Elementos de potencia utilizados en los proyectos de Tecnologa

Autores: Maria Dolores Villena Roblizo Jefa de Departamento de Tecnologa del I.E.S Muchamiel Csar Snchez Serna, Profesor de Tecnologa del I.E.S Cabo de las Huertas de Alicante

Introduccin Dentro de la electrnica, el control de potencia tiene cada vez una mayor importancia en las aplicaciones de control y regulacin, por ello se dedican varios captulos a este tema. En esta UU.DD. se estudian los semiconductores de potencia y los elementos de control. Contenido 1.1. Electrnica de potencia. 1.2. Diodos 1.2.1 Diodos. Fabricacin y cpsulas. 1.2.2 Diodos. Parmetros estticos. 1.2.3 Diodos. Parmetros dinmicos. 1.2.3.1 Diodos. Recuperacin inversa. 1.2.3.2 Diodos. Recuperacin directa. 1.3 Transistores. 1.3.1. Transistores de unin. Caractersticas estticas. 1.3.2. Transistores de unin. Caractersticas dinmicas. 1.3.3. Transistores de unin. Circuitos de proteccin. 1.3.4. Transistores MOS. Caractersticas estticas. 1.3.5. Transistores MOS. Caractersticas dinmicas. 1.3.6. IGBT. Caractersticas estticas. 1.3.7. IGBT. Caractersticas dinmicas. 1.4 Tiristores. 1.4.1. SCR. 1.4.1.1. SCR Polarizacin inversa. 1.4.1.2. SCR Polarizacin directa. 1.4.1.3. SCR Mtodos de cebado y bloqueo. 1.4.1.4. SCR Caractersticas de la puerta. 1.4.1.5. SCR Caractersticas dinmicas. 1.4.2. Otros miembros de la familia de los tiristores. 1.5 El UJT o transistor uniunin. 1.6 Acoplamientos serie y paralelo. 1.7 Actividad en el aula. 1.8 Autoevaluacin.

Objetivos Introducir a los alumnos de una forma descriptiva los diferentes componentes que hay en la electrnica de potencia y que pueden encontrarse en el mundo real. La introduccin se ha realizado describiendo el funcionamiento bsico de los mismos de forma que pueda saber tanto que son, como intuir la forma en que se comportan dentro del circuito donde se encuentren. 1.1. Electrnica de potencia. En la mayora de los sistemas electrnicos industriales, hay lo que podemos denominar dos zonas: 1 - Zona de control. Recibe y manipula todas las informaciones del sistema, siendo adems la encargada de producir las seales de control que se aplican a la zona de potencia. En esta zona el consumo de potencia es pequeo. 2 - Zona de potencia. Esta compuesta por elementos pasivos (transformadores, bobinas, condensadores, etc.) y los semiconductores de potencia (diodos, transistores, tiristores, etc.). Esta formada por las zonas de los semiconductores de potencia y la zona de carga (figura 1.1).

Figura 1. 1 Seguidamente se va a estudiar el funcionamiento de estos semiconductores, agrupados en tres grandes bloques: diodos, transistores y tiristores. Las caractersticas fundamentales que se van a estudiar son las que se producen cuando trabajan en conmutacin, que es la forma en la que normalmente trabajan estos componentes. Los semiconductores de potencia se fabrican para que se comporte como un interruptor ideal: - En circuito abierto debe de soportar una tensin elevada y la corriente de fugas ha de ser cero. - En circuito cerrado la tensin entre sus extremos ser cero y la intensidad que lo atraviesa ser la que permita la carga. 1.2. Diodos El funcionamiento bsico de los diodos de potencia es el mismo que el de los diodos de seal, las diferencias que hay entre ellos son las de construccin: tamao, encapsulados, etc. Las caractersticas elctricas deseables en los diodos de potencia son: - Cada de tensin directa (uF) lo ms pequea posible. - Tensiones inversas elevadas con unas corrientes de fugas muy pequea. En la tabla siguiente se comparan las caractersticas ms importantes de los diodos de potencia: UF (V) 15 19 1 a

Tipos Mercurio Selenio

IR Baja Alta

TJ (C) 400 150

UFRM (V) 20.000 50

IF(AV) (A) 5.000 50

Germani o Silicio

0,5 1

Baja

120

800 3500 30

200 1.000 10

Muy 200 baja Alta 70

Oxido de 0,6 cobre

Siendo: UF - Cada de tensin directa en el diodo cuando circula la intensidad nominal. IR - Intensidad de fugas cuando el diodo est polarizado inversamente. TJ - Temperatura mxima que soporta en la unin. URRM - Tensin inversa mxima que se le puede aplicar IF(AV) - Intensidad media mxima. El silicio es el material utilizado normalmente reservndose el germanio en sistemas que requieran una cada de tensin directa baja y que las tensiones inversas no sean muy elevadas. 1.2.1 Diodos. Fabricacin y cpsulas. Uno de los procesos ms utilizado en la fabricacin de diodos es el de difusin. Los pasos de fabricacin utilizando este mtodo son los siguientes: - Se fabrica un cilindro monocristalino de semiconductor tipo N (Ge o Si) de uno o ms centmetros de dimetro y varios centmetros de largo. - Se cortan discos de 1 mm aproximadamente de grosor (depende del valor de la tensin inversa). - Se dopa por una de sus caras circulares con impurezas aceptadoras (tipo P), hasta conseguir la penetracin y concentracin deseada.

Figura 1. 2 - Y por ltimo se somete esta misma cara a un dopado tipo P muy intenso y de poca penetracin para reducir la resistencia elctrica de la soldadura en el nodo. En la figura 1.2 se muestra parte del proceso, y el nivel de las impurezas que hay en el cilindro de silicio. Para eliminar los problemas de las imperfecciones superficiales se somete stas a un proceso de biselado tal y como se ve en la figura 1.3, donde se ha representado junto con el semiconductor las lneas equipotenciales de tensin que se producen gracias al proceso de biselado.

Figura 1. 3 Mediante este proceso, se consiguen fundamentalmente: Reducir la corriente superficial que se produca gracias a las imperfecciones superficiales y por otro lado consigue un menor gradiente de potencial; esto hace que pueda soportar una tensin inversa mayor, adems de forzar el fenmeno de avalancha hacia el interior del semiconductor aumentando el rea donde se produce aumentando la capacidad para absorber picos de energa inversa. El encapsulado del diodo debe resolver tres problemas: El aislamiento de la pastilla semiconductora de la atmsfera para evitar su deterioro qumico, la conexin elctrica al circuito y la disipacin de energa.

Figura 1. 4 La cpsula depende de la intensidad nominal del diodo. En la figura 1.4 se ha dibujado el corte transversal del encapsulado correspondiente a un diodo de 700 A. 1.2.2 Diodos. Parmetros estticos. Los valores que nos dan los fabricantes son, normalmente, los siguientes: Cuando el diodo est polarizado inversamente: URWM - Tensin continua de trabajo inversa mxima. Es la tensin que el diodo puede soportar continuamente sin ningn tipo de problema. URRM - Tensin inversa de pico repetitiva. Es la tensin de pico transitoria por ciclo que puede soportar el diodo sin destruirse (generalmente se da para una duracin mxima de 1 ms cada 10 ms). URSM - Tensin inversa de pico no repetitivo. Es el valor mximo que puede soportar accidentalmente. Se debe de dar el valor junto con la duracin mxima del transitorio la cual normalmente es inferior a 10 ms. UR(BR) - Tensin de ruptura. Si se alcanza aunque sea durante un tiempo pequeo, el diodo puede destruirse o degradarse. IR - Intensidad inversa de fuga. Es la intensidad que circula en sentido inverso; sta se mide para unos determinados valores de tensin y temperatura.

Figura 1. 5 En la figura 1.5 se muestra estos valores para ello se ha dibujado la curva caracterstica inversa y un diagrama de la forma de onda de la tensin en un rectificador, donde se indican los valores. Cuando el diodo est polarizado directamente: IF(AV) - Intensidad media mxima. Es el valor mximo de la intensidad media de una onda de red ideal durante un ciclo. Este valor debe de darse junto con la temperatura de la cpsula. Si no se da el valor de la temperatura, o este valor es sospechosamente bajo (la temperatura utilizada normalmente es TC = 110 C), habr que tomar con desconfianza dicho valor. IF(RMS) - Intensidad eficaz mxima. Este valor es importante cuando se utilizan formas de onda con un factor de forma elevado. IFRM - Intensidad de pico repetitivo. Depende del factor de forma, generalmente se da para un pico de 1 ms cada 20 ms y a una temperatura determinada. IFSM - Intensidad de pico no repetitivo. El valor mximo de pico que se le puede aplicar, normalmente est dado para la duracin de un semiciclo de red t = 10 ms (en Amrica como la frecuencia es de 60 Hz, el tiempo de un semiciclo es de 8,3 ms y por tanto el valor de esta intensidad ha de multiplicarse por 0,83 para compararse con valores de fabricantes europeos). UF - Tensin directa.

Figura 1. 6 En la figura 1.6 se muestra la curva caracterstica directa de un diodo real y un diagrama de la forma de onda de la intensidad en un rectificador, indicando algunos valores.

La potencia que se disipa en el diodo en sentido inverso es muy pequea y en sentido directo se calcula mediante la formula:

Donde iF y uF son la intensidad y la tensin instantneas en el diodo.

