Parametros Del Transistor

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Historia del transistor

Tales de Mileto - all por el ao 600 antes de la era cristiana - inici sus experimentos con una resina fsil que provena de las playas del mar Bltico, el mbar, y con sus propiedades de atraer pequeas plumes o hilos, en lo que muchas generaciones se considerara el inicio de los estudios sobre electrosttica. El desarrollo de los dispositivos con semiconductores ha sido muy rpido desde que fue descubierto el funcionamiento del transistor por Bardeen y Brattain, en los Estados Unidos en 1948. Desde un princicipio se vi claro que los transistores tenan la ventaja sobre las vlvulas debido a su pequeo tamao y robustez mecnica; que la alimentacin de calefaccin era innecesaria y hacia posible la amplificacin con voltajes bajos de alimentacin. Los desarrollos continuos en el diseo del transistor han mejorado su capacidad en el manejo de potencia, en el rango de frecuencia, caractersticas de ruido, vida til, y tolerancias en el manufacturado, as es que hoy en da se fabrican transistores en masa para sustituir a las vlvulas en la mayor parte de los sistemas electrnicos. Muchos de los dispositivos en uso son transistores de unin; se obtienen mediante tcnicas diferentes para las distintas aplicaciones, y, por supuesto, difieren considrablemente de sus caractersticas; pero la accin de transistor bsico de unin es comn en todos ellos. En el ao 1883, cuando Thomas A.Edison descubri que si pona un alambre en las proximidades de un filamento en incandescencia, se formaba un flujo de electricidad entre ambos a travs del espacio que los separaba. Como Edison no vi utilidad a ste fenmeno para sus aplicaciones inmediatas, la generacin de luz a partir de la electricidad, simplemente registr el hecho y sigui con sus trabajos en pos de una lmpara elctrica eficiente. Fue hasta 1904 cuando John Ambrose Fleming, aplic el efecto que descubri Edison rodeando un filamento incandescente con un cilindro metlico que llam placa, encontrando que aunque la placa se cargara alternativamente de positiva y negativa, la corriente resultante siempre era en un slo sentido. J.A.Fleming construy un dispositivo con capacidad de rectificar una corriente elctrica, la primera vlvula de vaco que, en un sentido ms estricto, en realidad era un diodo (trmino derivado de su construccin a partir de "dos electrdos": el filamento y la placa). En 1907 Lee De Forest agreg un tercer elemento, una rejilla, que tambin poda ser cargada elctricamente para incrementar o disminuir de forma controlada el flujo de electrones entre el filamento y la placa, invent as el Triodo, el primer dispositivo con capacidad amplificadora de corriente. Estos trabajos mostraron que los electrones en el vaco son ms finamente regulables que cuando forman una corriente elctrica en un conductor por lo que pueden realizar tareas que son impensables en un mecanismopuramente elctrico. Naci la Electrnica. Si bien las vvulas de vaco - los bulbos - tuvieron el papel principal hasta los aos '40 en el desarrollo de las transmisiones de radio y televisin, llevaron a los aliados a desarrollar el radar que les ayud a ganar la Segunda Guerra Mundial y permitieron la construccin de mquinas computadoras como la gigantesca ENIAC con sus 18.000 tubos al vaco, pero an adolescan de varias desventajas: para poder contener los elementos necesarios el tubo no poda ser ms reducido, era frgil, requera un tiempo de calentamiento hasta que el filamento puediera empezar a emitir electrones y consuma mucha potencia. Seguramente no hubiramos llegado muy lejos - no hablemos ni siquiera de la Luna - usando slo tubos de vaco y relevadores electromecnicos que en aquellos tiempos formaban los primeros sistemas de procesamiento de informacin.
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Historia sobre los transistores Caractersticas del transistor 1. 2. 3. 4. 5. 6. Introduccin Parmetros del transistor Regiones de trabajo Curvas caractersticas El transistor como amplificador Otros datos
Comprobacin de los transistores Tipos de transistores 1. El transistor bipolar 2. Transistores de efecto campo (FET) JFET MOSFET 3. Transistores UJT 4. Transistores IGBT 5. Transistores de potencia Tipos de transistores segn proceso de fabricacin 1. 2. 3. 4. 5. Introduccin Disipacin trmica Fabricacin de transistores Circuitos integrados monolticos Otros mtodos de fabricacin
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La revolucin lleg en Dicembre de 1947, cuando Walter Brattain y John Bardeen, un par de fsicos investigadores de Bell Laboratories que trabajaban bajo la direccin de William Bradford Shockley, utilizaron una pequea pieza de germanio y una delgada tira de una hoja de oro montadas en una estructura de plstico, para formar un arreglo capaz de amplificar una seal elctrica sin la utilizacin de un tubo al vaco. Naci el primer amplificador basado en un material semiconductor: el Transistor, como habra de ser llamado, y que se di a conocer oficialmente al mundo en una conferencia de prensa de Laboratorios Bell, el 30 de Junio de 1948. As, aunque en un inici la Electrnica surgi como una rama de la fsica dedicada al estudio del comportamiento de los electrones en el vaco, ahora trasladaba su dominio a los semiconductores, iniciando la era de la electrnica de estado slido que rige hasta nuestros das. En realidad la historia es un poco ms compleja. Al finalizar la Segunda Guerra Mundial, Shockley, reinici sus interrumpidas investigaciones sobre cristales semiconductores, pero sus diseos de amplificadores nunca funcionaron; entonces dej la tarea en manos de Bardeen, el cerebral matemtico profundo, y Brattain, hbil en la implementacin tcnica de las ideas imaginativas que Shockley les llevaba; el producto fue el transistor de punto de contacto de Bardeen y Brattain. Algo frustrado por no haber obtenido l mismo el primer diseo funcional, Shockley cre en 1948 el transistor de unin, dispositivo ms fcil de fabricar y de usar y que finalmente se impuso sobre su predecesor. La relacin entre estos tres investigadores se volvi algo difcil por la presuncin de Shockley de su superioridad. As, Bardeen dej Bell Labs en 1951 para tomar un puesto acadmico en la Universidad de Illinois y Brattain, por su parte, se traslad a otras reas donde pudiera conducir sus propias investigaciones; en 1955 Shockley fund su propia compaa llamada Shockley Semiconductor Laboratory en un valle al norte de California, la primera de tantas empresas que hoy forman el mundialmente famoso Silicon Valley. Los caminos de Shockley, Bardeen y Brattain se cruzaron de nuevo en 1956, cuando compartieron el Premio Nobel de Fsica por su invencin. Para 1954 los transistores eran una curiosidad de laboratorio de aplicaciones muy especializadas en centros de investigacin e instalaciones de comunicaciones militares, hasta que a inicios de los aos 60 una empresa de Dallas empez a producir transistores para radios porttiles; Sin embargo, Texas Instruments abandon luego este mercado para ver como una pequea compaa japonesa, Sony, empez a construir radios ms pequeos y televisiones de transistores. La electrnica de consumo haba llegado a los hogares de quienes podan permitrselo, pero apareci otro problema en mbitos menos mundanos: tericamente los transistores permitan la construccin de computadoras muy potentes, el detalle es que hacer manualmente las conexiones de varios transistores era caro, se necesitaba hacer conexiones redundantes para minimizar los errores y la velocidad de estas mquinas todava enormes se vea mermada por la longitud de los conductores necesarios para interconectar sus mltiples transistores. La solucin lleg en 1958 cuando Jack Kilby y su grupo de Texas Instruments, pudieron crear un circuito completo en un bloque monoltico de germanio,el primer Circuito Integrado que contena un transistor y otros componentes en un slo dispositivo. Unos meses despus Robert Noyce, de Fairchild Semiconductor desarroll una idea similar y ahora a ambos se les considera creadores del circuito integrado. Noyce, que fallecin en 1990, ayud en el inici de una compaa fabricante de semiconductores llamada Intel Corporation y Kilby muri en 2005 en Dallas. A partir de la invencin del primer transistor ha sido posible la creacin de las radios porttiles, las calculadoras de bolsillo y los reproductores de discos compactos, hasta las supercomputadoras; gracias a los transistores nos comunicamos y conocemos eventos que se suceden a kilmetros de distancia; textos, imgenes, sonidos y transacciones monetarias dan la vuelta al mundo por Internet y automticamente se regulan mltiples mecanismos que - inadvertidamente - nos facilitan
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Caractersticas de los transistores

