Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
5to Ao TM Viernes
TRANSISTORES FET............................................................................................. 8
Curva caracterstica de los FET.......................................................................................9 ...................................................................................................................................... 10 Aplicaciones de JFET...................................................................................................... 11 Curva caracterstica de los MOSFET..............................................................................12 Aplicaciones de los transistores MOSFET.......................................................................14
TRANSISTORES MOSFET.................................................................................... 12
Ventajas...................................................................................................... 14
FOTOTRANSISTOR............................................................................................. 14
Curvas de funcionamiento de un fototransistor.............................................................15 Aplicaciones de Fototransistor......................................................................................15 Links de Noticias de inters sobre el tema tratado.......................................................16
Introduccin
2
5to Ao TM Viernes
Que es un transistor?
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia").
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control. Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan.
5to Ao TM Viernes
de invencin estuvo en secreto por siete meses, hasta que se pudo detallar de manera ordenada el funcionamiento de este dispositivo. La patente fue entregada a Walter Brattain y a John Bardeen por su transistor de punta de contacto. En el ao 1951 fue que surgi el transistor de juntura que fue concedida a William Shonckley. Un idea del comportamiento que realiza el transistor se puede apreciar usando un indicador de corriente, una fuente de tensin continua y dos resistencias con interruptores. Las resistencias se deben de conectar entre la base y el colector, y la fuente entre el emisor y el colector. Con estos dos interruptores totalmente abiertos no se producir corriente de base, y el indicador de corriente mostrar una corriente nula. Ahora bien, para originar una corriente de colector o de base, solamente se debe de cerrar uno de los interruptores. Y para crear un paso de corriente mucho mayor se deber de cerrar los dos interruptores. Es por ello que se llega a la conclusin, de que el interruptor se comporta como si fuera una resistencia, donde la corriente de base controla su valor completamente.
5to Ao TM Viernes
Tipos de transistores
Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las aplicaciones a las que se destinan. Los ms comunes y conocidos son:
Transistor Bipolar de Unin (BJT) Transistor de efecto campo , de unin (JFET) Transistor de efecto campo , de metal- oxido-semiconductor (MOSFET) Fototransistor
BJT
JFET
MOSFET
FOTOTRANSI STOR
5to Ao TM Viernes
TRANSISTORES BJT
Tipos de transistores de unin bipolar
NPN NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. PNP El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. Transistor Bipolar de Heterounin El transistor bipolar de heterounin (TBH) es una mejora del BJT que puede manejar seales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy comn hoy en da en circuitos ultrarrpidos, generalmente en sistemas de radiofrecuencia. Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los elementos del transistor. Usualmente el emisor est compuesto por una banda de material ms larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyeccin de portadores minoritarios desde la base cuando la unin emisor-base est polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyeccin del emisor. La inyeccin de portadores mejorada en la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia. Con un transistor de unin convencional, tambin
5to Ao TM Viernes
conocido como transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyeccin de portadores desde el emisor hacia la base est principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el emisor y la base. Debido a que la base debe estar ligeramente dopada para permitir una alta eficiencia de inyeccin de portadores, su resistencia es relativamente alta.
La curva emisor, es similar a la de un diodo normal, con la diferencia de que los niveles de corriente ahora son muy pequeos en el orden de los A. Por otra parte, la curva colector emisor o de salida, nos indica que para cada valor de corriente de base existir una corriente de colector que variara dependiendo del voltaje colector emisor. La curva de salida es probablemente la ms importante de todas, sin embargo resulta a veces demasiado confusa, es por esto que es comn utilizar una formula matemtica que recibe el nombre de ganancia o factor de amplificacin:
Este factor nos indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base.
Mezclador
Baja distorsin de intermodulacin Facilidad para controlar ganancia Baja capacidad de entrada Ausencia de deriva
Troceador
TRANSISTORES FET
5to Ao TM Viernes
Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la base de los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensin. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales: Por el terminal de control no se absorbe corriente. Una seal muy dbil puede controlar el componente La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico. Se empezaron a construir en el dcada del 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados. Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal N.
5to Ao TM Viernes
Al variar la tensin entre drenador y surtidor vara la intensidad de drenador permaneciendo constante la tensin entre puerta y surtidor. En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador surtidor aumenta la intensidad de drenador. En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor produce una saturacin de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona. La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula. La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar el transistor entre drenador y surtidor. Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y surtidor es cero la intensidad de drenador es mxima.
Caracterstica de transferencia
10
5to Ao TM Viernes
Aplicaciones de JFET
Las aplicaciones genricas para este tipo de transistores son: ELECTRONICA ANALOGICA Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes corrientes y soportar elevadas tensiones en estado de corte. Resistencias variables de valor gobernable por tensin (variando la anchura del canal). Amplificadores de tensin, especialmente en la amplificacin inicial de seales de muy baja potencia. Control de potencia elctrica entregada a una carga.
