THEORIE DES SEMI - CONDUCTEURS JONCTION PN - DIODES

Les semi- conducteurs sont

trs importants en lectronique, car ils offrent la

possibilit de contrler, la fois la quantit et la direction du courant lectrique. Plusieurs composants fondamentaux de l'lectronique sont base de semi-conducteurs, tels que; les diodes, les transistors, les circuits logiques, les amplificateurs,.

I. RAPPEL SUR LA STRUCTURE DE LA MATIERE.

Latome est form dun noyau autour duquel gravitent des lectrons qui portent une charge ngative (e = -1.6 10-19C). Le noyau est form de neutrons qui ne sont pas chargs et des protons qui portent une charge lectrique positive. M L K

Couche de valence

Les lectrons des couches internes sont trs lis au noyau. Les lectrons de valence se trouvent sur la couche la plus externe, et sont faiblement lis au noyau. Pour avoir une structure atomique stable, tous les atomes tendent avoir 8 lectrons sur la dernire couche. La cohsion des atomes est assure par la mise en commun des lectrons de valence pour former des liaisons covalentes. A cause de l'interaction des atomes , les niveaux d'nergie se transforment en bandes d'nergie spars par une bande interdite.

Semi conducteurs- diodes

 Chaque matriau prsente une hauteur de bande interdite qui lui est propre; cette diffrence dnergie qui joue un rle important permet de distinguer les matriaux , les isolants, semi conducteurs, conducteurs et supra conducteur.

BC BI BV

BC BI BV

BC

BV

Isolants.

Semi-conducteur.

Conducteur.

BV: Bande de valence occupe par les lectrons qui se trouvent sur la dernire couche. BI : Bande interdite ne contient aucun lectron. BC : Bande de conduction occupe par les lectrons libres circulant entre les atomes.

II. SEMI - CONDUCTEURS. II.1. Dfinition.

Les semi-conducteurs sont des matriaux prsentant une conductivit lectrique intermdiaire entre les conducteurs ( mtaux ) et les isolants. Ils ont une structure atomique cristalline stable. Exemple : le Silicium Si occupe la 4me colonne dans le tableau priodique des lectrons.

III Base B(Z=5)

IV Carbone (z=6) Silicium Si Z =14 Germanium Ge Z =36 Etain Sn Z= 50

V Azote Phosphore p Z=15 Arsenic As Z=33 Antimoine Sb Z=51

A 0 K la structure atomique est stable, la Bande de valence est sature cest un isolant.
Semi conducteurs- diodes 2

 Si la temprature augmente on a une agitation thermique, qui cre un dsordre dans la configuration. Certain lectrons vont quitter la bande de valence. Chaque lectron laisse derrire lui un trou. E trou Dans un semi -conducteur la conduction porteurs les lectrons et les trous. est assure par deux types de couche de valence

Un trou : est un lieu sur la couche de valence ou un lectron devrait exister. Il peut tre considr comme une charge positive. Latome de Silicium qui perd un lectron n'est plus lectriquement neutre; il est devenu ion positif.

II.2. Semi conducteur intrinsque.

Un Semi- conducteur est dit intrinsque sil ne possde ni dfaut physique ni dfaut chimique (ne contient aucune impuret ou corps tranger, il est pur ). Les principaux semi conducteurs utiliss ont quatre lectrons sur la dernire couche et sont : Le silicium not 'Si' Le germanium not 'Ge'

II.3. Semi conducteur type N.

C'est un semi- conducteur intrinsque auquel on a injectes des impurets pentavalentes. Les atomes de limpuret ont 5 sur la couche de valence. Le dopage type N gnre des lectrons libres dans la bande de conduction. Exemple : Si + Sb (antimoine). Nombre d Si Si Sb Si Atome donneur d'lectron S.C type N libre Si
N

> Nombre de trous

Semi conducteurs- diodes

II.4. Semi conducteur type P.

Les impurets injectes dans le semi-conducteur sont trivalentes. Les atomes ont 3 lectrons de valence. Le dopage type P gnre des trous. Exemple : Si + In (indium) Nombre de trous > Nombre dlectrons. Si Si In Si Atome accepteur d'lectron S.C type P trou Si
P

III. JONCTION PN

II.1. Dfinition :
La jonction PN est obtenue par la mise en contact dun semi-conducteur type N et d'un semi-conducteur type P. jonction
P N

majoritaires

trous majoritaires

Lorsque les 2 semi-conducteurs sont mis cte cte. Les lectrons libres de la rgion N vont migrer vers la rgion P. Les trous de la rgion P vers la rgion N. Au niveau de la jonction, il y a combinaison des lectrons et des trous do apparition dune zone dserte o il ny a plus aucun porteur de charge (rgion de charge despace). D'o naissance dun champ lectrique E et formation dune barrire de potentiel V0= Vs. Pour quun lectron puisse traverser la barrire de potentiel, il lui faut une nergie externe suprieure V0.

