Dispositivos de Potencia

ELECTRONICA DE POTENCIA
Dispositivos de Potencia

Caractersticas de Conmutacin de
Diodos Semiconductores, Transistores
de Potencia, MOSFET e IGBT

Antonio Nachez

A-4-32-2 ELECTRONICA IV

A-4.32.2 Electrnica IV

INDICE
Dispositivos de Potencia A.4.32.2 Electrnica IV
___________________________________________________________________________

1

1 Distribucin de portadores en las junturas P-N de unin.3

2 Tiempos de Conmutacin de Diodos Semiconductores...9
2.1.- Polarizacin inversa - Capacidad de transicin......9
2.2.- Tiempo de recuperacin directo......10
2.3.- Tiempo de recuperacin inversa.....12
2.4.- Modelo equivalente del diodo en conduccin (F P).....17
2.5.- Limitacin de la exactitud del anlisis (F P)......17
2.6.- Compensacin de carga para hacer mnimo el tiempo de almacenamiento (F P).18

3 Tiempo de conmutacin de Transistores Bipolares.22
3.1.- Definicin de los Tiempos de Conmutacin......22
3.2.- Distribucin de portadores y tiempos de conmutacin......24
3.3.- Determinacin de los tiempos de conmutacin (F P)..26
3.3.1.- Tiempo de retardo (F P)27
3.3.2.- Tiempo de crecimiento (F P)...30
3.3.3.- Tiempo de almacenamiento (F P)..30
3.3.4.- Tiempo de cada (F P).....32

4.- Tiempos de Conmutacin de Transistores MOSFET de Potencia33
4.1.- Capacidades de los MOSFET.33
4.2.- Tiempos de conmutacin de los MOSFET35
4.3.- Evaluacin de los tiempos de conmutacin de los MOSFET (F P)..38

5.- IGBT - Transistores Bipolares de Compuerta Aislada..42
5.1.- Introduccin.42
5.2.- Estructura, principio de funcionamiento y circuito equivalente...42
5.3.- Especificaciones (F P)..............45
5.3.1. Mximos absolutos (F P).......45
5.3.2. Caractersticas Elctricas (F P).45
5.3.3. Caractersticas de Conmutacin (F P)....46
5.4.- Estado de Conduccin......48
5.5.- Caractersticas de Apagado.....50
5.6.- Prdidas por Conmutacin...50

6.- Conclusiones...52
6.1.- Dispositivos actuales................................................................................................52
6.2.- Dispositivos futuros (F P).........................................................................................58

Nota: Los temas indicados en cursiva no forman parte del programa exigido, tanto en teora
como en prctica (fuera de programa FP). Se han incluido en esta edicin, solo para
conocimiento de los alumnos y especialmente como gua para los Trabajos de Promocin y
Proyectos Finales que requieren de estos conocimientos.

Ultima actualizacin y compaginacin: ao 2004

___________________________________________________________________________

2
DISPOSITIVOS DE POTENCIA EN CONMUTACION

El presente apunte cubre el estudio de las caractersticas de conmutacin de los siguientes
dispositivos de potencia:

- Diodos Semiconductores
- Transistores Bipolares
- MOSFET
- IGBT

Basados en el funcionamiento fsico de dichos elementos, se caracterizan todos los tiempos
involucrados en las conmutaciones de conduccin a corte y viceversa; se encuentran las
dependencias de estos tiempos de los parmetros fsicos de los dispositivos y se evalan
mtodos de correccin.

Junto con el apunte de Tiristores, completa la unidad temtica correspondiente al estudio de
las caractersticas de los dispositivos de potencia utilizados en la implementacin de circuitos
de aplicacin en las asignaturas Electrnica IV y Electrnica de Potencia.
___________________________________________________________________________

3

1.- Distribucin de portadores en las junturas P-N de unin

La comprensin de los tiempos de conmutacin de los dispositivos basados en dos
tipos de portadores se basa en el conocimiento del comportamiento de las junturas p-n ante las
distintas posibilidades de polarizacin, as como de la evolucin de sus concentraciones de
portadores mayoritarios y minoritarios en el tiempo.

Se realiza a continuacin un repaso de conceptos ya estudiados en asignaturas
anteriores, necesarios para la cabal comprensin del comportamiento dinmico de dispositivos
basados en dos tipos de portadores.

Una juntura pn se considera en equilibrio, cuando se encuentra a temperatura uniforme,
y no actan sobre ella factores externos tales como la luz o tensiones de polarizacin.

En el material tipo p y lejos de la unin metalrgica, las concentraciones de huecos (p
po
)
y de electrones (n
po
) son uniformes, siendo la primera mucho mayor que la segunda (p
po

>>n
po
).

Anlogamente en el lado n ser n
no
>>p
no
.

Para un material razonablemente extrnseco se satisface que N
a
>>n, siendo N
a
,
concentracin de aceptores y n
i
concentracin de los huecos y electrones en un material
intrnseco, donde p
o
n
o
=n
i
2
(T).

En consecuencia, en el material tipo p, p
po
~ N
A
y n
po
= n
i
2
(T)
N
A

Anlogamente en el lado n se obtiene n
po
=N
D
y p
no
= n
i
2
(T)
N
D

Teniendo en cuenta estas consideraciones, en la figura 1 se encuentran graficadas las
densidades de portadores mayoritarios y minoritarios en ambos lados de una juntura pn en
equilibrio.

Como la concentracin de huecos es mucho mayor en la regin p que en la regin n, al
igual que la concentracin de electrones en la regin n es mucho mayor que en la regin p, en
la regin de la unin metalrgica existen gradientes de concentracin de huecos y electrones.
Esta situacin se encuentra graficada en la figura 2 donde se ha expandido la zona de unin.

Debido a estos grandes gradientes de concentracin, los huecos tienden a difundirse a
travs de la unin, pasando de la regin tipo p a la regin tipo n, mientras los electrones
tienden a difundirse en sentido opuesto.

___________________________________________________________________________

4

Figuras 1 y 2

Los huecos al difundirse dejan atrs iones cargados negativamente, mientras los
electrones dejan atrs iones cargados positivamente, generando en la zona de unin una
carga espacial. Esta carga espacial crea un campo elctrico que se opone a que los huecos y
electrones puedan seguir difundindose. Dicho campo elctrico en la unin es consecuencia
directa del transporte de carga, y en consecuencia aumenta al valor necesario para compensar
las tendencias difusoras de huecos y electrones.

Se puede entonces, para el estudio, descomponer a una unin pn, en una regin que
rodea la unin metalrgica, la que contiene el campo elctrico y la carga espacial, denominada
capa de carga espacial. Regin que se encuentra entre otras dos, en las que el potencial
electrosttico es constante y el campo elctrico y la densidad de carga son nulos.

Estas capas exteriores son conocidas como regiones neutras porque en ellas no hay
carga elctrica.
Cuando se aplica una tensin directa de polarizacin, la altura de la barrera de potencial
en la unin vara y aparece una corriente. Una disminucin de la barrera de potencial permite a
Lado p Lado n
nno = ND
pno = ni2 (T) / ND
npo = ni2 (T) / NA
ppo = NA
Union
Metalurgica
Concentracion
de portadores
Lado p Lado n
nno = ND
pno = ni2 (T) / ND
npo = ni2 (T) / NA
ppo = NA
Union
Metalurgica
Concentracion
de portadores
___________________________________________________________________________

5
los huecos circular de la regin de tipo p a la regin de tipo n, y a los electrones en el sentido
inverso. Estos procesos se conocen como inyeccin de portadores minoritarios, ya que los
huecos y electrones que atraviesan la unin aumentan las concentraciones de los portadores
minoritarios en las regiones que son inyectados.

En la figura 3 se indican las modificaciones en las concentraciones en la capa de carga
espacial para polarizacin directa, donde p
n
y n
p
son las nuevas concentraciones de los
portadores minoritarios en las cercanas de la unin.

Figura 3

La inyeccin de portadores debida a la aplicacin de una tensin directa a la juntura,
genera en consecuencia un aumento de la concentracin de portadores en las cercanas de la
zona de unin. Los huecos inyectados desde la zona p se alejan de la misma por difusin
hacia el interior de la zona n, mientras los electrones inyectados desde la zona n hacen lo
propio hacia la zona p. Al alejarse de la zona de unin, los portadores minoritarios inyectados
se recombinan con los mayoritarios, por lo que su concentracin decrece al alejarse de la
unin, para alcanzar la distribucin de equilibrio trmico a cierta distancia de la zona de carga
espacial. Esta situacin se ilustra en la figura 4a.

Figura 4a

Como la corriente de difusin debida a la inyeccin de portadores minoritarios es
proporcional al gradiente de su concentracin, la figura 4b muestra la forma general de la
densidad de corriente elctrica debido a huecos (J
h
) y a electrones (J
e
). En la misma se ha
x
X = 0
p
no

n
po

p
p

n
p

n
n

p
n

log n, p
n
p

Lado p Lado n
n

no = N D
p no = ni2 (T) /
N
D
n po = ni2 (T) /
N
A
p po = N A
Union
Metalurgica
Concentracio
n de
portadores
p
n

___________________________________________________________________________

6
incluido la zona de unin, aunque su ancho se encuentra exagerado dado que la zona de carga
espacial es normalmente dos o tres rdenes de magnitud mas delgada que las partes de las
regiones neutras que contienen los portadores inyectados.

Figura 4b

La corriente total del diodo est constituida por el movimiento de huecos y electrones, y
bajo condiciones estacionarias tiene la misma intensidad en cualquier plano trasversal del
diodo. Si bien la intensidad total es constante, de la figura 4b puede observarse que las
intensidades de las corrientes componentes de huecos y electrones en las zonas neutras
varan en funcin de la distancia. Suponiendo que las corrientes de huecos y electrones tienen
intensidad constante en la zona de carga espacial (es decir no hay recombinacin en esta
zona), la intensidad total es simplemente la suma de la intensidad de la corriente de huecos
inyectados en la regin de tipo n y de la corriente de electrones inyectados en la regin de tipo
p como se indica en la figura 5a. Esto es:

I = A (J
h
+ J
e
) = A (J
h de borde
+ J
e de borde
)

Siendo A el rea de la seccin recta de la unin.

Figura 5a

Adems de las corrientes de portadores minoritarios mostradas en la figura 5a, hay
tambin corrientes de portadores mayoritarios. En la regin tipo p existe una corriente de
huecos dirigida del contacto a la unin, que proporciona tanto los huecos que luego de ser
transportados hasta la unin son inyectados como minoritarios a la regin tipo n como los
J
total
= J
e de borde
+ J
h de
borde

x
Movimiento de
electrones
Movimiento
de huecos
J
h
J
e

Densidad de corriente de
portadores minoritarios
J
e de borde

J
e

J
h de borde

Densidad de corriente de
portadores minoritarios
J
h

___________________________________________________________________________

7
necesarios para proveer la recombinacin de los electrones inyectados desde la regin tipo n.
En forma anloga, en la regin tipo n, los electrones van desde el contacto a la unin para
mantener la inyeccin de electrones en la regin de tipo p y alimentar la recombinacin en la
regin de tipo n.

Esta condicin se indica en la figura 5b, que compendia las distribuciones de corrientes
de huecos y electrones en un diodo de unin pn idealizado en condiciones de polarizacin
directa.

Figura 5b

Las intensidades de las corrientes de los portadores mayoritarios indicadas son
simplemente la diferencia entre la intensidad total constante y las intensidades de las
corrientes de portadores minoritarios de la figura 5a. En los puntos lejanos a la unin, toda la
corriente es virtualmente debida a los portadores mayoritarios. Es decir, cerca del contacto
terminal de la regin tipo p casi toda la corriente est formada por huecos, y cerca del contacto
en la regin tipo n casi toda la corriente es de electrones. Aunque la corriente est dirigida en
todas partes de la regin tipo p a la regin tipo n en el caso de polarizacin directa, los huecos
y electrones se mueven unos hacia otros desde los contactos hacia la unin, cerca de la cual
se recombinan.

Si la tensin aplicada es negativa en lugar de positiva, la altura de la barrera de
potencial aumenta, y el flujo de huecos hacia el interior de la regin de tipo n y el de electrones
hacia el interior de la regin de tipo p disminuyen. Sin embargo, los huecos portadores
minoritarios en la regin tipo n cerca de la unin pasan con facilidad la barrera de potencial
hacia el lado de tipo p. Del mismo modo, los electrones atraviesan la unin del lado de tipo p al
lado de tipo n. Estos movimientos de huecos y electrones son la causa de la corriente inversa.

Como consecuencia de la extraccin de huecos y electrones de las regiones donde son
portadores minoritarios, las concentraciones de portadores minoritarios quedan por debajo de
sus valores de equilibrio en los bordes de la zona de carga espacial como se indica en la figura
6a.

J
total
= J
e
+ J
h

Regin p
Zona de carga espacial
J
e
J
h

J
e
J
h

Regin n
p
n

x
p
no

n
po

p
p

n
p

n
n

log n, p
___________________________________________________________________________

8

Figura 6a

Debido a esta distribucin, los portadores minoritarios se mueven en las regiones
neutras hacia la unin para suplir los que la atraviesan. Los portadores minoritarios que
componen estas corrientes se generan trmicamente en las regiones prximas a la unin
donde las concentraciones han disminuido. Contrariamente a la situacin de polarizacin
directa, los huecos y electrones se alejan de la regin cercana a la unin, donde se generan, y
van hacia los contactos en los extremos del semiconductor. Es en consecuencia una corriente
de sentido inverso y de varios rdenes de magnitud menor que la directa.