El transistor produce resultados que pueden ser comparables a los de un tubo de vaco, pero hay una diferencia bsica entre los dos dispositivos. El tubo de vaco es un dispositivo controlado por tensin mientras que el transistor es un dispositivo controlado por corriente. Un tubo de vaco funciona normalmente con su rejilla polarizada en el sentido negativo, o de alta resistencia, y su placa est polarizada en sentido positivo, o de baja resistencia. El tubo conduce slo por medio de electrones, y su contrapartida en cuanto a conduccin es el transistor NPN, cuyos portadores mayoritarios son siempre electrones. No hay equivalente de tubo de vaco para los transistores PNP, cuyos portadores mayoritarios son los huecos. El transistor se puede conmutar en corte y conduccin variando la polarizacin en el electrodo de base con respecto al potencial de emisor. Ajustando la polarizacin a un punto situado aproximadamente a mitad de camino entre el corte y la saturacin se situar el punto de trabajo del transistor en la regin activa de funcionamiento. Cuando funciona en esta regin el transistor es capaz de amplificar. Las caractersticas de un transistor polarizado en la regin activa se pueden expresar en trminos de tensiones de electrodo y de corrientes lo mismo que en los tubos de vaco. El comportamiento del transistor se puede analizar en trminos matemticos por medio de ecuaciones que expresan las relaciones entre sus corrientes, tensiones, resistencias y reactancias. Estas relaciones se denominan parmetros hbridos y definen los valores instantneos de tensin y de corriente que existen en el circuito sometido a examen. Los parmetros permiten predecir el comportamiento del circuito en particular sin construirlo realmente. A continuacin se enumeran algunos de los parmetros ms tiles en las aplicaciones del transistor: 1. Ganancia de tensin: Se expresa como razn de la resistencia de salida a la resistencia de entrada. La resistencia de entrada de un transistor tpico es baja, aproximadamente 500 ohmnios, mientras que la resistencia de salida es relativamente alta, ordinariamente ms de 20.000 ohmnios. Para un transistor de unin la ganancia de resistencia suele ser mayor de 50. 2. Ganancia de tensin: Es el producto de alfa y la ganancia de resistencia. Aunque un transistor de unin tenga un valor de alfa menor que la unidad, si por el contrario posee una ganancia de resistencia del orden de 2.000 a causa de que su resistencia de salida es extremadamente alta, la ganancia de tensin ser aproximadamente 1.800 3. Ganancia de potencia: Es el producto de alfa elevado al cuadrado y la ganancia de resistencia. Es del orden de 400 o 500. Hay tres configuraciones bsicas: conexin de base a masa, conexin de emisor a masa y conexin de colector a masa. Las tres corresponden, aproximadamente, a los circuitos de rejilla a masa, ctodo a masa y placa a masa en la terminooga del tubo de vaco. El circuito de base a masa tiene baja impedancia de entrada y alta impedancia de salida, y desde el circuito de entrada hasta el de salida no se produce inversin de fase de la seal. El circuito de emisor a masa tiene una impedancia de entrada ms alta y una impedancia de salida ms baja que el circuito de base a masa, y se produce una inversin de fase entre la seal de entrada y la de salida. Esto proporciona
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ordinariamente la mxima ganancia de tensin en un transistor. El circuito de colector a masa tiene impedancia de entrada relativamente alta, impedancia de salida baja y no produce inversin de fase de la seal desde e circuito de entrada hasta el de salida. La ganancia de potencia y la ganancia de tensin son ambas bajas.
Proyecto realizado por: Directoras:
lvaro Len Ruiz. Pilar Martnez Jimnez. Marta Varo Martnez.
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Parmetros caractersticos del transistor

En este captulo, se exponen los principales parmetros que se utilizarn para el trabajo con transistores.
Parmetro
El parmetro de un transistor indica la relacin de semejanza que se produce en la corriente de colector y las variaciones de las corrientes del emisor.
Comprobacin de los transistores Tipos de transistores 1. El transistor bipolar 2. Transistores de efecto campo (FET)
As por ejejmplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una variacin de la corriente de colector de 7.92 mA, entre dos puntos de funcionamiento, y una variacion de 8 mA en la corriente de emisor, tendremos que:
JFET MOSFET 3. Transistores UJT 4. Transistores IGBT 5. Transistores de potencia Tipos de transistores segn proceso de fabricacin
Dado que la corriente de base, suele ser muy pequea, en la mayor parte de los transistores el valor del parmetro se acerca a la unidad.
Ganancia de corriente o parmetro de un transistor