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E P - + - + - + V0 N

II.2. Polarisation dune jonction :

a) Polarisation en inverse.
P - + N

- + E

Ii=0

La borne + du gnrateur attire les lectrons de la rgion N. La borne du gnrateur attire les trous de la rgion P. Donc la barrire de potentiel va augmenter, et par consquent impossible pour les lectrons de traverser cette nouvelle barrire. Et donc, pas de passage de courant Ii = 0. En polarisation inverse la jonction est bloque.

b) Polarisation directe
P - + N

- + Id +
E

Si on applique une tension E barrire qui se trouve rduite. Id

Semi conducteurs- diodes

V0 ; les lectrons peuvent traverser la

0 la jonction est conductrice.

5

Si E

V0

La jonction est bloque. si E si E V0 jonction bloque

En polarisation directe

V0 jonction conductrice.

IV. LES DIODES

IV.1. Dfinition
Une diode est un composant actif, c'est une simple jonction PN enferme dans un botier protecteur.

IV. 2. Reprsentation symbolique dune diode :

A Id K

VD = VA - VK

Une diode est caractrise par sa tension seuil V0. 1. Diode en Si V0 = 0.7 V 2. Diode en Ge V0 = 0.3 V. Une diode polarise en direct est passante, si la tension applique entre lanode et la cathode (VD) est suprieure V0 (tension seuil). Elle est bloque si VD V0 . A D VD + EK

Le fonctionnement de la diode est assimil au fonctionnement dun interrupteur. Lorsquelle est passante linterrupteur est ferm et lorsquelle est bloque linterrupteur est ouvert.

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IV. 3. Caractristique tension courant dune diode :

La caractristique tension courant dune diode cest la courbe donnant la variation du courant Id en fonction de Vd ; Id = f(Vd). Ceci est ralis par variation de la tension dentre E , en polarisation directe et un polarisation inverse.
R
mA

Vd

Id

La caractristique Id = f(Vd) est donne par : Id (mA)

Idmax

Id

Einverse

Vz Vd

Vd(v)

D.claque

D.Bloque

D.B

D.passante

Polarisation inverse Rd : rsistance dynamique de la diode on : Rd

Polarisation Directe.

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a/ en polarisation directe : Dtermination de V0 : V0 = tension seuil de la diode; c'est le point dintersection de la partie rectiligne de la caractristique Id = f(V d) avec laxe de tension : Rd : rsistance interne dynamique de la diode : Rd est dtermine daprs la caractristique Id = f(Vd) Par la relation : Rd trs faible en direct

(Id) max : cest lintensit maximale du courant support par la diode elle est fixe par le constructeur (courant ne jamais dpasser). b) en polarisation inverse :

Si E < Vz (Vz tension de rupture) la diode est bloque, elle est quivalente une rsistance trs leve. ( Ri rsistance inverse ; Ri > 1M) Si E Vz : Lorsque la tension applique en inverse est VR la diode est soudain conductrice. Id = f(Vd) est alors verticale. Le phnomne est appel claquage de la diode. Ce claquage est le rsultat de deux phnomnes ; leffet zener et deffet davalanche. *effet Zener : lorsque le champ lectrique lintrieur de la jonction augmente avec la tension de polarisation inverse ; il provoque la rupture des liaisons covalentes entre les atomes do libration des charges. *effet davalanche : il arrive immdiatement aprs leffet zener. Les porteurs de charges ont soudainement une grande nergie cintique. Ils peuvent arracher dautres lectrons lors des collisions avec dautres atomes (ce qui donne naissance un courant en inverse).

IV. 2. 4. Modlisation de la caractristique tension-courant :

1. Diode idale Une diode idale est caractrise par : V0 = 0 Rd = 0

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Id Idmax

Vd

Diode passante Diode bloque

Vd > 0 Vd

et Id 0. 0 et Id = 0.

Id

A Id

Vd = VA - VK

Vd

Diode passante

S est ferm

Id=0

A Id=0

Vd = VA - VK

Vd

Diode bloque

S est ouvert.