En la figura 6b se muestra la distribucin de las densidades de corrientes para
polarizacin inversa

Figura 6b

2.- Tiempos de Conmutacin de Diodos Semiconductores

2.1. Polarizacin inversa - Capacidad de transicin

Si se aplica a una juntura una polarizacin inversa, se aumenta la barrera de potencial y
en consecuencia aumenta el ancho de la carga espacial.
J
total
= J
e
+ J
h

Regin p
Zona de carga espacial
J
h
J
e

J
h
J
e

Regin n
___________________________________________________________________________

9

Este aumento de carga con la tensin aplicada puede considerarse como un efecto de
capacidad. Se define como capacidad incremental C
T
a

dV
dQ
C
T
=

donde dQ es el incremento en la carga provocado por el cambio de tensin dV. Se desprende
que un cambio de la tensin dV en un tiempo dt da como resultado una corriente

dt dV C i
dt dQ i
T
/
/
=
=

C
T
se conoce con el nombre de capacidad de la regin de transicin, de la carga
espacial o de la barrera.

Esta capacidad es una funcin de la tensin inversa aplicada, como puede observarse en la
figura 7, donde se ha graficado la variacin de C
T
con la tensin inversa para el diodo 1N914.

Figura 7

La existencia de esta capacidad de transicin marca la primer diferencia entre un diodo
real y uno ideal. Si se pretende bloquear ondas rpidas o de alta frecuencia, mediante la
polarizacin inversa de un diodo, se debe tener en cuenta que si C
T
es lo bastante elevada, la
corriente que se ve frenada por la baja conductancia del diodo inversamente polarizado, puede
circular a travs de esta capacidad.

Cabe destacar que este efecto capacitivo en un diodo polarizado inversamente es un
fenmeno inherente a toda juntura inversamente polarizada. Se encuentra presente, y debe ser
debidamente considerada, en toda juntura operando en polarizacin inversa. Por ejemplo la
juntura colector-base en un transistor bipolar en zona activa o la juntura J
2
de un tiristor cortado
con polarizacin nodo-ctodo positiva. En particular, en este ltimo caso, la corriente que
circule por la misma debido a bruscas variaciones de la Vak, puede producir un encendido
indeseado, limitando en consecuencia la mxima dv/dt que soporta el tiristor.

5
15 25
0,8
2,4
4
CT
Tension
Inversa
___________________________________________________________________________

10
2.2 Tiempo de recuperacin directa

Si se aplica a un diodo un escaln de corriente I
F
de amplitud comparable o mayor que
la de rgimen como se indica en la figura 8a, la tensin sobre el diodo presenta un sobrepico
como se refleja en la figura 8b. Este efecto es debido a que inicialmente el diodo no acta
como un elemento de unin de difusin p-n sino como una resistencia al no haber
transcurrido an el tiempo necesario para que se produzca la distribucin de cargas de
rgimen estacionario

Por simplicidad, se supone que inicialmente el diodo no se encuentra polarizado en
sentido inverso, por lo que se desprecia el tiempo necesario para cargar la capacidad de
transicin o cualquier capacidad exterior en paralelo con el diodo.
Figura 8
Este fenmeno es fcilmente comprendido observando las graficas de las densidades
de portadores minoritarios a ambos lados de la juntura para condiciones estacionarias de
polarizacin inversa y directa. Estas grficas corresponden a las figuras 4a y 6a anteriores.
Grficas que por comodidad se han representado nuevamente en la fi 9.
i
If
Vd
Vd
a
b
c
___________________________________________________________________________

11

Figura 9

En un diodo con polarizacin inversa, figura 9a, solo circula la pequea corriente Io, ya
que nicamente los portadores minoritarios a cada lado de la unin tienen la polaridad correcta
para pasar la barrera de juntura. Lejos de la misma, la densidad de portadores minoritarios
queda inalterada. Cuando estos portadores se aproximan a la juntura, son rpidamente
pasados a travs de ella, reduciendo a cero la densidad de huecos y electrones en la unin.
La corriente que circula, Io, es pequea porque la cantidad de portadores generados
trmicamente tambin lo es.

Cuando se aplica polarizacin directa, el estado de equilibrio es ahora el
correspondiente a la figura 9b. Cerca de la juntura la densidad de portadores minoritarios es
grande. Estos han sido proporcionados por el otro lado de la unin donde son mayoritarios.
Con el tiempo y a medida que se alejan de la juntura, un mayor nmero de ellos se recombina
con los portadores mayoritarios, por lo que su densidad decrece al alejarse de la unin.

La densidad de los portadores mayoritarios, no indicada en la figura, es la misma que la
de los minoritarios para mantener la carga neta en el semiconductor.

En rgimen permanente, la corriente que circula por la juntura en sentido directo, es
una corriente de difusin debida al gradiente de concentracin de los portadores, y si la
corriente es lo suficientemente grande, hay tambin una cada hmica.
El sobrepulso en la cada directa de un diodo sometido a un escaln de corriente de
gran amplitud y bajo tiempo de crecimiento, se debe a que en el instante inicial la cada hmica
Juntura
Tipo n Tipo p
np
pn
pno
npo
Polarizacion
Inversa
Juntura
Tipo n Tipo p
n p
p n
p no
n po
Polarizacion
Directa
___________________________________________________________________________

12
es muy grande. En to
+
los huecos, por ejemplo, no han tenido tiempo de difundirse muy lejos
en el lado n para crear una densidad de portadores minoritarios. Excepto en las proximidades
de la unin, no habr carga minoritaria para establecer un gradiente de densidad, y en
consecuencia no podr haber corriente de difusin. Para conseguir la circulacin de corriente,
es preciso que un campo elctrico ejerza una fuerza sobre los portadores mayoritarios, campo
elctrico que da lugar a la cada hmica. Con el transcurso del tiempo, esta cada decrece al
poder establecerse la corriente de difusin.

De lo dicho anteriormente se desprende que el sobrepulso aumenta al disminuir el
tiempo de elevacin de la onda de corriente. Si la corriente aumenta lentamente existe difusin
de portadores minoritarios durante la elevacin de la corriente, obtenindose una respuesta en
el tiempo de la tensin directa sobre el diodo como la de la figura 8c.

Si se define el tiempo de recuperacin directa tfr, como el lapso que tarda la tensin en
el diodo en ir del 10% hasta el 90% del valor final y permanecer por sobre ste ltimo valor, se
obtienen valores tpicos del orden de las decenas de nanosegundos para escalones bruscos
de la corriente directa. Valor pequeo frente a otros tiempos de conmutacin que se
consideraran posteriormente.

Adems, el pequeo incremento de la cada directa del diodo en el instante de su
pasaje de corte a conduccin, es a los fines prcticos completamente despreciable y solo debe
considerrselo en aplicaciones especiales.

Como conclusin se puede observar que el comportamiento de un diodo real no difiere
en forma fundamental del de un diodo ideal en cuanto a su pasaje de corte a conduccin. Para
la mayora de las aplicaciones puede considerarse que cualquier diodo se comporta como
ideal, es decir con tfr=0.

2.3. Tiempo de recuperacin inversa

La principal limitacin en el uso de un diodo como llave se encuentra al pasar de la
condicin de conduccin a la de corte.
Figura 10
Si se somete un circuito como el de la figura 10a un escaln negativo de tensin como
el de la figura 10b, se obtienen las formas de onda de la figura 11.

a
b
Vi
Vo
Vi Vf
-Vr
___________________________________________________________________________

13
Inicialmente el diodo conduce en sentido directo una corriente I
F
= V
F
/R
L
, despreciando
V
D
frente a V
i
.

Figura 11

De la observacin de las curvas de la figura 11 se desprende que al invertirse bruscamente la
tensin de entrada, la corriente no cae a cero sino que adquiere el valor de I
R
= -V
R
/R durante
Io IF
-IR
pn - pno
Vd
ts tt Pol. Directa
___________________________________________________________________________

14
un tiempo ts, cayendo luego a I
0
al cabo de t
t
. La cada directa en el diodo permanece con igual
polaridad durante el tiempo t
s
y recin bloquea la tensin inversa una vez transcurridos los
tiempos t
s
+ t
t
.

Para justificar este funcionamiento es necesario volver a las grficas anteriores de
concentracin de portadores de la juntura.

Si repentinamente se desea bloquear un diodo que se encuentra conduciendo, la
corriente no se interrumpe hasta que la distribucin de portadores minoritarios sea la de la
figura 9a. Al invertirse la tensin de excitacin, el exceso de portadores minoritarios
acumulados en la juntura puede proveer portadores de la polaridad adecuada para establecer
la corriente que fija este nuevo valor de tensin. Corriente que circula hasta que la densidad de
portadores minoritarios inyectados en exceso p
n
-p
no
(o n
p
-n
po
) haya cado a cero.

El tiempo necesario para que la carga almacenada de portadores minoritarios llegue a
cero se denomina tiempo de almacenamiento t
s
.

Una vez eliminado el exceso de carga por sobre el valor de equilibrio, el diodo necesita
un tiempo adicional t
t
, tiempo de transicin, para recuperar su capacidad de bloqueo. Tiempo
requerido para que los portadores minoritarios que estn a alguna distancia de la unin se
hayan difundido hacia ella y la hayan cruzado, mas el necesario para cargar a la capacidad de
transicin presente en toda juntura inversamente polarizada hasta -V
R
a travs de R
L
.

Como inicialmente la concentracin de portadores vara poco, la cada de tensin sobre
el diodo V
D
tampoco se modifica, permaneciendo con polarizacin directa aunque la corriente
se haya invertido. Al cabo del tiempo t
s
los portadores minoritarios llegan a la condicin de
equilibrio, la tensin se invierte y se pasa a la distribucin correspondiente a tensiones
inversas. Luego de t
t
el diodo se ha recuperado completamente.

Como inicialmente la concentracin de portadores vara poco, la cada de tensin sobre
el diodo V
D
tampoco se modifica, permaneciendo con polarizacin directa aunque la corriente
se haya invertido. Al cabo del tiempo t
s
los portadores minoritarios llegan a la condicin de
equilibrio, la tensin se invierte y se pasa a la distribucin correspondiente a tensiones
inversas. Luego de t
t
el diodo se ha recuperado completamente.

En consecuencia, la suma de los tiempos de almacenamiento t
s
, y de transicin t
t
,
establecen el tiempo de recuperacin inversa t
rr
necesario para que un diodo recupere su
capacidad de bloqueo.

De lo expresado anteriormente se desprende que el comportamiento de un diodo real
en su pasaje de la condicin de conduccin a la de corte dista considerablemente del esperado
en un diodo ideal. Es necesario, en consecuencia, poder evaluar el orden de magnitud de los
tiempos involucrados y establecer de qu parmetros, tanto fsicos como circuitales, dependen
dichos tiempos.
Para establecer la expresin del tiempo de almacenamiento t
s
se utiliza el mtodo de
control de carga. El tiempo t
s
se debe a la existencia de exceso de carga en la unin. Si se
considera que en un cierto volumen de un semiconductor existe una carga en exceso de
portadores minoritarios Q
0
, y se interrumpe la corriente directa que produjo este exceso, esta
carga desaparecer en el tiempo hasta alcanzar la distribucin de equilibrio de portadores
minoritarios y mayoritarios. Si para los diodos de union pn, se considera que luego de
___________________________________________________________________________

15
establecido el exceso de carga se abre el circuito de circulacin de corriente, de modo que no
pueda por l circular ninguna corriente, ni directa ni inversa, la velocidad con que se produce la
recombinacin es una funcin directa del exceso de carga existente. Esto se debe a que la
probabilidad, dentro de un tiempo dado, de que un portador mayoritario encuentre a otro
minoritario con quien combinarse, decrece al disminuir el nmero de portadores minoritarios.

La consideracin anterior puede ser expresada matemticamente mediante la siguiente
ecuacin:

Q
T dt
dQ 1
=
(2.3.1)

donde la constante de proporcionalidad se expresa como 1/t, siendo t una constante con
dimensiones de tiempo, conocida como tiempo de vida medio de los portadores minoritarios. Si
se integra la expresin anterior con la condicin inicial de Q= Qo para t = 0 se obtiene

Q=Qo e
-t/t
.

La carga Q puede variar no slo por la recombinacin de las cargas, sino tambin por
introducir o eliminar carga del volumen por medio de una corriente que cruce la superficie de
dicho volumen. Si se denomina i (t), la corriente que entra en el volumen, la ecuacin
diferencial 2.3.1 debe reemplazarse por:

dQ/dt + Q / t = i (t) (2.3.2)

Expresin que pone de manifiesto que la variacin por unidad de tiempo del flujo
entrante, es igual a la velocidad a la que la carga almacenada aumenta, mas la necesaria para
compensar la que se pierde por recombinacin.

Si un diodo se encuentra en estado estacionario circulado en sentido directo por una
corriente constante I
F
, al no existir variacin de carga, la expresin 2.3.2 se reduce a

F
I
T
Q
=

La corriente I
F
suministra portadores minoritarios a la misma velocidad con que
desaparecen por recombinacin, quedando un exceso de carga neta:

Qo = t I
F

Si en t = 0 se pretende cortar a un diodo que se encuentre conduciendo, en t
0
+ circular
una corriente en sentido inverso I
R
,. Aplicando la expresin bsica del control de cargas 2.3.2
se obtiene:

R
I
T
Q
dt
dQ
= +

Resolviendo esta expresin con las condiciones iniciales de Q = Q
0
en t = 0, se obtiene
que la carga Q se hace cero en un tiempo t
s
dado por:
___________________________________________________________________________

16

ts = t ln ( 1 + I
F
/ I
R
) (2.3.3)

Como era de esperar, el tiempo de almacenamiento es una funcin directa de la
corriente directa circulante antes de la inversin de la tensin y una funcin inversa de la
magnitud de la corriente inversa luego de producido el escaln de entrada.

Cabe destacar que la expresin obtenida es solo vlida para una excitacin en escaln
de valor inicial V
F
y valor final V
R
. Para otras expresiones de i (t), debe resolverse la ecuacin
diferencial bsica del control de cargas, aplicando la correspondiente expresin de i (t).