Figura 1. 7 El circuito equivalente de un diodo polarizado directamente (figura 1.7a) se puede representar por una pila con un potencial igual al potencial de la unin (U 0) (figura 1.7b), y una resistencia (r) igual a la pendiente promedio de la caracterstica iF - uF. Por tanto: Si en la ecuacin anterior se sustituye el valor uF por su valor equivalente, se obtendr la formula siguiente:

Donde, como ya se ha dicho, IF(AV) es el valor de la intensidad media e IF(RMS) es la intensidad eficaz. Para facilitar el diseo, los fabricantes proporcionan las curvas de la potencia disipada para intensidades pulsantes en funcin del ngulo de conduccin.

1.2.3 Diodos. Parmetros dinmicos. Los sistemas electrnicos de potencia van evolucionando hacia una velocidad de conmutacin cada vez mayor, ya que con ello se consigue mejorar el rendimiento del sistema, adems de reducir el volumen y el peso del mismo. Teniendo en cuenta esto, cada vez es ms necesario construir diodos ms rpidos. La velocidad de un diodo viene limitada por dos fenmenos: Recuperacin inversa y recuperacin directa.

1.2.3.1 Diodos. Recuperacin inversa. En los diodos, el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo no es instantneo, ya que al invertirse la tensin todos los portadores mayoritarios que estn en la unin en ese instante y que son proporcionales a la intensidad directa que circulaba y a su derivada, cambian su sentido de movimiento dando origen a una intensidad inversa. A este fenmeno es al que se denomina recuperacin inversa.

Figura 1. 8 En la figura 1.8 se representa la intensidad de recuperacin en funcin del tiempo, donde t rr es el tiempo de recuperacin inversa y transcurre desde el momento en el que la intensidad inversa aparece, hasta que el valor de esta se reduzca a una cantidad fija (generalmente es el 10% del valor mximo I RRM). El tiempo de recuperacin en los diodos normales es del orden de 10 s y en los diodos rpidos de 0,5 a 2 s. A la intensidad de pico inversa IRRM, se le llama intensidad de recuperacin y la carga elctrica desplazada qr carga de recuperacin. Los picos de intensidad inversa producen unos picos de potencia en el diodo, si la frecuencia de conmutacin es elevada estos pueden calentar excesivamente el diodo pudiendo llegar a destruirlo. Por otra parte esta intensidad resta eficacia a muchas operaciones de los circuitos electrnicos.

Figura 1. 9 En la figura 1.9 se muestra la influencia de este fenmeno en un rectificador de media onda para dos situaciones: rectificacin a 50Hz, prcticamente no influye, y rectificacin a 50 kHz, donde la influencia es muy grande. En estas figuras, la recuperacin directa no se ha tenido en cuenta por ser poco importante. 1.2.3.2 Diodos. Recuperacin directa.

Figura 1. 10 Si al conmutar de conduccin a corte la zona de carga espacial estaba llena de portadores mayoritarios, al hacerlo de corte a conduccin ocurre lo contrario, por lo que aqu transcurrir un tiempo hasta que esta zona se llene de portadores mayoritarios y comience la circulacin de intensidad. El tiempo que transcurre desde que se le aplica al diodo una tensin directa, hasta que la tensin entre el nodo y el ctodo del mismo alcanza el valor de la tensin de saturacin se denomina tiempo de recuperacin directa t rd. Este tiempo es bastante ms pequeo que el tiempo de recuperacin inversa y este fenmeno no suele producir prdidas de potencia ni otros trastornos que sean significativos. En la figura 1.10 se representan las grficas tensin-tiempo e intensidad-tiempo de este efecto. Actividad en el aula. Utilizando la hoja de caractersticas del diodo 16F(R) de IR, escribe en la tabla siguiente el valor correspondiente a cada casilla: Parmetro Intensidad eficaz mxima Smbolo Valor

Intensidad media mxima

Tensin inversa repetitiva mxima

Tensin directa a 10A, 25C

1.3 Transistores. Bsicamente las caractersticas de los transistores de potencia dependen del tipo de semiconductor empleado, del diseo constructivo y del proceso de fabricacin. Al igual que en los diodos, se utiliza el germanio (para bajas tensin) y el silicio. Los diferentes tipos de transistores de potencia que se encuentran en el mercado estn continuamente aumentando, ya sea con la aparicin de nuevos modelos o mejorando las caractersticas de los existentes. En la

tabla siguiente se ven las caractersticas ms importantes de los diferentes tipos de transistores que se estudiaran en este captulo. Transistores de unin Tipos Ge Imx. (A) 30 Si 200 2.000 2.000 1 baja 200 0,5 a 10 alta Darlingto n 500 2.500 1.000 2,5 baja 200 5 a 20 baja MOS IGB T 300 1.000 500 3 baja 200 1a3 Muy baja

300 1.000 500 0,5 a 5 Muy baja 150 0,1 Muy baja

Umx. (V) 100 Pmx. (W) 150 Usat (V) IFugas TJ (C) 0,4 media 100

Tcorte (s) 20 Iexcitacin Donde: alta

Imx. - Es la intensidad mxima que circula por la zona de potencia en el transistor (I CM en los transistores de unin e IDM en los MOS). Umx - Es la tensin mxima que soporta el transistor entre sus extremos de potencia (colector-emisor o fuente-surtidor). Pmx - Es la potencia mxima que pueden disipar. Usat - Es la tensin tpica de saturacin del transistor. IFugas - Es la intensidad de fugas en corte. TJ - Es la temperatura mxima en el semiconductor. tcorte - Es el tiempo tpico que tarda un transistor en pasar de la saturacin al corte. Iexcitacin - Es la intensidad que hay que aplicar a la base o puerta del transistor para llevar al transistor a la saturacin.

1.3.1. Transistores de unin. Caractersticas estticas. Los valores ms importantes que han de considerarse en los transistores de unin son: ICM - Intensidad mxima de colector. UCEO - Tensin de ruptura colector-emisor con la base abierta. Pmx - Potencia mxima que disipa en rgimen continuo. UCEsat - Tensin de saturacin entre el colector y el emisor. hFE - Ganancia de intensidad en corriente continua. Parte de las caractersticas anteriores son importantes debido al hecho de que los transistores, como los otros dispositivos de electrnica de potencia, trabajan casi exclusivamente en corte y saturacin. Si adems trabajan a alta frecuencia, tambin hay que tener en cuenta los tiempos de saturacin y de corte. Las caractersticas del transistor de potencia en la zona activa son iguales que la de los transistores de seal, por lo que no se estudiarn al haber sido ya estudiadas en captulos anteriores.

Los semiconductores de potencia en conmutacin interesa que se comporten como un interruptor ideal entre el emisor y el colector; esto implica que cuando este polarizado en corte la intensidad de fugas ha de ser muy pequea. Los transistores de unin estn en corte cuando la intensidad de base es cero (I B = 0) siendo la intensidad de fugas muy pequea. Dicha intensidad va creciendo conforme aumenta la tensin entre el colector y el emisor (UCE). Se puede mejorar el comportamiento del transistor en corte cortocircuitando la base y el emisor con lo que se consigue que la intensidad de fugas disminuya; la intensidad de fugas disminuye ms todava aplicando una tensin negativa de unos voltios a la base; esto hace, adems, crecer el valor de la tensin de avalancha. En saturacin lo que interesa es que la cada de tensin sea cero; para ello se le aplica una intensidad de base proporcional a la del colector. Como la ganancia de estos transistores es muy baja la intensidad de base puede llegar a ser del orden del 50% de la intensidad de colector.

Figura 1. 11 La potencia mxima que nos da el fabricante, normalmente, es para una temperatura en la cpsula de 25 C; como sta no es la temperatura a la que normalmente funcionan, habr que utilizar la grfica potencia temperatura (figura 1.11) que da el fabricante. Con ella se puede calcular la potencia mxima para cualquier temperatura.

1.3.2. Transistores de unin. Caractersticas dinmicas. Las causas principales del retraso en la respuesta del circuito colector - emisor respecto a las seales de control en la base son debidas a las capacidades parsitas asociadas a las uniones base - emisor y base - colector, as como al tiempo necesario para la difusin de los portadores en la base. Para el estudio del funcionamiento dinmico de los transistores, se va a utilizar el circuito de la figura 1.12. En este circuito, si se analiza, la tensin que se aplica a la base es: - Con el interruptor abierto la base est polarizada por medio de las resistencias R1 y R2 a -10 V. - En el caso de que el interruptor est cerrado, la tensin aplicada a la base es de +10 V, la cual le llega a travs de R2, siendo el valor de la intensidad de base:

En la figura 1.13 se han dibujado las formas de tensin e intensidad que se producen en el circuito de la figura 1.12 al aplicarle, por medio del interruptor, una seal cuadrada en la base. Como se puede observar al aplicarle una tensin positiva en la base (cerrar el interruptor) la tensin en la base (u BE) aumenta de forma similar a la que se produce en la carga de un condensador; esto es debido a la influencia de las capacidades parsitas del transistor (CCB y CBE). Hasta que en la base no hay una tensin de 0,7 V (0,3 V en el germanio), el

transistor est en corte (IB 0). Cuando se llega a este nivel de tensin es cuando la intensidad de base vale los 0,93 A, y es a partir de ese instante cuando la intensidad de colector crece rpidamente, al igual que la tensin colector emisor baja hasta el valor de saturacin.

