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OBJETIVO DE LA UNIDAD Al finalizar esta unidad, usted ser capaz de describir un semiconductor, identificar dispositivos semiconductores y demostrar su operacin utilizando el tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES). FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD Los diodos, transistores, circuitos integrados y otros dispositivos llamados "de estado slido" estn fabricados de un material semiconductor, generalmente silicio o germanio. A temperatura ambiente, los cristales puros de germanio y silicio no son buenos conductores, ni buenos aisladores. Por este motivo son llamados semiconductores.
Al introducir impurezas en un cristal semiconductor, a travs de un proceso de dopado, se reduce la resistencia elctrica. Un material semiconductor dopado con impurezas que contienen exceso de electrones, es llamado material tipo N (negativo). Si las impurezas tienen pocos electrones en el anillo de valencia, el semiconductor dopado es llamado material tipo P (positivo). Los electrones libres (FREE ELECTRON) son portadores mayoritariosen un material tipo N y las cargas positivas, llamadas huecos (HOLE) son portadores mayoritarios en un material tipo P.
Fundamentos de semiconductores
Dopando reas adyacentes a los semiconductores de cristal con impurezas de tipo N y P, respectivamente forman una unin PN (PN CONJUCTION). En un rea cerrada de la unin, algunos electrones se trasladan al material P y algunos de carga positiva se trasladan al material N. Debido a que las cargas que se trasladan tienden a neutralizarse unas con otras, se crea una zona o regin de deplexin (DEPLETION REGION). El tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES tiene ocho bloques de circuitos. Cada bloque de circuito consta de una composicin de diodos y/o transistores, que le permiten aprender como funciona un semiconductor en una aplicacin prctica. Esta unidad lo introduce en la teora de semiconductores y los circuitos prcticos que estn incluidos en el tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. Las siguientes unidades estn dedicadas a cada uno de los ocho circuitos y a la localizacin de fallas en los circuitos semiconductores.
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NUEVOS TRMINOS Y PALABRAS anillo de valencia (valence ring) - son los electrones ms exteriores alrededor del ncleo de un tomo. Estos electrones interactan con los electrones de valencia de la vecindad y son la principal influencia en las caractersticas elctricas del elemento. nodo (anode) - es la regin del diodo dopada con material tipo P (Positivo). base - es la regin central de un transistor, ubicada entre el emisor y colector. La base siempre est dopada con un material de polaridad opuesta al material con que se han adoptado el emisor y colector. Generalmente es muy delgada. Ctodo (cathode) - regin del diodo dopada con material tipo N (negativo). Colector (collector) - es una regin ubicada en uno de los extremos del transistor. Fsicamente es el rea ms grande, debido a que es la regin donde se disipa la mayor cantidad de potencia. diodos - dispositivo semiconductor que consta de material tipo P y un tipo N. diodo emisor de luz (LED, light-emitting diode) - es un diodo construido para liberar energa en forma de luz, cuando se hace circular una corriente elctrica. Los materiales utilizados en la construccin del LED, determinan el color y brillo de la luz. Dopado (doping) -es el proceso de introduccin deliberada de un tipo especfico de impureza dentro de una base de material de alta pureza. El dopado se logra a travs de diferentes procesos, pero siempre es cuidadosamente controlado para producir semiconductores con propiedades especficas. electrones libres (free electrons) - son electrones "extra" en el anillo de valencia que no estn incorporados en los enlaces covalentes. Estos electrones resultan del dopado de material base puro con una impureza tipo N. Actan como portadores de corriente en un material semiconductor tipo N. Emisor (emitter) - es una regin ubicada en uno de los extremos del transistor. El emisor est dopado con el mismo tipo de impurezas que el colector. Huecos (holes) - Son cargas positivas en un semiconductor, producto de un enlace covalente incompleto. Los huecos son creados al dopar el material puro con impurezas tipo P. material tipo N(N type material) - material semiconductor puro, el cual ha sido dopado con una impureza que introduce electrones libres dentro del semiconductor. Los tomos del material de dopado, conocido algunas veces como donador, usualmente tienen un anillo de valencia que tiene un electrn adicional de los requeridos para completar los enlaces covalentes con los
tomos del material base. material tipo P (P type material) - es un material semiconductor puro que ha sido dopado con una impureza que introduce cargas aparentemente positivas (huecos) dentro del semiconductor. Los tomos del material de dopado, algunas veces llamados material receptor, usualmente tienen un anillo de valencia al que le hace falta uno de los electrones requeridos para formar un enlace covalente con los tomos del material base. portadores mayoritarios (majority carriers) - Son cargas introducidas deliberadamente en semiconductores para que acten como portadoras de corriente. Los electrones son los portadores mayoritarios en un material tipo N, los huecos son considerados como los portadores mayoritarios en un material tipo P. regin de deplexin (depletion region) - es una rea muy prxima a la unin PN, donde unas pocas cargas de las reas adyacentes tienden a cruzar la divisin y neutralizarse unas con otras.