El tiempo de vida medio de los portadores minoritarios t depende fundamentalmente
del mtodo de construccin del diodo semiconductor, adems de los valores de I
F
y de la
temperatura de operacin. Una variacin tpica de t con I
F
y la temperatura se indica en la
figura 12.

Figura 12

En caso de no disponerse de estos datos, una aproximacin razonable es considerar al t como
constante.

Para completar la evaluacin del tiempo de recuperacin inversa t
rr
resta el clculo del
tiempo de transicin t
t
. Este tiempo es el intervalo en que el cambio principal que se produce
en el diodo es la carga de su capacidad de transicin C
T
.

Como C
T
disminuye al aumentar la amplitud de la polarizacin inversa, ver figura 3, una
estimacin conservadora para el clculo de t
t
puede hacerse suponiendo que la capacidad de
transicin permanece constante en su valor mximo. De la figura 10, se desprende que la
constante de tiempo asociada con el intervalo de transicin es R
L
C
T
. Puede en consecuencia
estimarse el tiempo de transicin en 3R
L
C
T
.

2.4. Modelo equivalente del diodo en conduccin (FP)

Como acaba de establecerse, un diodo en el estado de conduccin presenta una
acumulacin de cargas, por lo que en condiciones de polarizacin directa, puede ser
representado mediante un modelo constituido por una resistencia en paralelo con un
condensador.

1,4
0,6
2,2
t
Normalizad
o
Ta
0
100
t = 5
nseg If = 10
ma, Ta = 25
C
___________________________________________________________________________

17
Al circular una corriente I
F
por el diodo, se almacena una carga Q y aparece una tensin
V. La corriente I
F
y la tensin V estn relacionadas por la ya conocida expresin:

I =Io (e
V/qVT
1)

La resistencia incluida en el modelo es la resistencia directa r
d
. La capacidad en
paralelo, que se incluye para representar el almacenamiento se denomina la capacidad de
difusin C
D
. Para que el circuito equivalente satisfaga la condicin que al caer la corriente en
un diodo a cero, la carga de portadores minoritarios en exceso decrezca con una constante de
tiempo invariable t, la relacin entre ambos debe satisfacer:

r
d
C
D
= t

Esta misma condicin puede obtenerse a partir de la ecuacin bsica del control de
carga para rgimen estacionario:

I
F
= Q
t

Derivando esta expresin::

dQ = t dI
dV dV

Como dI = r
d
, llamando C
D
= dQ debe ser C
D
= t g y t = C
D
r
d

dV dV

2.5. Limitacin de la exactitud del anlisis (FP)

En todo el estudio se ha supuesto que hay una correspondencia biunvoca entre la
corriente del diodo y la carga almacenada en exceso. Se ha despreciado el hecho de que en
realidad la corriente depende no slo de la carga almacenada sino de la forma en que la
misma est distribuida. Se ha supuesto adems que cuando el diodo pasa de polarizacin
directa a inversa, el exceso de portadores minoritarios se hace cero al mismo tiempo,
independientemente de la distancia de a la unin.

Esto es vlido si la corriente vara lentamente, pero no lo es en condiciones de
variaciones bruscas de corriente. En este caso, al producirse la inversin, los portadores
minoritarios en exceso volvern a atravesar la unin de retornando a la capa de la que
proceden, pero los que se hallan lejos de la unin metalrgica debern primero difundirse
antes de poder ser eliminados. Por tanto puede que el exceso de carga se haga cero, o,
incluso invierta su signo en la unin, mientras que lejos de ella esta diferencia sea todava
positiva. Una solucin exacta del problema exige la solucin de la ecuacin de difusin que
controla el flujo de los portadores minoritarios. Sin embargo, el anlisis realizado, satisface la
comprensin del fenmeno dentro de aproximaciones razonables.

2.6. Compensacin de carga para hacer mnimo el tiempo de almacenamiento (FP)

___________________________________________________________________________

18
En un circuito como el de la figura 13a, excitado por una onda de entrada como la de la figura
13b, se obtiene una tensin de salida como la representada en la figura 13c. El
comportamiento deseado sera, en cambio, el de la figura 13 d.
Figura 13
En el apartado 2.4. se determin que un diodo en conduccin puede representarse por
un modelo equivalente formado por una capacidad C
D
en paralelo con la resistencia directa rd.
Aplicando este modelo al circuito de la figura 13a, se obtiene durante el estado de conduccin,
el circuito de la figura 14.

a
b
Vi
Vo
Vi Vf
-Vr
c
d
Vo
Vo
Vf
-Vr
Vf
ts
Vi
Vo
R
Rd
Cd
___________________________________________________________________________

19

Figura 14

De la observacin de este modelo se extrae que si se desea que el escaln de entrada
pase sin deformacin a la salida, basta con colocar un condensador C de valor adecuado en
paralelo con R
L
, implementando as un atenuador compensado.

Si se considera que la resistencia de fuente es cero, al producirse la inversin de la
entrada, circula un impulso de corriente por el camino serie constituido por las capacidades de
compensacin y de difusin. Impulso de corriente que elimina la carga almacenada en el diodo
y provocar un escaln de tensin en la capacidad de compensacin de valor:

AVo =AQ / C (2.6.1)

C
D
slo puede entregar el exceso de carga, pues eliminada sta, el diodo se corta
recuperando su capacidad de bloqueo de tensiones inversas. El AQ de la expresin anterior es
la acumulada en el diodo.

Si por l circula:

I
F
=V
F
/ R

de la expresin general del control de cargas en estado estacionario dQ/dt = 0 se obtiene:

I
F
=Q / t

reemplazando:

Q =t V
F
/ R

Si se desea entonces que el circuito quede compensado, obteniendo una salida como la
de la figura 13d, la eliminacin de Q debe producir a la salida un AVo = V
F

Remplazando los valores de AVo y AQo en la ecuacin 2.6.1 se obtiene:

V
F
=t V
F
/ RC y t =RC

Se desprende de esta ltima expresin que para que el circuito quede compensado, la
constante de tiempo constituida por la resistencia de carga y el condensador de compensacin
debe ser igual al t, tiempo de vida medio de los portadores minoritarios del diodo
semiconductor utilizado.

De la ecuacin 2.6.1 se desprende que si el condensador de compensacin es mayor
que el necesario para compensar el circuito, para igual Q en el diodo, el escaln de tensin a la
salida es menor y la salida tiene una forma con la indicada en la figura15a. En este caso, el
exceso de carga es eliminado en forma instantnea produciendo un determinado escaln AVo,
a partir de la cual la salida cae a cero con su propia constante de tiempo RC.

___________________________________________________________________________

20
Un condensador menor que el de compensacin produce una salida como la indicada
en la figura 15b.

Figura 15

Si se contina disminuyendo el valor del condensador de compensacin, el salto en la
tensin de salida contina aumentando. El mayor cambio posible en Vo es V
F
+ V
R
, y la
correspondiente carga mxima transferida al condensador es C (V
F
+V
R
). Si se desea eliminar
toda la carga almacenada Q, es preciso que

C (V
F
+V
R
) >=Q =t I
F
=t V
F
/ R

O que el condensador satisfaga

C >=t V
F
/ R (V
F
+V
R
)

Si no se satisface la ecuacin 2.6.1, la onda de salida tiene un aspecto como el de la
figura 16. Como la carga almacenada no ha sido eliminada completamente para to
+
el diodo
permanece conduciendo y Vo = Vi = - V
R

Vo
Vo
a
b
___________________________________________________________________________

21

Figura 16

La carga que permanece en el diodo es

t I
F
C (V
F
+V
R
) =Q
1

Una corriente directa I
F
1
mantendra esta carga en el diodo, si se elige I
F
1
de modo que
t I
F
1
=Q
1

I
F

1
=I
F
C (V
F
+V
R
) / t

Puede ahora calcularse el tiempo ts de la figura 16, empleando I
F
1
en vez de I
F
en la
ecuacin 2.3.3. Despus del intervalo ts, el diodo resulta en circuito abierto y la tensin Vo cae
a cero con la constante de tiempo RC.

Todo lo expresado anteriormente fue desarrollado bajo la premisa de resistencia de
fuente nula. En los circuitos reales la presencia de esta resistencia hace imposible la
circulacin de impulsos de corriente, y en consecuencia la compensacin obtenida se aparta
de la ideal en la medida que la resistencia de fuente aumenta.

Vo
Vf
ts
___________________________________________________________________________

22
3.- Tiempo de conmutacin de Transistores Bipolares

En asignaturas anteriores, se han definido las caractersticas estticas de los estados
de conduccin y corte de los transistores bipolares. Para aplicaciones de potencia, es
indispensable el perfecto conocimiento de las caractersticas dinmicas de las transiciones
tanto de conduccin a corte como a la inversa.

El objetivo de esta seccin es definir todos los tiempos involucrados en la conmutacin
de transistores bipolares de potencia, determinar los parmetros de los que dependen para
poder as optimizarlos, y finalmente extraer conclusiones sobre las ventajas y desventajas de
su utilizacin en aplicaciones de potencia.

3.1.- Definicin de los Tiempos de Conmutacin

El circuito de la figura 17 representa un transistor en configuracin emisor comn que
se utiliza como llave mediante la aplicacin de la excitacin Vi. Seal que conmuta entre los
niveles de tensin V
2
y V
1,
provocando respectivamente el corte y la saturacin del transistor.
Figura 17

Si el transistor fuese un interruptor ideal, la forma de onda de la corriente de colector
debera reproducir la excursin positiva de la forma de onda de entrada. Sin embargo, si se
visualiza en un osciloscopio la forma de onda de la corriente de colector de un transistor bipolar
real, excitado por una tensin de entrada como la planteada, se obtiene el resultado de la
figura 18.

De la forma de la corriente de colector graficada, se observa que a partir del instante t
1

en que se excita la base del transistor con una tensin suficiente para saturarlo, se necesita un
lapso para que el transistor comience a conducir. Se define como tiempo de retardo td, al lapso
requerido para que la corriente de colector alcance el 10% del valor final, medido a partir del
instante que se produce el escaln positivo en la excitacin de base.

Luego de transcurrido el tiempo td el transistor ya se encuentra en conduccin, pero se
necesita otro lapso para que su corriente de colector evolucione del 10 al 90% de I
CS
, intervalo
definido como el tiempo de crecimiento tr.
Vi
t
V2
V1
Vi
Vcc
RB
RC
___________________________________________________________________________

23
Figura 18

Luego de transcurrido el tiempo td el transistor ya se encuentra en conduccin, pero se
necesita otro lapso para que su corriente de colector evolucione del 10 al 90% de I
CS
, intervalo
definido como el tiempo de crecimiento tr.

La suma de estos dos tiempos previamente definido establecen el tiempo de
conduccin:

t cond =td +tr
Vi
Ic
IB
V2
V1
0,9Ics
0,1 Ics
V1/RB
V2/RB
t
t
t
t1 t2
Ics
td tr ts
tf
___________________________________________________________________________

24
En el proceso inverso correspondiente al pasaje al corte, se observa que nuevamente el
transistor no responde en forma inmediata a la excitacin de base que pretende cortarlo, sino
que se necesita un tiempo ts, denominado tiempo de almacenamiento, para que la corriente
decerzca al 90 % de Ics.

Finalmente, se necesita que transcurra el tiempo de cada tf, para que la corriente de
colector alcance el 10% I
CS .

El tiempo de corte se encuentra constitudo por estos dos ltimos tiempo:.

t corte =ts +tf

Los cuatro tiempos definidos caracterizan la conmutacin de los transistores bipolares,
y deben ser estudiados individualmente para determinar su dependencia de la distribucin de
portadores en la juntura y posteriormente hallar expresiones analticas que permitan evaluar su
duracin.

La notacin elegida, mantenido como subndice la primer letra de la palabra inglesa
correspondiente, no es arbitraria, sino que se ha adoptado por ser la usual en la bibliografa y
la normalmente utilizada en los manuales.

3.2.- Distribucin de portadores y tiempos de conmutacin

Caracterizados los tiempos de conmutacin, para lograr el segundo objetivo del
presente apunte, consistente en la caracterizacin de los tiempos de conmutacin de los
transistores de potencia, es conveniente un breve repaso de las caractersticas fsicas del
dispositivo en estudio. Una vez comprendidas las causas del fenmeno es posible determinar
las expresiones matemticas que fijan su duracin.

Cuando un transistor npn se encuentra en zona activa, circula una corriente a travs de
la juntura base-emisor, corriente compuesta casi enteramente por electrones provenientes del
emisor. La corriente a travs de esta juntura debido a huecos en la base que penetren en el
emisor, es prcticamente despreciable, debido a que el dopado del emisor es
significativamente mayor que el dopado de la base.

Como la juntura base-emisor se encuentra directamente polarizada, los electrones
ingresados en la base son transportados a travs de ella por difusin, para establecer luego la
corriente de colector. Esta corriente de difusin es a su vez, proporcional a la pendiente de la
densidad de portadores en funcin de la distancia. Para una polarizacin dada,
correspondiente a una corriente de colector constante, la grfica de densidad de portadores en
funcin de la distancia a travs de la base ser en consecuencia una lnea recta como se
indica en la figura 19a.

Cuando cada electrn alcanza la juntura base-colector es inmediatamente pasado a
travs de la misma, ya que con el transistor en Zona Activa esta juntura se encuentra
inversamente polarizada. En consecuencia, en la juntura de colector, la densidad de electrones
es cero.

___________________________________________________________________________

25

Figura 19

Realmente la corriente de colector es ligeramente inferior a la de emisor debido a que
existe una pequea pero progresiva prdida de electrones al cruzar la base debido a su
recombinacin con huecos. En consecuencia la corriente decrece ligeramente al incrementarse
la distancia, por lo que la grfica anterior debera presentar una pequea concavidad, que por
simplicidad no se ha representado en la figura.

El rea bajo el grfico de densidad de electrones es el exceso total de portadores
minoritarios en la base, Q
B
, para una condicin de operacin dada.

