Sunteți pe pagina 1din 14

FOTOEMITOARE

Diode electroluminiscente (LED)


Diagrama de benzi energetice S ne amintim c materialele sunt formate din atomi, iar n interiorul acestora se afl electroni care se invert pe orbite stationare n jurul unui nucleu. Fiecare orbit corespunde unei anumite valori pentru energia electronului, ceea ce nseamn c un atom posed doar nivele discrete de energie, ca n fig.&.1.

Fig.&1 Semiconductorii sunt materiale ce constau din atomi strns legai ntre ei n cadrul unei reele cristaline. n fiecare atom exist muli electroni, dar propietile semiconductorului sunt date doar de electronii care se afl n atomi pe cele mai exterioare orbite. Nivele energetice posibile sunt tot discrete dar sunt att de apropiate ntre ele nct sunt reprezentate sub form de benzi de energie n loc de o mulime de nivele separate. Aceste benzi sunt private ca nite regiuni continue de energie, dar dac am avea o lup special ca s privim n interiorul lor, am putea vedea nivelele discrete care le compun, fig.&.2a. n semiconductori se disting dou benzi energetice: banda de valen (de energii joase) i banda de conducie (de energii mai mari). Ele sunt separate printr-o band interzis, E g , n care nu exist nici un nivel energetic permis (adic nu poate exista nici un electron). Prin urmare electronii pot fi ori n banda de valen, ori n banda de conducie, dar nu pot fi ntre ele. Dac temperatura este zero absolut i nu este aplicat nici un cmp electric exterior, toi electronii sunt concentrai n banda de valen i nu se afl nici un electron n banda de conducie. Aceasta deoarece nici un electron nu posed suficient energie suplimentar ca s sar peste banda interzis. Dac este furnizat electronilor din banda de valen energie din exterior - fie prin temperatur, fie printr-un cmp electric extern - atunci unii dintre ei vor primi suficient energie pentru a sri peste banda interzis i vor ocupa nivele energetice n banda de conducie. Spunem ca aceti electroni sunt "excitai". Aceti electroni excitai las goluri (echivalent cu sarcini electrice pozitive) n banda de valen, ca n fig. &.2b.

FOTOEMITOARE

Fig.&.2 Radiaia luminoas i banzile de energie Cnd un electron cade de pe un nivel energetic superior pe unul inferior, el elibereaz o cuant de energie numit foton. Relaia dintre variaia de energie, E, energia fotonului, E p i lungimea de und este:
E = E p = hc

(&.1)

Aceast idee se pstraz i pentru un semiconductor. Dac un electron excitat cade din banda de conducie n banda de valen, este eliberat un foton a crui energie, E p , este mai mare sau egal cu banda interzis, E g . Deoarece la procesul de radiaie pot participa mai multe nivele energetice din banda de conducie i banda de valen, lungimile de und radiate i pot fi multiple. Prin urmare putem scrie E p E g , sau sub o alt form
i hc E g (dac E g este msurat n eV i n nm, atunci i 1248 E g ). Rezultatul acestei radiaii multivalente este un spectru larg, , a luminii emise de un semiconductor, fig.&.3.

Fig.&.3.

FOTOEMITOARE Radiaia luminoas i jonciune p-n Cind un semiconductor de tip n este pus n contact cu unul de tip p, se formeaz o jonctiune p-n. La frontiera jonciunii, electronii difuzeaz din partea n n partea p i se recombin cu golurile de aici i, n acelai timp, golurile din partea p difuzeaz n partea n i se recombin cu electronii de aici. n consecin se formeaz o regiune srcit de purttori, n care nu exist nici electroni liberi, nici goluri libere. Ionii pozitivi din partea n i cei negativi din partea p a acestei regiuni, rmin necompensai ceea ce determin apariia unui cmp electric intern numit potenial de contact i descris cantitativ prin tensiunea de srcire VD , fig.&.4.

Fig.&.4. Lucrul cel mai important de reinut este c: recombinarea electron-gol elibereaz o cuant de energie - un foton. Prin urmare, pentru a face un semiconductor s radieze este necesar s susinem recombinarea electron-gol. Dar tensiunea de srcire mpiedic electronii i golurile de a intra n regiunea srcit. Prin urmare trebuie furnizat energie din exterior pentru a nvinge aceast barier a tensiunii de srcire. Aceast tensiunea exterioar, numit tensiune direct de polarizare, V, este artat n fig.&.5; ea trebuie s fie mai mare dect VD .