2. Diode idalise. Une diode idalise est caractrise par : V0 0 Rd = 0 Id I dmax

Vd Vo

Semi conducteurs- diodes

Diode passante Diode bloque

Vd > Vo

et Id > 0.

Vd Vo et Id = 0.

Id

A Id

V0

Vd = VA - VK

Vd = V0

Diode passante

S est ferm

Id=0

A Id=0

V0

Vd = VA - VK

Vd

Diode bloque

S est ouvert.

3. Diode relle. Une diode relle est caractrise par : V0 0 Rd 0 Id I dmax

Vz

Vd Vo

Diode passante Diode bloque

Vd > Vo

et Id > 0.

Vd Vo et Id = 0.

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Id

A Id

Rd

V0

Vd = VA - VK

Vd = RdId + V0

Diode passante

S est ferm

Id=0

Rd

V0

Vd = VA - VK

Vd

Diode bloque

S est ouvert.

Exemple : Sachant que la diode utilise est une diode idale, tracer V s(t) dans le cas o Ve(t) est donn par :
Ve(t)
+10

t
-10

Ve(t)

Vs(t)

IV. 2. 4. Droite de charge statique et point de fonctionnement.

Droite de charge : la droite de charge statique est la droite Id = f(V0) ; lorsque la droite est introduite dans un circuit. Point de fonctionnement de la diode : le point de fonctionnement ou le point de repos ; cest le point M qui correspond lintersection de la droite de charge avec la caractristique courant tension ; M (Vdo ; Ido).
R Id E Vd E = R Id + Vd

Id = E/R - Vd/R quation de la droite de

charge

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Id

Idmax E/R
Droite de charge statique caract. Tension courant

Vd Vo

V/ Diffrents type de diodes

V.1. Diodes Normales :
Ce sont les diodes jonction PN. Une diode est une simple jonction PN enferme dans un botier protecteur. C'est un composant polaris, une anode et une cathode. La cathode est localise par un anneau de reprage.

Elles sont caractrises par une tension seuil V0 et une rsistance interne dynamique Rd. Leur fonctionnement est 2 tats passant ou bloqu. Domaine dapplication : protection des circuits, circuits logiques, redressent , filtrage, restauration, etc.

V.2 Diodes lectroluminescentes L E D

Les L E D sont des diodes qui transforment llectricit en lumire ; leur symbole est :

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Symbole d'une LED Ces diodes existent sous diffrentes formes et couleurs, rouges, jaunes, oranges et vertes. Elles sont utilises comme indicateur lumineux (marche-arrt, tat de fonctionnement, jeux de lumire, etc), pour former des afficheurs 7 segments ( 7 LED)etc.

V.3 Les photodiodes

Elles transforment lnergie luminescente en nergie lectrique. Elles sont utilises dans les circuits de commande ; leur fonctionnement est caractris par : Prsence de lumire tat bloqu Absence de lumire tat passant. Symbole utilis

V.4 Diode Zener.

La diode zener est une diode fortement dope (zone de transition troite) la tension de claquage est faible. Elle est dfinie par le constructeur. La diode zener est surtout utilise pour les circuits de stabilisation.

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La tension de claquage dune diode zener est connue avec prcision. La diode zener peut tre utilise en polarisation directe, mais elle est surtout utilise en polarisation inverse. VZ0 de zener reste pratiquement stable (constante) en polarisation inverse si le courant Iz est maintenu en 2 valeurs limits Izmin , Izmax.

Diode zener en polarisation directe

A Id K

Diode normale.
A Id S Rd V0 K

Vd = VA - VK

Vd = RdId + V0

Diode zener en polarisation inverse.

A Iz K A Iz Rz Vz0 K

Vz

Vz = Rz Iz + Vz0

Remarque: Il existe plusieurs autres types de diodes qui sont utilises en lectronique. On peut citer : Les diodes effet tunnel, - Les diodes Gunn, Les diodes laser, - Les diodes schottky, - Les diodes PIN, - Les diodes varicap,..

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VI. Application : circuits diodes.