La circunstancia de que una pequea corriente de base controle las corrientes de emisor y colector mucho ms elevadas, indica la capacidad que posee un transistor para conseguir una ganancia de corriente. As, la ganancia de corriente de un transistor es la relacin que existe entre la variacin o incremento de la corriente de colector y la variacin de la corriente base.
1. 2. 3. 4. 5.
Introduccin Disipacin trmica Fabricacin de transistores Circuitos integrados monolticos Otros mtodos de fabricacin
As, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una variacin de corriente de colector de 8 mA y de 0.08 mA en la corriente de base, la ganancia ser:
La ganancia de corriente de los transistores comerciales vara bastante de unos a otros. As, nos podemos encontrar transistores de potencia que poseen una de tan slo 20. Por otro lado, los transistores de pequea seal pueden llegar a tener una de 400. Por todo ello, se pueden considerar qe los valores normales de este parmetro se encuentran entre 50 y 300. En las tablas de especificaciones tcnicas, que facilitan los fabricantes de transistores, en vez de utilizarse la para identificar la ganancia de corriente, se suele utilizar hFE. As por ejemplo, para el transistor de referencia BC108 se lee en sus hojas de caractersticas, una hFE entre 150 y 290; lo que nos indica que la ganancia de corriente de este transistor, puede encontrarse entre estos valores. Cmo es posible que en las hojas de caractersticas del transistor BC 108 nos indiquen que posee una ganancia comprendida entre 150 y 290? La respuesta est en que la ganancia de corriente de un transistor vara de una forma
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sustanciosa con la corriente de colector. Adems, la temperatura ambiente influye positivamente en el aumento de dicha corriente. Hay que pensar que al aumentar la temperatura de la unin del diodo colector aumenta el nmero de portadores minoritarios y, por tanto, se produce un aumento de la corriente de colector. Para poder cuantificar este fenmeno, los fabricantes de transistores proporcionan, en las hojas de especificaciones tcnicas, curvas de ganancia de corriente, donde se relacionan las variaciones que sufre con respecto a la corriente de colector y a la temperatura ambiente. En estas curvas, se puede apreciar cmo la ganancia de corriente aumenta hasta un valor mximo mientras la corriente de colector aumenta; sobrepasado ese lmite, para mayores valores de dicha corriente, la ganancia decrece. Tambin, se hace observar la existencia de tres curvas distintas, que indican diferentes condiciones de trabajo para diferentes temperaturas ambiente. Cuando se disea un circuito con transistores hay que tener en cuenta estas variaciones de la ganancia de corriente, de lo contrario se podran cometer errores sustanciales, que invalidaran las condiciones de trabajo requeridas por el diseo inicial.
Relacin entre los parmetros y

Combinando las expresiones de los parmetros anteriores: = IC/IE y = IC/IB y teniendo en cuenta la relacin existente entre las diferentes corrientes que se dan en el transistor IE = IC+IB, se pueden encontrar las expresiones matemticas que relacionen ambos parmetros, tal como se indica a continuacin.
As, por ejemplo, para determinar el parmetro de un transistor que tuviese una ganancia de corriente de 150, operaramos as:
Tensiones de ruptura
Al igual que ocurra con los diodos, cuando se polariza inversamente cualquiera de las uniones de un transistor aparecen pequeas corrientes inversas, que no provocarn la ruptura de dichas uniones si la tensin que se aplica no supera los valores mximos fijados en las hojas de especificaciones tcnicas. 1. Tensin inversa colector-base (VCBO) con el emisor abierto En este caso, la unin formada por la base y el colector estn polarizadas inversamente con la tensin VCB. Como ocurra con los diodos, esto provoca la circulacin de una pequea corriente de fuga (ICBO) que no ser peligrosa hasta que no se alcance la tensin de ruptura de la unin. Normalmente esta tensin suele ser elevada (del orden de 20 a 300 V). Nunca deber trabajarse, por supuesto, con una tensin superior a la indicada por el fabricante en sus hojas tcnicas. Este dato suele aparecer indicado con las siglas VCBO. 2. Tensin inversa colector-emisor con la base abierta En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se aplica una tensin entre el colector y el emisor que es igual a la suma de las tensiones de las
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fuentes de emisor a colector. Esta fuerte diferencua de potencial provoca un pequeo flujo de electrones que emite el emisor y que se sienten fuertemente atrados por el potencial positivo de la fuente. El resultado es una pequea corriente de fuga de emisor a colector ICEO. Al igual que ocurra anteriormente, el valor de esta corriente est determinado por la tensin colector-base (VCEO) aplicada. En las hojas tcnicas tambin aparece la tensin mxima de funcionamiento (VCEO) que en ningn caso debe ser superada, para evitar el peligro de destruccin del semiconductor. As, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las hojas de especificaciones tcnicas aparecen los siguientes valores para las tensiones de ruptura: VCBO = 30V y VCEO = 20V, lo que significa que este transistor nunca deber operar con tensiones superiores a estos valores especificados.
Resistencia de entrada
Se podra decir que la resistencia de entrada de un transistor es la que presenta ste, visto desde los bornes de entrada. Al observar la caracterstica de transferencia del transistor, representada en la figura de abajo, se puede ver que la intensidad de base aumenta con la tensin base-emisor. Pues bien, a la relacin existente entre las variaciones de tensin base-emisor y las de la corriente de base, que se corresponden con la tensin y la corriente de entrada, se la denomina resistencia de entrada, es decir:
Para realizar el clculo de la resistencia de entrada nos valdremos de la curva caracterstica de transferencia.
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Regiones de trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o del signo de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transitor, ste se puede encontrar en alguna de las cuatro regiones que se pueden observar en el grfico de la derecha. Estas regiones son; Regin activa directa, Regin de saturacin, Regin de corte y Regin activa inversa. A continuacin podemos observar el comportamiento de cada una de estas regiones. La regin activa directa corresponde a una polarizacin directa de la unin emisorbase. Esta es la regin de operacin normal del transistor para amplificacin. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base Centrando la atencin en la recombinacin de los electrones en la base procedentes del emisor podemos observar que all donde haba un hueco pasa a haber, tras la recombinacin, un in negativo inmvil. Si desaparecen los huecos de la base y se llena de iones negativos, se carga negativamente, y se repelen los electrones procedentes del emisor. En este caso se impedira la circulacin de la corriente, es decir, es necesario que la corriente de base reponga huecos para que haya corriente de colector. Por tanto, por cada electrn recombiando hay que introducir un hueco nuevo que neutralice la carga negativa. Si la reposicin de huecos es lenta (corriente IB pequea) la capacidad de inyectar electrones ser baja, debido a la repulsin elctrica. Este fenmeno tiene la propiedad de ser aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:
en donde es un coeficiente adimensional, denominada ganancia directa de corriente, o bien ganacia esttica de corriente. Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atrados por el potencial positivo aplicado al colector, pueden atravesar la unin BC, y dar origen a la corriente de colector IC Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta drsticamente el nmero de portadores minoritarios del diodo base-colector, con lo que su corriente inversa
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aumenta tambin
Regin activa inversa

Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor-base y a una polarizacin directa de la unin colector-base. Esta regin es usada raramente.
Regin de corte
Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en sta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC 0).
En este caso las dos uniones estn polarizadas en inversa, por lo que existen zonas de depleccin en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores de carga mviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los portadores minoritarios s pueden atravesar las uniones plarizadas en inversa, pero dan lugar a corrientes muy dbiles. Por lo tanto, un transistor en corte equivale a efectos prcticos, a un circuito abierto.
Regin de saturacin
Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin den esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerrado (VCE 0).
Avalancha secundaria. Curvas SOA.

