunea CC: schem de semnal mic

i
c i
in
=i
b
+
+




v
in
v
o
g
m
v
be

=
0
i
b
r

+
v
g

R
B
R
E
R
in
R
in
'
r
o
b

e

c

i
o
Amplificarea de tensiune extins
( )
( )
( )
( )
( )
( )
0 0
0 0
0
0
1 1
1 1
1
1
E E in
ug u
B in E B E
E
B E
R r R R
A A
R R r R R r R
R
R r R

+ + +
= = =
+ + + + + +
+
=
+ + +

Formul aproximativ
0
0
E
ug
B E
R
A
R R

+

Amplificarea de curent
0 0
0 1
o
b b o i
b
i
i i i A
i
+ = = = + .
Rezistena de ieire




( )
0
0
' 0
'
'
' 0 ' 1
b b t
t B
o
b B t t
i i i
v R r
r
i R r v i

+ + =
+
= =

+ + = +

;
0
|| ' ||
1
B
o E o E
R r
r R r R

+
= =
+
(foarte mic)

Formul aproximativ
0
||
B
o E
R
r R


Datorit rezistenei de intrare de valoare mare i a rezistenei de ieire de valoare mic,
repetorul pe emitor (amplificator CC) se folosete ca "etaj tampon" ntre alte etaje de
amplificare care au amplificri mari dar nu au valori convenabile pentru rezistenele de
intrare i de ieire.







Fig. 3. Amplificator elementar n conexiunea CC: calculul rezistenei de
ieire.

+



v
in
=v
be
v
t
r

i
b
+
v
g
=0

R
B
R
E
r
o
b

e

i
c
g
m
v
be
=
0
i
b
c

+

i
t
r
o
'
+

v
t
'
i
t
'
Recapitulare
1. Formule exacte
A
u
A
ug
A
i
R
in
R
in
' r
o
EC g
m
R
C
m C
B
r
g R
R r

0
r

B
R r

+
R
C
BC g
m
R
C

( )
0
0
1
C
E
R
r R

+ +

0
0
1

+

0
1
r

+

0
1
E
r
R

+
+

R
C
CC
( )
( )
0
0
1
1
E
E
R
r R

+
+ +

( )
( )
0
0
1
1
E
B E
R
R r R

+
+ + +

0
+1
( )
0
1
E
r R

+ + ( )
0
1
B E
R r R

+ + +
0
||
1
B
E
R r
R

+
+


2. Formule aproximative ( )
0
1;
B
r R

<< <<
A
u
A
ug
A
i
R
in
R
in
' r
o
EC g
m
R
C
0
C
B
R
R

0
r

R
B
R
C
BC g
m
R
C

C
E
R
R

1
0
r


R
E
R
C
CC 1
0
0
E
B E
R
R R

0

0 E
R
0 B E
R R +
0
||
B
E
R
R



Aplicaii

1. Se consider amplificatorul cu emitorul comun din figura de mai jos.
a) S se determine punctul static de funcionare, fcnd simplificri rezonabile.
b) Folosind modelul natural, s se determine amplificarea de tensiune i de curent, n
raport cu generatorul, precum i rezistenele de intrare i de ieire de semnal mic n
domeniul de frecvene n care capacitatea C poate fi considerat scurtcircuit, iar
capacitile din modelul natural pot fi considerate circuite deschise. Se consider

0
==50, V
T
=25 mV.



R
a)

0
10V
0,1mA
0,6V 10V 100k
B B BE CC
CC
B
BE CC B
I R V V
V
I
V V R
+ + =

= =
`
= << =

)
;
( ) 50 0,1 5mA
C B
I I = = =
0 10V+5 1= 5V
C C CE CC CE CC C C
I R V V V V I R + + = = = .

PSF: V
CE
=5 V, I
C
=5 mA.
b)
3
3
5 10
0,2S
25 10
C
m
T
I
g
V

= = =


0
'
50
250
0,2
b e
m
r r
g


= = = = .



Fig. 1. Amplificator n conexiunea EC.
R
B
100 k

+
R
C

1 k
C

v
O
V
CC
=10 V
I
B
+
_
e
g
R
g

2 k
I
C




|| || 100||0,25
0,2 1000 22,17
|| || 2 100||0,25
B B
ug u m C
g B g B
R r R r
A A g R
R R r R R r


= = = =
+ + +


(sau,
||
,
||
B o
o m be C m g C ug
g B g
R r v
v g v R g e R A
R R r e

= = =
+
etc).

Aproximativ:
0
1
50 25
2
C
ug
g
R
A
R
= =


100
50 50
100 0,25
o o b B
ig
in b in B
i i i R
A
i i i R r

= = = =
+ +
.

' || 2 100||0,25[k]=2,25 k
g
in g B
in
e
R R R r
i

= = + = + (Aproximativ ' 2k
in g
R R = )
0 1k
t
be o C
t
v
v r R
i
= = = = .

Fig. 2. Amplificator n conexiunea EC: schem de semnal mic

i
in
i
o
+
+




v
in
v
o
g
m
v
be
r

+
e
g

R
B R
C
R
in
'
r
o
b

e

c

R
g
i
b
Fig. 3. Amplificator n conexiunea EC: calculul rezistenei de ieire

i
c
i
b
i
t
+
+




v
be
=0
v
t
g
m
v
be
r

+
v
g
=0

R
g
R
C
r
o
b

e

c

R
B
2. Tranzistorul din schema din figur are V
BE
=0,6 V i
0
=200. Se d V
T
=25 mV.
Condensatoarele au astfel de capaciti nct reactanele lor pot fi neglijate la frecvena de lucru.
a) S se determine punctul static de funcionare al tranzistorului.
b) S se calculeze amplificarea de semnal mic, A
u
=v
o
/v
i
, rezistena de intrare i rezistena de
ieire.



c) S se repete punctul anterior n ipoteza c din schem lipsete capacitatea C
E
.

R

a)
Presupunem
B P
I I << , astfel nct grupul (R
B1
, R
B2
) poate fi considerat ca un divizor de tensiune:
12
1mA
3,6 8,4
P
I = =
+
;
3V
1mA 3,6k=3,6V 3V 4mA
0,75k
E
B R E C
V V I I = = = = ;
4mA
0,02mA<<
200
B P
I I
| |
= =
|
\ .

12 (1,25 0,75) 4 4V.
CE
V = + =


b)
4mA
0,16S
25mV
C
m
T
I
g
V
= = =
0
200
1250=1,25 k
0,16
m
r
g


= = =


+
_
+
_
v
i
R
B1

8,4 k
V
CC
=12 V
C
c
R
C

1,25 k
v
O
i
C
R
B2

3,6 k C
E
R
E

750
i
P
i
B
i
E
Fig. 4. Preamplificator



0,16 1250 200;
u m C
A g R = = =

1 2
||
B B B
R R R = ;
k
1 2
|| || 8,4||3,6||1,25 0,836k=836
in B B
R R R r

= = = ;

1,25k.
o C
r R = =

c)




( )
( )
0
0
0 0
1
200 1,25
1,64
1 1,25 201 0,75
in b b E
o C
u
i E o b C
v i r i R
v R
A
v r R v i R



= + +

= = = =

+ + + =



Observaie:
1,25
1,67
0,75
C
u
E
R
A
R
= =

Fig. 5. Schem de semnal mic

+
+




v
in
=v
be
v
o
g
m
v
be
r

i
in
=i
b
+
v
in

R
B
R
C
R
in

r
o
b

e

c

i
c
i
o
Fig. 6. Amplificator n conexiunea EC: schem de semnal mic

+
+




v
be
v
o

0
i
b
r

i
in
=i
b
+
v
in

R
B
R
C
R
in

r
o
b

e

c

i
c
i
o
R
E
R
in1

( )
1 0
1 1,25 201 0,75 152k
in
in E
b
v
R r R
i

= = + + = + =
1
|| 8,4||3,6||152 2,52||152 2,48k
in B in
R R R = = = =



( )
0
1 0 0 0
in b b E b c
v i r i R i i

= + + = = = , deci
1,25k
o C
r R = = .

Fig. 7. Schem de semnal mic pentru calculul rezistenei de ieire.

+
+




v
be
v
t

0
i
b
r

i
in
=i
b
+
v
in
=0

R
B
R
C
R
in

r
o
b

e

c

i
c
i
t
R
E
R
in1

Polarizarea tranzistoarelor bipolare


1. Noiunea de dreapt de sarcin static

S considerm un amplificator elementar n conexiunea cu emitorul comun (fig. 1).
Dup cum am artat, funcionarea poate fi studiat separat pentru polarizare i pentru
regimul de semnal. n acest paragraf ne ocupm de polarizare, deci considerm 0
g
v = .
Curentul de baz I
B
i tensiunea baz emitor V
BE
sunt fixate de tensiunea de alimentare
a intrrii V
BB
i de rezistena R
g
. Curentul de baz selecteaz curba din familia
caracteristicilor de ieire ale tranzistorului care determin dependena curentului de
colector I
C
de tensiunea colector emitor V
CE
.
















Fig. 1. Amplificator elementar cu
tranzistor npn n conexiunea cu emitorul
comun
+

+
+


v
g
V
BB
V
CC
R
g
R
C
v
O
i
C




Exist constrngerea impus circuitului de ieire de teorema a II a a lui Kirchhoff:

CC C C CE
V I R V = + . (1)

n planul caracteristicilor de ieire, (1) reprezint o dreapt numit dreapt de sarcin
(static). Intersecia acestei drepte cu acea caracteristic de ieire fixat de I
B
determin
punctul static de funcionare P (PSF). n figura 2 au fost reprezentate trei PSF posibile
P
1
, P
2
i P
3
.








Schema din fig. 1 nu este unica soluie posibil pentru polarizare (stabilirea PSF). De
fapt, ea nu este folosit aproape niciodat, deoarece polarizarea e posibil cu o singur
surs de alimentare. Prezentm n continuare criteriile dup care se face proiectarea unei
reele de polarizare.







Fig. 2. Dreapta de sarcin static i puncte
statice de funcionare

V
CE
I
C

V
CC
V
CC
/R
C
P
1
P
2
P
3
2. Cerine asupra reelelor de polarizare

2.1 Regiunea de funcionare permis.


n planul caracteristicilor de ieire, PSF trebuie s se situeze n interiorul regiunii al
crei perimetru este trasat cu linie ntrerupt n fig. 3. Perimetrul este determinat de
urmtoarele constrngeri:
a) dreapta
CE CEmin
V V = marcheaz ieirea tranzistorului din regiunea activ direct i
intrarea n regiunea de saturare;
b) dreapta
CE CEmax
V V = delimiteaz zona n care curentul de colector crete abrupt;
c)dreapta
C Cmin
I I = marcheaz nceputul regiunii de blocare a tranzistorului;
d)deasupra dreptei
C Cmax
I I = parametrii de catalog ai tranzistorului nu mai sunt garantai
de ctre productor;
e) n sfrit, exist hiperbola
CE C max
V I P = , unde P
max
este puterea maxim ce poate fi
disipat de tranzistor fr ca acesta s se distrug (de fapt, puterea total disipat de un
tranzistor npn n curent continuu este
B BE C CE
P I V I V = + , dar primul termen poate fi
neglijat atunci cnd tranzistorul lucreaz n regiunea activ, direct).