Si se pasa a una condicin de mayor conduccin, siempre en Zona Activa, debe
aumentar la pendiente de la grfica de densidad de electrones. Para el caso particular de
haber alcanzado el lmite de saturacin, determinado por la fuente de alimentacin V
CC
y la
resistencia de carga R
C,
se obtiene una situacin como la de la figura 19b, donde se ha
llamado Q
BA
al total del exceso de carga en la base para la condicin de operacin del
transistor en el lmite entre Zona Activa y saturacin.

Si a partir de esta situacin se aumenta la excitacin de base, el transistor entra en
saturacin. Como para alcanzar esta situacin, se ha debido aumentar externamente la
polarizacin de la juntura base-emisor, esto implica que se ha incrementado tambin el
nmero de electrones inyectados a la base desde el emisor. Esto significa una grfica tal como
la indicada como normal (N) en la figura 19c.

Sin embargo, la corriente total a travs de la base, y que es registrada como corriente
de colector, est limitada a V
CC
/R
C
. Esta limitacin de corriente, a pesar del aumento de
polarizacin de base, se establece en virtud que en saturacin la juntura de colector est
directamente polarizada. En consecuencia hay una inyeccin de electrones, que podemos
llamar inversa, desde el colector hacia la base, que corresponde a la grfica inversa (I) en la
figura 19c.

La suma de las inyecciones normal e inversa dan una distribucin como la figura 19d.
Como la corriente a travs de la base, es constante a partir de que el transistor entra en
saturacin, las pendientes en las figuras 19b y 19d sern iguales.
Base
Densidad
de
Electrones
QB QBA
N
I
QBA
QBS
E C
E C E C
E C
(a)
(b) (c) (d)
___________________________________________________________________________

26
Se observa en la figura 19d que el exceso de carga acumulada de portadores
minoritarios consiste en una carga de saturacin uniforme Q
BS,
la que no contribuye a la
corriente, y una carga Q
BA
, la que establece el gradiente de densidad necesario para mantener
la circulacin de corriente por difusin a travs de la base.

Basado en el comportamiento fsico del dispositivo, se pueden entender los
mecanismos por los cuales se producen los retardos antes definidos en el encendido y
apagado de los transistores bipolares.

Si un transistor se encuentra cortado, ambas junturas estan inversamente polarizadas y
el exceso de portadores minoritarios en la base es cero. Al excitarlo, el tiempo de retardo es el
necesario para cargar las capacidades de transicin de las junturas colector-base mas el
requerido para que las tensiones en las junturas alcancen el nivel necesario para que el
transistor comience a conducir. A partir de all es necesario que transcurra el tiempo de
crecimiento tr para que se establezca el exceso de carga Q
BA.

Una vez saturado, al pretender cortarlo, lo primero que debe ocurrir es la eliminacin
del exceso de carga Q
BS
. Durante el intervalo que esta carga es eliminada, la corriente de
colector no disminuye, correspondiendo al tiempo ts. Finalmente, durante el tiempo tf, se
eliminar la carga Q
BA
y la corriente de colector cae a cero.

3.3.- Determinacin de los tiempos de conmutacin (FP)

Establecidos los tiempos que definen la conmutacin de un transistor, y comprendidos
los mecanismos fsicos que los provocan, se hace necesario poder evaluarlos as como
determinar de qu parmetros dependen para su posterior optimizacin en aplicaciones reales.

Para este propsito se pueden utilizar dos mtodos, la de aproximacin del circuito
equivalente o el mtodo de control de cargas ya utilizado para la evaluacin de los tiempos de
conmutacin de diodos.

El mtodo del control de cargas, tiene como ventaja estar estrechamente vinculado con
el comportamiento fsico del dispositivo e independizar de la variacin de los parmetros de los
modelos al tratar slo con cambios absolutos de carga durante el intervalo de tiempo
determinado por los lmites de integracin, sin importar la forma en que se produce este
cambio.

Sin embargo, en el presente anlisis se utiliza el mtodo de la aproximacin del circuito
equivalente por haber sido estos modelos ampliamente estudiados en asignaturas anteriores y
permitir una ms clara visualizacin de los factores determinantes de dichos tiempos, lo que
contribuye a una fijacin ms clara del tema en estudio.

Se deja el mtodo del control de cargas solo para la determinacin del tiempo de
almacenamiento, donde el uso del mtodo del modelo equivalente no trae aparejadas las
ventajas antes mencionadas.

3.3.1. Tiempo de retardo (FP)
___________________________________________________________________________

27

Tal como fue definido, deben diferenciarse los dos factores que contribuyen al tiempo
de retardo.

En primer lugar, existe un retardo debido a que cuando se aplica la seal de excitacin
a la entrada del transistor, es preciso un tiempo finito para cargar las capacidades de la unin,
de modo que el transistor puede pasar del corte a la regin activa. Llegado a esta situacin,
donde el transistor ingresa en la regin activa, se precisa un tiempo adicional para que la
corriente de colector se eleve al 10% de su valor mximo.

Durante el primer intervalo de tiempo que denominaremos td
1
, el transistor se encuentra
al corte, las dos junturas estn polarizadas en sentido inverso y no hay corriente de colector. El
escaln de corriente de base debe modificar las tensiones de las capacidades de transicin C
ib

y C
ob
de las junturas de emisor y colector respectivamente, de los valores de corte a los que
justamente hacen conducir al transistor.

La capacidad C
ib
que se hallaba cargada a la tensin V
2
debe pasar a valer V, tensin
de arranque del transistor, para que la juntura base-emisor comience a conducir.
Anlogamente, la juntura C-B que se encontraba a V
CC
-V
2
debe pasar a cargarse a V
CC
-V.
Como en esta zona, la tensin de colector no cambia, se puede considerar ambas capacidades
en paralelo para seal.

Se puede evaluar al primer componente del tiempo de retardo td
1
:

Vc =Vf +(Vi Vf) e
t/t

La capacidad total C
ie
+C
ob
se carga partiendo de V
2
y tendiendo hacia V
1
.

V =V1 +(V2 V1) e
td1/t

Con una constante de tiempo dada por

td =Rs (Cib +Cob)

Por lo que resulta

td1 =Rs (Cib +Cob) ln V1 V2 / V1 V

td1 es muy pequeo para grandes valores de V
1
frente a V
2
y V,, o si inicialmente el
transitor no se encuentra muy lejos en la regin de corte (V
2
~ V). Estas dos conclusiones se
derivan directamente de la ecuacin anterior y son exactamente lo que caba esperar del
comportamiento fsico del dispositivo

La limitacin antes mencionada con respecto a la variacin de los valores de los
parmetros del modelo, se ve reflejada en que C
ib
y C
ob
, por ser capacidades de transicin, no
son constantes sino que dependen de la tensin de polarizacin inversa tal como se indica en
la figura 20.
___________________________________________________________________________

28
Figura 20

El valor de td puede calcularse en forma exacta mediante integracin grfica, pero no
se justifica debido a la gran variabilidad de los parmetros de los transistores. Es preferible
calcular el orden de magnitud de este tiempo utilizando un valor tpico o realizar un clculo del
peor caso.

Para completar la estimacin del tiempo de retardo, se debe evaluar un segundo
componente que denominaremos td2.

Durante este tiempo las condiciones de trabajo del transistor ya han cambiado pues el
transistor se encuentra en zona activa. De asignaturas anteriores, es conocido que la
respuesta de una etapa a transistor excitado por una fuente resistiva y que acta sobre una
carga tambin resistiva, es la de un circuito para bajo con una constante de tiempo dominante
tr de valor

tr =rbe (Ce +Cc (1 +gm RL))

Esta constante de tiempo se deduce a partir del modelo equivalente y aplicando el
teorema de Miller como se indica en la figura 21.
Figura 21
C
20 pF
Cob
Cib
10 V
V
rbb
rbe
Ce
rbc
Cc
gm vbe rbc RL
rbb
rbe Ce Cc (1+gm RL) gm vbe RL
Cc gmRl+1/
gmRl
Modelo Equivalente
aplicando Miller
Modelo Equivalente
___________________________________________________________________________

29
Si en el circuito emisor comn en estudio se satisface que:

Rs >>rbe

se obtiene I
B1
= (V
1 -
V1) / R
S ,
y la evolucin de la corriente de colector es:

ic =hFE Ib1 (1 e
t/tr
)

Corriente que tiende a crecer exponencialmente al valor de h
FE
I
B1
como se indica en la figura
22. Sin embargo, como el transistor satura cuando I
C
=Vcc/Rc el valor de la corriente de
colector se estabiliza en este valor mximo.
Figura 22

De la expresin anterior de la corriente de colector se puede deducir la expresin de
td2.

0,1 Ics =hFE Ib1 (1 e
td2/tr
)
td2 =tr ln 1 / 1 (0,1 Ics / hFE Ib1)

Definiendo N1, factor de sobrexcitacin como

N1 =hFE Ib1 / Ics

se puede rescribir la expresin anterior como:

td2 =tr ln 1 / 1 (0,1 / N1)

N1 recibe este nombre porque si I
CS
/h
FE
es la mnima corriente para saturar a un
transistor, N1 indica cuantas veces mayor es la corriente de base que se inyecta con respecto
a la que lleva el transistor justo a saturacin.

Este segundo componente del tiempo de retardo depende en consecuencia tanto del
transistor en s a travs de la capacidad colector-base multiplicada por la conductancia gm,
hfe IB1
Ics
0,9 Ics
0,1 Ics
Ic
tr
t
___________________________________________________________________________

30
como del circuito de carga, R
L
y de la excitacin de base mediante el factor de sobrexcitacin
N1.

Para ser estrictos, existe un tercer tiempo de retardo que es el producido por el tiempo
finito que transcurre a partir de que el transistor ha llegado al punto en que los portadores han
comenzado a atravesar la juntura b-e hasta que lleguen a la juntura de colector y sean
registrados como corriente de colector. Este tiempo es una funcin de cada transistor y por lo
general es despreciable.

3.3.2 Tiempo de crecimiento (FP)

Para el clculo de este tiempo se procede en forma anloga que para el clculo de td
2
,
ya que el transistor permanece en zona activa. La siguiente expresin contina siendo vlida:

ic =h
FE
Ib
1
(1 e
t/tr
)

Remplazando:

0,9 Ics =h
FE
Ib
1
(1 e
t 0,9 /tr
)

tr =t
0,9
t
d2
=tr ln ((1 0,1 / N1) / (1 0,9 / N1))

Valen para el tiempo de crecimiento tr las mismas consideraciones que para la segunda
componente del tiempo de retardo td
2
.

3.3.3 Tiempo de almacenamiento (FP)

Durante la mayora del tiempo de almacenamiento el transistor se encuentra saturado.
Para hallar su duracin utilizando el mtodo de la aproximacin del modelo equivalente debe
usarse un modelo vlido en esta regin. El nico modelo vlido para todas las zonas de
operacin del transistor es el de EBERS y MOLL. Deducir la duracin del tiempo ts utilizndo
este modelo implica un desarrollo matemtico que se aleja de la asociacin directa entre
tiempo de conmutacin y parmetros fsicos del transistor. Por este motivo, se utiliza el mtodo
de control de carga para la deduccin de ts.

La ecuacin bsica del concepto de control de carga es la ecuacin de continuidad:

I =dQ/dt +q/t

Aplicando la ecuacin de continuidad al transistor se encuentra que la corriente de
entrada debe proveer seis componentes:

- La corriente debida a la variacin de la carga activa de base Q
BA
.
- La corriente debida a la recombinacin de la carga activa de base con un tiempo de vida
medio t
a
.
- La corriente debida a la variacin del exceso de carga de base Q
BS
.
- La corriente debida a la recombinacin del exceso de carga con un t
s
.
- La corriente requerida para cargar la C
ib.

___________________________________________________________________________

31
- Corriente requerida para cargar la C
ob.

Expresado matemticamente:

Ib =Q
BA
/ta +dQ
BA
/dt +Q
BS
/ts +dQ
BS
/dt +Cib dVbe/dt +Cob dVcb/dt (3.3.3.1)

Como las tensiones a travs de las junturas del transistor son constantes durante ts, no
se deben considerar los efectos de Cib y Cob.

Adems, como la corriente de colector no cambia durante ts, tampoco haba variacin
en la carga Q
BA
.

Eliminando los trminos iguales a cero en la expresin anterior se obtiene:

Ib =Q
BA
/ta + Q
BS
/ts +dQ
BS
/dt (3.3.3.2)

El trmino Q
BA
/ ta = I
BA
, es la corriente de base que lleva al transistor justo al borde de
saturacin. Esta expresin se deduce de aplicar la ecuacin 3.3.3.1 a una condicin estable
como la de la figura 19b. En esta condicin slo el primer trmino de 3.3.3.2 es distinto de cero

Tomando t=0, como el instante en que se invierte la corriente de base, en t=0
-
la
ecuacin 3.3.3.2 queda expresada por:

IB
1
=I
BA
+Q
BS
/ ts

por lo tanto:

Q
BS
=ts (IB
1
I
BA
) (3.3.3.3)

A partir de este instante, se invierete la tensin de entrada y la corriente de base es IB
2
. La
ecuacin 3.3.3.2 se expresa por

IB
2
=I
BA
+Q
BS
/ ts +dQ
BS
/dt (3.3.3.4)

Resolviendo la ecuacin diferencial 3.3.3.4 con la condicin inicial dada por 3.3.3.3 se
puede calcular el tiempo que tarda la Q
BS
en desaparecer. Intervalo que establece el primer
componente del tiempo de almacenamiento, denominado ts
1

ts1 =ts ln ((IB
1
IB
2
) / (I
BA
IB
2
))

El tiempo ts
1
obtenido es el primer componente del tiempo de almacenamiento. Por
definicin el tiempo ts se debe calcular hasta el instante que la corriente de colector ha
decrecido al 90% de su valor de saturacin. El tiempo requerido para alcanzar este valor a
partir que el exceso de carga Q
BS
se hace cero, constituye el tiempo td2, segundo componente
del tiempo de almacenamiento.