Figura 1. 12

Figura 1. 13 En esta secuencia se definen dos tiempos diferentes: tr - tiempo de retardo. Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica tensin positiva al circuito de polarizacin de la base y el instante en el que la intensidad de colector alcanza el 10% de su valor de saturacin.

 ts - tiempo de subida. Es el tiempo que transcurre desde que la intensidad de colector llega al 10%, hasta que alcanza el 90% del valor de la intensidad de saturacin. La suma de ambos tiempos se define como el tiempo de excitacin te. Al abrir el interruptor (ir de saturacin a corte) la intensidad de base se anula inmediatamente, pero no sucede igual con la intensidad de colector; esto es debido a los portadores que hay en la base. Cuando la base se vaca de portadores, es cuando la intensidad de colector empieza a decrecer durando un cierto tiempo. En este proceso se pueden definir los siguientes intervalos de tiempos: tal - tiempo de almacenamiento. Es el tiempo que transcurre desde la despolarizacin (I B = 0) hasta el instante en el que la intensidad de colector baje al 90% de su valor de saturacin. tc - tiempo de cada. Es el tiempo que va desde que la intensidad de colector vale el 90% hasta que alcanza el 10% del valor que tena en la saturacin. A la suma de ambos tiempos se le denomina tiempo de apagado t a. El clculo de estos tiempos es difcil, e, indiscutiblemente, se hacen menores reduciendo las capacidades parsitas y los tiempos de difusin de los portadores. 1.3.3. Transistores de unin. Circuitos de proteccin. Cuando se utilizan los transistores con cargas inductivas, muy tpico en potencia, en las conmutaciones de los transistores se producen unos picos de tensin elevados debido a la energa que acumulan las bobinas. Para evitar estos picos y sus consecuencias (sobredimensionar el transistor excesivamente), se recurre a circuitos que anulen estos picos. En la figura 1.14 se han dibujado tres circuitos de proteccin muy utilizados. Los dos circuitos primeros protegen al transistor contra el efecto de la bobina permitiendo descargar la energa acumulada en la bobina a travs del diodo (paso del transistor de saturacin a corte). En el primer circuito la descarga se produce a travs del diodo zener al superarse, por la sobretensin creada por la bobina, su valor de tensin zener. Este diodo ha de tener un valor de tensin zener superior al valor de tensin de la fuente de alimentacin. En el segundo circuito la bobina se descarga directamente a travs del diodo, ya que cuando la intensidad que pasa por la bobina se corta, esta se descarga haciendo de generador y por tanto la polarizacin del diodo se hace directa en este tiempo. A este diodo se le denomina diodo volante o diodo de libre circulacin. Es el mtodo ms utilizado para proteger a los componentes de las sobretensiones que producen las bobinas al descargarse.

Figura 1. 14 El tercer caso proporciona una proteccin ms eficaz ya que la tensin en el transistor no se eleva como en los casos anteriores, pudiendo provocar el efecto de avalancha. Su funcionamiento se produce en dos fases: cuando el transistor pasa a corte, la energa de la bobina se acumula en el condensador mediante la intensidad que circula entre ambos a travs del diodo. Y la energa del condensador se descarga a travs de la resistencia y el transistor cuando este est en saturacin. Para el clculo correcto de este circuito se debe de tener en cuenta dos parmetros: El primero es que la energa de la bobina ha de transferirse al condensador y por lo tanto se debe de cumplir la ecuacin siguiente:

Donde IC es la intensidad que circula por la carga en el instante en que se produce el paso de saturacin a corte en el transistor y UC es la tensin del condensador cuando se ha descargado la bobina. La otra circunstancia que ha de tenerse en cuenta, es que hay que dimensionar la resistencia de descarga (R1) para que el condensador se descargue completamente. El clculo se puede hacer mediante la siguiente ecuacin:

Donde Tmn es el tiempo mnimo en el que el transistor esta saturado. 1.3.4. Transistores MOS. Caractersticas estticas. El funcionamiento de los MOS de potencia es igual que el de los MOS de enriquecimiento ya vistos, por lo que aqu slo cabe mencionar que el acoplamiento en paralelo no necesita ninguna resistencia ecualizadora y que la propia estructura del MOS genera un diodo en antiparalelo que si bien al principio no se tena en cuenta por sus malas caractersticas en conmutacin, se ha ido mejorando hasta el punto de que hoy si se puede tener en cuenta de cara a la proteccin de los transistores MOS.

Figura 1. 15 En la figura 1.15 se ha dibujado los smbolos de los MOS de potencia, MOS tipo N y MOS tipo P.

1.3.5. Transistores MOS. Caractersticas dinmicas.

Figura 1. 16

Los MOS son ms rpidos que los transistores bipolares por estar exentos del fenmeno de difusin de portadores minoritarios. Aqu, la capacidad parsita entre la puerta y el surtidor es la responsable principal de los retrasos en este componente. En la figura 1.16 se ha dibujado el circuito elctrico que se va a usar para medir los tiempos en un MOS y en la figura 1.17 se representan grficamente las formas de ondas que resultan. Como se puede observar la respuesta de la puerta realiza una forma de onda similar a la carga y descarga de un condensador (CGS). Los tiempos que se producen en el proceso de saturacin son: tr - tiempo de retardo. Se define como el tiempo que tarda desde que se aplica seal en la entrada, hasta que la intensidad de drenador alcanza el 10% de su valor final. Es el ms corto y depende del valor de la tensin (E1) que se aplique a la entrada del circuito de forma que si se aumenta la tensin, el tiempo disminuye. ts - tiempo de subida. Se define como el tiempo que tarda la intensidad de drenador en pasar del 10 al 90% de su valor final. Su valor disminuye cuando se aumenta la tensin de excitacin (E1) o/y se disminuye la resistencia de puerta (R1).

Figura 1. 17 A la suma de estos tiempos se le denomina tiempo de excitacin te. Los tiempos que se producen en el proceso de corte son: td - tiempo de descarga. Se define como el tiempo que transcurre desde que se anula la tensin de entrada (UAS=0) hasta que la intensidad de drenador baja al 90% de su valor final. Es el intervalo de tiempo ms largo y aumenta con la tensin de excitacin (E1) y la resistencia de polarizacin (R1). tc - tiempo de cada. Se define como el tiempo que tarda la intensidad de drenador en pasar del 90 al 10 % de su valor final. A la suma de estos tiempos se le denomina tiempo de apagado ta.

Actividad en el aula.

Utilizando el MOS IRF150, mntese o simlese el circuito de la figura siguiente.

Sobre este realizar las siguientes medidas:

Parmetro Intensidad en conduccin.

Smbolo

Valor

Cada de tensin directa.

Intensidad de fugas.

Tensin en corte.

1.3.6. IGBT. Caractersticas estticas.

Figura 1. 18 Estos componentes, de aparicin reciente, tienen unas buenas caractersticas lo cual est haciendo que su implantacin sea muy buena. En la figura 18 se ha representado uno de los smbolos que se utilizan con sus circuitos equivalentes. Como se puede observar es un Darlington formado por un MOS como elemento de control y un transistor bipolar como elemento de potencia. Otro smbolo muy utilizado para representarlo es el mismo que el del transistor de unin. El nombre de los terminales se le ha dado por su funcionamiento: El control se hace por tensin (intensidad de puerta muy baja) como en un MOS, de ah el nombre de puerta y el emisor y colector es debido a que en la parte de potencia se comporta como un transistor de unin.

Figura 1. 19 En la figura 1.19, se ha dibujado el circuito elctrico que se va a utilizar para estudiar el comportamiento del IGBT. Si en la puerta se aplica una tensin cero (figura 1.20.a), el IGBT se comporta de la forma siguiente: La puerta esta aislada y lo nico que posee es la capacidad parsita del MOS de control que ser pequea ya que ste es pequeo. Por otra parte, en el transistor bipolar hay una intensidad de fugas pequea (5 mA) y una tensin entre emisor y colector prcticamente igual que la tensin de alimentacin. Si en la puerta se aplica una tensin de 10 V (figura 1.20.b), el IGBT tendr las caractersticas siguientes: La puerta, al estar aislada, lo nico que realizar ser cargar la capacidad parsita del MOS. En cuanto a los terminales de potencia se comportarn como una batera con la tensin de la barrera de potencial (U0=1 V) y una resistencia equivalente a la pendiente de la grfica uCE-iC.

Figura 1. 20 La cada de tensin directa (en conduccin), se puede disminuir mediante dos opciones: Reduciendo la resistencia de conduccin, lo cual se puede hacer incrementando el tamao o/y la densidad de las celdas. Incrementando la ganancia del transistor PNP. En la figura 1.21, se han dibujado las curvas caractersticas iC-uCE para diferentes tensiones de puerta. Los parmetros ms importantes de estos componentes son: BVCES - Tensin de ruptura directa. Se da para una temperatura e intensidad determinada. VCE(on) - Cada de tensin en conduccin. Se da para una temperatura, intensidad y tensin de puerta determinada. VGE(th) - Tensin en la puerta mnima para que el IGBT empiece a conducir. Se da para una temperatura, ya que sta hace que el valor vare.