Fig. 3. Regiunea de funcionare permis a
unui tranzistor bipolar

V
CE
I
C
V
CEmin
V
CEmax
I
Cmin
I
Cmax
P
max

2.2 Influena temperaturii asupra funcionrii tranzistorului

Reelele de polarizare trebuie proiectate astfel nct s contracareze, pe ct posibil,
influena negativ pe care variaia temperaturii o are asupra caracteristicilor
tranzistorului.
n primul rnd, nu trebuie depit temperatura maxim a jonciunilor, care este de 80-
120
0
C pentru dispozitivele cu germaniu i de aproximativ 200
0
C pentru cele cu siliciu
(diferena dintre cele dou limite a determinat renunarea la germaniu i deci utilizarea
exclusiv a siliciului).
n al doilea rnd, trebuie inut cont de influena temperaturii asupra caracteristicilor de
ieire. Astfel, n conexiunea cu emitorul comun, creterea temperaturii duce la creterea
curentului I
C0
din
0 C B C
I I I = pentru tranzistoarele cu germaniu, n schimb duce la
creterea lui la tranzistoarele cu siliciu. Efectul este reprezentat n fig 4 (a) i (b).
n fig. 4 (c) este artat o schem folosit adeseori pentru calculul regimului staionar
termic al jonciunilor semiconductoare; rezistena termic R
th
este un parametru de
catalog, puterea disipat P este analog curentului ntr-un circuit, iar temperaturile sunt
analogele potenialelor. Pentru determinarea necunoscutelor se folosesc teoremele lui
Kirchhoff.



Un fenomen foarte important care poate aprea la tranzistoarele cu siliciu ale cror
circuite de polarizare sunt proiectate necoresounztor este ambalarea termic. Creterea
temperaturii duce la creterea lui , ceea ce, la curent de baz constant, duce la creterea
curentului de colector i, dac tensiunea colector emitor nu se schimb semnificativ, la
V
CE
I
C
T
1
T
2
>T
1
(a)

V
CE
I
C
T
1
T
2
>T
1
(b)

Fig. 4. Influena temperaturii asupra caracteristicilor de ieire ale unui
tranzistor bipolar. (a) Tranzistor npn cu germaniu; (b) tranzistor npn cu
siliciu; (c) Model pentru regimul termic staionar al unei capsule.

R
th

T
1
T
2
(c)

P

creterea puterii disipate pe tranzistor, ceea ce provoac creterea n continuare a
temperaturii i procesul se repet pn la distrugerea dispozitivului.

2.3 Meninerea unei funcionri liniare

Dup cum se vede din fig. 2, PSF poate fi situat n diverse locuri n planul
caracteristicilor de ieire.




Fig. 2. (reprodus)

V
CE
I
C

V
CC
V
CC
/R
C
P
1
P
2
P
3

Dac este situat ns prea aproape de marginile regiunii permise, atunci pot aprea
distorsiuni ale semnalului. n mod normal, n regim sinusoidal, tensiunea total de ieire
arat ca n fig. 5 (a). De exemplu, dac PSF este P
2
, atunci tensiunea de ieire total
poate arta ca n fig. 5 (b), iar dac PSF este P
3
, atunci aceasta poate s arate ca n fig. 5
(c). De aceea, este preferabil ca PSF s se situeze spre centrul regiunii permise de
funcionare, ca P
1
n fig. 2.

2.4 Reducerea dispersiei i variaiei parametrilor de semnal mic

Parametrii de semnal mic ai tranzistorului depind de cei de semnal mare i de
temperatur. n plus, exist mari variaii n interiorul aceluiai lot, care pot ajunge pn la
5 la 1. Este de aceea bine s se proiecteze reelele de polarizare astfel nct s fie puin
sensibile la variaia temperaturii (meninnd de exmplu I
C
i V
CE
constante), precum i la
dispersia parametrilor.


Proiectarea unui circuit de polarizarea care s fac fa tuturor acestor cerine conduce
la soluii complicate i scumpe. Alegerea unei reele de polarizare trebuie s in cont de
condiiile concrete n care urmeaz s funcioneze produsul proiectat, precum i de
constngerile economice.
t
v
O
(a)
V
CE1
t
v
O
(b)
V
CE2
t
v
O
(c)
V
CE3
Fig. 5. Neliniariti introduse de limitare. (a) Funcionare
corect. (b) Limitare inferioar. (c) Limitare superioar.


Circuit simplu de polarizare (la curent de baz constant) [Gray 1973]

Cea mai simpl schem de polarizare, exemplificat pentru cazul unui amplificator cu
un tranzistor npn n conexiunea cu emitorul comun, este reprezentat n fig. 1 (a).




Capacitatea C
c
este de cuplaj. Aceasta nseamn c poate fi considerat ca fiind un
scurtcircuit n domeniul de frecvene n care este utilizat amplificatorul, avnd modulul
reactanei mult mai mic dect modulul impedanei de intrare n amplificator. Capacitatea
de cuplaj se conecteaz cu scopul de a separa n curent continuu amplificatorul de
generatorul de semnal de la intrare.
Schema de polarizare propus funcioneaz la curent de baz (aproximativ) constant.
ntr-adevr

CC BE CC
B
B B
V V V
I
R R

= (1)

deoarece, n majoritatea situaiilor,
BE CC
V V << . Putem deja deduce c vor aprea
inconveniente la variaia temperaturii.
Pentru a gsi o metod de proiectare a reelei, am reprezentat n fig. 1 (b) o schem
echivalent n care, pentru tranzistor am folosit un model de semnal mare cu o diod i o
surs comandat, dioda nlocuind-o la rndul su cu un model de semnal mare constnd
dintr-o surs i o rezisten serie.

(a)
+

+

v
g
R
B
V
CC
C
c
R
C
v
O
i
C
+
_
+

R
B
V
CC
R
C
V
CE
I
C
I
B
V
D
r
D
I
B
(b)
Fig. 1. Amplificator n conexiunea cu emitorul comun, cu circuit simplu de
polarizare. (a) Schema electric; (b) schem cu model simplu pentru
funcionarea n curent continuu.



Avem

( )
CC B B D B C D
C B
V I R V I I r
I I
= + + +

(2)

de unde putem explicita fie curentul I
C
dac urmrim s analizm schema

( )
(1 )
CC D
C
B D
V V
I
R r

=
+ +
(3)

fie o relaie de proiectare

(1 ) ( )
(1 )
CC D B D CC D
B D
B C
V V I r V V
R r
I I


+
= = + . (4)

Mrimile care apar n ultimul membru din (4) sunt de obicei determinate de cerinele
de semnal mic, care astfel impun o valoare pentru R
B
. Rezult o lips de flexibiltate n
proiectarea schemei, motiv pentru care aceasta se folosete n aplicaii de putere disipat
mic i temperatur ambiant aproximativ constant.
Schema prezentat este sensibil la variaiile de temperatur din cauza faptului c
intensitatea curentului de baz este constant. Cnd temperatura variaz, se schimb att
factorul de amplificare al tranzistorului ct i valoarea tensiune pe jonciune V
D
.



(a)
+

+

v
g
R
B
V
CC
C
c
R
C
v
O
i
C
+
_
+

R
B
V
CC
R
C
V
CE
I
C
I
B
V
D
r
D
I
B
(b)
Fig. 1. (Repetat)
Exemplu
Un tranzistor cu siliciu are =100, iar elementele modelului de semnal mare n
conexiunea EC sunt V
D
=0,6 V i r
D
=4 . El trebuie polarizat la V
CE
=6 V i I
C
=5 mA,
folosind o surs V
CC
=12 V. Schema funcioneaz la o temperatur =25
o
C.
a) S se calculeze rezistena de polarizare R
B
, transconductana g
m
, rezistena r

din
modelul natural i curentul de baz.
b) Dac temperatura crete la =110
o
C, atunci, din datele de catalog, se tie c =160. S
se calculeze n noile condiii g
m
, r

i curenii de colector I
C
' i de baz I
B
'.
R

a)
12V-6V
1,2k
5mA
CC CE
CC C C CE C
C
V V
V I R V R
I

= + = = =
5
0,05mA
100
C
B
I
I

= = =
(1 ) 12 0,6 101 0,05 0,004
227,6k
0,05
CC D B D
B
B
V V I r
R
I
+
= = =

o
23
-19
25 ( 273,15 )
1,38 10 J /K 25,7mV
=1,6 10 C
T
T
kT
k V
q
q

= = +

= = =




5mA
0,19S
25,7mV
C
m
T
I
g
V
= =
0
100
526
0,19
m m
r
g g


= = =
(a)
+

+

v
g
R
B
V
CC
C
c
R
C
v
O
i
C
+
_
+

R
B
V
CC
R
C
V
CE
I
C
I
B
V
D
r
D
I
B
(b)
Fig. 1. (Repetat)
b) Tensiunea pe jonciune scade cu aproximativ 2 mV/
o
C, prin urmare

( )
3
' 0,6 2 10 110 25 0,43V
D
V

= =

Noua valoare a curentului de baz rezult din

( )
12 0,43
' ' 1 ' ' ' ' 0,052mA
224 161 0,004
CC B B D B D B
V I R V I r I

= + + + = =
+
(dup cum era
de ateptat, curentul de baz s-a schimbat foarte puin).

n schimb, curentul de colector devine

' ' ' 160 0,052 8,32mA
C B
I I = = = (fa de 5 mA anterior).

' ' 12 1,2 8,32 2V
CE CC C C
V V R I = = (fa de 6 V anterior).

Pentru ceilali parametri, avem

o
23
-19
110 ( 273,15 )
1,38 10 J /K ' 33,1mV
=1,6 10 C
T
T
kT
k V
q
q

= = +

= = =




'
8,32mA
' 0,25S
' 33,1mV
C
m
T
I
g
V
= =
0
' ' 160
' 640
' ' 0,25
m m
r
g g


= = = .


Dup cum am mai artat, principalul defect al schemei provine din constana curentului
de baz la variaia temperaturii; cum factorul de amplificare n curent variaz cu
temperatura, rezult c i curentul de colector variaz.


Circuit de polarizare cu divizor rezistiv n baz




O soluie pentru polarizarea tranzistoarelor mai puin sensibil la variaiile de
temperatur este reprezentat n Fig. 1.






Capacitile C
c
i C
E
sunt alese astfel nct s poat fi considerate scurtcircuite la
frecvenele semnalelor (medii). Ele sunt ns circuite deschise n curent continuu.
Pentru a analiza regimul de curent continuu, este convenabil s redesenm schema ca
n Fig. 2, neglijnd capacitile.
nlocuim sursa de la intrare pe baza teoremei lui Thvnin i folosim un model de
semnal mare simplu pentru tranzistor Fig. 3.










+

+

v
i
R
B1

V
CC

C
c
R
C


v
O
i
C
R
B2


C
E
R
E

i
B
i
E
i
P
Fig. 1. Amplificator cu un tranzistor
polarizat cu divizor n baz.







Avem elementele Thvnin
2
1 2
1 2
; ||
B
BB CC B B B
B B
R
V V R R R
R R
= =
+


Ecuaiile circuitului din Fig.3:

( ) ( ) 1
BB B B D B E D
V I R V I R r = + + + +
( )( ) 1
BB D
B
B E D
V V
I
R R r

=
+ + +
;

( )
( )( ) 1
BB D
C B
B E D
V V
I I
R R r


= =
+ + +

Fig. 2. Tranzistor polarizat cu
divizor n baz.
R
B1

V
CC

R
C


i
C
R
B2


R
E

i
B
i
E
+

+

V
CC

Fig. 3. Amplificator cu un tranzistor: polarizarea.
R
B

V
CC

R
C


i
C
R
E
+r
D
i
B
i
E
+

+

V
BB
i
B
V
D
+

( )
( )( ) 1
B D
B E D
C
E V
R R r
I

= + + (relaie de proiectare cnd se impune PSF).


Revenim la
( )
( )( ) 1
BB D
C B
B E D
V V
I I
R R r


= =
+ + +
;
Dac se alege, prin proiectare, varianta:
E B
R R >> , atunci

( )
( )( ) 1
BB D BB D
C
E D E
V V V V
I
R r R



+ +


i se elimin variaiile lui I
C
cu temperatura din cauza lui .
Dac se alege, n plus,
BB D
V V >> , atunci

BB
C
C
V
I
R


i PSF devine practic independent de temperatur.
Din pcate, R
B
unteaz intrarea n curent alternativ, reducnd nivelul semnalului la
intrare, astfel c nu poate fi aleas de valoare prea mic.
Creterea rezistenei R
E
reduce amplitudinea maxim a semnalului la ieire prin
reducerea tensiunii V
CE
care determin PSF:

( )
CE CC C C E
V V I R R + .