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Semiconductor - es normalmente silicio o germanio, dopado con impurezas para crear un compuesto cuya resistencia elctrica es mayor que la de los conductores, pero menor a la ofrecida por los aisladores. transistor bipolar (bipolar transistor) -es un transistor de tres capas construido con dopado NPN o PNP; ms comnmente conocido como transistor de uniones. El trmino Bipolar se refiere a la utilizacin de materiales dopados tipo P y N. Transistores (transistors) - son dispositivos que contienen capas de semiconductores tipo NPN o PNP. Los transistores permiten que una corriente pequea controle el flujo de una corriente ms grande. Zener - es un diodo diseado para mantener una cada de voltaje relativamente constante frente a un rango de corriente. Los Zener se clasifican dentro de la familia de diodos comunes pero ellos operan de manera diferente.
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Los diodos se identifican normalmente con las letras CR seguido de un nmero (por ejemplo CR12). Los diodos especializados, diseados para tareas especificas incluyen el diodo Zener, los cuales pueden mantener un voltaje constante y diodo emisor de luz (LED), el cual emite luz bajo circunstancias especificas. Los transistores pertenecen a dos grandes familias, transistor de efecto de campo (FET) y transistores de unin (JT). nicamente los transistores de unin, tambin llamados transistores bipolares, sern tratados en este curso. Los transistores tienen dos uniones PN; por lo tanto, tienen tres regiones. Cada regin puede consistir en un material tipo N o tipo P. La tres regiones pueden estar formadas de dos maneras: como material tipo P, entre material tipo N (NPN) o por material tipo N entre material tipo P (PNP). El transmisor de unin tiene un terminal conectado a cada una de las tres regiones. La regin central es designada la base. Las regiones externas son llamadas emisor y colector respectivamente. Los diagramas esquemticos para los transistores de unin PNP y NPN son ilustrados en el ejercicio. Los transistores generalmente son identificados con la letra Q, seguidos por un nmero en los diagramas del circuito. Por ejemplo: Q2.
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OBJETIVO DE LA UNIDAD Al finalizar esta unidad usted podr demostrar los principios de operacin del diodo semiconductor y el diodo rectificador de media onda, mediante el uso de circuitos de prueba. FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD
Los diodos (DIODES) normalmente permiten el flujo de corriente de electrones (ELECTRON CURRENT FLOW) en una direccin, como se muestra. Cuando un material semiconductor tipo N, se une a un material tipo P, se forma una regin de deplexin (DEPLETION REGION) cerca de la unin. Un potencial de voltaje adicional se requiere para conducir corriente a travs de la regin de deplexin de la unin del diodo (JUNCTION). Este voltaje adicional en la regin de deplexin, se conoce como voltaje de barrera. El voltaje de barrera para diodos de germanio es aproximadamente de 0.3V y para los diodos de silicio aproximadamente 0.6V (0.5V hasta 0.7V). El voltaje de barrera, se conoce tambin como cada de voltaje directa (VF).
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Cuando un voltaje negativo es aplicado en el ctodo (CATHODE) del diodo, los electrones en el material tipo N son forzados a juntarse en la unin.
De igual manera, las cargas positivas en el material tipo P del nodo (ANODE) son atradas hacia la unin por el aumento de carga negativa a travs de la barrera.
Cuando el voltaje aplicado supera el voltaje de barrera, el ancho de la regin de deplexin se reduce y los electrones se mueven a travs de la unin, hacia el terminal positivo de la fuente de voltaje. Mientras el voltaje aplicado exceda el voltaje de barrera, el flujo de electrones contina y el diodo queda en polarizacin directa (FORWARD BIASING) o en estado de conduccin (CONDUCTION).