Figura 1. 21 ICM - intensidad mxima de colector, se da para una determinada temperatura. 1.3.7. IGBT. Caractersticas dinmicas. La mayor limitacin en el paso a corte, es el tiempo de vida de los portadores minoritarios en la base del transistor PNP, la cual no es accesible. En la figura 1.22 se ha dibujado la forma de onda de la tensin y la intensidad de colector de un IGBT al que se le aplica la tensin de puerta uG.

Figura 1. 22 En la conmutacin se definen cuatro tiempos: td(on) - tiempo de retardo en el paso de bloqueo a conduccin. Se define como el tiempo que tarda desde que la tensin en la puerta llega al 10%, hasta que la intensidad de colector llega al 10% de sus valores finales. tr - tiempo de subida. Es el tiempo que tarda desde que la intensidad de colector pasa del 10 al 90% de su valor final. td(off) - tiempo de retardo en el paso de conduccin a bloqueo. Es el tiempo que transcurre desde que la seal en la puerta baja al 90% hasta que la intensidad de colector baja al 90 % de sus valores iniciales. tf - tiempo de bajada. Es el tiempo que tarda desde que la intensidad de colector pasa del 90 al 10% de su valor inicial. Actividad en el aula. Utilizando la hoja de caractersticas del IGBT IRG4PC50U de I.R., escribe en la tabla siguiente el valor correspondiente a cada casilla: Parmetro Intensidad de colector mxima a 25C Smbolo Valor

Potencia mxima de disipacin a 25C

Tensin mxima puerta - emisor

Tiempo de subida tpico a 25C

Tiempo de bajada tpico a 25C

Capacidad tpica en la entrada

1.4. Tiristores. Son componentes electrnicos de cuatro capas con dos, tres o cuatro terminales. Contrario a lo que ocurre con los transistores, los tiristores no pueden trabajar como amplificador lineal, sino que solo pueden conducir o no conducir. El ms representativo de todos es el SCR (Silicon Controlled Rectifier), hasta el punto que se le llama tambin tiristor. Es el que se va a utilizar para estudiar las caractersticas ms representativas de esta familia.

1.4.1 SCR. En la figura 1.23 se ha dibujado la distribucin de portadores, la estructura y el smbolo elctrico del SCR.

Figura 1. 23 A las cuatro capas que forman el tiristor se les denomina: P1 - Capa andica, ya que es la capa del nodo. Tiene un espesor intermedio y esta muy dopada. N1 - Capa de bloqueo, es la ms grande de todas y su concentracin de impurezas es baja. Forma dos uniones: junto con P1 la unin de ctodo y junto a P2 la unin de control. P2 - Capa de control, es delgada para que facilite la llegada a N1 de los electrones que emita N2. Junto a N2 forma la unin de ctodo. N2 - Capa catdica, est muy dopada para facilitar la emisin de electrones hacia la unin de control y mejorar el contacto elctrico de la soldadura de ctodo. Al SCR se le puede polarizar de dos formas: polarizacin directa y polarizacin inversa.

1.4.1.1 SCR. Polarizacin inversa. El SCR en polarizacin inversa, figura 1.24, posee dos uniones polarizadas inversamente: unin de nodo y unin de ctodo. Realmente es la unin de nodo la que soporta casi toda la tensin, ya que la unin de ctodo al ser tan fina y tener un nivel de portadores elevados, su resistencia equivalente es baja. En este estado, el SCR deja pasar una intensidad de fugas pequea y soporta prcticamente toda la tensin de la fuente. Si se aumenta la tensin de polarizacin llega un momento en el que se produce la ruptura.

Figura 1. 24

Aqu los parmetros ms importantes son: IR - Intensidad de fugas inversa. UWM - Tensin inversa de trabajo. URRM - Tensin inversa de pico repetitivo. URSM - Tensin inversa de pico no repetitivo. UR(BO) - Tensin inversa de ruptura.

1.4.1.2 SCR. Polarizacin directa. En polarizacin directa, figura 1.25, el SCR puede estar en dos situaciones: Bloqueado o conduciendo.

Figura 1. 25 Si la puerta est polarizada a travs de una resistencia con el ctodo o no polarizada, al aplicar una tensin directa al SCR, ste se mantiene bloqueado, ya que la unin de control est polarizada inversamente y por tanto slo circula la intensidad de fugas. Si se consigue que a travs del SCR circule, en cualquier zona de la unin de control, una densidad de corriente adecuada, ste pasar a estar en modo de conduccin. A un SCR que se encuentre en polarizacin directa bloqueado y que por un mtodo cualquiera se le fuerce al estado de conduccin se dice que se ha cebado. Los valores ms importantes en estos estados son: A - En bloqueo: ID - Intensidad de fugas en polarizacin directa. UDW - Tensin directa de trabajo. UDRM - Tensin directa mxima de pico repetitivo. UDSM - Tensin directa mxima de pico no repetitivo. UD(BO) - Tensin directa de ruptura. B - En conduccin: UF - Cada de tensin en conduccin. IFRM - Intensidad mxima de pico repetitivo. IFSM - Intensidad mxima de pico no repetitivo. IF(RMS) - Intensidad eficaz. IF(AV) - Intensidad media. IL - Intensidad de enganche. IH - Intensidad de mantenimiento.

Actividad en el aula. Utilizando el SCR C106 y un polmetro, localcense los tres terminales del citado tiristor y escrbase sobre la figura siguiente el nombre de cada uno de ello.

Cabe mencionar que la puerta y el ctodo se comportan como un diodo en el que la puerta hace de nodo, por lo que habr circulacin de corriente cuando el polmetro polariza positivamente la puerta respecto del ctodo. Utilizando este tiristor, mntese o simlese el circuito de la figura siguiente y sobre este realizar las siguientes medidas:

Donde, para cebar el SCR, hay que polarizar la puerta mediante el conmutador a travs de la resistencia R1 y para bloquearlo se abre el interruptor anulando la corriente elctrica por el tiristor. Parmetro Intensidad en conduccin Smbolo Valor

Cada de tensin directa

Intensidad de fugas

Tensin en bloqueo

1.4.1.3 SCR. Mtodos de cebado y bloqueo. Para cebar un SCR se tiene que aumentar, por encima de un valor determinado, la densidad de corriente en algn punto de la unin de control de la pastilla semiconductora, de forma que se produzca el efecto regenerativo que caracteriza este fenmeno. Existen cuatro formas de hacer que un SCR pase de bloqueo directo a conduccin: 1 - Aumentando la tensin a un valor superior a la tensin de ruptura. Conforme se acerca a la tensin de ruptura, los portadores minoritarios que atraviesan la unin de control lo hacen con una energa capaz de crear, por medio de choques, nuevos pares de portadores electrn - hueco en esta unin. Los portadores generados, antes de dejar la unin de control, a su vez generan, mediante choques, otros pares de portadores y as sucesivamente. Esto produce una reaccin en cadena que hace que la zona de carga espacial de la unin de control desaparezca y la tensin entre extremos del tiristor pasa a tener 2 V, considerando que el tiristor se ha cebado cuanto la intensidad que le atraviesa supere el valor de la intensidad de enganche I L. 2 - Temperatura. La temperatura aumenta la energa de los portadores minoritarios que atraviesan la unin de control pudiendo dar lugar al mismo fenmeno que el descrito en el primer caso. En la figura 1.26 se ha dibuja de modo grfico la forma en que se produce el cebado en estas dos primeras formas, donde las cargas se han representado mediante signos con circulo y el campo elctrico signos sin circulo. Las cargas que tienen el circulo continuo son los electrones de la corriente de fuga inicial y las que tienen el circulo discontinuo son los pares electrn-hueco generados por los choques.

Figura 1. 26 3 - Por derivada de tensin (dv/dt). Al aplicar una tensin, a travs de la unin de control circula una intensidad debido a una capacidad de transicin asociada a ella (figura 1.27). La intensidad que circula por un condensador viene dada por la formula:

Como la capacidad del condensador de transicin en la unin es constante, el valor de la intensidad a travs de ella es proporcional a la derivada de la tensin y por tanto si la derivada de tensin crece por encima de un valor determinado, la intensidad crecer lo suficiente como para llevar la unin a la zona de avalancha.

Figura 1. 27

Para mejorar la respuesta a este fenmeno, se coloca una resistencia entre el ctodo y la puerta. El valor de esta resistencia esta comprendida entre 22 y 470 (para tiristores normales) y entre 500 a 10000 (para tiristores de puerta sensible). 4 - Por medio de un impulso de puerta. Es la forma usual de control de los tiristores ya que las otras formas, prcticamente no se utilizan, pero no por ello dejan de existir. Al aplicar una tensin a la puerta respecto del ctodo (uGK) se produce una corriente de huecos y electrones saturndose de electrones la zona de control (figura 1.28); los que se encuentran cerca de la unin de control la atraviesan haciendo que la intensidad por la unin de control aumente cebando el tiristor. La lnea con flecha y trazo continuo representa la corriente de electrones y la de trazo discontinuo la de huecos.