Una vez concluido el tiempo ts
1
el transistor se encuentra nuevamente en zona activa.,
por lo que es vlido el modelo utilizado para el clculo del tiempo de crecimiento tr.

___________________________________________________________________________

32
La corriente de colector decrece a partir de I
CS
y tendera exponencialmente al valor de -
h
FE
I
B2
si el transistor se comportara como un elemento lineal, sin estado de corte.

Esta corriente de base I
B2
que se aplica para llevar al transistor al corte, es una
corriente inversa que persiste hasta que la corriente de colector ha llegado a cero.

Si en correspondencia con el factor de sobrexcitacin N1 se definine un nuevo factor N2
tal que:

N2 =- hFE IB2 / ICs

Se obtiene la segunda componente del tiempo de almacenamiento ts
2.

ts2 =tr ln ((1 +1/N2) / (1 +0,9/N2))

Como conclusin, de las expresiones de ts
1
y ts
2
, se puede apreciar que si se desea
reducir el tiempo de almacenamiento t
s
se debe utilizar una fuerte excitacin de base en
sentido inverso IB
2
>> IB
1
y IB
2
>> I
BA
o bien saturar slo ligeramente al transistor con IB
1
~
I
BA

3.3.4 Tiempo de cada (FP)

Al igual que para el clculo del segundo componente del tiempo de almacenamiento, el
tiempo de cada se obtiene a partir del decrecimiento exponencial de la corriente de colector
desde I
CS
hacia - h
FE
I
B2.

Basta con calcular el tiempo necesario para que la corriente de colector vare entre el
90% y el 10% de I
CS
, resultando:

tf = tr ln ((1 + 0,9/N2) / (1 + 0,1/N1))

Nuevamente una mayor corriente inversa acorta el tiempo de cada del mismo modo
que acorta el de almacenamiento.

___________________________________________________________________________

33
4.- Tiempos de Conmutacin de Transistores MOSFET de Potencia

4.1.- Capacidades de los MOSFET

La estructura fsica de los MOSFETs determina la existencia de capacidades entre sus
terminales. La estructura Metal-Oxido del gate, determina la existencia de las capacidades C
GD

y C
GS
ente el terminal de gate y el canal. La juntura pn resultante del proceso de formacin del
MOSFET fija un valor de capacidad C
DS
entre los terminales de drain y source.

Las primeras, resultantes de la separacin del canal de la metalizacin de gate por una
capa de dielctrico de dixido de silicio son de un valor superior al presentado por C
DS
,
capacidad de transicin asociada a la operacin en polarizacin inversa de una juntura pn.

Figura 23

Al igual que en los JFET, en las hojas de datos estas capacidades se especifican como
de entrada, salida y de transferencia inversa, de acuerdo a las respectiva siguiente
nomenclatura

Ciss Capacidad de entrada medida entre los terminales de gate-source con el terminal de
drain cortocircuitado para seal con el source.
Coss Capacidad de salida mediada entre los terminales de drain-source con el terminal de
gate cortocircuitado para seal con el source.
Crss Capacidad de transferencia inversa, medido entre los terminales de drain-gate con el
terminal de source conectado al terminal de guardia.

De acuerdo a las definiciones precedentes resulta:

Ciss = C
GS
+ C
GD

Coss = C
DG
+ C
DS

Crss = C
GD

De los dos tipos de capacidades intrnsecamente asociadas con los MOSFET,
normalmente las asociadas con su estructura (compuerta-dielctrico-canal) son mayores que
las asociadas con la juntura pn (C
DS
) por lo qu sta es mucho menor que C
GD
, resultando una
capacidad de salida prcticamente igual a C
GD
.
G
D
S
B
C
DS
C
GS
C
GD
___________________________________________________________________________

34

En cuanto a la capacidad gate-drain, por ser la que establece un vnculo capacitivo
entre la salida y la entrada, generalmente se utiliza en los manuales la denominacin de
capacidad inversa Crss, siendo esta denominacin mas usual que C
GD
.

Tradicionalmente, los fabricantes provn informacin sobre estas capacidades
mediante curvas como las de la figura 24.
Figura 24

Estas curvas, si bien brindan importante informacin sobre los valores de las
capacidades de los MOSFETs, puede ser malinterpretadas si se omite considerar que en la
grfica anterior, las capacidades se encuentran solo referidas a la tensin V
DS,
con tensin
gate-source igual a cero, y no a la tensin a que se encuentra realmente sometida cada
capacidad. La informacin de la figura 24 es congruente para Coss, al estar graficada en
funcin de V
DS
con V
GS
= 0, pero no para determinar los valores de Ciss y Crss en los distintos
estados por los que pasa un MOSFET al conmutar entre conduccin y corte y viceversa.

A modo de ejemplo, si se analiza la variacin de tensiones a que se ve sometida Crss
durante la conmutacin, puede comprobarse que con el MOSFET cortado (V
GS
~ 0), su tensin
es una tensin positiva V
DG
~ V
CC
, ya que V
DS
= V
CC
y V
GS
~ 0. En cambio, cuando el
dispositivo se encuentre en plena conduccin con la V
GS
necesaria para asegurarla (V
GS
> V
T
),
la situacin es diametralmente opuesta pues V
DG
~ 0, por lo que V
DG
= V
DS (ON)
- V
GS(ON)
< 0.

En consecuencia, sin disponer de informacin de los valores de las capacidades para
tensiones V
DG
negativas no puede evaluarse el comportamiento de los MOSFET en
conmutacin. A este efecto los fabricantes completan la informacin brindada por curvas como
de la figura 24 con la contenida en curvas como las de la figura 25.

Las variables utilizadas en la absisa, as como las condiciones de medicin V
GS
= 0 y
V
DS
= 0, reflejan las condiciones para generar las dos secciones de las curvas de la figura.
5 15 25 10 20
V
DS
(V)
C (pF)
2000
Ciss
Coss
Crss
T = 25 C
V
GS
= 0
___________________________________________________________________________

35
Fifura 25

Estas curvas reflejan la gran diferencia de valores de capacidad segn exista o no canal
formado en el MOSFET. Su establecimiento permite que existan portadores para establecer la
conduccin y en consecuencia las capacidad asociadas con la estructura compuerta-
dielctrico-canal aumentan varios rdenes de magnitud. Se puede verificar que Crss, que
como toda capacidad que vincula la salida con la entrada, juega un papel fundamental en los
tiempos de conmutacin, pasa de valer 50 pF cuando el MOSFET se encuentra cortado a mas
de 3300 pF al conducir.

4.2.- Tiempos de conmutacin de los MOSFET

En la figura 26, se ha graficado un circuito donde un transistor MOS canal n pasa del
estado de corte al de conduccin y viceversa al ser excitado por una fuente V
GG
. Como
resultado de esta excitacin, se han representado las formas de onda de gate y drain
resultantes en la figura 27.

Dado que los MOSFET son dispositivos comandados por tensin y no por corriente,
debe tenerse en cuenta para la conmutacin cmo se cargan y descargan todas sus
capacidades, considerando como se van modificando sus valores al pasar el MOSFET por los
diferentes estados de conduccin
Figura 26

VGS/VGD (V)
C (pF)
CGS
CGD
10 20
VDD
VGG
Rl
Ri
___________________________________________________________________________

36

Figura 27

En t=0 se aplica V
GG
al MOS que se encuentraba cortado con V
GS
=0 y V
GD
=V
DD
, valores
a los cuales estn cargados C
GS
y C
GD,
El MOS permanece sin conducir el tiempo T
1
necesario
para cargar la capacidad de entrada a V
T
. Transcurrido T
1
las capacidades quedan cargadas
segn se indica en la figura 28. Durante este intervalo, la capacidad de entrada es
Ci=Cgs+Cgd. Por no haberse an establecido el canal, de la figura 25 puede observarse que
sus valores son bajos

Concluido el tiempo T
1
el MOS comienza a conducir y su tensin V
DS
disminuye. El
MOS se encuentra ya en zona activa, y durante T
2
su capacidad de entrada se ve afectada por
el efecto Miller, Ci=Cgs+(1+A)Cgd. Debe tenerse en cuenta que la capacidad de entrada se ve
incrementada no solo por el efecto Miller, sino por el incremento propio de Cgs y Cgd cuando
V
GD
/V
GS
> V
T
como se indica en la figura 25.

T1 T2 T3
T4 T5 T6
VDS
VGS
VGG
Regiones: I
II
III
t = 0
Vg1
Vg2
Vg1 = VT
Vg2 si DVDS = 0
VDD
___________________________________________________________________________

37
Figura 28

Al final de T
2
, y suponiendo V
DS
= 0,5V, las capacidades del MOS se encuentran
cargadas a los valores indicados en la figura 29.
Figura 29

La variacin de C
GD
con la tensin drain-source durante T
2
se ve reflejada en la curva
de V
GS
de la figura 27, la que inicialmente presenta una pendiente elevada, para disminuir
paulatinamente a medida que V
DS
tiende a su valor mnimo.

Llegado a esta condicin el MOS est saturado. No hay ms cambios en V
DS
o I
DS
, no
hay en consecuencia efecto Miller y la capacidad de entrada Ci=Cgs+Cgd termina de cargarse
a su valor final. La Ci durante T
3
es mayor que durante T
1
debido al aumento de C
GS
y C
GD
al
encontrarse el MOS en conduccin.

El proceso de apagado es similar. Durante el tiempo T
4
el MOS est completamente
conductivo, no hay variacin de V
DS
ni efecto Miller y se elimina el exceso de carga de Ci.

Durante T
5
el MOS comienza nuevamente a funcionar como un integrador Miller. La
salida vara lentamente hasta que la capacidad de Miller disminuye, luego sta vara ms
rpidamente hasta que finalmente el MOS llega al estado de OFF.

En T
6
el MOS ya est cortado y la capacidad de entrada termina de descargarse.

Sobre la curva V
DS
pueden definirse los tiempos de conmutacin de un MOSFET. Se
define un tiempo de retardo de encendido, como el lapso a partir de aplicarse la tensin V
GG
de
G VDD
D
S
Rl Cgd
Cgs
Cds
VCgd = VDD - Vg1
VCgs = VT
VCds = VDD
+
+
-
-
+
-
VCgd = Vg2 - VDS(ON)
VCgs = Vg2
VCds = 0,5
G VDD
D
S
Rl Cgd
Cgs
Cds
+
+
-
-
+
-
Rds
___________________________________________________________________________

38
entrada hasta que la corriente de drain alcance el 10% de su valor mximo; un tiempo de
crecimiento para el intervalo de variacin de I
DS
entre el 10% al 90% de su valor mximo; un
tiempo de retardo de corte desde que se hace V
GG
= 0 hasta que la corriente de drain alcance
el 90% de I
DS

max

y finalmente un tiempo de cada para la variacin de I
DS
desde el 90 al 10%
de su valor mximo.

4.3.- Evaluacin de los tiempos de conmutacin de los MOSFET (FP)

La velocidad de operacin de un MOS se encuentra fijada por la velocidad con que se
cargue y descargue la Ci, determinada por la capacidad de entregar corriente del circuito
excitador. Circuito excitador que entrega energa slo en los momentos de conmutacin, ya
que la alta resistencia de entrada (del orden de 10
12
ohms) hace que sta sea despreciable en
estado estacionario. Para un dado valor de Ci de un MOSFET, la energa requerida para un
cierto AVgs es:

W = Ci AVgs
2
(watt-segundos)

Como Ci es una funcin de V
GS
y V
DS
, Ci cambia de valor durante el proceso de
conmutacin y no se puede fijar su valor en la expresin anterior. La expresin anterior puede
tambin ser escrita como:

W = AQg AVgs

Expresin que fija los requerimientos de carga de gate para que los distintos estados
del encendido tengan efecto, siendo AQg la variacin de carga de la capacidad de entrada
para una variacin de AVgs. Para la solucin de esta expresin, los fabricantes suministran
curvas como la de la figura 30, que corresponden a un circuito como el indicado en la figura 31.
Figura 30
Figura 31

VDD
100 ohm
Ig
80
60
40
20
VDS (V) VGS (V)
8
6
4
2
2000 4000 8000 10000 6000
Qg - Carga de Gate - en pC
VDD = 20 V
VDD = 60 V
___________________________________________________________________________

39
Estas curvas, conocidas como las curvas de carga de gate, simplemente reflejan el
comportamiento de las tensiones de V
DS
y V
GS
para condiciones de alimentacin especficas.
En particular, en la figura 32 se ha redibujando la curva de control de carga de gate
correspondiente a V
DD
= 60 V, y donde pueden apreciarse tres regiones coincidentes con los
intervalos T
1
, T
2
y T
3
de la figura 27.
Figura 32

La regin 1 se encuentra definida cuando V
GS
es menor que la tensin de umbral, V
GS
s V
T,
y en consecuencia el MOS cortado. La capacidad en esta regin es prcticamente
constante y su valor es:

pF
v
pC
Vg
Q
Ci 645
8 , 3
2450
1
1
= = =

En la regin 2 el MOS conduce, existe efecto Miller, y se puede tomar como valor
promedio de Ci:

pF
Vg Vg
Q Q
Ci 2923
8 , 3 1 , 5
2450 6250
1 2
1 2
=
=

En la regin 3, el MOS est en plena conduccin, ya no hay efecto Miller y la capacidad
de entrada es:

AVgs
AQ
Ci =
875 pF,
VDS (V) VGS (V)
8
6
4
2
2000 4000 8000 10000 6000
VDS
Vg1
Vg2
Region 1 Region 2 Region 3
VGS
Q1
Q2
___________________________________________________________________________

40

El valor de la capacidad Ci es mayor que en la regin 1 por estar el canal creado.