Rezistena R
E
are un rol important n prevenirea ambalrii termice a tranzistoarelor cu
siliciu. Presupunndc aceasta lipsete, n condiii nefavorabile de polarizare, cnd
curentul de baz este constant, creterea temperaturii jonciunii colectorului duce la
creterea lui i, implicit a curentului de colector. n felul acesta crete puterea disipat
pe tranzistor i deci creterea temperaturii. Procesul se repet, ducnd n final la
distrugerea tranzistorului. Dac R
E
este prezent, atunci, pe baza relaiei de mai sus, se
vede c o cretere a curentului de colector duce la o scdere a tensiunii colector emitor,
deci la stabilizarea puterii disipate i, implicit, a PSF.
Rezistena R
E
se decupleaz pentru a fi scurtcircuitat n curent alternativ deoarece, n
caz contrar, reduce amplificarea de semnal mic n conexiunea EC. Uneori condiiile
concrete impun o decuplare parial (Fig. 4).












Exemplu
S se reia exemplul precedent pentru soluia cu divizor n baz.
V
T
V
CE
I
C
V
CC
V
D
r
D
25
o
C 25,7 mV 6 V 5 mA 12 V 100 0,6 V 4
110
o
C 33,1 mV 12 V 160 0,43 V 4




a) =25
o
C
Sunt trei rezistene de determinat: R
E
, R
C
i R
B
(ultima presupunnd de fapt dou
rezistene, R
B1
i R
B2
). Experiena arat c urmtoarea procedur este convenabil.

Se alege o cdere de tensiune de 3..4 V pe R
E
:
3V
0,6k=600
5mA
E
R = = .
Rezult
12 6 3
0,6k
5
E
CC CE R
C
C
V V V
R
I


= = = .
Se alege 10 6k
B E
R R = .

Fig. 3. (repetat).
R
B

V
CC

R
C


i
C
R
E
+r
D
i
B
i
E
+

+

V
BB
i
B
V
D
+

R
E1
R
E2 C
E
E

Fig. 4. Decuplarea parial a
rezistenei din emitor.

Se calculeaz, innd cont c 0,05mA
C
B
I
I

= = , tensiunea
( ) ( ) 1
0,05 6 0,6 101 0,05 0,604 3,95V
BB B B D B E D
V I R V I R r = + + + + =
= + +


Se calculeaz R
B1
i R
B2
din
2
1
1 2
1 2 1
2
1 2 1
12 6
18,23k
3,95
18,23 6
8,94k
18,23 6
CC B B
BB CC B
B B BB
B B B B
B B
B B B B
V R R
V V R
R R V
R R R R
R R
R R R R

= = = =

+




= = = =

+

.


5mA
0,19S
25,7mV
C
m
T
I
g
V
= =
0
100
526
0,19
m m
r
g g


= = =

b) =110
o
C

( )( ) ( )
' 3,95 0,43
' 0,034mA
1 6 161 0,6 0,004
BB D
B
B E D
V V
I
R R r

= = =
+ + + + +

' ' ' 160 0,034 5,44mA
C B
I I = = = (fa de 5 mA la 25
o
C).

( ) ( ) ' ' 12 5,44 0,6 0,6 5,47V
CE CC C C E
V V I R R = + = + = (fa de 6 V la 25
o
C).

'
5,44mA
' 0,16S
' 33,1mV
C
m
T
I
g
V
= =
0
' ' 160
' 1000
' ' 0,16
m m
r
g g


= = =




Modelul Ebers-Moll



Modelul Ebers-Moll este general pentru c include toate regiunile de funcionare ale
tranzistorului n joas frecven. Se folosete n programele de simulare.
Mrimile electrice care descriu funcionarea tranzistorului se presupun ca rezultnd
din superpoziia mrimilor corespunztoare care descriu cele dou jonciuni.
Componentele aferente jonciunii emitorului se noteaz cu F, iar cele aferente
jonciunii colectorului cu R (de la "forward" i "reverse" n limba englez). Astfel:
E EF ER
C CF CR
B BF BR
I I I
I I I
I I I
= +
= +
= +


Curenii de saturaie sunt coninui n cei ai jonciunilor.
Pe parcursul acestui paragraf, revenim la convenia de a alege sensurile pozitive pentru
cureni nspre tranzistor.

1. Tranzistor pnp

Componenta direct (F):
C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CB
V
EB
Tranzistor pnp;
montaj BC


C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor npn

C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor pnp

Fig. 1. Simboluri pentru tranzistoare. Simbolul pentru diod
conine curentul de saturaie.
_

V
F
I
F
+

I
S
( ) ( )
1
1 1
EB
qV
kT
EF ES ES
I I e I I
| |
= +
|
\ .

1
EB
qV
kT
CF F EF F ES
I I I e
| |
= =
|
\ .

( ) ( ) 1 1
EB
qV
kT
BF EF CF F ES
I I I I e
| |
= + =
|
\ .


I
ES
: curentul de saturaie al componentei directe (F)



Componenta invers (R): (prin analogie)
1
CB
qV
kT
CR CS
I I e
| |
=
|
\ .

1
CB
qV
kT
ER R CS
I I e
| |
=
|
\ .

( ) 1 1
CB
qV
kT
BR R CS
I I e
| |
=
|
\ .


I
CS
: curentul de saturaie al componentei inverse (R)

Prin superpoziie se obin urmtoarele ecuaii:
1 1
CB EB
qV qV
kT kT
E EF ER ES R CS
I I I I e I e
| | | |
= + =
| |
\ . \ .

1 1
CB EB
qV qV
kT kT
C CF CR F ES CS
I I I I e I e
| | | |
= + = +
| |
\ . \ .

( ) ( ) 1 1 1 1
CB EB
qV qV
kT kT
B BF BR F ES R CS
I I I I e I e
| | | |
= + =
| |
\ . \ .


Valorile tensiunilor pe jonciuni pot fi pozitive sau negative.

Fig. 1. Modelul Ebers-Moll pentru un tranzistor pnp.

I
E
I
C
I
B
I
CS
E

C

B

F
I
EF
I
ES

R
I
CR
I
EF
I
CR




2. Tranzistor npn
Modelul Ebers-Moll pentru un tranzistor npn se obine din cel al unui tranzistor pnp
schimbnd semnele dinaintea curenilor de saturaie i ai tensiunilor pe jonciuni.
Pentru a nu scrie exponeni negativi, schimbm sensul de referin al tensiunilor pe
jonciuni ( ) ,
EB BE CB BC
V V V V = = :

1 1
BC BE
qV qV
kT kT
E ES R CS
I I e I e
| | | |
= +
| |
\ . \ .

1 1
BC BE
qV qV
kT kT
C F ES CS
I I e I e
| | | |
=
| |
\ . \ .

( ) ( ) 1 1 1 1
BC BE
qV qV
kT kT
B E C F ES R CS
I I I I e I e
| | | |
= = +
| |
\ . \ .


Rezult c schema electric echivalent pentru un tranzistor npn se obine din cea
pentru un tranzistor pnp schimbnd sensurile diodelor.





Pe baza unor consideraii innd de teoria circuitelor (proprieti de reciprocitate), se
poate arta c

F ES R CS
I I = .

Fig. 2. Modelul Ebers-Moll pentru un tranzistor npn.

I
E I
C
I
B
I
CS
E

C

B

F
I
EF
I
ES

R
I
CR
I
EF
I
CR
Prin urmare, pentru a gsi caractersiticile statice ale unui tranzistor sunt necesare trei
msurtori pentru determinarea a trei parametri din cei patru:
F
,
R
, I
ES
i I
CS
. Acest
fapt este important i pentru modelarea tranzistoarelor n programele de simulare.


Modele Ebers-Moll care depind de curenii terminali

Aceste modele rezult din cele precedente i difer prin faptul c generatoarele de
curent sunt comandate de curenii terminali i nu de cei prin diode. n practic, curenii
terminali sunt mai uor de msurat dect cei prin diode, ceea ce justific acest calcul.


1. Tranzistor pnp


( ) ( ) 1
E EF ER EF R CR
E EF R C F EF F R EF R C
C CF CR F EF CR
I I I I I
I I I I I I
I I I I I

= + =
= + =

= + = +



Dar 1
EB
qV
kT
EF ES
I I e
| |
=
|
\ .
;

se noteaz ( )
0
1
F R ES E
I I = . Rezult
0
1
EB
qV
kT
E E R C
I I e I
| |
=
|
\ .
.

La terminalul colectorului:
( ) ( ) 1
C CR CF CR F EF
C CR F E R CR F R CR F E
E EF R CR
I I I I I
I I I I I I
I I I

= + =
= + =



Dar 1
CB
qV
kT
CR CS
I I e
| |
=
|
\ .
;
se noteaz ( )
0
1
F R CS C
I I = . Rezult
0
1
qV
CB
kT
C C F E
I I e I
| |
=
|
\ .
.
Avem urmtoarea schem echivalent




Se poate uor arta c, pentru a obine modelul Ebers-Moll al unui tranzistor npn din
cel al unui tranzistor npn, trebuie schimbate sensurile diodelor.
i n acest caz se poate demonstra c exist o relaie de legtur ntre parametri:

0 0 F E R C
I I = .

Pentru gsirea caracteristicilor statice ale unui tranzistor sau pentru simulare sunt
necesare trei msurtori pentru deteminarea a trei parametri independeni din cei patru

F
,
R
, I
E0
i I
C0
.


Fig. 3. Modelul Ebers-Moll pentru un tranzistor pnp
(surse comandate de curenii terminali).

I
E I
C
I
B
I
C0
E

C

B

F
I
E
I
E0

R
I
C
I
EF
I
CR
Tranzistorul cu efect de cmp de tip metal oxid semiconductor (MOS)

Tranzistorul cu efect de cmp de tip MOS (MOSFET, FET "Field Effect
Tranzistor") poate fi cu canal indus sau cu canal iniial, iar canalul poate fi de tip n sau de
tip p. Vom aborda doar tranzistoarele cu canal de tip n, celelalte avnd o structur
complementar.

MOSFET cu canal indus de tip n construcie

Construcia unui astfel de tranzistor este schiat n fig. 1.

De multe ori canalul este accesibil din exterior printr-un terminal metalic.
Ca ordine de mrime uzuale ale tranzistoarelor cu performane medii, suprafaa total
a substratului este de 150 m
2
, sursa i drena au adncimi de 5..10 m, iar lungimea L
canalului este de 10..20 m. Grosimea W a stratului de oxid este n jurul a 0,1 m.
Cnd electrodul poart este lsat n gol, nu exist conducie ntre surs i dren
deoarece acestea, mpreun cu substratul, formeaz dou jonciuni pn legate n opoziie.
Cnd pe electrodul poart se aplic o tensiune pozitiv n raport cu sursa i drena, n
stratul de oxid de sub poart ia natere un cmp electric. Liniile acestuia ncep de pe
sarcinile pozitive de pe poart se termin pe sarcinile negative care apar imediat sub
stratul de oxid, fig. 2. Fenomenele sunt identice cu cele ce se produc n cazul unui
condensator. Regiunea cu sarcin negativ dintre surs i dren se numete canal. n
acest caz, canalul este indus (de tensiunea pozitiv dintre poart i surs, respectiv dren).
Originea sarcinii negative din canal este dubl: electroni care trec n canal din surs i
dren sub aciunea potenialului pozitiv aplicat pe poart i atomi acceptori ionizai din
cauza migrrii golurilor din canal spre surs i dren sub aciunea aceluiai potenial (sau,
n mod echivalent, a cmpului electric pe care l produce). Electronii iau parte la procesul
de conducie electric, n timp ce atomii ionizai sunt fici, deci nu contribuie cu nimic la
acest proces.
Prezena sarcinilor negative mobile n canal asigur posibilitatea conduciei curentului
electric ntre surs i dren.
Fig. 1. Structura constructiv a unui tranzistor MOS
cu canal n indus.
Surs
n
Dren
n
Substrat semiconductor (intrinsec
sau de tip p)
Surs S Dren D
Poart
(gril)
G
SiO
2

(izolator)
Metal
L - canal

W


Se noteaz cu n
b
i p
b
concentraiile de purttori n substrat n condiii de echilibru i
cu
b
n n + , respectiv
b
p p + concentraiile care apar atunci cnd poarta are un potenial
pozitiv n raport cu substratul. La echilibru (poarta la potenial zero) are loc
2
b b i
n p n = . Se
poate demonstra c are loc o relaie ca la echilibru

2
( )( )
b b i
n n p p n + + =

unde n
i
este concentraia de purttori la echilibru a semiconductorului intrinsec. Rezult
c, dac concentraia de electroni n canal crete, atunci cea de goluri scade i invers.