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Al aplicar voltaje positivo al ctodo y un voltaje negativo al nodo, los electrones en el material tipo N son atrados fuera de la unin hacia el terminal positivo de la fuente de voltaje. Las cargas positivas del material tipo P, tambin son alejadas de la unin hacia el terminal negativo de la fuente de voltaje. Estos movimientos de carga aumentan en ancho de la regin de agotamiento, lo cual permite que el diodo quede polarizado en forma inversa (REVERSE BIASING), en su estado de apagado, prcticamente sin flujo de corriente. Si se aplica a un diodo un voltaje de CA lo suficientemente grande para superar el voltaje de barrera, el diodo conduce alternadamente cuando el voltaje de CA est en la direccin de polarizacin directa (forward biased). El diodo no puede conducir durante los semiciclos cuando se polariza en forma inversa.
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El voltaje o corriente de salida resultante es CD ondulatoria o pulsante, comnmente llamado rizado, el cual fluye solamente en una direccin. El proceso de convertir un semiciclo de un voltaje CA, a un voltaje CD ondulatoria es llamado rectificacin de media onda.
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 Diodos y rectificacin de media onda
NUEVOS TERMINOS Y PALABRAS cada de voltaje directa (VF) (forward voltage drop (VF))- condicin que existe cuando el ctodo del diodo es negativo con respecto al nodo y la corriente fluye en forma directa. cargas almacenadas (stored charges) - cargas positivas y negativas temporales existentes en un semiconductor en polarizacin directa debido al flujo de corriente. Las cargas almacenadas reducen la eficiencia de los semiconductores comunes a altas frecuencias porque stas aumentan el tiempo requerido por una unin para cambiar del estado de polarizacin directa a inversa. CD ondulatoria (pulsating dc) - Los pulsos de salida de un rectificador de una polaridad que corresponde a los semiciclos del voltaje de entrada CA del rectificador cuando el diodo est en polarizacin directa. corriente de fuga (dispersin) (leakage current) - la corriente pequea que fluye a travs de un diodo polarizado inversamente. curva caracterstica (characteristic curve) - es una representacin grfica del flujo de la corriente contraria a la cada de voltaje del diodo. polarizacin directa (forward biased) sucede cuando se conecta una fuente de tensin al diodo donde el potencial negativo est unido al ctodo y el positivo al nodo. Al aplicar est tensin el diodo conduce. polarizacin inversa (reverse biased) - La condicin que existe cuando el nodo del diodo es negativo con respecto al ctodo. portadores minoritarios (minority carriers) - electrones libres en material tipo P y huecos (cargas positivas) en material tipo N. Los portadores minoritarios se presentan por la existencia de pequeas cantidades de impurezas en el material bsico semiconductor. Son los responsables de la mayora de las corrientes inversas (fugas) dentro de un semiconductor. resistencia dinmica directa (rF) (dynamic forward resistance (rF)) - la resistencia aparente de un diodo conductor, se calcula de una medida cambiada en la cada de voltaje dividida por una medida cambiada en la corriente. Rectificacin (rectification) - El proceso de convertir una corriente alterna a una corriente directa. rectificacin de media onda (half-wave rectification) - es la rectificacin en la cual la corriente de salida fluye durante medio ciclo de la entrada de CA. Rizado (ripple) -La apariencia de los pulsos a salida de voltaje de un circuito rectificador. tiempo de recuperacin inverso (reverse recovery time (tRR)) - El tiempo requerido por un diodo para dejar de conducir despus de que la polarizacin directa ha sido retirada. El tiempo de recuperacin inverso se debe principalmente a cargas almacenadas. voltaje de barrera (barrier voltage) - El potencial de voltaje requerido para que la corriente fluya a travs de la regin de agotamiento de un diodo de unin. El voltaje de barrera debe ser superado por el voltaje de polarizacin directa antes de que la corriente pueda fluir en un diodo. voltaje de ruptura (breakdown voltage) - El voltaje inverso que causa que un diodo conduzca lenta y destructivamente en direccin "equivocada". Los diodos deberan seleccionarse para tener un voltaje de ruptura mayor que cualquier voltaje inverso aplicado normalmente.
