Laboratorio de Telecomunicaciones Departamento de Electricidad, Electrnica y Computacin FACET U. N. T. Ing. Nstor E. Arias narias@herrera.unt.edu.ar arias@tucbbs.com.

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GENERADORES DE MICROONDAS CON DIODOS GUNN EN LA BANDA X (8-12) GHZ.

Nstor E. Arias En este trabajo se presenta el desarrollo y construccin de tres generadores de microondas en estado slido con diodos Gunn, para operar en la banda X (8-12) GHz. con cavidades resonantes rectangulares y en dos tipos de potencia, 10 y 250 milivatios. In this work, the development and construction of three generators of microwaves in solid state with Gunn diodes are presented. These are intended to operate in the band X (8-12) GHz. with rectangular resonant cavities and with two levels of power, 10 and 250 milliwatts. Introduccin Se han trazado varios objetivos en los diseos de los tres osciladores, los principales son: Investigacin Docencia Transferencia Tecnolgica en Sistemas de Telecomunicaciones Siguiendo estos objetivos se han diseado y construido: 1. Un oscilador de 250 mW que tiene suficiente potencia para ensayos y desarrollos de antenas de microondas y, otras tareas de investigacin. 2. Un oscilador de 10 mW con sintona fija en 10,5 GHz. para reemplazar el oscilador Klystron (vlvula) que posee el banco de microondas del Laboratorio de Telecomunicaciones del DEEC de la UNT. 3. Un oscilador de 10 mW que tiene dos salidas alternativas a 90 una de otra que permite trabajar con varios tipos de iris de acoplamiento. Su objetivo fundamental es trabajar con mezcladores. Los dispositivos y sus partes fueron desarrollados en forma artesanal en el Laboratorio de Telecomunicaciones. Diodo Gunn El diodo Gunn es un dispositivo semiconductor de Arseniuro de Galio (Ga As) que tiene caractersticas de resistencia negativa en la zona de trabajo (Fig 1), unida sta a la presencia de: ruido aleatorio y un medio externo, como ser una cavidad resonante, permite la generacin de potencia en frecuencias de microondas desde 4 GHz. a ms de 100 GHz. en potencias que van desde milivatios a vatios. Son dispositivos de muy bajo rendimiento 1% al 2%, y pueden funcionar con bajas tensiones, entre 3 y 15 voltios, segn diseo.
Corriente A

Ih
Regin de funcionamiento

Resistencia Positiva

Resistencia Negativa

Vh

Tensin V

Fig.1
Relacin Tensin Corriente de un diodo Gunn

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Normalmente son usados para generar frecuencias de microondas en modos Transversal Elctrico, TE. El circuito equivalente de un diodo Gunn es el de un capacitor en paralelo con una resistencia negativa (Fig. 2). La suceptancia capacitiva del diodo puede hacerse resonar con una suceptancia inductiva, que se obtiene en una gua de onda con un extremo en corto circuito, las dimensiones elegidas del sector de gua de onda usada como resonador fijan la frecuencia de resonancia.

Le

Rs

Ce

Rn

Cd

Rn =Resistencia negativa Le=Inductancia del encapsulado El acoplamiento a una carga externa puede ser controlado Cd=Capacidad del diodo Ce=Capacidad del encapsulado Rs=Resistencia serie por un Iris (abertura) de apropiadas dimensiones. Fig.2 La distancia entre el diodo y el Iris o, entre el diodo y una Circuito equivalente de un diodo Gunn pared en corto circuito es de g/2. Siendo g la longitud de onda en el interior de la gua usada como resonador. Por su bajo rendimiento el diodo Gunn debe ser montado en un disipador trmico adecuado. Como ejemplo, un diodo especificado para 250 milivatios, consume de fuente 10 vatios que deben ser disipados para evitar daos en la juntura del diodo.

Elementos que corresponden al diodo

Elementos que corresponden al encapsulado

La resistencia negativa del diodo, desde continua hasta frecuencias muy elevadas, hace que cualquier inductancia externa y capacidades parsitas, lleven al diodo a oscilaciones de relajacin con amplitudes y potencias tales, que pueden ocasionar la destruccin del mismo. Por tal motivo, para evitar este comportamiento, es necesario agregar un capacitor de gran valor (10-25 F), colocado muy cerca del diodo, (Fig. 3) (recomendado por MDT, [1]).