La un cmp electric mic se obine situaia din fig. 3 (a). Se produce un strat de
srcire (de purttori majoritari). Apariia electronilor mobili asigur conducia electric
sub stratul de oxid. La o intensitate a cmpului electric mai mare se formeaz un strat de
inversiune fig. 3 (b): sub oxid, concentraia electronilor o depete pe cea a golurilor,
adic o situaie opus celei iniial, substratul fiind de tip p. Se formeaz astfel canalul de
tip n indus. La grania dintre canal i substrat apare o zon de srcire (sau de sarcin
spaial), ca la o joniune pn. n practic stratul de inversiune apare la tensiuni ntre civa
milivoli pn la civa voli ntre poart i surs. Notm cu V
P
tensiunea la care apare
stratul de inversiune, numit tensiune de prag. Pentru nceput considerm V
P
0 (condiia
asigurat printr-un potenial de civa voli aplicat porii), urmnd ca ulterior s lum n
considerare i efectele unei tensiuni de prag mai mari.
Dac tensiunea dintre poart i surs sau dren (ultimele dou se presupun la acelai
potenial) este negativ, atunci cmpul electric are sens invers fa de situaiile anterioare
i, sub stratul de oxid, se adun goluri: se formeaz un strat de mbogire sau acumulare
(fig. 3 (c)). Dei exist purttori liberi, conducia curentului ntre surs i dren nu este
Fig. 2. Apariia canalului conductor la un tranzistor MOS.

Surs
n
Dren
n
Substrat ("bulk") p
b
>n
b
S D G
SiO
2

(izolator)
Metal
+V

y

x

Canal

Linii de cmp electric
x=0

x

+ + + + + + + + + + + +

posibil din cauza celor dou jonciuni pn conectate n opoziie care se formeaz, surs n
substrat p dren n.
Funcionare normal a MOSFET are loc n regim de inversiune. n jurul canalului se
formeaz un strat de sarcin spaial, fig. 4.









x

n, p

n
b
p
b
n p
x

n, p

n
b
p
b
Fig. 3. Concentraii de
purttori n substrat: (a) strat
de srcire; (b) strat de
inversiune; (c) strat de
mbogire.
(a)
(b)
(c)
x

n, p

n
b
p
b
zon de srcire
x
1
x
2
canal
Fig. 4. Structura unui tranzistor MOS polarizat. V
DS
<<V
GS
.
V
G
>0
Surs
n
Dren
n
Substrat semiconductor (intrinsec
sau de tip p)
S D
G
SiO
2

Metal

V
S
>0
V
D
>0
I
G
0
I
S
-I
D I
D
canal (n)
Regiune de
sarcin
spaial
V=0

Caracteristicile statice ale MOSFET

Funcionarea unui MOSFET este calitativ diferit n funcie de relaiile dintre
tensiunile dintre electrozi. Deoarece ne ocupm de tranzistoare cu canal n indus, vor
presupune ntotdeauna 0
GS
V > (n general
GS P
V V > ).
ntr-o prim regiune de funcionare, considerm cazul 0
DS GS
V V < << . n acest caz,
cmpul electric se poate considera aproximativ uniform, ca n fig. 2, potenialele drenei i
sursei fiind apropiate. Canalul se comport ca o rezisten R, cu att mai mic cu ct
tensiunea V
GS
este mai mare (deoarece aceasta atrage mai muli electroni n canal). Este
convenabil ca, n loc de rezisten, s lucrm cu conductana G=1/R a canalului, care
depinde de V
GS
: ( )
GS
G G V = . Sensurile de referin pentru cureni se iau spre dispozitiv,
ca n fig. 4. Electrodul poart fiind izolat fa de restul dispozitivului de ctre stratul de
oxid, curentul continuu absorbit de la acest terminal este practic nul, I
G
=0, ceea ce
implic 0,
S D S D
I I I I + = = . Din cele de mai sus rezult ( )
D GS DS
I G V V = . Se poate arta
c G depinde liniar de V
GS
atunci cnd 0
DS GS
V V < << . Notnd factorul de
proporionalitate cu , avem

, 0
D GS DS DS GS
I V V V V = < << . (1)

Regimul de funcionare a tranzistorului este de rezisten comandat (de tensiunea
V
GS
), fig. 5. Relaia (1) este o form de manifestare a efectului de cmp.






ntr-o a doua regiune de funcionare presupunem c V
DS
este comparabil cu V
GS
dar
mai mic dect acesta, astfel nct tensiunea V
GD
este pozitiv: 0
DS GS
V V < < . Din cauza
apropierii potenialului drenei de cel al porii, cmpul electric se micoreaz n apropiere
de dren i limea canalului la captul dinspre dren, ca i conductana sa scad (fig. 6).
+
_
V
DS
I
D
G=V
GS
Fig. 5. Model pentru comportarea
tranzistorului MOS la tensiuni
V
DS
<<V
GS
.
Relaia (1) nu mai e valabil, ea fiind nlocuit cu una neliniar. Se dovedete c aceast
relaie este ptratic:

2
( ), 0
2
DS
D GS DS DS GS
V
I V V V V = < . (2)





Cnd tensiunea V
DS
ajunge egal cu tensiunea V
GS
, deci 0
DG
V = , limea canalului
devine nul la captul dinspre dren (canalul se stranguleaz - fig. 7).



Fig. 6. Forma canalului la o tensiune dren surs
mai mic dect tensiunea poart surs, dar
comparabil cu aceasta. V
DS
<V
GS
.
substrat

S
D G V
G
Strat de
inversiune
V
D V
S
I
S
I
D
Dren
n
Surs
n
Fig. 7. Forma canalului n cazul V
DS
=V
GS
.
Surs
n
Dren
n
substrat

S
D G V
G
Strat de
inversiune
V
D V
S
I
S
I
D
Cnd tensiunea V
DG
crete astfel nct 0
DS GS
V V > > , apare o regiune de srcire
(adic dispare inversiunea) la captul dinspre dren din cauza faptului c, n vecintatea
drenei, cmpul electric i schimb sensul (fig. 8).



Se demonstreaz c limea a regiunii de srcire variaz destul de puin la creterea
n continuare a potenialului drenei. Se produce un fenomen de saturaie i curentul de
dren rmne constant, la valoarea pe care a avut-o cnd
GS DS
V V = :

2
, 0
2
GS
D GS DS
V
I V V = < . (3)

Remarcm c relaia (2) este valabil i cnd V
DS
<0. n acest caz, potenialul drenei
fiind foarte sczut n raport cu cel al porii, cmpul electric n vecintatea drenei devine
foarte intens i atrage muli electroni; rezultatul este o cretere semnificativ a
conductanei canalului i o cretere teoretic nemrginit a curentului.
n concluzie, caracteristicile statice ale tranzistorului MOS sunt date de
urmtoarele relaii:

2
2
( ), , 0
2
, 0
2
DS
GS DS DS GS GS
D
GS
DS GS
V
V V V V V
I
V
V V

< >

>

(4)

Caracteristicile statice sunt reprezentate n fig. 9 pentru valori uzuale ale mrimilor
electrice. nti au fost desenate parabolele cu linie ntrerupt, apoi, cu linie plin, au fost
selectate poriunile utile din parabole i s-au completat caracteristicile cu valorile
constante ale curentului n zona de saturaie.
Fig. 8. Canalul n tranzistorul MOS cnd V
DS
>V
GS
.
Surs
n
Dren
n
substrat

S
D G V
G
Strat de
inversiune
V
D V
S
I
S
I
D
Strat de
srcire

Pentru desenarea parabolelor este util de observat c rdcinile ecuaiilor de gradul al
doilea asociate parabolelor sunt la 0
DS
V = i 2
DS GS
V V = , iar vrfurile parabolelor sunt la
DSmax GS
V V = , maximele fiind
2
2
DSmax
Dmax
V
I = (adic se nir i ele pe o parabol).










Tranzistoarele MOS se folosesc n cadranul I al caracteristicilor, n cele dou zone
evideniate n fig. 9: n apropierea originii, ca rezistene comandate i n zona de saturaie,
ca amplificatoare. Nu se folosesc n cadranul III, motiv pentru care aceste caracteristici
nici nu se specific; n cazul nostru le-am desenat numai pentru completitudine. Se poate
demonstra c, n regiunea de saturaie, caracteristicile sunt uor nclinate aa cum sunt i
la tranzistoarele bipolare, acolo din cauza efectului Early.
Caracteristicile tranzistoarelor MOS cu canal indus de tip p se obin din cele din fig. 9
prin rotire cu 180
0
n jurul originii.
V
DS
[V]
I
D
[mA]
V
GS
=0
V
GS
=5 V
V
GS
=10 V
V
GS
=15 V
I
D
=V
DS
2
/2
5 10 15
10
5
Zona de
saturaie
(amplificator)
Rezisten
comandat n
tensiune
Zon de
neliniaritate
pronunat
Fig. 9. Caracteristici statice de ieire tipice pentru un tranzistor MOS
cu canal indus de tip n, V
P
=0 V.
Simbolurile pentru tranzistoarele MOS cu canal indus sunt reprezentate n fig. 10.





n cazul multor specii de tranzistoare, tensiunea de prag V
P
nu este neglijabil. Pentru
ca s apar canalul conductor n regim de inversiune la un tranzistor MOS cu canal n
indus, este necesar ca
GS P
V V > , unde, aa cum s-a mai artat, 0
P
V > . Caracteristicile
statice ale unui astfel de tranzistor se obin din (4) nlocuind V
GS
cu V
GS
-V
P
:

( )
2
2
( ) , , 0
2
, 0; 0
2
DS
GS P DS DS GS P GS P
D
GS P
DS GS P P
V
V V V V V V V V
I
V V
V V V V

(
< >
(


=


> >

(5)

De multe ori se folosete notaia 2K = . n plus, n regiunea de saturaie, expresia
curentului de dren se folosete sub forma

2
1
GS
D DSS
P
V
I I
V
| |
=
|
\ .
(6)

unde
2 2
2
DSS P P
I V KV

= = .
G
D
S
(a)
G
D
S
(b)
Fig. 10. Simboluri pentru tranzistoare MOS cu: (a) canal n indus;
(b) canal p indus.
Rezisten comandat exemplu

Schema de mai jos este a unui divizor de tensiune comandat. Tranzistorul MOS este cu
canal indus i are V
P
=0. Cnd tensiunea de comand are valoarea V=1 V, rezistena dintre
dren i surs este de 10 k. S se deduc o expresie pentru raportul de divizare v
O
/v
IN
n
domeniul de variaie al tensiunii de comand -2 V<V<10 V. S se reprezinte grafic
aceast dependen [Gray 1973].

R

Pentru ca tranzistorul s funcioneze ca rezisten comandat este necesar ca
0
O
V
v V
>

<<



n acest caz au loc relaiile

O IN D
D O
v v i R
i kVv
=

.