Figura 1. 28 Normalmente, el cebado no se produce por un mtodo solo, sino que es una suma de varios de ellos. Para que se produzca el cebado de un tiristor, adems de aplicar el impulso en la puerta o cualquier otro de los sistemas de cebado, se debe de producir que la intensidad que lo atraviesa ha de alcanzar un valor superior a la intensidad de enganche I L, ya que en el caso contrario, el tiristor, cuando se anule el impulso de puerta, pasar a bloqueo nuevamente. El tiristor, cuando se ceba, permanece cebado hasta que la intensidad de nodo tenga un valor menor que el de la intensidad de mantenimiento IH. Esto se puede producir de dos formas: De forma natural debido a que la tensin entre el nodo y el ctodo del tiristor desciende y por tanto lo hace la intensidad (sistemas de corriente alterna). O bien forzando de alguna forma el que la intensidad descienda.

Figura 1. 29 En la figura 1.29 se ha dibujado un sistema para forzar el bloqueo del tiristor. El funcionamiento del circuito es el siguiente: Cuando estn bloqueados ambos tiristores no ocurre nada. Al cebar el tiristor principal (SCR1), el condensador se cargar a travs de la resistencia R 1 y del tiristor SCR1 (IC1). Al cebar el tiristor secundario SCR2, el condensador se descarga por la malla de la corriente I C2. Esta intensidad har que la intensidad que circula por el tiristor SCR1 disminuya de forma que se bloquear si la intensidad resultante a travs de este es inferior a la intensidad de mantenimiento (IH). Una vez bloqueado SCR1, el condensador se cargar en sentido inverso a travs de la resistencia R L y SCR2.

Y finalmente, al volver a cebar el SCR principal (SCR1), el condensador se descargar en sentido contrario a la intensidad IC2 bloqueando el tiristor secundario SCR2. A partir de aqu el condensador volver a cargarse nuevamente a travs de la resistencia R1 y del tiristor SCR1 (IC1), quedando preparado para repetir el proceso. 1.4.1.4. SCR. Caractersticas de la puerta. Entre la puerta y el ctodo de un tiristor hay un circuito elctrico equivalentes a un diodo zener y dos resistencias tal y como se ve en la figura 1.30.

Figura 1. 30 La dispersin de la curva caracterstica (uGC-iG) entre los diferentes componentes de un mismo tipo de tiristores hace que el fabricante tenga que dar como caracterstica de puerta las curvas lmites de los diferentes componentes.

Figura 1. 31 En la figura 1.31 se ha dibujado la curva caracterstica de una familia de tiristores, la cual se usar para el estudio de sta. El proceso de cebado de los tiristores por la puerta tiene tres lmites que no se pueden sobrepasar: U FGM, IFGM y PGM los cuales son los valores mximos de tensin, intensidad y potencia, respectivamente, que se puede aplicar a la puerta sin que se destruya. Dentro de la curva caracterstica se distinguen tres zonas: Regin marcada en negro. Cualquier valor de tensin e intensidad de puerta de esta zona, no cebar nunca ningn tiristor de ese tipo. Est delimitada por los valores de U GD e IGD que son los valores mximos de tensin e intensidad que no cebaran nunca a ningn tiristor; el valor de estos depende de la temperatura que posea el tiristor. Regin rayada. Los valores de tensin e intensidad en la puerta dentro de esta zona pueden cebar a los tiristores de ese tipo; el que se cebe o no, depende de la temperatura que posea el tiristor en cada momento. Esta regin est delimitada por los valores de UGT e IGT que son los valores mnimos de tensin e intensidad a partir de los cuales siempre se cebaran todos los tiristores de ese tipo. El valor de U GT e IGT varan con la temperatura.

Regin comprendida entre los valores UGT, IGT y los lmites de tensin, intensidad y potencia es la zona de cebado seguro, de tal forma que un impulso que pase por esta zona cebar cualquiera de los tiristores de ese tipo. El circuito de cebado no deber de cortar ninguno de estos lmites, ya que si lo hace destruir el tiristor. Para saber si un circuito cebara o no un tiristor, se traza la recta de carga del circuito de disparo. Suponiendo un ejemplo en el que se dispare un tiristor mediante una fuente de alimentacin de 8 V con una resistencia en serie de 8 , se obtendra la recta de carga de la lnea de trazos dibujada en la figura 1.3, la cual se ha calculado de la forma siguiente: Primero se calcula el valor de la tensin del circuito cuando la intensidad que circule por l sea cero. Si la intensidad es cero, la tensin que habr en la puerta ser de 8V. Segundo, se calcula la intensidad mxima que habr en el circuito y que se produce cuando la resistencia entre la puerta y ctodo sea cero. En este caso la intensidad ser 1 A, ya que el valor de la resistencia del circuito es el valor de la resistencia que hay en serie con la fuente de alimentacin, que es 8 y, por ltimo, se traza una lnea recta que una ambos puntos. Como se puede observar, este circuito sera adecuado para cebar este tipo de tiristor, ya que pasa por la zona de cebado seguro y no sobrepasa ninguno de los lmites. La utilizacin de un impulso de puerta con una pendiente de subida alta (tiempo de subida <1 s) y de gran amplitud (intensidad de puerta >5 IGT), consigue que el proceso de cebado se produzca inicialmente en una zona de mayor tamao alrededor de la puerta y por tanto se consigue que el tiristor pueda soportar una mayor derivada de intensidad (di/dt) y garantiza el reparto dinmico de las tensiones e intensidades durante el encendido. Un impulso de cebado que cumple con las caractersticas anteriores: pendiente de subida elevada, gran amplitud de la seal de cebado inicial y duracin del impulso elevada sin necesidad de que la puerta sufra una gran disipacin de potencia es el dibujado en la figura 1.32; en la figura 1.33 se ha dibujado un circuito elctrico que es capaz de producirlo.

Figura 1. 32 El funcionamiento es el siguiente: Al aplicar el impulso, la intensidad que circula por la puerta es una intensidad alta, ya que el condensador C2 est descargado y cortocircuita la resistencia R2, por lo que la intensidad que circular inicialmente ser:

Este valor ha de calcularse para que no supere nunca el valor de la intensidad mxima I FGM. Una vez cargado el condensador, la intensidad que llegar a la puerta ser:

El valor de I2, debe de ser igual o mayor a la menor intensidad de cebado seguro del tiristor I GT.

Figura 1. 33 La duracin de los impulsos vendr condicionado por las necesidades del circuito, no obstante se tendr en cuenta que el tiempo que dura el impulso de mayor intensidad ser de cuatro veces la constante de tiempo R2C2, y la duracin completa del impulso vendr condicionada por el tiempo que tarde la intensidad de nodo en superar el valor de la intensidad de enganche (IL).

1.4.1.5. SCR. Caractersticas dinmicas. En el tiristor, como en los otros semiconductores de potencia, las conmutaciones no son instantneas sino que requiere unos tiempos. Los tiempos que se producen durante el cebado (figura 1.34) son: td es el tiempo que transcurre desde que la intensidad de cebado alcanza el 10% de su valor mximo, hasta que la tensin nodo ctodo disminuye al 90% de su valor inicial. Este tiempo es debido al tiempo que necesitan los electrones inyectados por el ctodo para llegar a la zona de control y neutralizar la barrera de potencial de la unin de control.

Figura 1. 34 Este tiempo depende de: La amplitud y forma del impulso de puerta, de forma que disminuye si aumenta la intensidad o/y la pendiente de subida de la intensidad de puerta IG. La temperatura de la unin TJ y la tensin nodo ctodo UAK disminuyendo si aumentamos cualquiera de estos.

 tr es el tiempo que transcurre desde que la tensin entre nodo y ctodo baja desde el 90 al 10% de su valor inicial. Este tiempo depende del valor mximo de la corriente de nodo que se desea mantener. A la suma de estos tiempos se le llama tiempo de encendido ton.

Figura 1. 35 En el bloqueo se definen los tiempos (figura 1.35): tq tiempo de descebado. Es el tiempo que transcurre desde que la intensidad de nodo en el tiristor pasa por cero, hasta que se puede aplicar una tensin directa sin que se dispare de nuevo. El valor de este tiempo oscila entre 5 y 10 s para los tiristores rpidos, entre 50 y 80 s para los normales y alrededor de 400 s para los de intensidades elevadas. trr tiempo de recuperacin. Es el tiempo que transcurre desde que la intensidad pasa por cero, hasta el instante en el que la intensidad inversa baja al 10% de su valor mximo. Actividad en el aula.