En el caso de la amplificacin los circuitos se disean para que el punto de operacin DC del MOS se encuentre en la regin de saturacin. De este modo se logra una corriente de drenaje dependiente slo de la tensin VGS. ELECTRONICA DIGITAL Los MOS se emplean a menudo en electrnica digital, debido a la capacidad de trabajar entre dos estados diferenciados (corte y conduccin) y a su bajo consumo de potencia de control. Para esta aplicacin se emplean dispositivos de muy baja resistencia, de modo que idealmente pueda considerarse que: La cada de tensin en conduccin es muy pequea. La transicin entre el estado de corte y el de conduccin es instantnea.
11
5to Ao TM Viernes
TRANSISTORES MOSFET
Sobre el canal se agrega una delgada capa de dixido de silicio (vulgarmente vidrio) que opera como aislante. Sobre esta finsima capa de vidrio se realiza una metalizacin que opera como compuerta. Dado que la compuerta es aislada, se puede colocar en ella un potencial tanto negativo como positivo, tal como se puede observar en la figura 2: a) Tensin de puerta negativa b) Tensin de puerta positiva
12
5to Ao TM Viernes
En la parte (a) se muestra un MOSFET de empobrecimiento con una tensin de compuerta negativa. La alimentacin VDD, obliga a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el drenaje. Estos circulan por el canal estrecho a la izquierda del sustrato P. La tensin de compuerta controla el ancho del canal. Cuanto ms negativa sea la tensin de compuerta, menor ser la corriente que circula por el MOSFET debido a que el campo elctrico empuja a los electrones contra el sustrato. Inclusive una tensin suficientemente negativa podr, eventualmente, cortar la circulacin de corriente. Cuando se pone tensin positiva en la compuerta, el canal N tiene toda su capacidad libre y el MOSFET se comporta como una llave cerrada. En las curvas de la figura 3 se puede observar el paralelismo extremo entre una vlvula y un MOSFET. En a se puede observar la familia de curvas para diferentes tensiones de compuerta.
La corriente de drenaje se mantiene prcticamente constante independientemente de la tensin de drenaje-fuente, salvo en la zona inicial que se llama zona hmica y que no es utilizada cuando el transistor funciona como llave. La familia de curvas se suele dividir en dos secciones. Las que estn por debajo de cero y hasta VGSoff se llama seccin de empobrecimiento y las que estn por encima seccin de enriquecimiento. Esto significa que el canal no slo se puede angostar; en efecto, si se colocan tensiones positivas en la compuerta las lagunas del sustrato son repelidas y el canal se ensancha.
13
5to Ao TM Viernes
En b se puede observar la curva de transferencia de un MOSFET de empobrecimiento en donde Idss es la corriente de drenaje con la puerta en cortocircuito. Como la curva se extiende hacia la derecha, sta no es la mxima corriente de drenaje. En efecto, tensiones positivas de compuerta generan una corriente de drenaje mayor.
Ventajas La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares: Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao. Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios. Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. La velocidad de conmutacin nanosegundos. es muy alta, siendo del orden de los
Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia
FOTOTRANSISTOR
Un fototransistor es una combinacin integrada de fotodiodo y transistor bipolar npn (sensible a la luz) donde la base recibe la radiacin ptica. Existen transistores FET (de efecto de campo), que son muy sensibles a la luz. La radiacin luminosa se hace incidir sobre la unin colector base cuando ste opera en la RAN. En esta unin se generan los pares electrn - hueco, que provocan la corriente elctrica. 14
5to Ao TM Viernes
El funcionamiento de un fototransistor viene caracterizado por los siguientes puntos: Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la base del mismo, generando huecos y con ello una corriente de base que hace que el transistor entre en la regin activa, y se presente una corriente de colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso, reemplazan la corriente de base que normalmente se aplica elctricamente. Es por este motivo que a menudo la patilla correspondiente a la base est ausente del transistor. La caracterstica ms sobresaliente de un fototransistor es que permite detectar luz y amplificar mediante el uso de un slo dispositivo. (I b=0) La sensibilidad de un fototransistor es superior a la de un fotodiodo, ya que la pequea corriente fotogenerada es multiplicada por la ganancia del transistor.
Aplicaciones de Fototransistor
El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones donde la deteccin de iluminacin es muy importante. Como el fotodiodo, tiene un tiempo de respuesta muy corto, solo que su entrega de corriente elctrica es mucho mayor.
15
5to Ao TM Viernes
16
5to Ao TM Viernes
Bibliografa utilizada
Material extrado de Google, en especial paginas de electrnica. Revista Muy Interesante
17
5to Ao TM Viernes
18