Pentru determinarea lui k se ine cont c ( )
2
1
10k =1V 0,1mA/V
O
D
v
V k
i kV
= = = .
Se elimin i
D
din sistemul de mai sus i rezult

1 1 0,1 5
1
2
IN IN IN
O
v v v
v
V
kVR V
= = =
+ +
+
(tensiunile fiind exprimate n voli).
Cnd tensiunea de comand este negativ, tranzistorul este blocat i
O IN
v v = .


Divizor de tensiune comandat.
G
S
D
+
+
+



v
IN
V
v
O
R=5 k
i
D



V [V] 2 1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
v
O
/v
IN
1 1 1 2/3 1/2 2/5 1/3 2/7 1/4 2/9 1/5 2/11 1/6









%divizor rezistiv cu MOS - caracteristica de transfer
V=0:10;
rap=1./(1+V/2);
V=[-2 -1 V];
rap=[1 1 rap];
plot(V,rap,V,rap,'o')


Tranzistoare MOS cu canal iniial

Structura constructiv de principiu a unui tranzistor MOS cu canal iniial este
prezentat n fig. 1. Aceasta este asemntoare cu cea a unui tranzistor MOS cu canal
indus; diferena const n inserarea, n timpul fabricaiei, a unui strat de sarcin electric
superficial la interfaa dintre oxid i semiconductor. Sarcina este pozitiv n cazul
canalului n, pe care l tratm i negativ n cazul canalului p.





Consecina existenei stratului de sarcin superficial este formarea unui strat de
inversiune sub oxid i deci a unui canal conductor, chiar n absena unui potenial pozitiv
aplicat pe poart. De fapt, pentru a anula canalul, este necesar un potenial negativ aplicat
pe poart; rezult c acest tranzistor poate funciona i pentru anumite tensiuni poart
surs negative dac acestea depesc o anumit valoare, numit tensiune de prag sau de
strangulare V
P
. Dup cum s-a artat, aceast tensiune este negativ n cazul
tranzistoarelor cu canal n.
Caracteristicile statice ale tranzistoarelor MOS cu canal iniial sunt identice ca expresii
cu cele ale tranzistoarelor MOS cu canal indus, doar c, n cazul canalului n pe care l
tratm, 0
P
V < :
( )
2
2
( ) , 0
2
( 0)
, 0
2
DS
GS P DS GS P DS
D P
GS P
DS GS P
V
V V V V V V
I V
V V
V V V

(
> >
(


= <


>

(1)
Fig. 1. Structura unui tranzistor MOS cu canal iniial de
tip n.
V
G
Substrat semiconductor (intrinsec
sau de tip p)
S D
G
SiO
2

Metal

V
S
V
D
I
G
0
I
S
I
D I
D
canal (n)
Regiune de
sarcin
spaial
Strat de
sarcin
pozitiv
Dren
n
Surs
n

















Un exemplu tipic este reprezentat n fig. 2. Tranzistorul se folosete n aceleai dou
regiuni: rezisten comandat i saturaie.

n regiunea de saturaie, de multe ori se scrie
2
2
1
2
GS P
D
p
V V
I
V

| |
=
|
|
\ .
. Se noteaz

2
2
P
DSS
V
I

= (2)

i deci

Fig. 2. Caracteristici statice de ieire tipice pentru un tranzistor
MOS cu canal iniial de tip n, V
P
=5 V.
5
V
DS
[V]
I
D
[mA]
V
GS
=5 V (V
GS
V
P
=0)

V
GS
=0 (V
GS
V
P
=5 V)
V
GS
=5V (V
GS
V
P
=10 V)

V
GS
=10 V (V
GS
V
P
=15 V)

5 10 15
10
V
P
=5 V

2
1 , 0
GS
D DSS DS GS P
p
V
I I V V V
V
| |
= >
|
|
\ .
. (3)

Simbolurile tranzistoarelor MOS cu canal iniial sunt reprezentate n fig. 3.


G
D
S
G
D
S
(a)
(b)
Fig. 3. Simboluri pentru tranzistoare MOS cu: (a) canal iniial n;
(b) canal iniial p.
Modelul de semnal mic al tranzistoarelor cu efect de cmp


Modelele de semnal mic sunt aplicabile n regiunea de saturaie a caracteristicilor de
ieire ale tranzistoarelor MOS deoarece, atunci cnd intr n componena
amplificatoarelor de semnal mic, acestea sunt polarizate pentru a funciona n regiunea
respectiv.
Polarizarea presupune fixarea unui PSF prin circuite exterioare. La stabilirea PSF
particip i caracteristicile tranzistorului. Deoarece 0,
G S D
I I I = , PSF este determinat
de setul ( ) , ,
GS DS D
V V I .
Putem deduce schema echivalent de semnal mic i joas frecven plecnd de la
dependena dintre variabilele de semnal total

( ) ,
D D GS DS
i i v v =

Se dezvolt funcia de mai sus n serie Taylor i se rein doar termenii de ordinul nti,
care reprezint variabilele de semnal mic:

D D
D D d D PSF gs PSF ds
GS DS
i i
i I i I v v
v v

= + + +



de unde rezult

1 1
, ,
D D
d m gs ds m PSF PSF
d GS d DS
i i
i g v v g
r v r v

= + = =

.

Mrimea g
m
se numete transconductan i are valori tipice de 0,1..10 mA/V, iar r
d
se
numete rezisten diferenial i are valori tipice de 0,1..10 M.
Schema echivalent de semnal mic i joas frecven este prezentat n figura
urmtoare.




Fig. 1. Modelul de semnal mic i joas frecven pentru un
tranzistor MOS.

+

v
ds
i
d
+

v
gs
g
m
v
gs
r
d
n nalt frecven se manifest efecte ineriale care pot fi modelate prin introducerea
unor capaciti. Astfel de aplicaii se studiaz n regim sinusoidal, ceea ce impune
utilizarea amplitudinilor complexe.





Aplicaie
Se tie c un amplificator cu FET este proiectat astfel nct tranzistorul s lucreze n
regiunea de saturaie caracteristicilor de ieire. Dac 0
P
V , atunci, la joas frecven:

2
1
GS
D DSS
P
v
i I
V

=


.

S se arate c

2
1
DSS GS
m
P P
I V
g
V V

=


.
R

0
1
2 1
1
2 1 2 1
gs
GS D
m PSF DSS PSF
GS P P
GS gs
DSS GS
DSS v
P P P P
v i
g I
v V V
V v
I V
I
V V V V
=

= = =


+
= =




Observaie: avem
2
1
GS
D DSS
P
V
I I
V

=


, de unde

1 2
GS D
P DS
D DSS
m
S P
I I
g
V
V I
V I
= =
Fig. 2. Modelul de semnal mic i nalt frecven pentru un
tranzistor MOS.


+

v
ds
i
d
+
v
gs
g
m
v
gs
r
d
C
ds C
gs
C
gd
Amplificator de semnal mic cu MOS FET: exemplu

Se consider amplificatorul de semnal mic din figur. n regiunea de saturaie,
caracteristica tranzistorului este

( )
2
, 0,
D GS P GS P DS GS P
I k V V V V V V V =

k=0,2 mA/V
2
, V
P
=3 V. S se calculeze PSF, I
DSS
, g
m
, amplificarea de tensiune, rezistena
de intrare i cea de ieire. Analiza se va efectua la frecvene medii (capacitile de cuplaj
i cele din modelul de semnal mic se pot neglija).


R

2
2
2 2
1 1 0,2 9 1,8mA
GS GS
D P DSS DSS P
P p
V V
I kV I I kV
V V
| |
| |
= = = = =
|
|
|
\ .
\ .
.
Presupunem
P D
I I << (deoarece curge printr-o rezisten de 2 M), presupunere pe care o
vom verifica ulterior. Avem

2
2
1 2
1
2
GS
D DSS
P
DS
GS DS GS
DD DS
DS DD D D D
D
V
I I
V
V R
V V V
R R
V V
V V I R I
R

| |
=
|

\ .

= =


= =


Se elimin I
D
:
Fig. 1. Amplificator de semnal mic cu MOS-FET cu canal
indus.
R
D
=10 k
R
1
=1 M
R
2
=1 M
C
c
I
D
I
P
I
G
=0
+
+


V
DD
=30 V
v
in
v
o

2
1 ; 10k 1,8mA=18V
2
DD DS DS
DSS D DSS
D P
V V V
I R I
R V
| |
= =
|
\ .
.
Exprimm toate tensiunile n voli:

2
30 18 1
3 36
DS DS
DS
V V
V
| |
= +
|
\ .

2
30 18 6 0,5
DS DS DS
V V V = +
2
0,5 5 12 0
DS DS
V V =
2
10 24 0
DS DS
V V =
1
2
12V
2V (nu convine)
DS
DS
V
V
=
=


Deci V
DS
=12 V. ;
2
DS
GS
V
V = V
GS
=6 V.
30V-12V
;
10k
D
I = I
D
=1,8 mA.
Verificm:
D
1 2
12V
6A<<I 1, 8 mA
2M
DS
P
V
I
R R
= = = =
+
.

2 2 1,8 6
1 1 1,2mS
3 3
DSS GS
m
P P
I V
g
V V
| | | |
= = =
| |
\ .
\ .

Analiza de semnal mic


1
1
1
1 1
o
m gs
D
gs m gs o o
D
gs o
v
i g v
R
R
v g Rv v v
R
v i R v

= +

= + +

= +

;
Fig. 2. Schem echivalent de semnal mic pentru un
amplificator cu MOS-FET.

+

v
ds
=v
o
+

v
in
=v
gs
g
m
v
gs
R
D
i
in
R
2
i
o
R
in
r
o
R
1 i
1
i
2
g

d

s

1 1
1
1
1
1 1
D
m D
o o m
v m D
D
in gs
D
R
g R
v v g R R
A g R
R R
v v
R R

= = = =
+ +

unde am folosit
1 D
R R << (R
D
=10 k, R
1
=1 M).
Apoi:
1
1 2
1
2 2
1 1
1
gs gs
o m
in m gs m gs gs
D D
D
v v
v g R
i i i g v g v v
R
R R R R
R

= + = + + = + +
+
;
1
2
1
1 2 1 2 1 2
1 1 1
||
1 1 1 1 1
gs
in
in
m m D m D
in in m D
m
D D
v
v R
R R
g R g R g R
i i g R
g
R R R R R R R R
= = = = =
+
+ + + +
+ +
.

( )
3 3
1,2 10 10 10 12
m D
g R

= =


Se observ imediat c
1
||
o D D
r R R R =

n tabelul urmtor sunt listate cele trei mrimi de semnal mic calculate cu formulele
exacte i cu cele aproximative.

A
v
R
in
r
o
Exact -11,87 72,09 k 9,9 k
Aproximativ -12 71.43 k 10 k


Fig. 3. Schem echivalent de semnal mic pentru un
amplificator cu MOS-FET: calculul rezistenei de ieire.

+

v
ds
=v
t
v
in
=v
gs
=0
g
m
v
gs
R
D R
2
i
t
r
o
R
1 i
1
i
2
Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune JFET

Structura constructiv a JFET cu canal n este prezentat n fig. 1. Au o poart, folosit
ca electrod de comand, precum i o dren i o surs ntre care se formeaz canalul. J FET
cu canal n sunt mai des folosite, deci ne vom concentra pe acestea.



Pentru tensiuni dren surs mici, canalul se comport ca o rezisten comandat de
tensiunea V
GS
, fig. 2.





Funcionarea JFET poate fi mai uor neleas dac se folosete modelul simplificat
simetrizat din fig. 3. Se observ existena a dou jonciuni pn ntre cele dou regiuni ale
porii i canal; aceste jonciuni trebuie polarizate invers, deci ntotdeauna vom avea
V
GS
<0.
Fig. 1. Structura unui tranzistor cu efect de cmp cu
jonciune (JFET).


canal n
V
G
Substrat p+
Surs S Dren D Poart
(gril)
G
Metal
V
S
V
D
I
G

I
S I
D
Regiuni de
sarcin
spaial
poart p+
Fig. 2. Model pentru J FET la
valori mici ale tensiunii dren
surs.