Si se sobrepasa la mcima tensin permitida entre colector y base con el emisor abierto (VCBO), o la tensin mxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (VCEO), la unin colector - base polarizada en inverso entre en un proceso de ruptura similar al
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de cualquier diodo, denominado avalancha primaria. Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones por debajo de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin de la intensidad de base), que se produce cuando tenemos polarizada la unin base - emisor en directo. En efecto, con dicha polarizacin se crea un campo magntico transversal en la zona de base que reduce el paso de dicha polarizacin se crea un campo magntico trransversal en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequea zona del dispositivo (anillo circular). La densidad de potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de polarizacin de la base, a la corriente de colector y a la VCE, y alcanzando cierto valor, se produce en los puntos calientes un fenmeno degenerativo con el consiguiente aumento de las prdidas y de la temperatura. A este fenmeno, con efectos catastrficos en la mayor parte de los casos, se le conoce con el nombre de avalancha secundaria (o tambin segunda ruptura).
El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es producir unos codos bruscos que desvan la curva de la situacin prevista (ver grfica inferior derecha). El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la avalancha secundaria durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas lmite en la zona activa con los tiempos lmites de trabajo, conocidas como curvas FBSOA. Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de cruvas para corriente pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo concreto. Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con la polarizacin inversa de la unin base-emisor se produce la focalizacin de la corriente en el centro de la pastilla de Si, en un rea ms pequea que en polarizacin directa, por lo que la avalancha puede producirse con niveles ms bajos de energa. Los lmites de IC y VCE durante el toff vienen reflejados en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.
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Curvas caractersticas
Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parmetros para determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes bsicas de resolucin de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:
Comprobacin de los transistores
Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y bajo la accin de unas excitaciones concretas, existirn unos valores de estos cuatro parmetros que caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de operacin (Q). Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que relacionan VBE con IB y VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.
Tipos de transistores 1. El transistor bipolar 2. Transistores de efecto campo (FET) JFET MOSFET 3. Transistores UJT 4. Transistores IGBT 5. Transistores de potencia Tipos de transistores segn proceso de fabricacin 1. 2. 3. 4. 5. Introduccin Disipacin trmica Fabricacin de transistores Circuitos integrados monolticos Otros mtodos de fabricacin
Caractersticas V -I
BE
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de la tensin de polarizacin VBE sobre la corriente de base IB. Estas grficas reciben el nombre de curvas caractersticas de transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un diodo cuando se polariza directamente. Estas tensiones permanecen prcticamente constantes, por lo que sern de gran ayuda para localizar averas en circuitos con transistores. La funcin que liga VBE con IB es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse dado que la unin base - emisor, es una pn normal, igual que la de diodo, y al polarizarla, seguir el mismo comportamiento que aquel. La curva representada en la figura sigue la expresin:
Caractersticas V -I
CE
Estas caractersticas tambin son conocidas como familia de colector, ya que son las correspondientes a la tensin e intensidad del colector. En la siguiente figura, se muestran una familia de curvas de colector para diferentes valores constantes de la corriente base. Idealmente, en la Regin Activa, la corriente de colector depende exclusivamente de la de base, a travs de la relacin IC=+IB. Por lo tanto, en el plano VCE-IC la representacin estar formada por rectas horizontales (independientes de VCE) para los diversos valores de IB (en este caso se ha representado el ejemplo para =100). Evidentemente, no se dibujan ms que unos valores de IB para no emborronar el grfico. Para IB=0, la corriente de colector tambin debe ser nula. La regin de corte est representada por el eje de abscisas. Por contra, para VCE=0 el transistor entra en
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saturacin, luego esta regin queda representada por el eje de ordenadas. Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un poco ms compleja, y las curvas quedarn como representa la siguiente figura: Las diferencias son claras: En la Regin Activa la corriente del colector no es totalmente independiente de la tensin colector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la resistencia interna del transistor. La regin de saturacin no aparece bruscamente para VCE=0, sino que hay una transicin gradual. Tpicamente se suele considerar una tensin de saturacin comprendida entre 0.1V y 0.3V. Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento del transistor. Se puede comprobar que, para una tensin constante de colector-emisor, si se producen pequeas variaciones de la corriente de base (del orden de A) esto origina unas variaciones en la corriente de colector mucho ms elevadas (del orden de mA), de lo cual se deduce la capacidad del transistor para amplificar corrientes. Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensin VCE afecta muy poco a la corriente de colector IC. Si se aumenta VCE demasiado (por encima de VCEO), la unin del colector entra en la regin de ruptura y ste puede llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensin VCE es muy pequea (por debajo de los 0.7V), la corriente de colector ser muy dbil, obtenindose una ganancia de corriente muy baja. En conclusin, para conseguir que el transistor trabaje como amplificador de corriente, la tensin de polarizacin inversa VCE debe mantenerse por encima de 0.7V y por debajo de la tensin de ruptura.
Recta de carga del transistor

Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una determinada resistencia de carga y averiguar el punto de funcionamiento del mismo. Para ello, trazamos la recta de carga del transistor en las curvas de colector para poder determinar los puntos de funcionamiento. Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor comn), podemos aplicar la ley de Ohm entre los extremos de la resistencia de carga RL. La tensin aplicada a esta resistencia se corresponder con la tensin total aplicada por la fuente VCC menos la cada de tensin que se produce entre el colector y el emisor VCE. De esta forma obtendremos la siguiente expresin, que se corresponder con la ecuacin de la recta de carga:
Para dibujar esta recta sobre la cruva caracterstica, lo primero que hay que hacer es encontrar sus extremos (IC=0 y VCE=0). Para VCE=0
Para IC=0
Llevando estos valores a la curva caracterstica de colector, obtendremos la recta de carga para una determinada resistencia de carga RL y una fuente VCC.
A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales: puntos de corte, punto de saturacin, punto de trabajo. El punto de corte es donde la lnea de carga corta a la curva correspondiente a la corriente de base igual a cero (IB=0). Dada la escasa polarizacin directa a que queda sometido el diodo de emisor-base, la corriente que aparece por el colector es prcticamente nula (slo circula una pequesima corriente de fuga ICEO). Haciendo una aproximacin, se puede decir, sin equivocarse mucho, que el punto de corte se da en la interseccin de la recta de carga con el eje horizontal, es decir cuando VCecorte=VCC. El punto de saturacin aparece donde la lnea de carga corta a la intensidad de base de saturacin. En este punto, la corriente de colector es la mxima que se puede dar para la operacin de transistor, dentro de los lmites de la recta de carga. Haciendo una aproximacin, se puede decir que el punto de saturacin aparece en la interseccin de la recta de carga con el eje vertical, es decir, cuando:
Para corrientes de base superiores a la de saturacin se produce tambin el efecto de saturacin en el transistor. El punto de trabajo es aqul donde el transistor trabaja de una forma normal y que, normalmente, se encuentra entre la zona de corte de saturacin. Para determinar el punto de trabajo (Q) de transistor para una determinada corriente de base (IB), se busca el punto de interseccin de la recta de carga con la curva correspondiente a dicha corriente de base. Por ltimo, hay que indicar que, cuando se disea un circuito para un transistor, se tiene que procurar que el transistor nunca opere por encima de la curva de potencia mxima. Esto se consigue eligiendo valores adecuados de la tensin de fuente VCC y de la resistencia de carga RL, de tal forma que la recta de carga trazada con dichos valores, est siempre por debajo de la curva de potencia mxima. En la figura siguiente, es esquematiza esta situacin:
Obtencin de la Ganancia a partir de las curvas caractersticas