V
3 Ohms Diodo Gunn 10-25 uf .47uf

Circuito de alimentacin para un diodo Gunn

Recomendado por Microwave Device Technology Corporation

Fig.3

Cavidades Resonantes Una cavidad resonante es un sistema pasivo, su modelo es similar al de una lnea de transmisin de de (/2) en corto circuito. Normalmente son construidas con sectores de guas de onda normalizadas. Las cavidades resonantes adoptadas para el diseo de los tres generadores, son del tipo rectangular con sectores de guas de onda WG-16 y WR- 75 para trabajar en el modo TE1,0,1. La frecuencia de resonancia puede ser calculada segn las dimensiones internas del sector de gua de onda, (Fig. 4) y segn la expresin (1). f= c . a 2 + L2 2.a L (1)

m En donde: c = 3.108 velocidad de la luz en el vaco s a = Longitud mayor de la boca de la gua de onda expresada en metro L = Profundidad de la gua de onda en metro

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Para el caso del diseo del generador de 10,5 GHz. de 10 milivatios. El sector de gua de onda WR75 tiene las siguientes dimensiones: a = 19,1 10-3 metro L = 20,35 10-3 metro Stub As, aplicando la expresin (1) es f = 10,77 GHz. Para ajustar la frecuencia a un valor deseado (10,5 GHz.) y cercano al valor calculado, se recurre a una sintona fina mediante un Stub construido con un tornillo de cobre, bronce o aluminio como se indica en L la figura 4. a En las figuras 5,6 y 7, se muestran los dibujos esquemticos de los tres diseos. Fig.4 La figura 5 corresponde al generador de 250 milivatios que puede ser sintonizado desde 8 a 12 GHz. La frecuencia deseada se obtiene modificando la longitud L con el corto circuito variable y, ajustando los Stubs de la cavidad, como as tambin, los ubicados en la gua de 10 V 1A onda despus del Iris. Resorte Flange En algunas Mica 39/U Filtro Pasa frecuencias es Bajo Gua de necesario desplazar el Stubs Stubs Onda WG-16 Iris uno o dos Corto milmetros hacia la Diodo Iris Circuito Gunn Cavidad Variable cavidad o, hacia el Resonante flange, esto a fin de Disipador obtener mxima Flange L 39/U transferencia a la carga. La variacin de la frecuencia en funcin de la longitud L se muestra en el grfico de la figura 8. La posibilidad de obtener cualquier frecuencia en la Diodo Gunn MDT MG1007-17 250 mW banda X y entregar Escala: X 5 una potencia considerable (250 mW), hace del generador una herramienta til para Fig.5 el desarrollo y GENERADOR CON DIODO GUNN EN LA BANDA X 8-12 GHz. medicin de antenas, 250 milivatios materiales dielctricos y otros dispositivos de microondas, en tareas de investigacin y docencia. En la figura 6 se muestra el oscilador diseado para trabajar en una frecuencia fija de 10,5 GHz. El motivo de la eleccin de la frecuencia fija es maximizar el rendimiento y la potencia entregada a la
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carga. El objetivo es reemplazar el oscilador Klystron del banco de microondas del Laboratorio de Telecomunicaciones del DEEC. Se ha utilizado un diodo Gunn Marconi [2] CDC 1201B de 10 milivatios.
8V 0,1A Flange 39/U Salida 2 Salida 1 Filtro Pasa Bajo Stub Diodo Gunn Marconi Stubs Cavidad Resonante Iris Diodo Gunn Marconi CDC 1201 B 10mW Cavidad Resonante Gua de Onda WG-16 Iris Gua de Onda WG-16 Flange 39/U Iris

Disipador

Gua de Onda WR-17 Diodo Gunn Marconi CDC 1201 B 10mW Esc: X 5

p= 29,35 mm

Fig. 6

Fig. 7

En la figura 7 se muestra un oscilador con dos salidas alternativas a 90 una de otra. Tiene por finalidad el ensayo de diferentes Iris, como as tambin, el monitoreo de la potencia generada y aplicaciones en mezcladores. El diodo Gunn usado es un diodo Marconi CDC 1201 B de 10 milivatios.

12 11,6 11,2

f GHz

10,8 10,4 10 9,6 9,2 8,8 8,4 8 14 15,8 17,6 19,4 21,2 23 24,8 26,6 28,4 30,2 32

L en mm Fig.8 Frecuencia en funcin de la longitud L de la cavidad

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Conclusiones La construccin artesanal de los generadores ha aportado importante experiencia en el manejo de tcnicas de microondas en el Laboratorio de Telecomunicaciones del Departamento de Electricidad, Electrnica y Computacin de la FACET UNT y ha sentado las bases para la construccin de otros dispositivos y sistemas que son de utilidad en la investigacin , transferencia y docencia. Agradecimiento El autor agradece a las compaas Marconi de Gran Bretaa y a Microwave Device Technology Corporation de EEUU, por haber hecho posible la construccin de los generadores con el aporte de diodos Gunn y datos tcnicos. Como as tambin, al Profesor Dr. Angel Mediavilla de la Universidad de Cantabria (Espaa) que ha colaborado con materiales e informacin de mucho valor, para ste y otros proyectos en marcha. Bibliografa 1. Microwave Device Technology Corporation Catalog- Gunn Oscilator- Aplication Notes 2000 2. Marconi Applied Technology Limited Gunn Diode Aplication Notes June 2000 3. Fields and Waves in Modern Radio Simon Ramo John R. Whinnery John Wiley & Sons, Inc 1953 4. Microwave Technology Dennis Roddy ISBN 0-8359-4390-9 Prentice-Hall 1986