I
D
V
D
V
S
I
D
=G(V
GS
)V
DS
Regiunile porii sunt mult mai puternic dopate dect canalul. n consecin, regiunile
de sarcin spaial care se formeaz se ntind mai mult n canal.















Dac potenialele sursei i drenei sunt apropiate, deci tensiunea dren surs este
mic, atunci canalul este uniform i are loc funcionarea ca rezisten comandat descris
mai sus.
Dac potenialul drenei crete, cel al sursei rmnnd constant n raport cu poarta,
atunci jonciunea pn devine mai puternic polarizat invers la captul dinspre dren,
regiunea de sarcin spaial se lete spre zona mai puin dopat canalul i deci acesta
se ngusteaz, fig. 4. Conductana canalului scade i curentul de dren se limiteaz.




Fig. 3. Model simplificat pentru un J FET
Surs S
poart p+
V
G
Dren D
Poart
(gril) G
Metal
V
S
V
D
I
G

I
S
I
D
canal n
Regiune de
sarcin
spaial
poart p+
poart p+









La creterea n continuare a potenialului drenei, canalul se stranguleaz, fig. 5.
Aceasta are loc la o tensiune invers pe jonciune dat, care se noteaz
0
DG DS GS P
V V V V = = > . Tensiunea 0
P
V < se numete tensiune de prag. Odat canalul
strangulat, curentul de dren se satureaz n raport cu V
DS
ca la un MOS. Desigur c
trebuie s avem 0
P GS
V V < < : dac prima inegalitate nu este ndeplinit (adic
GS P
V V > ),
atunci canalul se stranguleaz n dreptul sursei, iar a doua a fost explicat mai sus (dac
0
GS
V > canalul dispare deoarece jonciunile devin polarizate direct).










Fig. 4. ngustarea canalului odat cu creterea tensiunii
V
GS
la un J FET
V
G
Surs S
Dren D
Poart
(gril) G
Metal
V
S
V
D
I
G

I
S
I
D
Regiune de
sarcin
spaial
poart p+
poart p+
canal n










Se poate demonstra c expresiile caracteristicilor statice ale unui MOSFET sunt o
aproximaie, suficient pentru aplicaiile obinuite, a caracteristicilor statice ale unui
J FET:

2
2
2
2( ) , 0, 0
1 , 0,
DSS
GS P DS DS P GS DS GS P
P
D
GS
DSS P GS DS GS P
P
I
V V V V V V V V V
V
I
V
I V V V V V
V

( < < < <


=

| |

< < >


|

\ .
(1)

Caracteristicile sunt reprezentate n fig. 6. Din nou parabolele sunt mai uor de
reprezentat dac se ine cont c au rdcinile 0 i 2( )
GS P
V V , maximele apar la
DSmax GS P
V V V = i
2
2
DSS
Dmax Dsat DSmax
P
I
I I V
V
= = .
Ca tranzistoarele MOS, JFET se folosesc ca rezistene comandate n zona din jurul
originii (zona liniar) sau ca elemente amplificatoare n zona de saturaie, fig. 6. Curentul
Fig. 5. Strangularea canalului la un J FET
V
G
Surs S
Dren D
Poart
(gril) G
Metal
V
S V
D
I
G

I
S
I
D
Regiune de
sarcin
spaial
poart p+
poart p+
canal n
de poart I
G
(fig. 3) nu este neglijabil ca n cazul MOS, fiind curentul invers al unei
jonciuni pn.
Simbolul J FET cu canal n este reprezentat n fig. 7.






Modelul de semnal mic al unui J -FET este identic cu cel al unui MOS-FET.





Fig. 6. Caracteristici statice de ieire tipice pentru un JFET cu
canal n.
V
DS

I
D

V
GS
=V
P

I
Dsat
=I
DSS
/4; V
GS
=V
P
/2
I
Dsat
=9I
DSS
/16; V
GS
=V
P
/4

I
Dsat
=I
DSS
; V
GS
=0

-V
P
/2
-3V
P
/4
-V
P
zon
liniar

zon de saturaie

zon neliniar

G
D
S
Fig. 7. Simbol pentru un J FET cu canal n
Amplificator de semnal mic cu J FET: exemplu

Pentru amplificatorul cu J -FET din figur, s se determine PSF, amplificarea de tensiune
n medie frecven i rezistenele de intrare i de ieire. Se dau: I
DSS
=3 mA, V
P
=2,4 V;
se neglijeaz rezistena intern dren surs.


R

Ecuaiile pentru regimul de curent continuu sunt

( )
2
1
GS
D DSS
P
GS D S
DS DD D D S
V
I I
V
V I R
V V I R R

| |
=
|

\ .

= +


Se elimin I
D
ntre primele dou ecuaii

2
1 ;
GS GS
DSS
S P
V V
I
R V
| |
=
|
\ .

2
2
1 2 ;
GS GS
GS DSS S
P P
V V
V I R
V V
| |
= +
|
\ .

2
2
2
1 0
DSS S DSS S
GS GS DSS S
P P
I R I R
V V I R
V V
| |
+ + =
|
\ .

2
2 2
2 0
P
GS P GS P
DSS S
V
V V V V
I R
| |
+ + =
|
\ .
.
Se nlocuiesc
3mA 0,47k=1,41V
2,4V
DSS S
P
I R
V
=

:
Amplificator de semnal mic cu J -FET n conexiunea surs
comun.
R
D
12 k
R
G
1 M
C
c
I
D
I
G
=0
+
+


V
DD
=30 V
v
in
v
o
C
s
R
S

470
2
8,885 5,76 0
GS GS
V V + + = .
Soluiile sunt
1
8,181V
0,704V
GS
GS2
V
V
=


Deoarece este necesar ca V
GS
>V
P
=2,4 V, convine V
GS
=0,7 V.

0,7V
1,49mA 1,5mA
0,47k
GS
D
S
V
I
R
= = =
( ) ( ) 30V-1,5 12+0,47 11,3V
DS DD D D S
V V I R R = + = =

Transconductana se calculeaz cu

( )
3 0,7
2 1 2 1 1,77mA/V mS
2,4 2,4
DSS GS
m
P P
I V
g
V V
| | | |
= = =
|
|

\ .
\ .


Schema echivalent de semnal mic





1,77mS 12k 21, 2.
m gs D
o
v m D
in gs
g v R
v
A g R
v v

= = = = =
R
in
=R
G
=1 M;
12k
o D
r R = = .
Fig. 2. Schem echivalent de semnal mic pentru un
amplificator cu J -FET.

+

v
ds
=v
o
i
d
+

v
in
=v
gs
g
m
v
gs
R
D
i
in
R
G
i
o
R
in
r
o
Lumina generaliti



Semiconductoare benzi energetice
Rezisivitile materialelor:
-metale

10
3
cm;
-semiconductoare

( ... ) 10 10
1 3
cm;
-izolatoare >10
14
cm.
Semiconductoarele din grupa a IV-a (Ge, Si) au o reea cristalin de tip diamant:
fiecare atom se nvecineaz, la distan minim, cu patru atomi uniform distribuii
n spaiu.
Defectele cele mai importante ale reelei cristaline sunt cele liniare (dislocaii), sau
punctuale, din cauza atomilor de impuriti.
Concentraiile particulelor au urmtoarele ordine de mrime: 10
22
cm
-3
pentru
atomii de semiconductor i 10
14
10
18
cm
-3
pentru atomii de impuriti. Se observ
c raportul acestora variaz ntre 10
4
i 10
8
.
Spunem c un semiconductor este ntr-o stare de echilibru termic dac:
-temperatura este aceeai n tot volumul su i
-sunt absente cmpurile electrice, magnetice, radiaiile nucleare, n general
toate obiectele fizice care interacioneaz cu semiconductorul.
Toate celelalte stri se numesc de neechilibru.

Modelul de benzi energetice al corpului solid
ntr-un corp solid, cristalin, energiile electronilor se pot afla n benzi permise,
separate de benzi interzise.




Energia E a electronului se alege prin convenie
-negativ pentru electronii legai, din semiconductor;
-pozitiv pentru electronii liberi, extrai din material.
Dac exist benzi incomplet ocupate, pot avea loc tranziii. Tranziiile spre energii
superioare au loc cu aport de energie. Tranziiile spre energii inferioare sunt
spontane (sau stimulate) i au loc cu eliberare de energie.
Pentru ca un corp solid s poat conduce electric, este necesar s existe cel puin o
band permis incomplet ocupat cu electroni.
Pentru un semiconductor intrinsec (pur), la 0K, electronii de valen (cu energiile
cele mai mari) ocup integral o band permis numit band de valen (BV).
E
0
Band permis
Band interzis
Nivel energetic
al electronului
Deasupra acesteia se afl o band permis complet neocupat, numit band de
conducie (BC). La 0K nu pot aprea fenomene de conducie.




La temperaturi mai mari dect 0K, BC i BV devin parial ocupate (se rup legturi
covalente). Electronii de conducie apar prin tranziia termic a electronilor de
valen din BV n BC. Ei se pot deplasa liber n interiorul reelei cristaline.
Nivelul energetic cel mai mic din BC se noteaz cu E
C
, iar nivelul energetic cel
mai ridicat din BV se noteaz cu E
V
. Mrimea
G C V
E E E = se numete limea
benzii interzise (BI).
Mecanismele de conducie n semiconductoare: la aplicarea unui cmp electric
apar cureni de la:
-deplasarea dirijat a electronilor de conducie;
-deplasarea dirijat a electronilor din legturile covalente; aceasta este
echivalent cu deplasarea n sens contrar a locurilor rmase libere prin ruperea
legturilor: goluri.
n cazul metalelor, exist o BC parial ocupat i la 0K, deci conducia este posibil
i la aceast temperatur.
Cazul izolatoarelor este similar cu cel al semiconductoarelor, dar limea benzii
interzise este mult mai mare.

Concentraiile purttorilor de sarcin, electroni i goluri, se noteaz cu n i
respectiv p [cm
-3
].
ntr-un semiconductor intrinsec,
i
n p n = = i
3
2
exp
2
G
i
E
n AT
kT
| |
=
|
\ .
, unde A este o
constant, iar k este constanta lui Boltzmann. La T=300 K:

( )
( )
10 -3
22 -3
13 -3
1,45 10 cm Ge
10 cm
2 10 cm Si
i
i
n
n
=

<<

(concentraia de atomi).


Prin impurificare controlat se realizeaz:
-semiconductoare n, folosind impuriti donoare, pentavalente (P, As, St);
E
0
Band de conducie
Band interzis
Band de valen
E
C

E
V

E
G

E
G
=1,12 eV pt Si
E
G
=0,67 eV pt Ge
-semiconductoare p, folosind impuriti acceptoare, trivalente (B, In, Ga, Al).
Impuritile au nivelurile energetice situate n BI a semiconductorului, foarte
aproape de BC n cazul impuritilor donoare i foarte aproape de BV n cazul
impuritilor acceptoare. La temperatura camerei, practic toi atomii de impuritate
se ionizeaz: electronii lor trec n BC, iar golurile n BV.
Spre deosebire de electroni, cu ct un gol are o energie mai mare cu att el se
situeaz mai adnc n BV.