Utilizando la hoja de caractersticas del SCR 80RIA de I.R., escrbase en la tabla siguiente el valor correspondiente a cada casilla:

Parmetro Intensidad media mxima

Smbolo

Valor

Intensidad eficaz mxima

Intensidad de mantenimiento

Intensidad de enganche

Intensidad mxima de puerta que no ceba

1.4.2 Otros miembros de la familia de los tiristores.

Figura 1. 36 Adems del SCR ya estudiado, la familia de los tiristores est formada por otros componentes los cuales se van a estudiar a continuacin. Los smbolos elctricos de los tiristores que se van a estudiar inicialmente se han dibujado en la figura 1.36 y sus caractersticas diferenciales ms importantes respecto al SCR son: El SCS o tiristor de doble puerta, llamado as por poseer dos puertas la de nodo y la de ctodo. Es un tiristor con dos puertas de control, la puerta de ctodo es igual que la del SCR, en cambio por la puerta de nodo se puede cebar y bloquear aplicando un impulso entre el nodo y su puerta. Si el impulso en la puerta de nodo respecto del nodo es negativo se ceba y si es positivo se bloquea. Se fabrican para intensidades de nodo pequeas y se emplean en contadores de anillo y generadores de impulsos. El LASCR. Es un SCR al que en el encapsulado se le ha dejado una ventana a travs de la cual se puede suministrar energa en forma de luz a la unin de control. Si esta energa luminosa tiene la suficiente potencia como para hacer que los electrones que atraviesan la barrera de potencial de la unin de control puedan general, por medio de choques, nuevos pares de portadores tal y como ocurre cuando se ceba por tensin o por temperatura, el tiristor se cebar. Estos semiconductores se fabrican para intensidades de nodo inferiores a 5 A. El GTO es un tiristor unidireccional al que se puede bloquear aplicndole impulsos negativos en la puerta. Hay varios smbolos elctricos de este componente, en la figura 1.36 se han dibujado dos de ellos. La cada de tensin directa es algo mayor que la del SCR y los fabricantes aconsejan no eliminar la intensidad de puerta durante el tiempo en el que este conduce. El TRIAC, es un tiristor bidireccional, es decir puede conducir en ambos sentidos, de ah que a sus terminales no se les llame nodo y ctodo sino A1 y A2. En la figura 1.37 se ha dibujado la estructura equivalente de un triac y la curva caracterstica. Como se puede observar el triac puede conducir en dos cuadrantes de la grfica, cuadrante I y cuadrante III. En ambos cuadrantes se puede cebar aplicando impulsos por la puerta tanto positivos como negativos, de ah que se diga que hay cuatro formas de cebar un triac:

Modo I+ IIII+ III-

Tensin en A2 + + -

Tensin en G + + -

Figura 1. 37 El triac equivale a dos tiristores en antiparalelo, en el cuadrante I la intensidad circula por el tiristor formado por las capas P1N1P2N2 y en el cuadrante III lo hara por el tiristor N3P1N1P2. La complejidad de la estructura hace que el triac sea ms delicado frente a derivadas de intensidad (di/dt), derivadas de tensin (du/dt) y la capacidad para soportar sobreintensidades es inferior. Se fabrican hasta unos 200 A y 1000 V.

Figura 1. 38 El segundo bloque de miembros de la familia de los tiristores que se van a estudiar son los dibujados en la figura 1.38. Estos se utilizan para cebar a los tiristores de potencia y sus caractersticas ms importantes son: El diodo Schockley o diodo de cuatro capas, no es ms que un SCR al que no se le ha conectado el terminal de puerta y que la unin de control se ha construido de forma que la tensin directa de cebado sea pequea, entre 20 y 100 V.

Figura 1. 39 Un circuito de aplicacin tpico es el dibujado en la figura 1.39 izquierda. El PUT, o Transistor Uniunin Programable (algunos autores le llaman TUP castellanizando el nombre). El nombre se debe a que, a pesar de ser un tiristor con la puerta de nodo accesible, sus caractersticas son similares a las del transistor uniunin que estudiaremos ms adelante. El funcionamiento bsicamente es el siguiente: Como a los tiristores con puerta de nodo, para cebarlo hay que aplicar una tensin negativa en la

puerta con respecto al nodo. Un montaje tpico es el circuito elctrico de la figura 1.39 derecha, donde la tensin en la puerta (VG) est fijada por el divisor de tensin formado por las resistencias R 2 y R3 y la tensin en el nodo es la tensin del condensador el cual, al conectar el circuito, se encuentra descargado y, por tanto, la tensin entre sus extremos es cero. El condensador se va cargando a travs de la resistencia R 1, y, por tanto, la tensin entre los extremos del PUT ir aumentando hasta llegar a una tensin de valor:

Donde UP es la tensin necesaria en el nodo para que se cebe el PUT, U GA es la tensin en la puerta y UD es la cada de tensin directa del diodo (0,7 V) que hay entre la puerta y el nodo. En ese instante el PUT se ceba descargando el condensador hacia la puerta del SCR.

Figura 1. 40 Al cebarse la tensin de nodo disminuye y aparece, por lo tanto, una intensidad en la puerta, de sentido inverso, que bloquear al PUT cuando la intensidad de nodo baje por debajo de un valor que ser funcin de la intensidad de puerta y que llamaremos intensidad de valle (IV). El SUS (Silicon Unilateral Switch) o conmutador unilateral de silicio, es un PUT al que se le ha fijado la tensin de puerta por medio de un diodo zener, de forma que se cebar cuando la tensin entre nodo y ctodo sea superior en 0,7 V a la tensin del diodo zener. En la figura 1.40 se ha dibujado el circuito elctrico equivalente de un SUS y de un SBS. El SBS (Silicon Bilateral Switch) o conmutador bilateral de silicio es un componente formado por dos SUS en antiparalelo. El DIAC es un triac sin el terminal de puerta que se dispara a tensiones de unos 30 V. El circuito elctrico de la figura 1.39 izquierda, se puede aplicar a todos los componentes estudiados en el segundo grupo menos al PUT, ya que bsicamente funcionan igual. La nica diferencia es poder conducir en un sentido o los dos sentidos, pero esto ltimo se consigue aplicando una fuente de alimentacin alterna en vez de continua.

Actividad en el aula.

Utilizando un diac, mntese o simlese el circuito siguiente.

Con la ayuda de osciloscopio mdase y calclese los siguientes valores:

Parmetro Tensin de cebado del Diac.

Valor

Intensidad mxima a travs del Diac.

Frecuencia de funcionamiento.

Intensidad de fugas en el Diac.

1.5 El UJT o transistor uniunin. El UJT (transistor uniunin) o diodo de doble base, como se le llam al principio, tiene una sola unin y sus caractersticas no tienen nada que ver con el transistor convencional. Este es un elemento muy utilizado para cebar tiristores, pero no pertenece a esta familia. Tiene tres terminales llamados base una (B1), base dos (B2) y emisor (E). En la figura 1.41.a se ha dibujado el smbolo elctrico. Para estudiar el funcionamiento del UJT se va a utilizar la estructura de barra (figura 1.41.b) por ser la ms intuitiva. Entre las dos bases, la barra de silicio se comporta como una resistencia; el emisor forma un diodo con la barra de silicio considerndose que est haciendo contacto elctrico en un punto intermedio de sta. En la figura 1.41.c se ha dibujado el equivalente elctrico del UJT, formado por el diodo del emisor y dos resistencias equivalentes, las resistencias que posee la barra de silicio entre la unin y cada una de las bases.

Figura 1. 41 Si se polarizan las bases con una tensin UBB, en el punto de unin del diodo con la barra de silicio (punto A), aparecer una tensin de valor:

Si la tensin en el emisor es inferior a la tensin en el punto A, el diodo estar polarizado inversamente y por tanto la intensidad que lo atravesar ser la de fugas. Cuando la tensin en el emisor se hace igual al valor de la tensin del punto A ms la tensin de la barrera de potencial del diodo (tensin de pico), a travs del diodo empezar a circular una intensidad; esta intensidad que aparece entre el emisor y la base hace que aumente la concentracin de portadores en esta zona y, por tanto, la resistencia de la base uno disminuye al aumentar la conductividad la cual viene dada por la frmula:

donde: es la conductividad en el silicio, e es la movilidad de los electrones, p es la movilidad de los huecos, n la concentracin de electrones y p la concentracin de huecos. Este fenmeno da lugar a que la intensidad aumente nuevamente, ya que al disminuir el valor de la resistencia de la base uno, la tensin en el punto A es menor y por tanto mayor la intensidad que lo atraviesa. Al aumentar las concentraciones de electrones y huecos la conductividad aumenta y por lo tanto la resistencia disminuye nuevamente. Este proceso se repite hasta que se llega a un nivel de concentracin de los portadores (1016 portadores/cm3) en el cual la vida de los portadores disminuye y esto hace que se equilibre el proceso de resistencia negativa, de forma que a partir de este punto (punto de valle), la cada de tensin en la base uno es proporcional a la intensidad que lo atraviesa ya que la resistencia permanece prcticamente con un valor constante. En la figura 1.42 se ha dibujado la curva de la caracterstica esttica de emisor (no se ha dibujado lineal para marcar los detalles), donde se ha indicado las tres zonas de funcionamiento del UJT: Regin de corte, aqu es donde el diodo est polarizado inversamente y la intensidad es prcticamente cero. Regin de resistencia negativa, es la zona donde se produce la disminucin del valor de la resistencia de la base uno. Y regin de saturacin es aquella en la que la resistencia de base es fija y la cada de tensin es proporcional a la intensidad que circule por ella.

Figura 1. 42

Si la intensidad de emisor decrece por debajo del valor de valle (I V), la base uno sufre el proceso inverso, ya que al disminuir la concentracin de portadores disminuye la conductividad y por tanto aumenta el valor de la resistencia equivalente, dando lugar al fenmeno inverso. En la figura 1.42, junto con la curva, se ha dibujado el circuito elctrico de una aplicacin tpica. La frecuencia de oscilacin ser proporcional al valor de la resistencia R1 y del condensador C. Para que este circuito oscile hay que tener en cuenta dos limitaciones: 1. - Para que el UJT entre en la zona de resistencia negativa la intensidad que debe de circular por la resistencia R1, cuando en el emisor hay la tensin de pico, hacia la barra de silicio ha de ser superior al valor de la intensidad de pico del UJT que se utilice. Por tanto debe de cumplirse que:

2. - Para que el UJT pueda volver a bloquearse, la intensidad que circular a travs de R1 cuando en el emisor se tenga la tensin de valle (UV) ha de ser inferior a la intensidad de valle IV. Por tanto ha de cumplirse que:

Actividad en el aula.