VI. 1. Application aux circuits logiques. Les diodes sont utiliss pour raliser les portes logiques ( ou, et ,); c'est des diodes en commutation; elles fonctionnent , soit en tat bloqu soit en tat passant : Exemple : circuit OR 2 entre. D1 et D2 sont idales D1

V1 V2 D2 R Vs

VI. 2. Redressement- mono alternance. On appelle tension redresse une tension qui conserve la mme polarit au cours du temps. Contrairement la tension alternative qui change de polarit toutes les demi priodes.
Ve(t)
+vm

Vs(t)

Ve -Vm

Vs(t)

Ve(t) = Vm sin (wt). Vs(t) = Vm sin (wt) 0 Id(t) = Vm/R sin (wt) 0 pour 0 < t < T/2. pour T/2 < t < T pour 0 < t < T/2. pour T/2 < t < T

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On remarque que le courant et la tension dans R sont redress s (c..d il nya plus de tension ou de courant ngatif dans R) on dit, quon a transform du courant et une tension alternative en un courant / tension unidirectionnel : cest le redressement simple alternance ou mono alternance. La valeur moyenne du courant et de la tension redresse ont augments, ona : Vsmoy = Vm / et Idmoy = Vm /R

VI. 3. Redressement double alternance. Circuit utilis : un pont 4 diodes (pont de Gratz).
Ve(t) D1
Ve(t) D4 T

Vs(t) D3 D2 R Vs(t) t

Ve(t) = Vm sin (wt). Vs(t) = Ve - Ve pour 0 < t < T/2. pour T/2 < t < T

La tension et le courant sont le double que ceux obtenus pour le redressement simple alternance. Vsmoy = 2.Vm / et Idmoy = 2.Vm /R

VI. 4. Circuits crteurs limiteurs . Les circuits crteurs ou limiteurs permettent de supprimer des tensions ou des courants, plus grands ou plus petits quune valeur spcifie, ces circuits sont raliss s partir de diodes et de transistors. Il existe 3 types dcrtage.

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a) Ecrtage 0 volt. (niveau 0)

Ve(t)
+vm

Vs(t) +Vm

Ve
-Vm

Vs(t)

b) Ecrtage un niveau Dans ce cas lcrtage se fait un niveau diffrent de zro. Les circuits utiliss comportent en srie une diode avec une pile ou une diode zener. Exemple: D est idale et E < Vm
Ve(t)
+Vm

Vs(t) R T t ve (t) E Vs(t)

V E

Ve(t) = Vm sin (wt). Vs(t) = Ve E pour Ve < E. pour Ve > E.

On trace la caractristique de transfert Vs = f(Ve) :

Vs
E

-Vm

+Vm

Ve

-Vm

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c) Ecrtage 2 niveaux Le circuit comporte 2 diodes et deux piles, ou deux diodes zener. Exemple: D1 , D2 sont idales, E < Vm
Ve(t)
+vm

Vs(t) R T
T
V E

ve (t)

Vs(t) -E

Ve(t) = Vm sin (wt). Vs(t) = Ve E

-E

pour -E < Ve < E. pour Ve > E.

pour Ve < -E < 0

On trace la caractristique de transfert Vs = f(Ve) :

Vs
E

-Vm

-E -E

+Vm

Ve

VI. 5. Application de la diode zener. Les diodes zener sont principalement utilises pour la rgulation de tension d'alimentation, stabilisation de courant, suppression des pointes de tension, et crtage. Les proprits d'une diode Zener sont: La tension de zener Vz : varie de 1.2 270 volts

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La puissance maximum dissipe Pz = Vz.Iz : varie couramment de 300 mW 75 W.

Exemple 1 : diode zener en crtage ( Exo.08). :

Ve(t)= E sin(wt). Les deux diodes zener sont idales. Vz01= Vz02 < E.
Ve
R

Dz1

Vs
Dz2

1. Tracer Vs(t). 2. En dduire VR(t). 3. Quel est le rle de ce circuit.

Exemple 2 : diode zener en rgulateur de tension ( exo 7). La caractristique inverse de la diode zener en polarisation inverse est assimile une droite passant par les points : ( iz = 20mA, Vz = 6.2v ) et : ( iz = 100mA, Vz = 7v ). On admettra que la diode fonctionne en stabilisateur de tension si iz est compris entre 5mA et 100mA. 1. Dterminer l'quation de la caractristique ; Vz = Vz0 +Rz iz. 2. Etude vide : Si Ve = 12v et R =190, dterminer Vz et iz. Entre quelles valeurs limites Ve peut elle varier si R =190. 3. Etude en charge. Calculer iz, iL, i et Vz pour Ve=18v, R=100 et RL=100 . Entre quelle limites RL peut elle varier pour que la diode fonctionne dans sa zone utile ( Ve=18v et R=100 ).
R

Ve

RL

Vs

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