La ganancia en corriente de un transistor se defina como la relacin que se da entre la variacin de la corriente d el colector y la variacin de corriente de base. Para determinar dicha ganancia se puede recurrir a las caractersticas del colector. Como ejemplo, supongamos que las curvas caractersticas del transistor ensayado es la que se muestra en la figura de la izquierda. Para un punto de funcionamiento situado en VCE=20V, segn las cruvas de la figura de la izquierda, la intensidad de colector variar entre IC=28mA e IC=43mA, mientras que la intensidad de base lo har entre IB=0.10mA e IB=0.15mA. La ganancia se calcula as:
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Hemos de tener en cuenta que punto de funcionamiento se encuentra trabajando el transistor, es decir, la tensin que se le est aplicando al mismo, y con ello, la ganancia calculada, ser para esa tensin de trabajo, siendo para otra, otra ganancia diferente de la calculada en otro punto.
Curva de transistor
mxima
potencia
del
Una de las aplicaciones de las curvas caractersticas de un transistor, es que, a partir de stas se pueden determinar los lmites de funcionamiento del mismo. Estos lmites estn determinados por una potencia mxima que puede desarrollar un transistor sin provocar su destruccin. Veamos en qu consiste ste fenmeno: El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor, que vara en funcin dela intensidad que se le aplique a su base IB. Por esta resistencia variable circula una corriente IC, relativamente grande, que provoca en la misma una potencia calorfica o calentamiento, debido al efecto Joule. Esta potencia se calcula realizando el producto de la tensin VCE, aplicada entre el colector y el emisor, por la instensidad de colector IC. (P = VCEIC). Como esta potencia se transforma ntegramente en calor, provoca un aumento de la temperatura en el transistor que, en el caso de salirse de los lmites admisibles, provocar la destruccin del mismo. La potencia mxima trabajo de un transistor es un dato que proporciona los fabricantes en las hojas de especificaciones tcnicas. As, por ejemplo, para el transistor BC107 se indica una potencia mxima de 300mW. Con este dato se puede trazar una curva de potencia mxima sobre la familia de curvas de colector, para as poder determinar para qu tensiones de colector-emisor y corrientes de colector es posible trabajar con el transistor sin que se deteriore. Por ejemplo, para no superar los valores lmite, en el caso del transistor BC107 se deber cumplir en todo momento la expresin:
Luego la curva de potencia mxima para este transistor ser tal que el producto VCEIC=0.3W. En la figura de la derecha, se muestran las curvas correspondientes a la familia de colector del transistor BC107, y en las que se ha aadido la curva de potencia mxima. La hiprbola divide a la caracterstica en dos zonas diferenciadas: la zona prohibida de funcionamiento, que queda por encima de la misma (sombreado con naranja), en la cual la potencia es mayor de 300mW y, por lo tanto, es donde el transistor corre peligro de destruccin por la accin del calor; y la zona de trabajo, que queda por debajo de la hiprbola, y en la cual la potencia es inferior a 300mW.
Influencia de la temperatura ambiente en la potencia mxima de un

transistor
La potencia mxima que puede disipar un transistor, en forma de calor, depende de la temperatura mxima permitida en la unin colector T j (max). Esta temperatura nunca debe ser superada, ya que a partir de ella se puede destruir el transistor. Este dato aparece en las hojas de caractersticas del componente. As, por ejemplo, el transistor BC107 posee una T j (max) de 175C. La potencia mxima a que puede trabajar un transistor tambin depende de la temperatura ambiente. Hay que tener en cuenta que el calor producido en las uniones se conduce a travs del encapsulado del transistor y se disipa al aire que le rodea. Cuanto mayor sea la temperatura de este aire (temperatura ambiente), peor ser la ventilacin del transistor, y por lo tanto, menor la potencia mxima que se le puede exigir al mismo. Por lo general, en las hojas de caractersticas tcnicas se indica la potencia mxima para una temperatura ambiente de 25C. En el caso de que la temperatura ambiente fuese superior habra que encontrar la potencia mxima de funcionamiento para que el transistor trabaje dentro de sus lmites de temperatura admisibles. En algunas hojas de especificaciones tcnicas aparece la curva de reduccin, como la que se encuentra en la figura de la derecha. Esta curva, nos indica que para una temperatura ambiente de 25C, la potencia mxima es de 125mW. Sin embargo, para 55C, la potencia mxima disminuye a 50mW. En el caso de que se desee aumentar la potencia de un transistor, se puede acoplar un disipador de calor, o aleta de refrigeracin en la superficie de la cpsula del mismo, de esta forma, se consigue que el calor se evace con mayor facilidad hacia el aire exterior.
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El transistor como amplificador