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DISCUSIN DEL EJERCICIO La curva caracterstica de CD, describe la relacin entre la corriente y el voltaje aplicado al diodo. La parte superior derecha del grfico muestra la operacin del diodo cuando es polarizado en forma directa (ctodo negativo con respecto al nodo). La escala est comprendida entre fracciones de voltio y algunos voltios. La parte izquierda de la grfica muestra la condicin de polarizacin inversa. Las escalas de corriente y voltaje en la curva caracterstica varan por la regin, marcadas de mili amperes a pico amperes o milivoltios a voltios. A medida que aumenta el voltaje en polarizacin directa, el voltaje de la barrera es sobrepasado y la corriente directa crece rpidamente. El diodo de silicio, comienza a conducir cuando el voltaje de polarizacin est entre 0.5 y 0.7V. Ges diodos de Germanio requieren de un voltaje de cerca de 0.3V. Una vez iniciada la conduccin, el aumento del voltaje en el diodo es muy pequeo comparado con el aumento de corriente. Este voltaje constante aproximado, es llamado cada de voltaje en polarizacin directa (VF). El diodo polarizado inverso, circula una corriente pequea. La corriente que fluye es debido a la presencia de conductores minoritarios y es referente a la corriente de fuga. El voltaje de ruptura es el voltaje inverso que causa un flujo de corriente mayor a travs de los diodos polarizados inversos. La corriente puede ser lo suficientemente mayor para daar el diodo. En general, los diodos de silicio tienen una cada de voltaje con polarizacin directa aproximadamente de 0.6V y los diodos de germanio 0.3V. La resistencia directa es la relacin entre un aumento de la cada de voltaje directa dividida por un aumento de la corriente directa. Debido a que la resistencia dinmica directa o resistencia directa de un diodo es muy pequea, se incluye una resistencia en el circuito para prevenir dao al diodo. La mxima corriente permitida por un diodo antes que se destruya, se conoce con el nombre de mxima corriente directa, generalmente abreviada como (IF(max)). Los hmetros no pueden medir exactamente la resistencia de la unin de un diodo, por lo tanto, las uniones del diodo son probadas nicamente por continuidad. La unin polarizada directa registrar una resistencia baja, indicando continuidad. Una unin polarizada inversa o diodo daado, indica una resistencia alta o una sobre carga que indica disminucin de continuidad.
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Estos factores de conversin son de ciclo completo, as que el valor calculado ser menor que el valor medido con un multmetro. Las variaciones en la salida de CD ondulatoria, de un rectificador de media onda se refieren como a un rizado. Los rectificadores de voltaje de media onda tienen rizado que es la misma frecuencia como en la frecuencia de entrada de voltaje. El tiempo de recuperacin inverso (tRR) del diodo puede tener un efecto adverso en la salida del rectificador de media onda en frecuencias mayores a 1 Khz. El tiempo de recuperacin inverso provoca un voltaje de salida en una direccin opuesta al pulso normal de media onda.
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OBJETIVO DE LA UNIDAD Al completar esta unidad, usted podr demostrar la rectificacin de onda completa, filtracin, la duplicacin de voltaje y medir las condiciones del circuito. FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD
Un rectificador de onda completa (FULL-WAVE RECTIFIER) convierte semiciclos positivos y negativos de una seal CA a pulsos CD, como se observa en la figura.
Un rectificador de puente de onda completa es un circuito que realiza rectificacin de onda completa. La entrada al circuito rectificador de puente, generalmente es la bobina secundaria de un transformador de energa. El transformador asla el rectificador de puente de la fuente CA y sirve para aumentar o disminuir la entrada CA a ste.
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El rizado grande de los pulsos CD de un rectificador de puente de onda completa es reducido a una seal CD relativamente suave, utilizando un condensador electroltico en la salida del rectificador. El condensador de filtro (FILTER CAPACITOR) se carga (CHARGING) rpidamente y se descarga (DISCHARGING) lentamente para reducir el rizado de la salida CD del rectificador.
Un duplicador de voltaje, compuesto de dos pares de diodos y condensadores; produce una salida CD filtrada y rectificada de onda completa (VO), igual al doble del voltaje pico (Vpk) de entrada CA. Los condensadores estn conectados en serie, de tal manera que sus voltajes se suman a la salida.
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NUEVOS TRMINOS Y PALABRAS condensador de filtro (capacitor filter) - es un condensador usado para promediar los pulsos de salida de un circuito rectificador. condensador electroltico (electrolytic capacitor) - Es un condensador de alta capacitancia que es polarizado y usado en aplicaciones de filtros de fuentes de energa. duplicador de voltaje (voltage doubler) es un circuito designado para rectificar, filtrar y duplicar el valor pico de entrada de voltaje de CA. rectificador de onda completa (full-wave rectifier) - Es una configuracin de un diodo en el que las alternaciones positivo y negativo de una seal de entrada CA se convierten a una seal ondulatoria de salida CD. rectificador de puente (bridge rectifier)- es un tipo de circuito rectificador de onda completa.