En esta regin el MOS se encuentra sobreexcitado, siendo este exceso de carga el que
determina la existencia del tiempo de retardo de apagado. Tiempo que puede ser disminuido
pre polarizando al gate a un valor de tensin gate-source justo inferior al necesario para
establecer la corriente mxima de drain. Sin embargo, el no sobreexcitar en la regin 3
disminuye el margen de ruido del circuito de control y requiere un valor estable de V
t
.

De las expresiones anteriores se pueden determinar los tiempos de conmutacin. Si el
gate est comandado por una fuente de corriente Ig, se puede calcular:

AT
AQ
dt
dQ
i = =

t
1
= t
retardo encendido
=Q1
Ig
t
2
= t
ON
=Q
2

Ig

Como el circuito excitador solo debe entregar corriente en los momentos de
conmutacin, debe disearse de modo que ste no la consuma en los momentos en que el
MOS est ON u OFF. Por el contrario, durante el pasaje de un estado a otro, debe ser capaz
de entregar la corriente necesaria para alcanzar los tiempos de conmutacin requeridos. Por
ejemplo, si se requiere un t
ON
de 20 nseg, de la ecuacin anterior.

mA
seg
C
Ig 313
10 . 20
10 . 6250
9
12
= =

Para un circuito excitador con una salida resistiva y considerando una Ci constante
tanto en la regin 1 como en la regin 2.
|
|
.
|
\
|
=
GG
V
Vg
Ri
Vg
Q
t
1
1
1
1
1 ln

|
|
.
|
\
|
=
1
1 2
1 2
1 2
1 2
1 ln
Vg V
Vg Vg
Ri
Vg Vg
Q Q
t t
GG

Para las curvas anteriores con Ri = 10K O y V
GG
=10 V, se obtiene:

Q
1
= 2450 pC
Q
2
= 6250 pC t
1
= 3,08 nseg t
ON
~10 nseg
Vg
1
= 3,8 v t
2
-t
1
=6,88 nseg
Vg
2
= 5,1 v
___________________________________________________________________________

41

Reduciendo Ri a 500O se lleva t
ON
~ 500 nseg. Reducciones mayores de Ri provocan menores
t
ON
.

Las caractersticas presentadas hasta el momento fueron estipuladas para una R
L
=100ohm
=>@V
DD
=60v => I
D
=600mA. Para diferentes valores de I
Dmax
el valor de Vg
2
puede obtenerse
de la curva I
D
vs.Vgs. Luego, con este valor de Vg
2
, Q
2
puede extraerse del valor adecuado de
V
DD
de la figura 30.

A modo de ejemplo, si se necesita una corriente de conduccin de 2A con V
DD
=60V, de
la curva de transferencia de la figura 33 se observa que para I
D
=2A =>Vgs= 6V

De la figura 26, Q ~ 7000pC.

La carga de Drain prcticamente no afecta Q
1
y en consecuencia no afecta a t
1
.

Figura 33

5.- IGBT - Transistores Bipolares de Compuerta Aislada
5.1.- Introduccin

Los Transistores bipolares de Compuerta Aislada, conocidos por la sigla IGBT de su
nombre en ingls Insulated Gate Bipolar Transistor, por ser dispositivos basados en dos tipos
de portadores ofrecen superiores caractersticas de conduccin, manteniendo una
performance equivalente a los MOSFETs en cuanto a simplicidad de uso y soporte de picos de
corriente. Su velocidad de conmutacin, si bien es tericamente inferior a la de los MOSFETs,
mediante nuevas tecnologas de fabricacin puede llevarse a valores comparables.

Adicionalmente, los IGBT son potencialmente ms econmicos por presentar una
densidad de integracin superior a implementaciones equivalentes con MOSFETs. A igualdad
de potencia, los IGBT requieren solo un 40 % del rea necesaria para la fabricacin de una
estructura MOSFET.

2 4 6 8
1
2
3
ID
Vgs
___________________________________________________________________________

42
5.2.- Estructura, principio de funcionamiento y circuito equivalente

En la figura 34 se ha dibujado una estructura tpica de un IGBT canal n. El
comportamiento de una estructura basada en canal p es completamente anloga.
Figura 34

La estructura indicada es muy similar a un MOSFET de difusin vertical, presentando
una doble difusin de una regin tipo p y de una regin tipo n. Al igual que un MOSFET se
puede establecer una zona de inversin debajo del rea de gate aplicando una tensin de la
polaridad adecuada. La creacin de la zona de inversin permite la circulacin de corriente
entre las zonas n+ debajo del ctodo y la zona de drift n-.

La principal diferencia entre los IGBT y los MOSFETs radica en la utilizacin de un
substrato p+, capa que permite cambiar su funcionamiento al de un dispositivo bipolar al
inyectar huecos en la regin tipo n-. Esta zona constituye en consecuencia el emisor de un
transistor bipolar pnp, mientras que las zonas n y p separadas por las junturas J
3
y J
2

constituyen respectivamente las zonas de base y colector. En el mismo dibujo pueden
distinguirse la denominacin de los tres terminales del IGBT: emisor, colector y gate. El primero
se corresponde con el terminal de ctodo y es la conexin con la zona p de colector del
transistor pnp antes mencionado. El terminal de colector del IGBT, se conecta a la zona p+
correspondiente al emisor del transistor pnp. El tercer terminal, denominado gate o compuerta,
permite establecer o no la conduccin del dispositivo mediante la aplicacin de una tensin V
G
.
Finalmente puede observarse que el terminal de base del transistor pnp no se encuentra
disponible.

El pasaje de conduccin a corte y viceversa, al igual que en un MOSFET, se controla
mediante la tensin de gate V
G
. Si esta tensin es menor que la de umbral no se crea la zona
de inversin y el dispositivo se encuentra cortado. Cualquier tensin directa aplicada (nodo
positivo respecto al ctodo) es bloqueada por la juntura J
2
inversamente polarizada y solo
circula una pequea corriente de prdidas.

___________________________________________________________________________

43
La tensin de ruptura de la juntura J
2
determina la mxima tensin que puede ser
aplicada a un IGBT directamente polarizado. Su valor depende fundamentalmente del dopado
de la zona de menor valor de las que constituyen la juntura de bloqueo, correspondiendo en
este caso a la zona n-. Al aplicarse una tensin inversa, un menor dopado produce una zona
de vaciamiento ms extensa y en consecuencia soporta un menor campo elctrico. Para
prevenir que la zona de vaciamiento se extienda hasta la zona del emisor tipo p, se suele
incluir una zona de buffer n+. Sin embargo la inclusin de esta zona reduce drsticamente la
tensin de ruptura de la juntura J
3
, que debe soportar una tensin inversa cuando el dispositivo
opere inversamente polarizado. La existencia de la zona de buffer n+ permite la reduccin del
espesor de la zona n-, reduciendo las prdidas de conduccin. La conduccin del dispositivo se
produce aplicando una tensin de gate superior a la tensin de umbral, tensin que crea un
canal entre las regiones n+ debajo de la compuerta y de drift n-. Se produce una inyeccin de
electrones desde el source hacia la regin de drift en forma simultnea con la injeccin de
huecos desde la zona p+ en la regin de drift dado que la juntura J
3
se encuentra directamente
polarizada. Esta situacin se encuentra reflejada en la figura 35.
Figura 35
Parte de los huecos se recombinan en la regin de drift, mientras que la mayora la
atraviesan por difusin, alcanzando la juntura J
2
para constituirse en la corriente principal del
dispositivo. En consecuencia la operacin de un IGBT puede ser considerada como un
transistor pnp de base ancha, y cuya corriente de base es suministrada por la conduccin del
canal de un MOSFET.

En la figura 36a se ha modelizado esta forma de funcionamiento.
___________________________________________________________________________

44
Figura 36

La figura 36b presenta un circuito equivalente ms complejo que incluye al transistor
parsito npn constituido por la zona n+ del source del MOSFET, la regin p y la zona de drift n-
. Se ha incluido tambin la resistencia lateral de la zona p.

Si la corriente que circula por esta resistencia es lo suficientemente elevada, puede
producir la conduccin del transistor parsito. Si esta situacin ocurre, se produce una
inyeccin de electrones desde la regin n+ hacia la regin p, perdindose el control de gate.
Este fenmeno conocido como de latch up o cerrojo generalmente conduce a la destruccin
del elemento por lo que debe ser impedido en condiciones de operacin normal.

A continuacin se indica el smbolo del IGBT.

Figura 37

5.3.- Especificaciones (FP)

5.3.1. Mximos absolutos (FP)

Indican valores mximos que no deben ser superados bajo ninguna circunstancia en la
operacin del dispositivo.

G
E
C
___________________________________________________________________________

45
I
C
Corriente Continua de Colector. Mxima corriente continua de colector especificada a una
temperatura de cpsula determinada, que asegura no superar la mxima temperaura de
operacin de la juntura.

I
CM
Corriente Pulsante de Colector. Mximo valor instantneo soportado por la corriente de
colector, dentro de las especificaciones de operacin pulsante.

V
CE
Tensin Colector Emisor. Mxima tensin que puede soportar el dispositivo en sentido
directo en condicin de corte.

V
GE
Tensin Compuerta Emisor. Mxima tensin de compuerta. Dado que la tensin de ruptura
del dielctrico es del orden de los 80 V, el valor especificado en los manuales es generalmente
20 V para limitar la corriente en condiciones de falla y asegurar la confiabilidad en el tiempo del
dispositivo.

I
LM
Corriente de Cargas Inductivas. Valor de corriente que puede ser conmutado en forma
repetitiva cuando la carga se encuentra constituida por una inductancia en paralelo con un
diodo de conmutacin libre. Este valor garantiza una zona SOAR de operacin pulsante
rectangular, donde el dispositivo soporta simultneamente alta tensin y alta corriente. La I
LM

se especifica a 150C y 80% de la tensin mxima.

P
D
Mxima Disipacin de Potencia. Mxima disipacin en el dispositivo para no exceder la
mxima temperatura de juntura.

T
j
Mxima Temperatura de Juntura. Mxima temperatura de operacin del dispositivo.
Generalmente se comercializan para su operacin en el rango de 55C a +150C.

5.3.2. Caractersticas Elctricas (FP)

BV
CES
Tensin de Ruptura Colector Emisor. Mnimo valor de ruptura garantizado. Presenta un
coeficiente positivo de temperatura del orden de los 0,63V/C.

BV
ECS
Tensin de Ruptura Emisor Colector. Mxima tensin emisor colector soportada por el
dispositivo. Los IGBT se encuentran normalmente sometidos a este tipo de tensiones al
cortarse, debido a la existencia de inductancias parsitas en el circuito del diodo en paralelo,
como se muestra en la figura 38.

Al cortarse uno de los IGBT, la corriente de carga se transfiere al diodo en paralelo con el IGBT
complementario. La di/dt de apagado en la inductancia parsita en serie con el diodo genera el
pico de tensin inversa sobre el dispositivo. Este valor es generalmente de 10V pero puede
verse incrementado frente a elevadas di/dt o layouts incorrectos.

___________________________________________________________________________

46
Figura 38

V
CE(on)
Tensin Colector Emisor de Saturacin. Informacin presentada en forma de distintas
grficas de esta tensin en funcin de la corriente de colector y para dfistintas temperaturas de
operacin. Su conocimientoe es indispensable para el clculo de las prdidas de conduccin.

V
GE(th)
Tensin de umbral. Valor de la tensin de gate a la cual comienza a circular corriente de
colector. Presenta un coeficiente negativo con la temperatura del orden de los 11mV/C.

I
CES
Corriente de colector con tensin de gate nula. Parmetro que establece el valor superior
de la corriente de prdida para una temperatura y tensin colector emisor.

5.3.3. Caractersticas de Conmutacin (FP)

Qg Caracterstica de carga de gate. Carcterstica suministrada en forma grfica como se
indica en la figura 39. Esta informacin es til para mensurar los requerimientos del circuito
excitador y estimar sus prdidas. Por ser el IGBT un dispositivo de portadores mayoritarios y
minoritarios, esta informacin no puede ser utilizada para el clculo de los tiempos de
conmutacin como se la utiliza en los MOSFETs.
Figura 39
td(on), tr, td(off) y tf Tiempos de conmutacin. Los tiempos de conmutacin y el circuito de
ensayo se indican en la figura 40. Sus definiciones son las siguientes:

___________________________________________________________________________

47
td(on), tiempo de retardo de encendido, medido entre el 10% de la tensin de gate y el 10%
de la corriente de colector
tr, tiempo de crecimiento, medido entre el 10% y el 90% de la corriente de colector td(off),
tiempo de retardo de apagado, medido entre el 90% de la tensin de gate y el 90% de la
corriente de colector
tf, tiempo de cada, medido entre el 90% y el 10% de la corriente de colector

Figura 40

E
on
, E
off
, E
ts
Energa de conmutacin. Prdidas producidas en el IGBT al conmutar de acuerdo
a las siguientes definiciones y segn se indica en la figura anterior:

E
on
, Energa disipada a partir que la corriente de colector alcanza el 5% hasta que la tensin
decrece al 5%
E
off
, Energa disipada en el perodo que comienza al alcanzarse el 5% de la tensin de colector
y durante un lapso de 5 useg.
E
ts
, Suma de las energas de encendido y de apagado.

L
E
Inductancia Interna de Emisor. Inductancia del encapsulado que afecta el tiempo de
encendido en forma proporcional a la di/dt de la corriente de colector. Valores de di/dt de
1000A/useg producen cadas en esta inductancia superiores a los 7V.

___________________________________________________________________________

48
C
iee
, C
oee
y C
ree
Capacidades interelectodos. La capacidad de salida C
oee
presenta la tpica
dependencia de la tensin inversa de las junturas pn. La capacidad inversa C
ree
es tambin
fuertemente proporcional en forma inversa a la tensin, pero segn una ley mas compleja que
en el caso anterior. La capacidad de entrada C
iee
, suma de las dos capacidades restantes,
presenta un menor grado de dependencia de la tensin dado que la componente debida a la
capacidad compuerta-emisor es la mas importante y es independiente de la tensin.