Fig.&5.

FOTOEMITOARE Pentru a obine o emisie permanent de lumin, trebuie s aib loc urmtorul proces dinamic: electronii mobili din partea n, atrai de terminalul pozitiv al tensiunii V, intr n regiunea sracit. Simultan, golurile mobile din regiunea p, atrase de terminalul negativ al tensiunii V, intr in aceeai regiune srcit. Recombinarea electron-gol din interiorul regiunii srcite produce lumina. Sarcinile electrice se refac din sursa de alimentare. Principiul de funcionare al unui LED Un LED este o diod semiconductoare care funcioneaz exact pe principiul prezentat mai sus al emisiei permanente de lumin. Acest concept este demonstrat de circuitul din fig.&.6. Cei familiarizai cu polarizarea direct a unei diode vor avea sigur urmtoarea observaie: recombinarea electron-gol este un proces care are loc n orice diod sau tranzistor. Care este diferena dintre un LED i o diod obinuit ?

fig.&.6. Diferena este c n diodele obinuite, aceast recombinare elibereaz energie sub form de cldur - nu sub form de lumin (adic ntr-un alt domeniu al spectrului). ntr-un LED, aceste recombinri elibereaz energie sub form de lumin. Recombinarea generatoare de caldur se numete neradiativ, n timp ce recombinarea generatoare de lumina se numete radiativ. n realitate, n orice diod au loc ambele tipuri de recombinri; cnd majoritatea recombinrilor sunt radiative, avem un LED. Curentul direct injecteaza electroni n regiunea srcit de purttori, unde ei se recombin cu golurile n mod radiativ sau neradiativ. Prin urmare, recombinrile neradiative "consum" din electronii excitai necesari recombinrii radiative, ceea ce scade eficiena procesului. Acest fapt este caracterizat prin eficiena cuantic intern, int , parametru care arat ce fracie din numrut total de electroni excitai produce fotoni. Explicaiile de mai sus justific caracteristica intrare-ieire a unui LED prezentat n fig.&.7. Raionamentul de mai sus poate fi formalizat astfel: puterea luminoas, P, este energia per secund, adic numrul de fotoni nmulit cu energia unui foton, E p . Numrul de fotoni este egal cu numrul de electroni injectai, N, nmulit cu eficiena cuantic intern. Astfel:
P = Nint E p t

(&.2)

FOTOEMITOARE

fig.&.7. Pe de alt parte, numrul de electroni (N) nmulit cu sarcina unui electron (e) , pe secund, este intensitatea curentului electric:
I = Ne t

(&.3)

Deci, puterea luminoas radiat va fi:


P = (It e )int E p t = int E p e I

[(

)]

(&.4)

Dac msurm E p n electron-voli, eV, i curentul I n mA, atunci:


P(mW ) = int E p (eV ) I(mA )

(&.5)

Exemplu Ce putere radiaz un LED dac eficiena cuantic a sa este 1% i lungimea de und maxim este 850 nm? Soluie Mai nti trebuie s calculm panta graficului putere funcie de curent, care este termenul int E p (eV ) .

Dac = 850 nm, atunci E p = he = 1248 = 1.47 eV. Deci,

[int E p (eV )] = 0.0147 mW/mA.

Pentru a calcula puterea trebuie s cunoatem curentul direct. Valorile tipice pentru un LED sunt cuprinse ntre 50 i 150 mA. Astfel, pentru I = 50 mA, puterea radiat este: P = 0.0147 I = 0.735 mW. Homostructuri i heterostructuri Semiconductorii de tip n i de tip p discutai pina acum erau realizai pe acelai semiconductor intrinsec. Jonctiunile p-n realizate in acest fel se numesc homojonciuni, 5

FOTOEMITOARE iar un asemenea semiconductor homostructur. Exist dou construcii de baz pentru un LED: LED cu emisie de suprafa (SLED), fig.&.8 LED cu emisie lateral (ELED), fig. &.9

Fig.&.8.