La tranziia unui purttor dintr-o band n alta, se poate emite sau absoarbi o cuant de
energie electromagnetic de mrime E
G
. Frecvena radiaiei electromagnetice satisface
relaia

G
E hf =

h constanta lui Planck



Tip Semiconductor E
G
[eV] Direct sau indirect
A
III
B
V
GaAs 1,45 Direct
GaP 2,25 Indirect
0
E
E
C

E
D

E
V

Diagrama energetic a unui semiconductor
de tip n. Nivelul E
D
aparine doar atomilor
de impuritate, nu ntregului cristal. La
temperatura camerei, practic toi electronii
de pe E
D
trec n BC.
0
E
E
C

E
A

E
V

Diagrama energetic a unui semiconductor
de tip p. Nivelul E
A
aparine doar atomilor
de impuritate, nu ntregului cristal. La
temperatura camerei, practic toate nivelurile
acceptoare de pe E
A
sunt ocupate. Tranziia
electronului din BV pe E
A
este echivalent
cu tranziia invers a unui gol.
AlAs 2,16 Indirect
GaN 3,5 Direct
A
II
B
VI
ZnSe 2,7 Direct
ZnS 3,8 Direct
ZnO 3,2 Direct
ZnTe 2,3 Direct
CdS 2,5 Direct
CdSe 1,8 Direct
CdTe 1,6 Direct

Alturi de componentele binare, se folosesc soluiile solide, ca GaAlAs, GaAsP, sau
InGaP. Structurile formulelor componentelor ternare arat care atomi se substituie unii
pe alii n reeaua cristalin. Limea BI i structura benzilor energetice n soluiile
solide depinde de procentajul componentelor care intr n soluie.

Dioda emitoare de lumin (Light Emitting Diode - LED)

Aplicaiile practice ale semiconductoarelor ca generatoare de lumin se bazeaz pe
electroluminiscen. Aceasta poate fi de injecie, cum este cazul jonciunilor pn
polarizate direct, sau de avalan, cnd jonciunile sunt supuse cmpurilor
electrice intense, apropiate de cele de strpungere. n mod uzual se folosete
electroluminiscena de injecie.
Frecvena central a radiaiei emise este determinat de limea benzii interzise
[eV]
24 , 1
m] [
0
G
E
= (din , /
G
E hf f c = = )

Structura unei jonciuni pn care intr n componena unui LED const dintr-o
regiune slab dopat, numit baz, de exemplu p i o regiune puternic dopat, de
exemplu n
+
, numit emitor. Din cauza concentraiei mici de purttori, baza are o
rezisten electric ridicat; din aceast regiune se emite lumin. Emitorul are
desigur o rezisten electric mic. Rezult c injecia de purttori minoritari n
jonciunea polarizat direct are loc practic ntr-un singur sens, dinspre emitor spre
baz, care emite lumin.




Componenta util a curentului direct, graie creia are loc emisia de lumin, este
cea de electroni injectai de ctre emitor n baz i care se recombin acolo. S notm
cu I
n
acest curent.
n afar de curentul util, exist mai multe componente ale curentului care reduc
randamentul emisiei de lumin. Acestea sunt:
o Curentul de goluri injectate din baz n emitor I
p
. El este mult mai mic
dect curentul util datorit doprii cu concentraii diferite a celor dou
regiuni.
o Curentul de recombinare n regiunea jonciunii I
rec
. Recombinarea n
regiunea respectiv este cu att mai intens cu ct bariera de potenial
este mai mare. Pentru ca materialul s emit radiaie optic, este
necesar ca limea benzii interzise s fie ct mai mare, ceea ce duce la
creterea barierei de potenial. Recombinarea n regiunea jonciunii are
p (baz)
n
+
(emitor)
+

R
Flux de
radiaie
optic.
Structura constructiv a unui
LED (simplificat)
loc de obicei n mod indirect, prin centri de recombinare, iar energia
este eliberat de obicei sub form de fononi hq, transferai reelei, deci
este pierdut.
o Curentul tunel I
tun
apare din cauza purttorilor care, dei au o energie
mai mic dect bariera de potenial, reuesc s o strbat (este un efect
specific cuantic, pe care nu l-am mai menionat). Curentul tunel crete
cu scderea dimensiunii jonciunii, cu creterea nivelului de dopare a
bazei i cu creterea tensiunii directe.
o n sfrit, exist un curent de scurgere ("leakage") pe suprafaa
jonciunii I
s
.
Avnd n vedere cele de mai sus, se definete o msur a eficienei injeciei

n n
n p rec tun s
I I
I I I I I I
= =
+ + + +


Electronii injectai n regiunea bazei p prin intermediul curentului util I
n
se
recombin n vecintatea dinspre baz a jonciunii. n urma acestei recombinri are
loc emisia de fotoni hf. Pe lng recombinrile radiative utile, au loc ns i
recombinri fie neradiative, terminate cu emisie de fononi (vibraii ale reelei
cristaline), fie radiative, dar cu lungimi de und mult mai mari dect cele utile.
Procesele de mai sus conduc la definirea unui randament cuantic intern
i
, egal cu
numrul de recombinri utile pe secund mprit la numrul total de recombinri pe
secund sau, ceea ce este acelai lucru, egal cu numrul de fotoni generai pe secund
mprit la numrul de purttori minoritari injectai ntr-o secund n baz.
Produsul
i
determin eficacitatea electroluminiscenei de injecie. Limita sa
superioar depinde de condiiile din procesul de fabricaie a jonciunii, precum i de
condiiile electrice particulare ale aplicaiei.
Att eficiena injeciei ct i randamentul cuantic intern
i
depind de
temperatur: n timp ce crete la temperaturi nalte,
i
descrete, ca de altfel i
produsul lor.
Prin procesul de recombinare n baz se creeaz fotoni, dar nu toi aceti fotoni iau
parte la procesul de radiaie util. Exist n principal trei mecanisme care limiteaz
procesul respectiv:
-absorbia n corpul cristalului a luminii generate; aceasta poate aprea din mai
multe cauze cum sunt transferul prin ciocnire a energiei fotonilor unor electroni de
valen, excitndu-i s treac n BC; transferul prin ciocnire a energiei fotonilor unor
electroni liberi din BC sau unor goluri din BV, crora le crete energia n urma
procesului; absorbia fotonilor de ctre impuriti, ceea ce duce la excitarea unor
niveluri energetice ale acestora; absorbia de ctre reeaua cristalin, absorbie urmat
de trecerea electronilor de pe niveluri energetice acceptoare pe niveluri donoare i
altele.
-La suprafaa de separaie dintre baz i mediul nconjurtor apare o variaie
brusc a indicelui de refracie, acesta fiind mai mare n semiconductor. Ca urmare,
exist posibilitatea ca fotonii incideni pe aceast suprafa la un unghi mai mare
dect unghiul limit s sufere un fenomen de reflexie total. Ca urmare ei revin n
corpul cristalului i se pierd de obicei prin absorbie. Acest efect este foarte pronunat
n semiconductoarele directe, deoarece n cazul acestora probabilitatea de absorbie
este maxim.
-Fotonii sunt generai n baz n toate direciile. Lumina este ns extras doar de la
parte bazei opus emitorului. n consecin, fotoni generai spre emitor sunt pierdui
prin absorbie, iar fotonii generai spre prile laterale sunt de asemenea pierdui.








Caracterizarea cantitativ a pierderilor prin absorbie, reflexie total intern i
radiaie lateral se face printr-un randamentul optic, definit ca
em
o
gen
P
P
= , unde P
em

este puterea radiaiei optice utile generate n interiorul cristalului, iar P
em
este puterea
radiaiei optice emise de LED. El mai este egal cu raportul dintre numrul fotonilor
care prsesc LED-ul prin faa superioar ntr-o secund i numrul de fotoni generai
n baz ntr-o secund.
LED-urile sunt caracterizate i de un randament cuantic extern , definit prin
i o
= . Aici este eficiena injeciei,
i
este randamentul cuantic intern, iar
o
este
randamentul optic. Evident c este raportul dintre numrul fotonilor utili care
prsesc LED-ul n unitatea de timp i numrul purttorilor care trec prin diod n
unitatea de timp (electroni i goluri).
Un LED se conecteaz n circuit ca o diod obinuit.


Emitor
Baz
Absorbie
Reflexie total
Direcii
greite
Mecanisme de pierderi pentru fotoni
Circuit simplu cu diod luminiscent.

+

E
R
+
_
+

V
F
U
R
I
F
Fluxul de
putere

Caracteristica de curent continuu I-V a unui LED este ca a unei diode obinuite.
Tensiunea direct n polarizare direct este cu att mai mare cu ct limea benzii
interzise este mai mare, deci lungimea de und de emisie este mai mic. Totodat
crete i puterea disipat pe diod. Valorile permise ale tensiunii n polarizare invers
sunt destul de mici, motiv pentru care, n funcionare normal se conecteaz n paralel
o diod de protecie mpotriva strpungerii, polarizat invers.

1
F
qV
mkT
F S
I I e

=



Tensiunea de deschidere a unui LED este mai mare dect a unei diode obinuite
(1..3,5 V).
Este de presupus c fluxul de putere luminoas emis [W] crete odat cu
curentul de alimentare I
F
. Pentru a gsi aceast dependen, observm c fluxul poate
fi scris ca:

Nhf =

unde N [s
1
] este numrul de fotoni emii pe secund, iar hf [J ] este cuanta de radiaie.
Pe de alt parte, curentul care strbate jonciunea este

F p
I N q =

unde N
p
[s
1
] este numrul de purttori ce strbat jonciunea n unitatea de timp, iar q
este valoarea absolut a sarcinii electronului. Dar am vzut c

e
p
N
N
=

(randamentul cuantic extern).
Rezult

e F LED F
hf
I R I
q
= = .

Mrimea R
LED

[W/A] se numete responsivitate.
Relaia de mai sus este liniar. La cureni (i iluminri mari) apare un efect de
saturaie, ca n figura de mai jos.




Dispozitivele prezentate mai sus sunt cu emisie prin suprafa. Dac recombinrile
radiative ale purttorilor de sarcin au loc n zona jonciunii, atunci se pot construi
LED-uri cu emisie lateral sau prin jonciune, cum sunt structurile de baz din
construcia laserilor. n cazul primelor, puterea optic de ieire (fluxul energetic)
variaz n mod tipic ntre 0...12 mW pentru un curent direct ntre 0...300 mA, n timp
ce pentru celelate ea variaz ntre 0...4 mW, pentru acelai domeniu al curentului
direct.









I
F
Caracteristica flux luminos curent a unui LED
LED cu emisie prin suprafa
LED cu emisie lateral
Aplicaii simple cu diode electroluminiscente

1. Senzor de nivel de tensiune









2. Sond logic











LED-ul lumineaz de ndat ce
tensiunea V depete suma dintre
tensiunea Zener i tensiunea sa
deschidere. Sursa V trebuie s
furnizeze curentul consumat de circuit.
Este prezent o diod de protecie a
LED-ului la tensiune invers.

+V

+V
CC
v
IN
Schema se folosete n circuitele digitale
pentru a indica nivelul logic "sus" ("high").
Tranzistoarele sunt conectate n aa-numitul
montaj Darlington, care are o impedan de
intrare foarte mare. Cnd tensiunea de intrare e
pe nivelul logic "sus", tranzistoarele sunt
deschise i LED-ul lumineaz. Curentul
absorbit din circuitul digital e foarte mic. Cnd
v
IN
e pe nivelul logic "jos", tranzistoarele sunt
blocate.
3. Indicator de polaritate cu trei stri




Dac v
IN
>0, atunci

( )
1 2 IN DR R
v V I R R = + +

unde V
DR
este tensiunea de deschidere a LED-ului rou.

Dac v
IN
<0, atunci

1 IN F G DG
v V I R V = + +

unde V
DG
este tensiunea de deschidere a LED-ului verde, iar V
F
este tensiunea de
deschidere a diodei.

Pentru proiectarea schemei, cunoscnd parametrii diodelor i tensiunile de lucru, din a
doua ecuaie se determin R
1
, iar din prima se determin R
2
.











v
IN
i
G
i
R
R
1
R
2
V
F
+


Cnd tensiunea de intrare este continu i pozitiv,
este aprins LED-ul rou, iar cnd este continu i
negativ, este aprins LED-ul verde. Cnd tensiunea
de intrare este pulsatorie (bipolar), atunci cele dou
LED-uri de aprind alternativ. Dac alternaa este
destul de rapid, ochiul percepe o culoare galben.