Introduccin
La necesidad de amplificar las seales es casi una necesidad constante en la mayora de los sistemas electrnicos. En este proceso, los transistores desarrollan un papel fundamental, pues bajo ciertas condiciones, pueden entregar a una determinada carga una potencia de seal mayor de la que absorben. El anlisis de un amplificador mediante su asimilacin a un cuadrpolo (red de dos puertas), resulta interesante ya que permite caracterizarlo mediante una serie de parmetros relativamente simples que nos proporcionan informacin sobre su comportamiento. En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la intensidad de los sonidos y de las seales en general. El amplificador posee una entrada por donde se introduce la seal dbil y otra por donde se alimenta con C.C. La seal de salida se ve aumentada gracias a la aportacin de esta alimentacin, siguiendo las mismas variaciones de onda que la de entrada. La seal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios, la aportan dispositivos como el micrfono (transforman ondas sonoras en seales elctricas que siguen las mismas variaciones que las primeras), sensores trmicos, luminosos, etc. Cuando un amplificador realiza la funcin de elevar la seal que ha sido aplicada a su entrada, se dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir que la ganancia de un amplificador es la relacin que existe entre el valor de la seal obtenida a la salida y el de la entrada. Dependiendo de la magnitud elctrica que estemos tratando, se pueden observar tres tipos de ganancia: ganancia en tensin, ganancia en corriente y ganancia en potencia. De esta forma podemos definir los siguienteas parmetros: 1. 2. 3. 4. 5. Ganancia de tensin (normalmente en decibelios): Av = Vo / Vi Impedancia de entrada (ohmnios): Zi = Vi / Ii Impedancia de salida (ohmnios): Zo = Vo / Io (para Vg = 0) Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): Ai = Io / Ii Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): Ap = P o / P i Un amplificador ser tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y menor sea su impedancia de entrada y salida. En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma que lo que es vlido para un margen de frecuencias no tiene porqu serlo necesariamente para otro. De todas formas, en todo
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Historia sobre los transistores Caractersticas del transistor 1. 2. 3. 4. 5. Introduccin Parmetros del transistor Regiones de trabajo Curvas caractersticas El transistor como amplificador 6. Otros datos Comprobacin de los transistores Tipos de transistores 1. El transistor bipolar 2. Transistores de efecto campo (FET) JFET MOSFET 3. Transistores UJT 4. Transistores IGBT 5. Transistores de potencia Tipos de transistores segn proceso de fabricacin 1. 2. 3. 4. 5. Introduccin Disipacin trmica Fabricacin de transistores Circuitos integrados monolticos Otros mtodos de fabricacin
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amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia permanece prcticamente constante (banda de paso del amplificador). El margen dinmico de un amplificador es la mayor variacin simtrica de la seal que es capaz de presentar sin distorsin a la salida; normalmente expresado en voltios de pico (Vp) o Voltios pico-pico (Vpp).
Ampliacin
Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador, se partir del circuito de la figura, en el que el transistor se conecta en la configuracin denominada de emisor comn. El generador Veb asegura que la unin base-emisor est polarizada en sentido directo. Una batera Vc (Vc >> Vbe) proporciona la tensin de polarizacin inversa a la unin del emisor. El circuito de entrada, en el que se aplicar la seal que se desea amplificar, es el que contiene a la base y el emisor. El circuito de salida est conectado a las terminales del colector y del emisor. Rc es la resistencia de carga del circuito de salida. Supondremos que, cuando la tensin de entrada es nula (terminales de entrada cortocircuitadas), las corrientes que circulan por cada terminal son Ie, Ib e I0, con los sentidos indicados en la figura. A continuacin, se calcularn cuales son los incrementos que se producen en dichas intensidades si se modifica ligeramente la tensin Web, aplicando una ddp adicional a la entrada. En este desarrollo, se admitir que el incremento de tensin aplicado, es lo suficientemente pequeo para que las variaciones de intensidad que provoca estn relacionadas linealmente con l. Asimismo, se despreciarn los efectos dinmicos producidos por la aplicacin de una diferencia de potencial, aplicada muy lentamente. a. Variacin de la intensidad de salida (-I0). Como se muestra en la figura siguiente, la corriente de salida es -I0. Dicha intensidad tiene, tres componentes: Ipb, Ibb e Inc. Ahora bien, en un transistor polarizado en el modo activo, la corriente Ipb es muy superior a las otras dos (unas mil veces superior en el ejemplo anterior) por lo que, a efectos de clculo de las variaciones en la intensidad del colector, es admisible suponer que:
Suponiendo que la variacin de Veb, incremento de V, es pequeo, la variacin de la corriente de salida es:
... y llamando transconductancia, gm , al factor I0/VT, resulta que:
La transconductancia tiene las dimensiones de una conductancia y su valor depende de la temperatura y del punto de funcionamiento. A la temperatura ambiente, gm vale unos 0.04 mOhmnios por mA de intensidad en el colector. b. Variacin de la intensidad de entrada (-Ib) La corriente de base, tiene, segn hemos expuesto, tres componentes: Ine, Ibb e Inc. De ellas, tan slo las dos primeras dependen directamente de la tensin Veb. Nos limitaremos, por tanto a calcular sus variaciones. De las ecuaciones anteriores se deduce que:
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Por otra parte, el trmino exponencial puede expresarse en funcin de la intentsidad del colector:
El incremento de la corriente de base es:
Denominando a todo el trmino entre corchetes, tendremos que:
El parmetro o cuantifica el efecto que, sobre la corriente de base, produce un incremento de la tensin Veb. As al disminuir la barrera de potencial en la unin emisor-base, se produce un aumento de huecos inyectados desde el emisor, aumentando la concetracin de portadores minoritarios en la base, lo que conduce a un incremento de la tasa de recombinacin. Debido a ello, Ibb crece. Por otra parte, la disminucin de la barrera de potencial antes citada, supone un incremento del nmero de electrones inyectados en el emisor desde la base, con lo que se produce un aumento de la corriente Ine. c. Variacin de la tensin colector-emisor (Vce). La tensin colector-emisor es:
Por tanto, si Veb se incrementa, Vce variar como:
La expresin anterior implica que el incremento de la tensin colectoremisor puede aumentar sin lmite, sin ms que incrementar suficientemente la resistencia de carga R0. Tal suposicin no es cierta cierta ya que hay que tener presente que, en el modelo simplificado que se ha desarrollado, no se ha tenido en cuenta el efecto de la tensin de polarizacin inversa Vcb sobre la anchura de la base, W. Valores muy elevados de gm Rm suponen una importante variacin de Vcb, lo que modificara notablemente la anchura W, no siendo vlidas entonces las premisas del modelo utilizado. d. Ganancias de corriente y de tensin: Supongamos que, a la entrada del circuito de la siguiente figura, se aplica una seal alterna de pequea amplitud, y frecuencia lo suficientemente pequea para que puedan ser despreciados los efectos dinmicos que no han sido tenidos en cuenta en el modelo anterior. En estas condiciones, por el circuito de entrada circular una corriente alterna -Ib-AIb. Es decir, sobre la corriente -Ib que exista para un incremento de tensin 0, se superpone una corriente alterna de amplitud incremento de la intensidad de base. De forma anloga, en el circuito de salida aparecer una corriente alterna de amplitud igual al incremento de la intensidad de colector, superpuesta a -Ic (corriente de colector para un incremento de tensin 0). Se define ganancia en intensidad como:
Obsrvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de instensidad

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puede tomar valores muy elevados. De forma anloga, se defina la ganancia de tensin como:
En definitiva, la seal de entrada, se ve amplificada tanto en intensidad como en tensin.
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Otros datos - Limitaciones en los transistores

El transistor es un componente real y como tal tienen unos lmites electrnicos que condicionan su utilizacin. Teniendo en cuenta que el transistor se compone de diodos, es de suponer que los lmites sern parecidos a los del diodo; los ms importantes son la tensin inversa mxima, la potencia mxima y la corriente mxima. Tensin mxima inversa: Si aumentamos en exceso la tensin colector-emisor podemos llegar a la tensin de ruptura del diodo base-colector y destruir el diodo. Corriente mxima: Es anlogo al introducido para los diodos: una corriente excesiva destruira al dispositivo. Potencia mxima: Dependiendo de cmo este fabricado el transistor, ser capaz de disipar un mximo de potencia.
Algunas aplicaciones de los transistores

El concepto de transistor bipolar permite una amplia variedad de aplicaciones relacionadas con la electrnica de seal y la electrnica de potencia. La electrnica de seal, o ms bien conocido como pequea seal, es aqul entorno electrnico que trata seales de baja potencia, relacionado tanto con el espectro de baja frecuencia como con el de frecuencias medias y altas. Estamos hablando de circuitos de rececpcin de audio, de recepcin de radio, de adaptadores de lneas de transmisin, etc. Todas ellas poseen un denominador comn: los nveles de potencia empleados. Los transistores se utilizan especialmente en tres campos: En amplificacin, ya sea de tensin o corriente. En estos casos el transistor opera en la zona lineal de trabajo. El concepto de amplificacin viene impuesto por las condiciones elctricas de numerosos dispositivos electrnicos. En el tratamiento de la seal. Para este tipo de aplicaciones el transistor puede operar tanto en la zona lineal como en la zona no lineal, todo depende del tipo de aplicacin que se desee implementar. Estamos hablando de dispositivos como los generadores de corriente, los multiplicadores de dos seales, etc. Como elementos adaptadores y aisladores entre etapas distintas de un circuito elctrico. Se puede emplear el transistor para aislar dos etapas de un determinado dispositivo y eliminar problemas que pudieran aparecer. Por ltimo, podemos generalizar que los transistores sin pequeos dispositivos empleados en todo tipo de circuitos, ya sea relacionados con la electrnica digital o analgica, ya que forman el alma mater de los actuales microprocesadores y dems elementos digitales.
Las tres configuraciones: base comn, emisor comn, colector comn
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Anlisis de un transistor en corriente continua