Fig.&.9. Regiunea srcit de purttori i zona nvecinat, n care se recombin electronii cu golurile, este numit regiunea activ. Lumina produs prin aceast recombinare este radiat n toate direciile, dar ea reuete s ias din dispozitiv doar printr-o fereastr practicat n electrodul superior (fig.&.8) sau deschiztura practicata ntr-o margine (fig.&.9). Toate celelalte direcii posibile, n cazul SLED, sau direcia opus, n cazul ELED, sunt blocate. O homostructur are dou dezavantaje principale. Primul este acela c regiunea activ este prea difuz, ceea ce reduce eficiena dispozitivului. Recombinrile electron-gol au loc pe o arie larg, situaie care impune o densitate mare de current pentru a susine puterea radiate la nivelul dorit. Al doilea este c fascicolul de lumin radiat este prea larg, ceea ce face extrem de inefficient cuplajul luminii ntr-o fibr optic. Aceste dou motive fac ca, practice, s nu se foloseasc homostructurile n constructia LED-urilor.

FOTOEMITOARE LED-urile comercializate sunt realizate pe heterostructuri, adic dioda este realizat pe mai muli semiconductori, fiecare avnd o banda interzis diferit. n fig.&.10 este prezentat o heterostructur fcuta din doi semiconductori diferii.

Fig.&.10. Cu aceste heterostructuri sunt introduse dou concepte de baz: confinarea recombinrii electron-gol ntr-o regiune activa foarte redus i ghidarea luminii radiate ntr-o singur direcie. Confinarea este obinut plasnd un semiconductor cu o banda interzis mic ntre dou straturi semiconductoare cu banda interzis mai mare. n fig.&10 se arat c semiconductorul GaAs, a crui banda interzis este E g = 1.42 eV, este plasat ntre dou straturi de semiconductor AlGaAs, care are E g = 1.92 eV. As cum se poate vedea n fig. &.10, electronii injectai din semiconductorul AlGaAs de tip n se confrunta cu o bariar de potenial la jonciunea dintre semiconductorul GaAs i semiconductorul AlGaAs de tip p. Aceast barier reflect electronii napoi n regiunea activ. Acelai mecanism se aplica si golurilor. Conducia luminii ntr-o singura direcie este obinut prin faptul ca semiconductorul GaAs are un indice de refracie, 3.66, mai mare dect straturile nvecitate de AlGaAs, 3.2. n acest fel, regiunea activa funcioneaz similar cu miezul unei fibre optice. Structura descrisa mai sus este numit heterostructur dubl. Cele mai multe LED-uri comercializate utilizeaz heterostructuri triple pentru a mbunti eficiena radiaiei i confinarea luminii radiate. Configuraia spatial a radiaiei unui LED Cele doua tipuri de leduri au configuraii spatiale ale radiaiei diferite. SLED-ul radiaz lumina ca o sursa Lambertian, ca in fig.11.

FOTOEMITOARE

Fig.11. Distribuia spatial a puterii radiate este descrisa de formula: P = P0 cos (&.6)

unde este unghiul dintre direcia de observaie i dreapta perpendicular pe suprafaa de radiaie. Jumtate din puterea unei surse Lambertiene este concentrat ntr-un con de 120. ELED-ul radiaz ca o surs Lambertian ntr-un plan paralel cu marginea, producnd un fascicol mult mai ngust ntr-un plan perpendicular pe margine, ca n fig.&.12.

Fig.&.12. Spectrul radiaiei unui LED Lungimea de und radiat depinde de banda interzis a semiconductorului. Nu putem schimba banda interzis, prin urmare pentru a obine o alt lungime de und trebuie s alegem un alt semiconductor. O enrgie E g dorit se obine utiliznd un semiconductor compus din mai multe elemente. De exemplu, banda interzisa pentru GaAs este de 1.42 eV, dar dac folosim AlGaAs putem obine o band interzis ntre 1.42 i 1.92 eV. Valoarea exact depinde de raportul ingredienilor. Astfel, pentru un semiconductor

FOTOEMITOARE compus din 37% AlAs i 63% GaAs, E g este egal cu 1.92 eV. Dac scdem cantitatea de AlAs, scade i E g . n tabelul 1 prezentm benzile interzise i lungimile de und a unora din cei mai populari semiconductori. Tabelul 1 Materialul Si Ge GaAs InP InGaAs AlGaAs InGaAsP
E g (eV)

