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El diodo semiconductor se forma mediante la unin de un material tipo P con un material tipo N (ambos de la misma base (germanio o silicio).

En el momento en que se unen estos dos materiales, los electrones y los huecos en la regin de la unin se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la regin cercana a la unin. A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se le llama regin de agotamiento, debido al agotamiento de portadores en esta regin.

Figura 2.1

Como el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicacin de una tensin a travs de sus terminales permite tres posibilidades: Sin polarizacin (VD = 0 V). Polarizacin directa (VD > 0 V). Polarizacin inversa (VD < 0 V). Sin polarizacin adecuada. Cuando un diodo no est polarizado, su cargas solo estn afectadas del movimiento de agitacin trmica. Este movimiento es de direccin aleatoria, por lo que no da lugar a circulacin alguna de corriente. El comportamiento elctrico del diodo, en estas condiciones, es similar a cualquier material conductor no polarizado. En ausencia de una tensin de polarizacin, el flujo neto de cargas en cualquier direccin es cero.

Figura 2.2 Con polarizacin inversa. Un diodo est polarizado inversamente cuando tiene aplicado un potencial de forma que el positivo est conectado con el material tipo N y el negativo al material tipo P. En estas condiciones, las cargas positivas de la regin P son atradas por el polo negativo y las cargas negativas de la regin N son atradas por el polo positivo. El resultado es que, en la zona de agotamiento, se forma una barrera de potencial de considerable anchura que las cargas no pueden atravesar. Solo se acercan a la zona de agotamiento algunas cargas negativas de la regin P y alguna positivas de la regin N que, al sentirse repelidas por los polos positivo y negativo respectivamente, dan lugar a una pequea corriente de fuga.

Figura 2.3

Con polarizacin directa. Se da la condicin de polarizacin directa cuando el polo positivo de la fuente de alimentacin est conectado al material tipo P y el negativo est conectado al material tipo N. En estas condiciones, las cargas positivas de la regin P se sienten repelidas por la tensin positiva, acercndose a la regin de agotamiento. Algo similar ocurre con las cargas negativas de la regin N. De esta forma, las cargas positivas y negativas estn lo suficientemente cercanas que, solo por su propia fuerza de atraccin, son capaces de atravesar la delgada barrera de potencial y combinarse. Mientras la fuente de alimentacin contine conectada habr una circulacin de corriente.

Regin Zener. Aunque la escala de la figura 2.5 se encuentra en mltiplos de diez voltios en la regin negativa, existe un punto en el cual la aplicacin de un voltaje demasiado negativo dar como resultado un agudo cambio en las caractersticas como se muestra en la figura 2.6.

La intensidad aumenta a una velocidad muy rpida en una direccin opuesta a aquella de la regin del voltaje positivo. El potencial de polarizacin inversa que da como resultado este cambio muy drstico de las caractersticas se llama potencial Zener y tiene como smbolo VZ . La regin Zener del diodo descrito debe evitarse si la respuesta de un sistema no debe ser alterada completamente por el severo cambio de las caractersticas de esta regin del voltaje inverso. El mximo potencial de polarizacin inversa que puede ser aplicado antes de entrar en la regin Zener se conoce como tensin de pico inversa (PIV - Peak Inverse Voltage) o (PRV - Peak Reverse Voltage). Figura 2.6

Si una aplicacin requiere un PIV mayor que el de una sola unidad, se deben conectar en serie un cierto nmero de diodos de la misma caracterstica. Los diodo tambien pueden conectarse en paralelo para aumentar la capacidad de transporte de intensidad.

Efectos de la temperatura. La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las caractersticas de un diodo de silicio: La intensidad de saturacin inversa IS ser casi igual al doble en magnitud por cada 10 C de incremento de la temperatura.

Figura 2.7 Variacin de las caractersticas de los diodos en funcin de la temperatura El de Silicio puede trabajar a una temperatura mxima mucho ms alta que el de Germanio. El de Silicio tiene una Corriente Inversa mucho ms baja que el de Germanio. Nano Amperios frente a Micro Amperios. Idealmente la Corriente Inversa debe ser nula. La Capacidad del de Silicio es mucho ms alta del de Germanio. Idealmente la capacidad debe ser nula. Conclusin: El diodo de Si es ms robusto y ms ideal en lo que a corrientes se refiere. Es mejor para funcin de rectificacin. El diodo de Germanio al tener menos capacidad ser de conmutacin ms rpida por tener menos capacidad y funcionar mejor en frecuencias muy altas. La estabilidad trmica del de Silicio es mejor que la del de Germanio. El Germanio apenas se utiliza en la actualidad por esta causa, y por que tienen un competidor entre los de Silicio, los llamados Diodos Schotfky .

Caractersticas del diodo de germanio y del diodo de silicio.


Escrito por David Sandoval

Los diodos rectificadores son dispositivos electrnicos que se utilizan para controlar la direccin del flujo de corriente en un circuito elctrico. Dos materiales comnmente utilizados para los diodos son el germanio y el silicio.Mientras que ambos diodos realizan funciones similares, existen ciertas diferencias entre los dos que deben ser tomadas en consideracin antes de instalar uno u otro en un circuito electrnico.

Diodos de silicio
La construccin de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado del diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del nodo y arsnico o fsforo en el lado del ctodo), y la articulacin donde las impurezas se unen se llama la "unin pn". Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarizacin directa de 0,7 voltios. Una vez que el diferencial de voltaje entre el nodo y el ctodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezar a conducir la corriente elctrica a travs de su unin pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la unin pn detendr la conduccin de la corriente elctrica, y el diodo dejar de funcionar como una va elctrica. Debido a que el silicio es relativamente fcil y barato de obtener y procesar, los diodos de silicio son ms frecuentes que los diodos de germanio.

Diodos de germanio
Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los diodos degermanio tambin utilizan una unin pn y se implantan con las mismas impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una tensin de polarizacin directa de 0,3 voltios. El germanio es un material poco comn que se encuentra generalmente junto con depsitos de cobre, de plomo o de plata. Debido a su rareza, el germanio es ms caro, por lo que los diodos de germanio son ms difciles de encontrar (y a veces ms caros) que los diodos de silicio.