Tiempo de corto circuito. Define el tiempo durante el cual el IGBT puede ser cortocircuitado en
condiciones especificadas sin destruirse.

5.4.- Estado de Conduccin

Las superiores caractersticas de conduccin presentadas por los IGBT son su principal
ventaja frente a los MOSFET. Como se desprende del circuito equivalente de un IGBT, su
cada directa se encuentra constituida por la suma de dos trminos: la cada directa de una
juntura pn y la producida sobre el MOSFET de excitacin. En consecuencia, al contrario de un
MOSFET, un IGBT nunca presenta una cada directa inferior a la de una juntura directamente
polarizada, independientemente de la corriente que conduzca.

En cuanto a los dos trminos que constituyen la tensin de conduccin, la cada sobre
el MOSFET de excitacin, comparte la caracterstica comn a todo MOSFET de baja tensin
dada por su dependencia de la tensin de excitacin de gate. Esta situacin se ve reflejada en
la figura 41 donde para valores de corriente prximos a la nominal, un incremento en la
polarizacin de gate reduce la cada colector emisor del IGBT. Este efecto no se encuentra
presente en los MOSFETs de potencia de alta tensin, donde la caida directa es independiente
de la tensin de gate.

Figura 41
Con respecto al transistor pnp, la etapa de salida del IGBT es del tipo pseudo-
Darlington. En consecuencia este transistor nunca se encuentra completamente saturado y su
cada directa es superior a la correspondiente a un dispositivo que se encuentre fuertemente
saturado. Sin embargo el fuerte impacto de la conduccin por dos tipos de portadores en la
cada directa en el estado de conduccin puede apreciarse en la figura 42 donde se comparan
las caractersticas de conduccin de un IGBT y un MOSFET de del mismo tamao de pastilla.
___________________________________________________________________________

49

Figura 42

Esta figura refleja la primera y radical diferencia entre ambos dispositivos. Mientras un
MOSFET como el de la figura, conduciendo una corriente del orden de los 10A, puede
presentar una cada directa de 10 a 25V segn su temperatura de operacin, el IGBT
equivalente presenta una cada inferior a los 2V.

En segundo lugar, la significativa dependencia de la temperatura presente en los
MOSFETs es mnima en los IGBT. La suficiente para permitir el reparto equitativo de corriente
en dispositivos operando en paralelo a valores elevados de corriente y en condiciones
estticas. Puede observarse que la influencia de la temperatura en la tensin directa difiere
segn el valor de la corriente. Este efecto es debido a que la parte de la cada debida a la
juntura pn presenta un coeficiente negativo a bajas corrientes y positivo a valores elevados
mientras que el coeficiente de variacin de tensin correspondiente al trmino debido al
MOSFET es siempre positivo.

Finalmente, adems de reducirse la cada directa y su coeficiente de variacin con la
temperatura, en el IGBT prcticamente tambin se elimina la dependencia de la tensin de
operacin del dispositivo como se indica en la tabla siguiente. El incremento de la tensin de
ruptura soportada por los distintos IGBT de una familia de dispositivos no se refleja en un
incremento significativo de su cada directa. Por el contrario en los MOSFETs se ve reflejado el
aumento de la Ron cada vez que el dispositivo debe ser fabricado para soportar mayores
tensiones de ruptura.

Tensin soportada
por el dispositivo-V
IGBT 100 300 600 1200
MOSFET 100 250 500 1000
Cada directa @
1,7A/mm2 y 100C
IGBT 1,5 2,1 2,4 3,1
MOSFET 2,0 11,2 26,7 100

___________________________________________________________________________

50
5.5.- Caractersticas de Apagado

La mayor limitacin en la conmutacin de un IGBT se produce en su apagado y radica
en el tiempo de vida de los portadores en la zona n que constituye la base del transistor pnp.
Como esta base no se encuentra accesible, es imposible la utilizacin de un circuito de
excitacin para mejorar la conmutacin. Como paliativo de este inconveniente debe recordarse
que como el transistor pnp se encuentra operando en modo pseudo-Darlington, no hay tiempo
de almacenamiento y el toff resultante es mucho menor que el de un dispoistivo equivalente
operando en saturacin. Sin embargo, la velocidad de operacin de un IGBT es insuficiente
para aplicaciones de conmutacin en alta frecuencia.

Como consecuencia adicional, las cargas almacenadas en la base son las causantes de
la caracterstica cola o tail en la forma de onda de apagado de la corriente de colector de un
IGBT. Cuando el canal del MOSFET deja de conducir, se interrumpe la corriente de electrones
y la corriente del IGBT decrece rpidamente al nivel de la corriente por recombinacin de
huecos al comienzo de la cola como se indica en la figura 43. Esta cola incrementa las
prdidas de apagado y hace necesario incrementar el tiempo muerto entre los perodos de
conduccin de dos dispositivos en configuracin de medio puente.

Figura 43

5.6.- Prdidas por Conmutacin

Los tiempos de conmutacin definidos en el apartado 5.3.3, provn informacin til para
establecer los tiempos muertos apropiados entre el encendido y subsecuente apagado del
elemento complementario en una configuracin semipuente, as como los mximos y mnimos
anchos de los pulsos de control. Sin embargo no puden ser utilizados en el clculo de las
prdidas de conmutacin, fundamentalmente por el fenmeno de cola en la corriente de
apagado, por la que una parte significativa de la energa total sea disipada cuando la corriente
se encuentra por debajo del 10% de su valor mximo. Adems la forma como la tensin de
cada se modifica no se encuentra caracterizada dentro del parmetro de toff.

Para compensar la falta de los datos requeridos para el apropiado clculo de las
prdidas, los fabricantes provn informacin como la de las figura 44. Mediante estas grficas,
___________________________________________________________________________

51
las prdidas totales de conmutacin, E
ts
, pueden ser calculadas sin depender de las formas de
onda de corriente y tensin de conmutacin.

Figura 44

___________________________________________________________________________

52

6.- Comparacin de los Dispositivos de Potencia

Las aplicaciones actuales de conmutacin de potencia utilizan una gran variedad de
elementos activos como llaves. En primer lugar, este apartado tiene por objeto considerar los
rangos de utilizacin de los dispositivos existentes en el mercado y establecer comparaciones
entre ellos, para luego hacer una breve consideracin sobre nuevos dispositivos disponibles en
un futuro prximo.

Para una primer seleccin, segn su tipo de conduccin conviene agrupar a los
dispositivos de potencia en los siguientes tres grupos:

- Unipolares
- Bipolares
- Hbridos, implementados como combinacin de los dos tipos anteriores

En el primer grupo se encuentran los MOSFETs, y en menor grado los denominados
SIT (Static Induction Transistor) que son bsicamente un JFET de potencia con compuerta
enterrada.

Los dispositivos de potencia basados en la conduccin por dos tipos de portadores,
estn conformados por los Transistores Bipolares (BJT) -simples o en configuracin
Darlington-, y por los componentes de potencia de la familia de los Tiristores -SCR, Triacs y
GTOs-.

Dentro del tercer grupo se encuentra el ya estudiado IGBT y otros dispositivos tales
como el MCT (MOS Controlled Thyristor). El MCT es un GTO con tolerancias mas estrechas, y
con el agregado de un transistor P-MOS entre la compuerta y la fuente y un N-MOS adicional
para su encendido. Mientras un GTO se corta mediante un pulso negativo de compuerta,
debido a sus estrechos mrgenes de conduccin, el GTO interno de un MCT se corta
cortocircuitando sus terminales de compuerta y ctodo. En consecuencia, su excitacin es
similar a la de un MOS y su comportamiento al de un GTO. La principal ventaja de un MCT es
su facilidad de operacin, dado que utilizando GTOs de geometras similares a los internos de
un MCT y circuitos de excitacin discretos pueden a menor costo lograrse comportamientos
equivalentes o an mejores.

6.1.- Dispositivos actuales

6.1.1.- Consideraciones Generales

Al considerar la utilizacin de un dispositivo de potencia, en primer lugar deben
considerarse las prdidas debidas a su funcionamiento como llave. Bajo condiciones de
operacin normal, las prdidas en el estado de corte son prcticamente nulas. Para
aplicaciones de onda cuadrada, las prdidas durante el intervalo de conduccin se deben
principalmente a la resistencia de encendido (R
ON
), resistencia que tambin provoca la cada
directa de la llave durante el estado de conduccin (V
ON
). En este estado de conduccin las
prdidas pueden ser calculadas como:

P
ON
= o V
ON
I
ON

___________________________________________________________________________

53
Al final de este estado, el dispositivo se corta. En general la corriente es alta durante el
perodo de apagado, la que junto con la elevacin de la tensin durante este intervalo,
producen un pico de disipacin de potencia. Pico de disipacin que es una funcin de las
caractersticas propias de apagado del dispositivo utilizado como llave. Como en el proceso de
encendido tambin se aporta un pico de disipacin de potencia, tampoco deben despreciarse
sus tiempos de encendido. La potencia disipada durante la conmutacin de un dispositivo
operando a una frecuencia f puede expresarse como:

P
CONMUT
= f (E
ON
+ E
OFF
)

Por lo que las prdidas totales resultan la suma de ambas:

P
TOTAL
= o V
ON
I
ON
+ P
CONMUT
= f (E
ON
+ E
OFF
)

Como se distribuyen estas prdidas se encuentra fundamentalmente determinado por
el dispositivo utilizado como llave. Si las prdidas de conduccin son las dominantes, la
frecuencia de operacin no tendr influencia, y la frecuencia mxima de conmutacin estar
fijada solo por su tiempo de retardo total (suma de todos los tiempos de conmutacin). En el
otro extremo, si en un dispositivo sus prdidas de conduccin son despreciables comparadas a
las de conmutacin, su mxima frecuencia de operacin estar determinada por las prdidas
de conmutacin.

En segundo lugar debe tenerse en cuenta que para controlar potencias elevadas, el
tamao fsico de los circuitos se ve sensiblemente incrementado, por lo que las inductancias
parsitas derivadas de las interconexiones tambin aumentan. Como las corrientes a conmutar
son grandes, la energa almacenada en estas inductancias tambin lo es, lo que a su vez
determina el incremento de los picos de tensin inducida. Como resultado, este tipo de
aplicaciones obligan a utilizar mayores anchos de pulsos para no incrementar las prdidas por
conmutacin, as como la utilizacin de redes de proteccin para limitar los sobrepicos o para
reducir los tiempos de crecimientos de corriente o tensin. El uso de llaves en aplicaciones de
alta corriente, tambin incide en el incremento de la energa necesaria tanto para conmutarlas
de un estado a otro como, si corresponde, para sostener la conduccin en el estado de
encendido.

En consecuencia, no basta con determinar las capacidades de tensin y corriente as
como las prdidas estticas y dinmicas del dispositivo, sino que tambin deben considerarse
la energa de excitacin requerida, dv/dt, di/dt y Area de Operacin Segura (SOAR).

6.1.2.- Resistividad y Tensin de Ruptura en semiconductores de Si

El Silicio es el material semiconductor utilizado para la fabricacin de todos los
dispositivos de potencia actualmente en uso. Para su fabricacin se parte de material N poco
dopado como material base, con una resistencia que es una funcin de su resistividad, espesor
y rea total segn la expresin siguiente:

R = l/A

En todo semiconductor se requiere una regin ancha y de bajo dopado (alta
resistividad) para soportar elevados valores de tensin en el estado de corte. Tanto la
resistividad como el ancho mnimo de la regin deben incrementarse para prevenir la ruptura
___________________________________________________________________________

54
en avalancha. Como la tensin de ruptura tambin se reduce al disminuir el dopado de la
regin, el resultado neto para una relacin de dopado y ancho de la regin optimizados, resulta
en una variacin del valor de la resistencia mnima por unidad de rea proporcional a la tensin
de ruptura elevada a 2,6 (Ron =BV
2.6
) como se indica en la figura 45.

Figura 1
Figura 45
Resistencia Especfica Mnima Terica en funcin de la Tensin de Ruptura

En consecuencia, la resistencia de una regin con bajo dopado es muy elevada si se
requiere bloquear altas tensiones. Por ejemplo, en dispositivos con conduccin slo por
portadores mayoritarios como los MOSFETs, la cada directa en el estado de conduccin
resulta igual al producto de esta resistencia por la corriente circulante, limitando en
consecuencia la capacidad de simultneamente conmutar corrientes elevadas y bloquear altas
tensiones. Por otra parte el utilizar un solo tipo de portadores tiene como ventaja reducir los
tiempos de conmutacin, posibilitando su operacin a mayores frecuencias de conmutacin.

6.1.3.- Dispositivos Unipolares

Los MOSFETs, dadas sus caractersticas correspondientes a la de dispositivos basados
en un solo tipo de portadores, son los componentes preferidos para aplicaciones de
conmutacin de alta frecuencia, al combinar bajos tiempos de conmutacin, circuitos
excitadores sencillos y amplia disponibilidad comercial. A baja potencia, la frecuencia de
operacin puede superar a 1 MHz, si se provee la suficiente corriente para cargar y descargar
a los capacitores asociados a la estructura del MOSFET. Corriente que solo debe ser provista
en los instantes de conmutacin, reduciendo la energa total necesaria.

Adicionalmente los MOSFET tienen un SOAR con solo tres lmites, dado que por su
estructura no se produce el fenmeno de segunda ruptura en el rango de tensiones utilizables.
Son en consecuencia mas robustos en aplicaciones de conmutacin de potencia.

Tensin de Ruptura
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

d
e

O
N
10
3
10
2

10
-3

10
-2

10
-1

Volts
Ohm
cm
2

___________________________________________________________________________

55
Su principal inconveniente radica en su elevada R
ON
cuando se requiere bloquear altas
tensiones, limitando su uso a corrientes elevadas. Otro factor negativo es como se modifica la
R
ON
con la temperatura. Como la ganancia de los BJT aumenta con la temperatura, y reduce el
valor de la componente V
BE
de la cada directa dada por V
CE (SAT)
, el incremento de la R
ON
en
los BJT es aproximadamente la mitad que la de un MOSFET equivalente. Esta caracterstica
permite a los BJT dispar menos potencia a elevadas densidades de corriente para reas
comparables de pastilla.