1.17 0.775 1.424 1.35 0.75 - 1.24 1.42 - 1.92 0.75 - 1.35

(nm) 1067 1610 876 924 1664 - 1006 879 - 650 1664 - 924

Prima generaie de fibre optice n telecomunicaii a folosit LED-uri realizate di AlGaAs care radiau n jur de 850 nm, prima fereastr de transparen. A doua i urmtoarele generaii au folosit LED-uri pe InGaAsP care radiaza n a doua i a treia fereastr de transparen (1300 nm i 1550 nm). Pe de alt parte, SLED-urile sunt fcute s radieze pe 850 nm i 1300 nm, in timp ce ELED-rile sunt facute sa radieze pe 1300 nm si 1550 nm. Cuplajul luminii n fibr Cheia pentru ct de departe putem transmite lumina printr-o fibra nu este ct de puternica este sursa ci cit din puterea acesteia putem cupla n interiorul fibrei. Dac aproximm configuraia de radiaie a unui SLED prin modelul Lambertian, atunci puterea luminoas, Pin , cuplat ntr-o fibra cu salt de indice, avnd apertura numerica NA, poate fi calculat cu relaia:

Pin = P0 (NA )2 unde P0 este determinata cu relaia (&.6).

(&.7)

Exemplu Care este puterea cuplat ntr-o fibra multimod, cu salt de indice, avnd miezul cu indicele de refractie 1.48 si teaca cu 1.46, daca SLED-ul radiaz o putere de 100 W. Soluie

Apertura numerica a fibrei este: NA = 1.48 2 1.46 2 = 0.2425 . Prin urmare:

Pin = P0 (NA )2 = 100W 0.0756 = 7.56W Cu alte cuvinte, mai puin de 10% din puterea radiat este cuplata n fibra multimod.

FOTOEMITOARE
Citirea datelor de catalog ale unui LED Lungimea de und a radiaiei si ltimea spectral

Lungimea de und radiat, adesea numit lungimea de unda de vrf, p , este determinat de banda interzisa, E g . Fabricanii specifica, deobicei, valorile minime i maxime ale lui
p . Astfel pentru un SLED produs de firma AMP, aceste limite sunt 1290 nm i 1350

nm, iar pentru un ELEd sunt 1270 nm si 1330 nm. p creste odata cu creterea curentului de comanda sau a temperaturii, dar rmine n intervalul specificat. Limea spectral, , este msurata la jumtate din maxim (FWHM n figura &.13).

fig.&.13 Pentru SLED-ul de la AMP, limea spectral este de 170 nm, iar pentru un ELEd este mult mai mic: 65 nm. Laimea spectral depinde de temperatur, aa cum se arata in fig. 14.

fig.&.14 n intervalul 25C i 90C, limea spectral crete de la 155 nm la 180 nm, adic cu o panta de 0.38 nm/C. Limea spectral crete i o data cu curentul de comand, panta fiind de aproximativ 0.69 nm/mA, fig.&.15.

10

FOTOEMITOARE

Fig.&.15. Reamintim c limea spectral a sursei este parametrul critic pentru dispersia cromatic a fibrei optice.
Caracteristicile electrice

Caracteristicile electrice - tensiune direct, capacitate i curent invers - sunt comune oricrei diode, fig.&.16.

Fig.&.16. Fabricanii specific uneori tensiunea direct n funcie de curentul direct, a crei aliur este ca n figura &.17.