Utilizando la hoja de caractersticas del UJT 2N2646, escrbase en la tabla siguiente el valor correspondiente a cada casilla:

Parmetro Intensidad de pico

Smbolo

Valor

Intensidad de valle

Tensin de pico

Tensin de valle

1.6 Acoplamientos serie y paralelo. Si se necesitan tensiones muy elevadas o intensidades muy grandes, a veces es necesario recurrir a acoplamientos entre componentes de potencia. El acoplamiento de estos componentes no suele ser simple, sino que hay que acoplarles una red ecualizadora que estabilice el sistema.

Figura 1. 43 Si se necesita acoplar dos diodos en paralelo, como la tensin que hay en cada uno de ellos es la misma UD (figura 1.43) la intensidad que circular por cada uno de los diodos es muy diferente (I D1 << ID2), en este caso la intensidad que circula por el diodo D2 es muy superior a la del otro diodo. Para equilibrar un sistema paralelo, se acoplan en serie con cada uno de los componentes de potencia una bobina o resistencia, la cual ecualiza el sistema aunque empeora el rendimiento (figura 1.44).

Figura 1. 44 El valor de la resistencia se puede calcular utilizando el circuito equivalente del diodo de la figura 1.7, siendo la ecuacin de cada uno de los diodos las siguientes: y Si se le incluye la influencia de la resistencia exterior, las ecuaciones quedarn: y Como las tensiones u1 y u2 son iguales, operando tenemos que el valor de la resistencia exterior deber de ser:

En el caso de un acoplamiento serie, la distribucin de tensin en polarizacin inversa no es uniforme, de forma que, para una intensidad inversa de un valor fijo, la tensin que habr en cada uno de los diodos ser muy diferente (figura 1.43): esto podra llevar a algn diodo a la ruptura por avalancha. Para ecualizar este sistema se acopla una resistencia en paralelo con cada uno de los diodos, la cual har que la tensin en cada diodo sea la misma. Para calcular el valor de la resistencia que ha de ponerse se utilizara la formula siguiente:

donde:

 Utot Es la tensin inversa total a soportar por los semiconductores acoplados. URW Es la tensin inversa de trabajo de los semiconductores. IR Intensidad inversa medida a la tensin URW. n El nmero de semiconductores. La ecualizacin anterior es de tipo esttico, pero no soluciona todos los problemas en el acoplamiento serie, sino que hay que recurrir a otro tipo para ecualizarlo dinmicamente y as compensar la diferencia en los tiempos de recuperacin. Este problema es ms complejo en tiristores y la solucin a este problema es la conexin de un condensador en paralelo con cada uno de los diodos / tiristores. El clculo es complejo y ser conveniente utilizar los datos del fabricante. Junto al condensador se coloca en serie con ste una resistencia pequea para evitar los efectos que tendra la descarga del condensador directamente sobre los componentes (figura 1.45).

Figura 1. 45

1.7 Actividad en el aula. Utilizando dos SCR del tipo C106D, realizar el montaje del circuito elctrico siguiente: consiste en un circuito de cebado y descebado de un tiristor principal SCR1 mediante un tiristor secundario SCR2.

Una vez montado, verificar el funcionamiento, y anotar el valor de las medidas que se piden en la tabla siguiente.

Al conectar el circuito: Tensin en el SCR1

Intensidad en el SCR1

Tensin en el SCR2

Intensidad en el SCR2 Despus de cebar SCR1 Tensin en el SCR1

Intensidad en el SCR1

Tensin en el SCR2

Intensidad en el SCR2 Despus de cebar SCR2 Tensin en el SCR1

Intensidad en el SCR1

Tensin en el SCR2

Intensidad en el SCR2

1.8 Autoevaluacin. 1. - El biselado que se realiza a los diodos sirve para: Que la intensidad que lo atraviesa pueda ser mayor. Que la tensin en conduccin sea menor. Que la intensidad superficial se reduzca. 2. - El tiempo de recuperacin inversa en los diodos: No tiene influencia apreciable en el funcionamiento de los diodos en ninguna circunstancia. Slo influye si el diodo conduce poca intensidad. Influye siempre, siendo sus efectos ms apreciables a frecuencias de funcionamiento mayores. 3. - Las causas principales en el retraso en la respuesta de los transistores de unin son: La capacidad colector-emisor y la tensin de avalancha. Las capacidades parsitas y el tiempo necesario para la difusin de los portadores. La intensidad de base y la tensin en el colector. 4. - Los MOS de potencia, son MOSFET del tipo: De empobrecimiento. De enriquecimiento. Es un hbrido entre ambos. 5. - Los IGBT, son: Un tipo especial de transistores MOS. Un transistor de unin al que se le ha conectado un transistor MOS como elemento de control. Un transistor MOS al que se le ha conectado un transistor de unin como elemento de control. 6. - Los tiristores son: Componentes semiconductores con tres capas mediante las cuales se controla el paso de intensidad por l. Componentes semiconductores con tres uniones mediante las cuales se controla el paso de intensidad por l. Componentes semiconductores con tres capas y tres uniones mediante las cuales se controla el paso de intensidad por l. 7. - Un tiristor se puede cebar mediante: Un impulso de intensidad aplicado en la puerta. Una tensin inversa. Una seal elctrica aplicada en el nodo. 8. - Los tiristores se desceban (bloquean): Cuando se le aplica un impulso en la puerta. Cuando la intensidad de nodo se hace menor que la intensidad de mantenimiento. Cuando la tensin entre nodo y ctodo vale cero. 9. - El triac es: Un tiristor que conduce en los dos sentidos. Un tiristor que conduce en un solo sentido. Un tiristor que se usa solo para cebar a los otros tiristores. 10. - El UJT, es: Un transistor con una ganancia de intensidad muy grande. Un tiristor que se utiliza para cebar tiristores. Un semiconductor con una sola unin y que se utiliza para cebar tiristores.

TRATAMIENTO DIDCTICO DE UNA UU.DD: Circuitos de conmutacin con rels. Aplicaciones y circuitos tpicos de potencia y control de motores.
Ubicacin: Como ya se ha expuesto en el tratamiento curricular, los contenidos del presente tema se recogen en el bloque de contenidos denominado Control y programacin de sistemas automticos, correspondiente a la asignatura de Tecnologa Industrial II, que se imparte en 2 de Bachillerato. De este bloque de contenidos extraemos una unidad didctica a la que denominaremos: Circuitos de conmutacin con rels. Aplicaciones y circuitos tpicos de potencia y control de motores. Destinatarios: 2 Curso de Bachillerato jvenes cuya edad oscila entre los 17-18 aos, caracterizados por la fase de cambio psico-biolgico en que se encuentran, inseguros, influenciados por el medio social, idealistas, rebeldes ilusionados e inquietos. Los conocimientos se deben presentar de forma viva, procurando utilizar en las explicaciones una terminologa arropada en soportes sensibles de crear imgenes exactas sobre los conocimientos que se transmiten. Deber aprovecharse la intuicin y las experiencias que tengan los alumnos. La metodologa activa evitar exposiciones aburridas, para ello se utilizaran recursos didcticos que impregnen de actividad las clases. Temporalizacin: Para el proceso de enseanza / aprendizaje, incluidas las actividades y la evaluacin de este tema o UU.DD. Necesitaremos 4 horas lectivas, distribuidas a razn de 4 horas semanales. Secuenciacin : Se estima oportuno ordenar los contenidos de forma que los conceptos previos necesarios para el tratamiento de otros posteriores queden suficientemente consolidados. El desarrollo ms indicado es la explicacin paralela de la teora y los ejemplos de aplicacin. Objetivos de la Unidad Didctica: En la presente unidad didctica, se pretende que los alumnos alcancen las siguientes capacidades: - Conocer los fundamentos y elementos bsicos de los circuitos de conmutacin con rels. - Analizar el funcionamiento de los circuitos tpicos de potencia y control de motores. - Seleccionar e interpretar circuitos de potencia y control de motores para determinadas aplicaciones.

Contenidos de la Unidad Didctica. Para el desarrollo de este tema o UU.DD. seleccionamos los siguientes: conceptos, procedimientos y actitudes: CONCEPTOS: Tipos de rels: Electromagnticos y electrnicos. Arranques de motores e inversin de giro, control de velocidad, usando rels electromagnticos y electrnicos.

PROCEDIMIENTOS: Anlisis y descripcin de un circuito de conmutacin con rels. Anlisis y simulacin de un arranque de un motor ,de una inversin de giro y de control de velocidad mediante circuitos con rels.