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La relacin entre el voltaje pico, rms y promedio para un rectificador de onda completa es mostrada. El voltaje pico de salida (Vo(pk)) es igual al voltaje pico de entrada (Vi(pk)) menos el voltaje de barrera (VF) de dos diodos: Vo(pk) = Vi(pk) 2VF El voltaje de salida (Vo(rms)) es 0.707 veces el voltaje pico de entrada. Vo(rms) = 0.707 x Vo(pk) El voltaje promedio de salida (Vo(avg)) es 0.636 veces el voltaje pico de salida. Vo(avg) = 0.636 x Vo(pk)
DISCUSIN DEL EJERCICIO Debido a que la mayora del equipo electrnico requiere un voltaje CD liso, se utiliza un filtro despus del rectificador para reducir el rizado a niveles muy bajos. El rizado presente en el rango de voltios puede ser reducido a un rango milivoltio. Un ejemplo es el filtro de entrada capacitivo, el cual es implementado colocando un capacitar electroltico (C1) a travs de la salida del rectificador de puente y en paralelo con la resistencia de carga (RL). Sin una carga, el condensador se carga rpidamente al voltaje pico de salida del rectificador de puente. Como no existe trayectoria de descarga, el condensador permanece cargado y mantiene la salida del rectificador en el voltaje pico de salida, cuando el voltaje de entrada del rectificador cae a cero. Con una carga presente, el condensador se descarga y mantiene un voltaje de carga constante. Otro pulso de salida recarga el condensador, antes de que el condensador se descargue completamente. La constante de tiempo de descarga de un condensador es mayor que la constante de tiempo de carga, y depende de la constante de tiempo RC (producto de la capacitancia por la resistencia). El tiempo de descarga para frecuencias constantes, afectar la magnitud del rizado. Al aumentar la capacitancia y/o resistencia de carga, reduce el rizado. El rizado tambin se reduce a medida que la frecuencia aumenta. Otros tipos de filtros son configurados con inductores o combinaciones de resistencias, condensadores e inductores. Cada seccin de filtro agregada, elimina una porcin del rizado del rectificador. El circuito rectificador de onda completa con filtro capacitivo, no sirve como fuente de alimentacin regulada. Cuando una carga resistiva es conectada en paralelo con el condensador, la baja impedancia de salida reduce el voltaje de salida pico del rectificador durante el perodo de carga.
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OBJETIVO DEL EJERCICIO Al finalizar esta unidad, usted ser capaz de describir el funcionamiento de un diodo Zener, los diodos formadores de onda y el regulador de voltaje Zener. Utilizando los respectivos circuitos.
. FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD
Los circuitos con diodos pueden ser configurados para obtener formas de onda diferente a la forma de onda de entrada.
Un circuito limitador (CLIPPER) retira todo o parte de un semiciclo de entrada como se muestra en la figura.
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El circuito fijador (clamper) desplaza el pico positivo y negativo de la forma de onda de entrada a un nivel de CD de referencia diferente.
Los circuitos limitador (LIMITER) y de fijacin (CLAMPER) aprovechan la cada de voltaje directo del diodo para fijar o limitar el nivel de voltaje.
El diodo Zener est diseado para operar en forma segura con el voltaje inverso de ruptura. En el grfico se observa el smbolo para un diodo Zener.
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El voltaje de ruptura de un diodo Zener es llamado voltaje Zener (VZ). El voltaje Zener vara entre 3V y 200V. En la regin de voltaje Zener (ZENER REGION), la corriente inversa (REVERSE CURRENT, corriente Zener) aumenta rpidamente para un aumento pequeo en el voltaje Zener.
En los circuitos, la corriente Zener (IZ), se limita a un valor seguro por una resistencia (R2) en serie, con el Zener (CR1).
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El diodo Zener (CR1) puede ser configurado en un circuito para controlar el voltaje de salida (VO), de tal manera que sea igual al voltaje Zener(VZ). El diodo Zener o regulador de voltaje, mantiene el voltaje de salida (VO) igual al voltaje Zener, para cambios en el voltaje de entrada (VA) y la corriente de carga (IL).
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OBJETIVO DE LA UNIDAD Al completar esta unidad, usted podr verificar transistores y probar un interruptor de transistor utilizando circuitos de transistores NPN y PNP. FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD
Cuando otra seccin de material tipo P o N se agrega a un diodo de unin PN, se forma un dispositivo de tres secciones conteniendo dos uniones. Este dispositivo semiconductor de tres secciones es un transistor bipolar. Las tres secciones son el emisor (E) (EMITTER) y el colector (C) (COLLECTOR) en los extremos y la base (B) en medio.