Fig.&.17. 11

FOTOEMITOARE De regul, valoarea tensiunii directe nu depete 2V. Capacitatea, C, este inerent unui LED. Exist dou surse ale acestei capacitCapacitatea, C, este inerent unui LED. Exist dou surse ale acestei capaciti: (a) capacitatea asociat jonciunii p-n, numit capacitate de ncrcare; (b) capacitatea asociat cu timpul de via al purttorilor n regiunea activ, numit capacitate de difuzie. Aceast capacitate limiteaz abilitatea de modulaie a LED-ului prin restricionarea benzii. De exemplu, fabricantul Mitel Semiconductor AB (Jarfalla - Suedia) specifica pentru un SLED o capacitate de 20 pF i o band de 200 MHz (la o lungime de und de vrf de 865 nm) i 200 pF pentru un SLED a crui band este 125 MHz (la o lungime de und de vrf de 1320 nm). Acesta este intervalul tipic de valori pentru capacitatea unui LED. Curentul invers este cauzat de purttorii minoritari. Acetia sunt produi de energia termic. Acest curent este msurat la o anumit tensiune invers, de exemplu 2V n fig.&.16.
Timpul de via, timpul de cretere/descretere i banda de frecvene Timpul de via, , al purttorilor este timpul dintre momentul n care ei sunt injectai n regiunea srcit i momentul n care ei se recombin. Din acest motiv se mai folosete i denumirea de timp de via de recombinare. Valorile sale variaz de la nanosecunde la milisecunde. Trebuie fcut distincie ntre timpul de via radiativ, r , i neradiativ, nr , astfel nct timpul de via se calculeaz cu relaia:
1 = 1 r + 1 nr

(&.8)

Eficiena cuantic intern, int , care arat ci fotoni sunt radiai n raport cu numrul total de electroni injectai, poate fi calculat cu relaia: int = r (&.9)

Timpul de cretere/descretere, t r , este definit ntre 10% i 90% din valoarea maxim a pulsului, ca n fig.&.18.

Fig.&.18. 12

FOTOEMITOARE Pentru un LED, acest parametru arat cum urmrete pulsul de lumin de la ieire pulsul electric modulator de la intrare, vezi fig.&.19.

Fig.&.19. Timpul de cretere/descretere este determinat de capacitatea LED-ului (C), de amplitudinea treptei de curent de la intrare I p i de timpul de via () i se poate

( )

calcula cu relaia [1]: t r = 2.2 + 1.7 10 4 TK C I p

[ (

) ]

(&.10)

unde TK este temperatura absolut n kelvini (0C = 273K). Pentru o valoare mare a lui I p , al doilea termen devine neglijabil i timpul de cretere este determinat, in ultim
instan de timpul de via. Fabricanii prefer s msoare acest timp, valorile tipice ncadrndu-se ntre 2 i 4 ns. Banda de modulatie, BW, este intervalul de frecvente de modulaie n cadrul cruia puterea electric detectat scade la -3dB, vezi fig.&.20.

Fig.&.20. n electronic, relaia general de legtur dintre band si timpul de cretere este:

13

FOTOEMITOARE
BW = 0.35 t r

(&.11)

Dac introducem n relaia de mai sus t r = 2.5 ns (din datele din fig.&.16) nu obtinem BW = 115 MHz, aa cum apare n aceai figur (ci obtinem 140 MHz). Aceast discrepan apare deoarece dac curentul direct este modulat cu pulsaia , intensitea luminii la ieirea LED-ului, I(), va varia dup relaia, [2]: I() = I(0)

[1 + () ]
2

(&.12)

unde I(0) este intensitatea luminoas emis de LED n cuent continuu, iar este timpul de via. Puterea electric detectat este proporionala cu I 2 . Prin urmare, considernd raportul I 2 () I 2 (0 ) = 1 2 , ceea ce nseamn o scdere la -3dB, din relaia (&.12) obinem:
BW = = 1

(&.13)

Se evideniaz astfel un pricipiu foarte important: banda de modulatie a unui LED este limitat de timpul de via al purttorilor. Explicaia fizic a acestui principiu este urmtoarea. Presupunem c un electron este excitat n banda de conducie. Lui i ia ns pn cnd sa cad n banda de valen prin recombinare. n acest interval de timp nu putei modifica starea lui, astfel nct chiard ac se ntrerupe curentul direct, trebuie ateptat ns pn cnd radiaia va nceta practic.
Produsul putere-band

Produsul putere-band este un alt caracteristic important a unui LED. Acest produs este o constant. Cu alte cuvinte, putei crete banda de modulaie a unui LED doar n detrimentul puterii de ieire. Reciproc, putei crete puterea de ieire a unui LED, doar n detrimentul benzii de modulaie. [1] Gerd Keiser, "Optical Fiber Communications", New York: McGraw-Hill, 1991. [2]S.E. Miller, I.P. Kaminow, "Optical Fiber Telecommunications", Academic Press, 1988, pag. 467 - 507.

14