ACTITUDES:

Iniciativa y curiosidad en el diseo de circuitos de conmutacin con rels, tanto si se realizan individual como colectivamente. Admiracin por los avances realizados en este campo. Curiosidad por descubrir el funcionamiento de dispositivos de circuitos de conmutacin con rels. Habituar al trabajo en equipo. Inters por el orden en la ejecucin de las tareas. Habito de organizacin y planificacin del trabajo. Inters para profundizar y actualizar conocimientos y mtodos. Disposicin para repetir o rehacer los procesos para optimizar los resultados. Disfrute de las posibilidades que ofrece el estudio de estas nuevas materias. Satisfaccin por una correcta metodologa y organizacin del trabajo. Inters por el orden y la limpieza en la ejecucin y presentacin.

Estrategias de enseanza / aprendizaje: El profesor dirigir parte del aprendizaje de esta UU.DD. con una adecuada combinacin de estrategias expositivas, promoviendo el aprendizaje significativo y siempre acompaadas de actividades y trabajos complementarios, con las estrategias de indagacin o descubrimiento dirigido. Se formularn situaciones problemticas, ayudando al alumno a adquirir los conocimientos que permitan abordar esas situaciones. El profesor dirigir el proceso de aprendizaje a captar las ideas fundamentales (sin menoscabo de otros contenidos de menor importancia), destacando la funcionalidad y su repercusin de este tipo de contenidos en la vida activa. Tambin se resaltar la importancia de ciertos contenidos cuando ello sea necesario para un adecuado proceso de enseanza aprendizaje. Es importante tener en cuenta las preconcepciones del alumno (ideas previas, lenguaje, trminos, etc) ya que hay que aprovechar los conocimientos previos y rentabilizarlos. Potenciaremos la participacin del alumno en las tareas de clase, a partir de informaciones en bruto, para que las estructure y saque conclusiones. La realizacin de actividades deber permitir crear un ambiente saludable, evitando la motivacin basada en la competitividad. El contraste de ideas facilita la comprensin de los contenidos (realizacin de esquemas de ventajas y desventajas de un determinado problema o cuestin). Para ello los trabajos en grupo nos permiten gozar de situaciones privilegiadas. Actividades de los alumnos: Las actividades son necesarias para conseguir el desarrollo de las capacidades programadas y ser el profesor el que establecer el criterio de clasificacin y puesta en funcionamiento de las mismas. En esta UU.DD. se proponen las siguientes: A ) De introduccin-motivacin, se realizarn en la primera sesin de trabajo. Se dirigirn a promover el inters del alumno intentando conectar con sus intereses. B ) De desarrollo, encaminadas a adquirir los conocimientos programados. Con carcter inicial se elaborar un cuestionario sencillo que permita detectar las ideas previas, as por ejemplo preguntar si conocen algn concepto, signo, variable, etc. Posteriormente y una vez realizadas las exposiciones precisas, se podr pasar a actividades de descubrimiento dirigido, donde se plantearn problemas sencillos sobre los contenidos, que permitan extraer las primeras conclusiones. Las actividades de tipo comprobativo consistentes en solicitar a los alumnos que verifiquen la exactitud de un resultado. Conclusin o procedimiento. Una vez explicados los conceptos de simbologa y propiedades de los circuitos de conmutacin con rels, se podrn realizar actividades de consolidacin, diseo de algunos circuitos y clculo de algunos elementos. Calculando todas las magnitudes. Por ltimo, y si el nivel de objetivos alcanzado, nos lo permite se realizar una actividad de investigacin, o de realizacin de pequeos proyectos, consistente estas en proponer unos determinados modelos a desarrollar, de comunicacin, de resultados a los efectos de favorecer el debate en clase, plantear contrastes y de ampliacin que en algunos casos permiten llegar a niveles de conocimiento superiores al exigido, pero que no son imprescindibles para el proceso de enseanza.

C ) De recuperacin, dirigidas a alumnos que tienen dificultades para alcanzar los objetivos previstos para el tema o unidad didctica. Materiales y Recursos Didcticos: Podrn utilizarse los siguientes libro de texto de Tecnologa Industrial II. Resaltaremos del mismo los ejemplos comentados sobre las aplicaciones de los circuitos de conmutacin con rels, ello facilitar la comprensin de los contenidos y permitir al alumno comprobar que la materia a estudiar forma parte de una realidad cotidiana. Es interesante utilizar esquemas o mapas conceptuales que sinteticen los conocimientos sobre circuitos. El encerado nos servir para plasmar el proceso de construccin de dichos esquemas y para la resolucin sistemtica de una coleccin de problemas. Tambin se utilizar algn artculo aparecido en publicaciones especializadas y asequibles al nivel de comprensin del alumnado. Con el retroproyector se puede hacer una exposicin de circuitos de conmutacin con rels y de mquinas que usan estos elementos. El ordenador servir como medio de acceso a datos e informaciones sobre caractersticas de materiales de construccin (bien a travs de catlogos en CD-ROM o disquette, bien a travs de Internet) muy tiles en el proceso de enseanza. El Proceso de Evaluacin. El proceso de evaluacin tendr dos caractersticas: A) Por una parte ser Continua, es decir estar inmersa en el proceso de enseanza-aprendizaje del alumno, con el fin de detectar las dificultades en el momento en que se produzcan, averiguar las causas y, en su consecuencia, adaptar las actividades segn convenga. Los referentes, de la evaluacin continua sern los objetivos generales de Bachillerato, de la materia de Tecnologa Industrial II, as como los criterios de evaluacin que para este tema o UU.DD. son aplicables y que con anterioridad hemos expuesto en el Tratamiento Curricular del Tema en la primera parte de nuestra exposicin. B) Por otra parte ser integradora, ya que ha de tener en cuenta las capacidades generales establecidas para la ESO o Bachillerato a travs de esta materia. EVALUACIN DE LOS ALUMNOS. La evaluacin incluir un diagnstico de su punto de partida, en conocimientos, hbitos y procedimientos de trabajo que utilizan, as como las actitudes que muestran. Ello permite comprobar si los alumnos estn en disposicin de aprender lo programado, o replantear, en su caso, los objetivos. Como instrumentos consideraremos: a) Los trabajos escritos (informes, comentarios y tareas de resolucin de cuestiones sobre......), de forma individual o en grupo, en este ltimo caso se medir el grado de participacin individual. b) Observacin directa del cuaderno y trabajo en clase, siempre teniendo en cuenta las dificultades de cada fase de la programacin. y comprobando el grado de cumplimiento de los trabajos y tareas propuestas de forma cotidiana por el profesor c) Las pruebas escritas, que resultaran tiles pero siempre complementadas con las informaciones obtenidas por otras vas. d) Ejercicios de autoevaluacin, los cuales recogen prcticas de autocorreccin de tareas.

LA EVALUACIN DEL PROCESO. La realizaremos mediante un cuestionario seguido de reflexiones en el grupo de clase que incluir los siguientes apartados y variables de observacin: Respecto a la organizacin del tema o UU.DD. Se evaluar el nivel de adecuacin de los objetivos planteados y si tienen en cuenta los aprendizajes previos, si las actividades son motivadoras, se adaptan a las capacidades de los alumnos, aportan informacin suficiente y se estructuran en tiempo suficiente, y por ltimo si los recursos son suficientes y adecuados al nivel.

Respecto al funcionamiento del tema o UU.DD. Se evaluar la coordinacin y cooperacin de las actividades en grupo, si la intervencin del profesor es motivadora, organizada y respetuosa con las opiniones de los dems y si las interacciones del grupo-clase se realizan de forma organizada. Diversidad medidas de refuerzo educativo y adaptaciones curriculares. El profesor aplicar las medidas necesarias para dar respuesta a las diferencias individuales en estilos de aprendizaje, motivaciones e intereses o dificultades transitorias. Algunas de las medidas aplicables las podemos resumir en: 1) Distinguir los contenidos prioritarios de los contenidos complementarios o de ampliacin (resolucin de esquemas de cierta complejidad o extensin). 2) Adaptacin de las actividades a realizar por los alumnos (resolucin de ejercicios o cuestiones estructurados en dos o ms niveles: bsicos, de mediana complejidad, complejos). 3) Empleo de materiales didcticos alternativos ( ejemplo : documentos publicados en bruto o adaptados por cl profesor). Alternativas en la metodologa. En otro orden de cosas, hay que realizar las consideraciones oportunas sobre los alumnos con dificultades de aprendizaje generales y permanentes. A estos se les considerar con necesidades educativas especiales, y precisan de adaptaciones curriculares significativas, las cuales modifican el currculo bsico.

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BIBLIOGRAFA DECRETO 39/2002, de 5 de marzo, del Gobierno Valenciano, por el que se modifica el Decreto 47/1992, de 30 de marzo, del Gobierno Valenciano, por el que se establece el currculo de la Educacin Secundaria Obligatoria en la Comunidad Valenciana. http://www.cult.gva.es/Educacion.htm DECRETO 50/2002, del 26 de marzo, del Gobierno Valenciano, por el que se modifica el Decreto 174/1992, de 19 de agosto, del Gobierno Valenciano, por el que se establece el currculo del Bachillerato en la Comunidad Valenciana. http://www.cult.gva.es/Educacion.htm Pagina personal del Asesor de Tecnologa de la E.S.O y del Bachillerato Tecnolgico del Cefire de Alicante. BIBLIOGRAFA PARA EL REA DE TECNOLOGA. Actualizada por Csar Snchez Serna. http://www.terra.es/personal/cesarsan/. Copyright 1997-2004. cesarsan@teleline.es. Alicante. Espaa.