La estructura interna de un MOSFET de potencia es tal que se forma un diodo en
sentido opuesto al sentido de conduccin Drain Source. Son en consecuencia una llave que
controla tensiones directas y no controlada para corrientes inversas. Sin embargo este diodo
integrado en la estructura del MOSFET es una ventaja en circuitos donde su presencia es
necesaria como parte de la aplicacin.

6.1.4.- Dispositivos Bipolares

Los dispositivos utilizados como llaves de estado slido basados en dos tipos de
portadores, como los BJTs y SCRs, o el transistor de potencia del IGBT, resuelven el
compromiso entre resistividad y tensin de bloqueo mediante la modulacin de la
conductividad caracterstica de este tipo de dispositivos. Los portadores minoritarios inyectados
en la regin de bajo dopado durante la conduccin crean un plasma electrones-huecos que
incrementan significativamente el dopado efectivo de portadores de carga disponibles para la
conduccin. La resistividad disminuye en varios ordenes de magnitud y la densidad de
corriente puede incrementarse 10 a 100 veces o ms.

Sin embargo, obtener una baja resistividad mediante la utilizacin de dos tipos de
portadores tiene como efecto negativo aumentar los tiempos de conmutacin. La modulacin
de conductividad no es instantnea, se requiere un tiempo finito para inyectar los portadores
minoritarios de carga y distribuirlos a lo largo de la regin de bajo dopado. Adicionalmente,
durante el tiempo requerido para este proceso las prdidas por conduccin aumentan, as
como la cada directa, cada que luego tiende al valor final correspondiente al estado estable
de conduccin.

Al pretender cortar dispositivos basados en dos tipos de portadores, se requiere un
tiempo adicional para revertir el proceso y eliminar el exceso de carga antes que el mismo
pueda nuevamente bloquear una tensin. Si se fuerza el corte del dispositivo con an carga
almacenada, mientras sta se elimina la cada directa se incrementa, incrementando tambin
la potencia disipada. El aumento de tensin durante la cola de corriente, adems de poder
producir mayores prdidas de conmutacin durante el apagado que durante el encendido,
puede potencialmente producir la destruccin del dispositivo.

Adicionalmente, si la cantidad de portadores inyectados es mayor que la requerida para
obtener una baja resistencia, sta contribuye nada o muy poco en la reduccin de la
resistividad, en cambio eliminar el exceso de carga introduce nuevos retardos haciendo mas
lento an el proceso de apagado.

- BJ T

Por utilizar dos tipos de portadores, el BJT de potencia tiene una cada directa en
conduccin considerablemente menor que los MOS o J-FETs, siendo esta su principal ventaja.
___________________________________________________________________________

56
Su velocidad de conmutacin del estado de corte al de conduccin es consecuencia directa de
los tiempos necesarios para establecer la adecuada distribucin de portadores en la base para
el estado de ON. Anlogamente, el tiempo de apagado est determinado por la necesidad de
eliminar este exceso de cargas antes de recuperar su capacidad de bloqueo. Estos procesos
requieren tiempo, por lo que la velocidad de conmutacin de los BJT no es ptima y ocurren
considerables prdidas en los tiempos de encendido y de apagado. Para reducirlos se requiere
de una excitacin de base compleja, con breves sobrepicos en el momento del encendido y
una circulacin negativa de la corriente de base para el apagado. Corriente negativa que
implica la existencia de tensiones negativas, no siempre presentes en el circuito.
Adicionalmente se requiere la existencia de una corriente de base en forma permanente
durante el perodo de conduccin, incrementando an mas la energa entregada por el circuito
excitador.

Una seria limitacin de los BJT de potencia es la presencia del fenmeno de Segunda
Ruptura. Dentro de la curva SOAR (Safe Operating Area) que determina los lmites donde
puede desplazarse el punto de operacin del BJT al pasar de un estado de conduccin al
opuesto, la frontera fijada por la recta de Segunda Ruptura puede ser sobrepasada en
condiciones de alta corriente y tensin.

- SCR

En cuanto a los Tiristores, por operar tambin con dos tipos de portadores, la accin
regenerativa maximiza la modulacin de la conductividad y permite la conduccin de elevadas
corrientes con bajas prdidas. Pueden establecerse densidades de corrientes superiores a los
BJT, pero el mismo proceso hace a los SCR y al resto de los Tiristores dispositivos de apagado
lento y dificultoso.

El apagado de un SCR requiere que la corriente sea nula al menos el tiempo suficiente
para que la carga en exceso se elimine por recombinacin. Tiempo que en estas condiciones
de apagado puede estar en el orden de las decenas de microsegundos. En operacin normal,
comnmente la tensin nodo ctodo de un SCR se invierte, causando la circulacin de una
elevada corriente inversa nodo ctodo que ayuda a eliminar rpidamente el exceso de carga.
Este proceso, similar a la corriente de recuperacin inversa presente en diodos
semiconductores produce como resultado un menor tiempo de apagado.

Los Tiristores basan su funcionamiento accionando como cerrojos, por lo que una vez
provista la energa suficiente a la compuerta para iniciar el proceso regenerativo, no es
necesario continuar proveyendo energa durante la conduccin como en los BJT. Esta ventaja
obliga a un cuidadoso diseo de excitacin de compuerta en aquellas aplicaciones donde
puedan producirse perturbaciones del circuito excitador que produzcan la conmutacin en un
momento inadecuado.

- GTO

Otro miembro de la familia de los Tiristores es el GTO, el que puede ser apagado
mediante una corriente inversa de compuerta. Un GTO presenta tambin una elevada
capacidad de conducir corriente como los SCR, mejorando sus caractersticas de conmutacin
y presentando elevados valores de di/dt. Sin embargo el fenmeno de tail presente en el
apagado limita su uso a frecuencias elevadas.

___________________________________________________________________________

57
Tanto los SCR como los GTO, tienen la particularidad de presentar altas capacidades
de tensiones de bloqueo tanto en sentido directo como inverso. Dentro de estos ltimos, la
optimizacin de las caractersticas de conmutacin puede dar origen a dispositivos con
capacidades de bloqueo asimtricas, con tensiones de ruptura para polarizacin inversa muy
inferiores a las directas.

6.1.5.- Dispositivos Hbridos

Finalmente, los dispositivos hbridos como el IGBT o el MCT, intentan aunar las
mejores caractersticas de conduccin de los dispositivos bipolares para su operacin como
llave con las facilidades de excitacin de los MOSFETs. Como es de esperar, presentan un
comportamiento intermedio entre los dos tipos de dispositivos de los que provienen.

6.1.6.- Tabla de Comparacin de Dispositivos de Potencia

Los actuales niveles de tensin, corriente y frecuencia empleados en las distintas
aplicaciones de potencia requieren una cuidadosa seleccin del dispositivo ms adecuado.

Para su eleccin es fundamental evaluar correctamente como sus caractersticas
funcionales se adecuan a los requerimientos de la aplicacin. En la siguiente tabla se
sumarizan las caractersticas fundamentales de dispositivos capaces de soportar tensiones de
al menos 1000 V. Dispositivos de menores tensiones de ruptura presentan siempre un mejor
comportamiento.

Cabe destacar que si bien los IGBT se han separado en dos categoras (lentos y
rpidos), solo se han incluido para los GTO y los SCR los valores correspondientes a un
comportamiento rpido y lento respectivamente. Como criterio para completar la tabla, para los
dispositivos rpidos se han elegido los mejores valores de velocidad, mientras que para los
lentos se ha optimizado el valor de su cada directa. Comercialmente pueden encontrarse
dispositivos particulares con mejores valores que los indicados, sin embargo, los valores
incluidos en la siguiente tabla reflejan el actual estado del arte.

BJ T J -FET MOS THY GTO
IGBT
lentos
IGBT
rpidos
Unidades
VON 1 10 5 1,5 3 2 4 V
Requerimientos
de Excitacin
- + + + + + + Nota 1
___________________________________________________________________________

58
Requerimientos
de Apagado
- - + Nota 3 - + + Nota 1
Tiempos de
Conmutacin
2 0,1 0,1 5 1 2 0,5 seg
Prdidas de
Conmutacin
. ++ ++ -- - - . Nota 2
Densidad de
Corriente
50 12 20 200 100 50 50 A/cm2
Mx dv/dt
(Vin=0)
3 20 10 0,5 1,5 3 10 V/nseg
Mx di/dt 1 10 10 1 0,3 10 10 A/nseg
Vmx 1500 1000 1000 5000 4000 1000 1000 V
Imx 1000 10 100 5000 3000 400 400 A

Significados:
Nota 1: (+) implementacin sencilla Nota 2: (++) muy buena
(-) implementacin compleja (+) buena
(.) regular
(-) mala
(--)muy mala
Nota 3: (+) para conmutacin natural (-) mala
(-) para conmutacin forzada (--)muy mala

6.2.- Dispositivos futuros (FP)

Los ltimos desarrollos realizados por los fabricantes de dispositivos de potencia han llevado a
la tecnologa de semiconductores basados en Si al borde de sus lmites tericos. Sin embargo
la necesidad de mayores tensiones de bloqueo, frecuencias de conmutacin, eficiencia y
confiabilidad requeridas por nuevas aplicaciones no pueden ser satisfechos. Para alcanzar
mejores niveles de operacin, nuevos materiales deben ser utilizados en la fabricacin de
semiconductores. Estos se basan en materiales semiconductores que presentan una brecha
elevada entre sus bandas de valencia y de conduccin, conocidos como WBG, del ingls
Wide-Bandgap semiconductors. Entre estos materiales se encuentran el Carbonato de
Silicio (SiC), Nitrato de Galio (GaN) y el diamante, los que presentan las siguientes ventajas
comparativas:

- Para equivalentes tensiones de ruptura, los semiconductores unipolares basados en WBG
pueden fabricarse con capas mas delgadas, obtenindose una menor R
ON

- Debido a su elevado campo elctrico de ruptura, los semiconductores basados en WBG
pueden confiablemente alcanzar mayores valores de tensiones de bloqueo. Por ejemplo,
los diodos rectificadores Schottky basados en Si disponibles comercialmente, presentan
tensiones de ruptura del orden de los 300 V, mientras que los actualmente disponibles
basados en SiC ya alcanzan los 600 V.
- Los dispositivos WBG tienen una mayor conductibilidad trmica (4,9 W/cm-K para el SiC, y
22 W/cm-K para el diamante) que los dispositivos basados en Si (1,5 W/cm-K). Al
___________________________________________________________________________

59
presentar una menor resistencia juntura cpsula, R
ujc
, es calor se elimina mas fcilmente y
pueden operar a mayores temperaturas. Lo anteriormente expresado no aplica para el GaN
- Si los dispositivos de Si normalmente operan hasta los 150C, los basados en SiC pueden
alcanzar los 600C.
- Al ser las caractersticas directas e inversas ofrecidas por los dispositivos WBG
prcticamente independientes de la temperatura y del tiempo, son mas confiables.
- Los semiconductores bipolares basados en WBG tienen excelentes caractersticas de
recuperacin inversa. Las menores corrientes inversas de recuperacin generan menores
prdidas de conmutacin e interferencia electromagntica (EMI), disminuyendo o
eliminando la necesidad de redes de proteccin del tipo snubbers o la utilizacin de
tcnicas de conmutacin a corriente o tensin cero para disminuir las prdidas de
conmutacin.
- Las menores prdidas de conmutacin permiten a los dispositivos WBG operar a
frecuencias mas elevadas que los actuales semiconductores basados en Si.

A pesar de las ventajas mencionadas, la tecnologa de fabricacin de dispositivos WBG se
encuentra en su faz inicial, presentando inconvenientes tales como elevados costos y limitada
disponibilidad - solo una pequea lnea de dispositivos de SiC se encuentra actualmente
disponible -, caractersticas tpicas de una tecnologa inmadura.

Los actuales semiconductores basados en Silicio o GaAs se fabrican en obleas de hasta 15
cm de dimetro y espesor variable desde 225 hasta 675 m. Debido a su fabricacin seriada,
estas obleas tienen un precio bajo, del orden de los 100 dlares estadounidenses cada una. En
cambio las obleas de GaN y SiC se elaboran en cantidades pequeas, resultando en un precio
20 a 30 veces superior. Como cabe esperar, estos valores decrecern en un futuro junto con el
incremento de la produccin

A la fecha, solo se disponen comercialmente de diodos Schottky basados en semiconductores
WBG, y para aplicaciones de baja potencia. Cuatro fabricantes distintos ofrecen diodos
Schottky de SiC, en rangos de hasta 20 A a 600 V o 10 A a 1200 V. Existen anuncios de
fabricacin de llaves controladas de SiC, pero no se encuentran an disponibles
comercialmente.

Como conclusin, se requiere an un importante salto tecnolgico para disponer de
dispositivos WBG. De los materiales aptos, el diamante presenta las mejores caractersticas
tcnicas, pero las tecnologas para su aplicacin comercial se encuentran en sus orgenes y
son mucho mas exigentes que las requeridas por los restantes semiconductores WBG, por lo
que no cabe esperar su utilizacin en un futuro inmediato. En el corto plazo, materiales de
transicin como el GaN y particularmente el SiC reemplazarn al Si, dado que si bien las
propiedades intrnsecas del GaN son ligeramente superiores a las del SiC, ste ultimo es mas
sencillo de fabricar y es el que cuenta con una tecnologa de fabricacin mas avanzada hoy en
da.

Dispositivos de Potencia

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dispositivos de Potencia

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

ELECTRONICA DE POTENCIA

S-ar putea să vă placă și