En la zona de corte el transistor no deja pasar corriente ni a la entrada ni a la salida. En saturacin, con pequeas variaciones de tensin se producen grandes variaciones de corriente, mientras que en activa la corriente de colector de mantiene proporcional a la corriente de base. Podemos pensar que en activa la corriente de colector se mantiene proporcional a la corriente de base. Podemos pensar que en la zona activa, si la corriente de base sufre pequeas variaciones, stas sern transmitidas a las corrientes de colector. Esas variaciones en la corriente de colector producirn a su vez variaciones en la tensin colector-emisor.
Al realizar el anlisis en corriente continua, se eliminan todas las fuentes de seal alterna y sustituiremos los componentes por su equivalente para continua. En corriente continua, el circuito de entrada ejerce un control sobre el circuito de salida. La aplicacin por excelencia, posiblemente se encuentra en el concepto de amplificacin: bajo determinadas condiciones podemos conseguir que la corriente de colector sea proporcional a la corriente de base.
Anlisis de un transistor en corriente alterna

Los transistores tienen un modelo equivalente que permite aplicar los mtodos tradicionales de anlisis de circuitos (mallas, nodos). Estos modelos se obtienen del estudio de las ecuaciones que rigen el comportamiento de los transistores. Existen varios modelos para simular el comportamiento del transistor en alterna, el ms popular es del modelo en parmetros h.
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A la entrada, la seal se encuentra con una resistencia hie y un generador de tensin pendiente de la tensin colector-emisor, hre*Vce. A la salida, un generador de corriente refleja la dependencia entre la corriente de colector y la corriente de base, hfe*ib y la resistencia 1/hoe representa la resistencia de salida.
Trabajar con los parmetros h constituye una gran ventaja ya que podemos sustituir el transsitor por este sencillo circuito que nos permitir hallar la expresin de la seal de salida en funcin de la seal de entrada y de los parmetros de transistor.
Condensadores de acoplo y desacoplo

La resistencia de un condensador al paso de una corriente elctrica depende de la frecuencia. De ah que se hable de diferentes comportamientos en continua y en alterna: Condensadores de acoplo: Se utilizan para transmitir o conectar seales alternas de un punto de un circuito a otro sin que afecte el comportamiento en continua. En continua el condensador se abre y por lo tanto impide que la seal alterna llegue al nodo. Sin embargo, en alterna es un corto y l seal pasa sin problemas. Condesadores de desacoplo:Tienen como misin proporcionar un camino directo a masa para las seales alternas sin alterar el comportamiento del circuito en continua.
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Comprobacin de transistores
La mejor forma de identificar un transistor es anotar su referencia t, posteriormente, consultar sus caractersticas en las hojas de especificaciones tcnicas del fabricante, o en un libro de caractersticas de transistores. Mediante un mtodo sencillo se puede determinar si un transistor desconocido es del tipo PNP o NPN. Este mtodo consiste en tomar varias medidas, con el polmetro utilizado como hmetro en el rango de 100, de las resistencias que aparecen entre los diferentes terminales del transistor. La medicin de un transistor es anloga a la de un diodo. Tanto entre base y emisor como tambin entre base y colector deben obtenerse resultados como un diodo normal. Primeramente, determinemos cul de los terminales del transistor corresponde a la base. Esto se consigue midiendo la resistencia en el hmetro entre los diferentes terminales. En un transistor en buen estado, la resistencia entre el colector y el emisor es siempre muy alta, cualquiera que sea la polaridad aplicada por el hmetro (que no olvidemos que en las puntas del polmetro acta como una fuente de tensin); cuando hagamos esta verificacin, el otro terminal corresponder a la base. Una vez localizada la base, conectamos la punta de prueba positiva en la misma y la negativa en cualquiera de los otros dos terminales del transistor: si la resistencia obtenida es muy baja (se ha polarizado la unin de uno de los diodos por el efecto de tensin positiva aplicada con el hmetro a la base P) se trata de un transistor NPN; si obtenemos una resistencia muy baja (no se ha polarizado la unin) se trata de un transistor PNP. Nos puede servir de ayuda la siguiente tabla donde se indican las medidas de resistencia que se dan en cada caso para los dos tipos de transistores. Punta roja Punta negra PNP - Medida del NPN - Medida del hmetro hmetro Alta resistencia Alta resistencia Baja resistencia Alta resistencia Alta resistencia Baja resistencia Alta resistencia Alta resistencia Alta resistencia Baja resistencia Baja resistencia Alta resistencia
Colector Emisor Emisor Emisor Base Base Colector Base Emisor Colector
Colector Base
Por este sencillo procedimiento tambin se puede llegar a averiguar cul de los terminales corresponde al emisor y cul al colector. Para ello, hay que tener en cuenta que: La resistencia y tensin de barrera de la unin base-colector es algo menor que la correspondiente a la unin base-emisor. Esta diferencia es ms apreciable si medimos la tensin de barrera con un polmetro digital.
Denominaciones
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A menudo, no es fcil reconocer un transistor como tal. El criterio de las tres patillas no es suficiente, ya que hay ms componentes electrnicos que poseen este nmero de patillas. La siguiente tabla ofrece notas sobre la clasifiacin y las denominaciones. Muchos fabricantes tambin AD... Transistor de potencia (germanio) producen series AF... Transistor de alta frecuencia (germanio, 4 patillas) a medida para un gran volumen AN... Transistor de pequea seal (japons) destinado a BC... Transistor de baja frecuencia (silicio) determinados clientes. Estas BD... Transistor de potencia, conmutacin (silicio) series estn BF... Transistor de (potencia) alta Frecuencia (Si,4p) optimizadas para ser empleadas en BU... Transistor de potencia de alta tensin (silicio) una determinada parte de un BUZ..., IRF... MOSFET de alta potencia circuito concreto. Normalmente llevan puesto la seal del productor y un nmero irreconocible. A veces cuando una compaa quiebra o termina la produccin se libra de estos transistores, los cuales acaban en packs de oferta para aficionados. AC... Transistor de baja frecuencia (germanio) No hay forma de reconocer estos dispositivos, as que slo son utilizables como conductores de LED, buffers, etc, donde el parmetro actual no es importante. Ten cuidado cuando compres Una vez que identifiques tu componente hay que acceder a la hoja de caractersticas o libro de equivalencias.
Disposicin de las patillas

El captulo de disposicin de las patillas de transistores es bastante pesado. Como punto de partida, sepa que los tipos de cpsula que se muestran en la figura de la izquierda, reflejan las disposiciones ms habituales. Sin embargo, los fabricantes parecen no poder seguir un modelo sistemtico; a raz de sto, especialmente los transistores en cpsulas de plstico, pueden tener formas muy variadas. En muchos casos se puede averiguar qu elemento es el colector con una medicin entre la cpsula y uno de los terminales de conexin, que debera ser de 0 . Para comprobar si un transistor est en buen estado utilizaremos el hmetro. Con l verificaremos la resistencia entre los terminales del transistor con las diferentes posibilidades de polarizacin, teniendo en cuenta que: a. Con cualquier polaridad, la resistencia obtenida al aplicar el hmetro entre el colector y el emisor es siempre muy alta para un transistor en buen estado. b. Al polarizar directamente cualquiera de las uniones entre base-colector y baseemisor la resistencia obtenida para un transistor en buen estado debe ser baja, ya que la unin se polariza directamente. Por otro lado, los polmetros digitales suelen ir equipados con un dispositivo, llamado transistmetro, para poder conectar el transistor y as poder determinar su ganancia. Para ello dispone de dos filas de tres conexiones, una para transistores PNP y otra para
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NPN, tal como se muestra en la siguiente figura.