Fotodetectoare
Un detector optic sau fotodetector este un dispozitiv care convertete un flux
energetic de radiaie optic incident
e
ntr-o putere electric P
e
.
Curentul de ntuneric al unui fotodetector i
d
este curentul dat de detector atunci
cnd iluminarea sa este nul. Acesta are de obicei o origine termic.
Fotocurentul i
p
este curentul dat de fotodetector n mod suplimentar fa de
curentul de ntuneric, atunci cnd i se aplic o iluminare. Curentul total se scrie
i i i
p d
= + .
Fotodetectoarele se bazeaz pe efectul fotoelectric. Acest fenomen este inversul
celui ntlnit la diodele electroluminiscente: prin captarea unui foton incident, un
electron i schimb nivelul energetic.
Vom defini adncimea de ptrundere a unui flux de fotoni ntr-un semiconductor.




Scderea fluxului este direct proporional cu mrimea fluxului incident i cu distana
parcurs; constanta de proporionalitate o notm cu 1/:
1
( ) ( ) d x x dx

= . Soluia
acestei ecuaii difereniale, cu condiia la limit
0
(0) = este
0
( )
x
x e



= . Pe
lungimea unei adncimi de ptrundere fluxul incident pe semiconductor scade de e ori
(e=2,718...).
Fotodiodele sunt diode a cror funcionare se bazeaz pe efectul fotovoltaic.


x

0
/e

0
/e
: adncimea de
ptrundere
Flux incident
Semiconductor
Valoare la care scade
fluxul n urma traseului
de lungime prin
semiconductor.
x




Funcionarea fotodiodei are loc dup cum urmeaz:
-n urma absorbiei de fotoni cu energie mai mare dect a benzii interzise, se
formeaz perechi electron-gol (la marginea regiuni n n exemplul considerat), n
special pe o adncime egal cu cea de ptrundere;
-purttorii formai difuzeaz n regiunea n, care are o astfel de lime nct acetia
nu au timp s se recombine n mod semnificativ;
-n zona jonciunii, purttorii sunt separai de ctre cmpul electric intern E
0
:
golurile trec n regiunea p, n timp ce electronii rmn n regiunea n, la marginea
jonciunii. Rezult c driftul purttorilor minoritari (golurile n cazul nostru) este
componenta util a curentului prin jonciune. Este de aceea normal ca, n funcionare
normal, jonciunea s fie polarizat invers sau s fie nepolarizat;
-din cauza separrii celor dou tipuri de purttori de sarcin, n zona jonciunii
apare un cmp electric E
P
care se opune cmpului determinat de sarcina spaial; ca
urmare, bariera de potenial scade. Prin nchiderea circuitului, apare un curent de
fotoconducie I
P
.

Componenta E
P
a cmpului electric din jonciune se numete tensiune
electromotoare fotoconductiv. Dup cum am vzut, ea reduce bariera de potenial,
fapt care nrutete ns capacitatea jonciunii de a separa cele dou tipuri de
purttori. Aceast capacitate dispare n ntregime atunci cnd E E
P
=
0
, ceea ce duce la
limitarea procesului.

Dup cum am mai artat, pentru ca o fotodiod s funcioneze ct mai eficient,
este necesar minimizarea componentei de difuzie a curentului prin jonciune n
comparaie cu cea de drift. De aceea fotodiodele se folosesc fie n mod fotovoltaic,
adic la tensiune de polarizare nul, fie n mod fotoconductiv, adic la polarizare
invers.
Notnd cu i curentul total prin fotodiod, dinspre anod spre catod i cu i
p

componenta datorat fotoconduciei, avem

0
[exp( / ) 1]
p
i i I qV kT = + ,

x
w- l
n
l
p

0
E
0
E
P
n p

Sarcin spaial

Baz

Colector

unde I
0
este curentul termic, q este valoarea absolut a sarcinii electronului, V este
tensiunea pe jonciune n sens direct, k este constanta lui Boltzmann, iar T este
temperatura absolut la care se afl jonciunea. Dup cum se tie, mrimea
/
T
V kT q = se numete tensiune termic. Este important de observat c, n condiiile
conveniei pe care am adoptat-o, fotocurentul i
p
are o valoare negativ:

0
p
i <

Funcionarea n mod fotovoltaic presupune o schem fr surs de alimentare.



Funcionarea schemei este descris de ecuaia

0
[exp( / ) 1] /
p
i i I qV kT V R = + = ,

unde curentul i
p
este determinat de fluxul incident . Sunt importante dou situaii
particulare: funcionarea la curent nul i la tensiune nul.
Funcionarea la curent nul nsemn c fotodioda este n gol R . Rezult
imediat

0
log(1 )
p
T
i
V V
I
=

n cazul funcionarii la tensiune nul vom avea R = 0 i V = 0, de unde i i
p
= .
Funcionarea n mod fotoconductiv presupune prezena unei surse de alimentare
care s polarizeze invers fotodioda. n felul acesta crete valoarea barierei de
potenial, ceea ce face ca funcionarea jonciunii s fie determinat de curentul termic
I
0
. Dac se ilumineaz fotodioda, curentul total va fi

( )
0 0
exp / 1
p T p
i i I V V i I = +

.

Dependena fotocurentului de fluxul energetic incident reprezint caracteristica
energetic a fotodiodei. Fie, n mod fotoconductiv, fluxul incident pe suprafaa
regiunii n i fie f frecvena radiaiei. Atunci, pe secund, vor fi incideni / ( ) hf
fotoni, h fiind constanta lui Planck. Dac notm cu randamentul cuantic intern,
adic numrul de perechi electron-gol generate pe secund mprit la numrul de
fotoni incideni pe secund i cu eficiena transportului de sarcin, adic numrul
de purttori de sarcin care ajung n regiunea p (scpnd de recombinare) ntr-o
secund mprit la numrul de purttori generai de radiaia incident ntr-o secund,
atunci vom avea
i
V
R
Mod fotovoltaic
+


p
i q
hf

=

(q este valoarea absolut a sarcinii electronului). La o frecven dat, se observ c
dependena fotocurentului de fluxul incident este liniar: recombinrile sunt
independente de fluxul incident deoarece materialul din care este construit fotodioda
are un numr mic de impuriti care pot aciona ca centri de recombinare.




n mod fotovoltaic, caracteristica energetic este dependena fie a curentului de
scurcircuit, fie a tensiunii fotoelectromotoare de fluxul energetic incident la o anumit
frecven. Prima dintre ele deviaz de la liniaritate la fluxuri incidente mari din cauza
creterii cderii de tensiune pe rezistena electric a regiunii n, la creterea curentului.
A doua dintre ele devine neliniar pentru c nlimea barierei de potenial scade pe
msur ce regiunile p i n stocheaz sarcin n exces; separarea purttorilor de sarcin
devine mai puin eficient i tensiunea fotoelectromotoare crete mai lent cu fluxul
incident.
Caracteristica spectral a unei fotodiode este, teoretic, liniar. Dac n relaia
dintre I
P
i nlocuim f
c
=
0

, obinem sensibilitatea spectral


0
P
p
I q
S
hc

= = .
Aceasta reprezint o dependen liniar de lungimea de und, iar dreapta respectiv
trece prin origine. n realitate sensibilitatea scade la lungimi de und mici (frecvene
mari) din cauza recombinrilor de la suprafaa materialului, unde exist un numr
mare de trape (centri de recombinare). n ceea ce privete lungimile de und mari
(frecvene mici), generarea de purttori scade brusc atunci cnd energiile fotonilor
devin prea mici pentru a iniia procesul de formare a perechilor de purttori.




i
p

min

max

Domeniu de
liniaritate

S

min

max

Form tipic
Form care se obine prin
consideraii teoretice, n
ipoteze simplificatoare uzuale.

Viteza de rspuns a unui fotodetector (la un semnal treapt de lumin) depinde de
doi factori: de viteza de separare prin difuzie i apoi drift a purttorilor de sarcin
generai i de capacitatea regiunii golite (de sarcin spaial) din jurul jonciunii.
ncrcarea regiunii de sarcin spaial este determinat, la o valoare mic a rezistenei
de sarcin de produsul RC, unde R este rezistena circuitului exterior n serie cu
rezistena semiconductorului, iar C este capacitatea regiunii de sarcin spaial. Dac
rezistena circuitului exterior este neglijabil, se obine un parametru independent de
aceasta apropiat, pentru fotodiodele de uz general, de 1 ns. Separarea purttorilor
generai optic implic dou procese: difuzia prin baz i driftul prin jonciune. Timpul
de drift este n jurul a 0,1 ns. Se poate arta c difuzia prin baz este cea care
determin pn la urm viteza fotodiodelor.


i
F
[mA]
v
F
[V]
0.2 0.4 0.6 0.8
-10
-20
-30
-40
V
OC

I
SC

MPP(V
M
, I
M
)
+

i
F
v
F
hf

Fig. 1. Caracteristica electric a unei celule PV (sau a unei
fotodiode n general)

Fototranzistorul
n figura urmtoare se prezint structura unui fototranzistor. De multe ori baza nu
are un terminal electric asociat.




Funcionarea fototranzistorului este urmtoarea: perechile electron-gol sunt
generate n regiunea bazei, sub aciunea luminii, i sunt separate de ctre jonciunea
colectorului, polarizat invers, electronii trecnd (printr-o micare de drift) n colector.
Golurile rmn n baz i genereaz un cmp care reduce bariera de potenial din
jonciunea emitorului, ca i cum aceasta ar fi polarizat direct. Rezult o injecie
adiional de electroni din emitor, prin difuzie, care duce la creterea curentului total
(electronii difuzeaz prin baz; o mic parte se recombin acolo cu goluri, n special
cu cele generate optic, ducnd la echilibrarea procesului). Se observ c fotocurentul
joac rolul curentului de baz dintr-un tranzistor obinuit, deci caracteristicile
fototranzistorului sunt la fel cu cele ale unui tranzistor obinuit.
Datorit faptului c fototranzistorul are o amplificare de curent , rezult c, la
acelai flux incident, curentul generat este de ori mai mare dect cel generat de o
fotodiod. Sensibilitatea fototranzistorului este deci mult mai mare dect cea a
fotodiodei. n schimb necesitatea de a polariza dispozitivul conduce la o sensibilitate
mrit, n raport cu fotodiodele, la temperatur. Curentul de ntuneric este de
asemenea mai mare.
Viteza de rspuns este factorul limitativ al utilizrii fototranzistoarelor, deoarece o
vitez de rspuns mare implic o lime mic a bazei, ceea ce reduce sensibilitatea. n
urma compromisului se realizeaz fototranzistoare cu un timp de rspuns de ordinul
microsecundelor.
Se mai realizeaz fototranzistoare compuse Darlington, pe acelai suport, ceea ce
duce la o cretere foarte mare a sensibilitii (de pn la 1000 de ori n raport cu
fotodiodele).
n+
n
colector
emitor
baz

p
n+
E
Este de asemenea posibil integrarea pe acelai suport a unei fotodiode i a unui
tranzistor de nalt frecven. Cele dou dispozitive pot fi optimizate separat, astfel
nct n final se obine un fotodetector rapid cu o sensibilitate mare.


Aplicaii simple ale fotodetectoarelor

1. Receptor de date









2. Tahometru













R
1
R
2
R
R
0
+V
CC
v
O
T
T
1
C
Tranzistorul T
1
este normal n
conducie. La iluminarea
fototranzistorului acesta conduce,
blocndu-l pe T
1
. Circuitul este deci
sensibil la fronturile impulsurilor
luminoase.
V
CC
v
0
R
1
R
2
D

R

T

La fiecare trecere a fantei prin
dreptul sursei de lumin,
tranzistorul T intr n
conducie.

3. Optocuploare






4. Aplicaii ale optocuploarelor




5 V

5..12 V

1 k

4,7 k

v
IN

v
O
Transmiterea
impulsurilor fr
inversare.

Transmiterea
impulsurilor cu
inversare
5 V

5..12 V

1 k

4,7 k

v
IN

v
O
Dou circuite pot fi
separate galvanic folosind
optocuploare, compuse
fiecare dintr-un LED i un
fototranzistor.

S-ar putea să vă placă și