Los transistores estn clasificados por la disposicin de los materiales tipo P (positivo) y tipo N (negativo). Los transistores son de tipo PNP o NPN como se muestra. Cada una de las dos uniones PN de un transistor, tiene caractersticas de voltaje/corriente directa e inversa similares a las uniones PN de un diodo.
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Q es la letra usada para identificar un transistor. Las flechas en los smbolos (SCHEMATIC SYMBOL) de transistores NPN y PNP muestran la direccin del flujo convencional de corriente. El flujo de corriente electrnico, que est en direccin opuesta del flujo convencional de corriente, es usado en este curso.
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El transistor PNP mostrado, tiene los terminales base y colector negativos respecto al terminal emisor. Como el material negativo (N) de la base tiene un voltaje ms negativo que el emisor, la unin PN queda en polarizacin directa y permite el flujo de corriente de la base al emisor. Las flechas de la corriente indican el flujo electrnico de sta. La corriente de base permite que la corriente del colector fluya al emisor porque el colector es ms negativo que el emisor.
El transistor NPN mostrado, tiene los terminales del colector y la base positivos respecto al terminal emisor. Como el material positivo (P) de la base tiene un voltaje ms positivo que el emisor, la unin PN queda en polarizacin directa y permite el flujo de corriente del emisor a la base. La corriente base permite corriente del colector desde el emisor porque el colector es ms positivo que el emisor.
Un transistor es un dispositivo controlador de corriente; la unin base-emisor tiene que estar en polarizacin directa para que fluya la corriente del transistor. Un pequeo cambio en la corriente de base provoca un gran cambio en la corriente de colector; esta propiedad del transistor es la ganancia de corriente. La corriente de emisor es la suma de las corrientes de base y colector: IE = IB + IC
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NUEVOS TERMINOS Y PALABRAS uniones (junctions) los puntos de contacto entre el emisor y la base o la base y el colector en las secciones de un transistor. PNP un transistor de este tipo, tiene un material tipo N entre materiales tipo P. NPN un transistor de este tipo, tiene un material tipo P entre materiales tipo N.
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 Uniones/transistor y polarizacin/PNP
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OBJETIVO DE LA UNIDAD Al completar esta unidad, usted ser capaz de demostrar cmo las condiciones de operacin y ganancia afectan las corrientes del circuito transistor usando un transistor CD o lnea de carga. FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD
Un transistor es un dispositivo que controla corriente. Una pequea corriente de base (IB) controla una gran corriente de colector (IC). La corriente de colector es igual a la de emisor menos la de base: IC = IE - IB.
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La unin base-emisor debe ser polarizada directamente para que la corriente de base (BASE CURRENT) fluya. Cuando el voltaje base-emisor (VBE) est entre 0.5 Vcd y 0.75 Vcd, la corriente de base (IB) empieza a aumentar rpidamente con un pequeo aumento en VBE. Cuando la unin base-emisor es polarizada directamente y la unin base-colector es polarizada inversamente, la corriente de colector (IC) es proporcional a la corriente de base (IB). La proporcin de la corriente de colector (IC) a la corriente de base (IB) es la ganancia de corriente (DC). La ganancia de corriente (DC) para un transistor puede estar en el rango de 50 a 300. EMISOR SATURACION ACTIVO DE CORTE UNION BASE POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION DIRECTA POLARIZATION INVERSA UNION BASE COLECTOR POLARIZACION DIRECTA POLARIZATION INVERSA
La tabla de arriba muestra el voltaje de polarizacin de las uniones base-emisor y base-colector necesarios para que el transistor est en los estados de saturacin, activo o corte.
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Una lnea de carga (LOAD LINE) de CD es una porcin de la corriente de colector (IC) contra el voltaje colector-emisor (VCE). La regin activa est entre el punto de saturacin (SATURATION POINT) y el punto de corte (CUTOFF POINT). NUEVOS TRMINOS Y PALABRAS lnea de carga (load line) Una curva de la corriente del colector versus el voltaje del colector, usada para determinar el mejor punto de operacin del transistor. punto de corte (CUTOFF POINT) el punto de operacin del transistor polarizado inversamente (no conduce). punto de saturacin (SATURATION POINT) el punto de operacin en el que la corriente mxima fluye en un transistor polarizado directamente. punto quiescente (Quiesecent point) o punto-Q (Q-POINT) el punto de operacin CD de un transistor igual a aproximadamente la mitad del suministro de voltaje.
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