Proyecto realizado por: Directoras: lvaro Len Ruiz. Pilar Martnez Jimnez. Marta Varo Martnez.
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El transistor bipolar
Introduccin
Se denomina transistor de unin a un dispisitivo electrnico constituido por un cristal semiconductor en el que se han formado dos uniones p-n consecutivas. Esto puede conseguirse creando dos zonas de tipo p separadas por un zona de tipo n (transistor PNP) o bien creando dos zonas tipo n separadas por una zona p (transistor NPN). El transistor es el caballo de batalla de la electrnica. Como elemento amplificador activo, ha sustituido casi por completo a las vlvulas o tubos electrnicos. La estructura interior muestra que el transistor es una especie de "diodo doble", con dos uniones (una entre base y emisor y otra entre base y coelctor). Esto deja claro rpidamente las dos formas posibles, a saber: el transistor PNP y el transistor NPN. Como el cristal base es extremadamente delgado, una pequea corriente de control, entre base y emisor, puede regular una corriente mucho ms alta entre colector y emisor. La principal aplicacin del transistor es su fuincionamiento como amplificador. Para ello es preciso polarizar una de las uniones en sentido directo y la otra en sentido inverso. La zona exterior de la unin polarizada en sentido directo se denomina emisor, mientras que la zona exterior de la unin polarizada en sentido inverso se denomina colector. La parte central recibe el nombre de base. Los transistores son fundamentales en la mayora de los circuitos electrnicos que realizan la funcin de amplificacin, control, estabilizacin de la tensin, etc. Hay que pensar que los dispositivos electrnicos que generan las seales de control, como una resistencia NTC en un termostato, una LDR en una barrera fotoelctrica, un micrfono de audio, etc, producen seales elctricas muy dbiles que, en la mayor parte de las aplicaciones, hay que aumentar (proceso de amplificacin) para poder conseguir alimentar a dispositivos o receptores, que necesitan de un aporte mayor de energa para su funcionamiento (rels que ponen en marcha una lmpara o motor, o altavoces, etc.) Antes de descubrirse en transistor (1950), los circuitos electrnicos estaban constituidos a base de vlvulas de vaco. Estas eran muy voluminosas y necesitaban para su funcionamiento de una resistencia de caldeo, que provocaba un consumo de energa excesivo y acortaba la vida de las mismas. El invento del primer transistor por Schockley dio paso a una nueva era. A partir del transistor bipolar se han ido desarrollando otro tipo de transistores, como el transistor de efecto campo "JFET" y el transistor de campo de xido metlico "MOSFET" que por sus especiales caractersticas les hace ideales para el tratamiento de seales de radio frecuencia y en el diseo de circuitos digitales. Con ellos, tambin se han desarrollado los circuitos integrados o "chips", que reunen en un solo componente multitud e transistores de todo tipo, diodos, resistencias, etc, consiguiendo miniaturizar y simplificar enormemente los circuitos. Los circuitos integrados consiguen realizar mltiples funciones con un solo componente, como las que realiza el micropocesador de, por ejemplo, un ordenador. El transistor es un componente fcilmente identificable por sus tres terminales de conexin que salen al exterior a travs de una de las bases de su cpsula. Estos, suelen estar dispuestos en lnea o segn los vrtices de un tringulo imaginario. Cada uno de estos terminales est unido a un cristal tipo P o tipo N. De esta forma, nos encontramos con un terminal de emisor, un terminal de base y otro de colector.
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Existen dos tipos de transistores, los PNP y los NPN. En la siguiente figura, se muestra la disposicin de los cristales en cada uno de los dos tipos, as como su smbolo correspondiente. Obsrvese que si el transistor es PNP (PeNetra) la flecha correspondiente al emisor se dibuja hacia dentro, y si es NPN (No PeNetra) dicha flecha se dibuja hacia fuera. En el proceso de fabricacin de un transistor NPN, se hace que el cristal semiconductor correspondiente al emisor est muy contaminado, por lo que contendr un exceso de portadores de carga; su tarea consistir en enviar o emitir estos portadores de carga (electrones) a la base. El cristal semiconductor de la base se fabrica en una dimensin extremadamente delgada y un grado tenue de contaminacin o dopaje; los electrones emitidos por el emisor atraviesan, prcticamente en su totalidad, a este cristal, para acabar dirigindose al colector. La misin de la base consistir en controlar dicho flujo de electrones. El cristal semiconductor del colector se fabrica con un grado de contaminacin intermedio y recibe este nombre porque recoge los electrones enviados por el emisor. Cuando la unin emisor base est polarizada en sentido directo y la unin base colector lo est en sentido inverso, se dice que el transistor est funcionando en el modo activo. Este tipo de funcionamiento presenta propiedades de amplificacin, ya que la corriente del colector puede experimentar grandes cambios con pequeas variaciones en la tensin emisor-base. En efecto, al polarizar en sentido directo la unin emisor-base, se inyecta un exceso de huecos en la base, exceso que se difunde hacia el colector. Si el espesor de la base es muy pequeo (menor que una longitud de difusin) una gran parte de los huecos inyectados desde el emisor llega hasta la unin base-colector por lo que la corriente que atraviesa esta unin es mucho ms intensa que la corriente inversa correspondiente a una unin p-n aislada. Por otra parte, pequeas variaciones en la tensin emisor-base provocan grandes variaciones en la corriente que atraviesa dicha unin (recurdese la elevada pendiente de la caracterstica I(V) de una unin polarizada en sentido directo), y por tanto la corriente de colector tambin sufrir grandes variaciones. En definitiva, en un transistor funcionando en modo activo, se produce un traslado de corriente desde un circuito de baja resistencia (el circuito que contiene la unin emisorbase) a otro circuito de resistencia elevada (circuito con la unin base-colector), producindose una amplificacin de potencia. De lo expuesto hasta ahora, se deduce que, para que el transistor funcione como tal, es preciso que la base sea muy delgada. Un dispositivo pnp con una base cuya anchura sea mucho mayor que la longitud de difusin no se comporta como un transistor, sino como dos uniones p-n separadas.
Funcionamiento del Transistor.

Para estudiar el funcionamiento del transistor nos vamos a referir exclusivamente al tipo NPN. Primeramente, entenderemos, o monaremos en un entrenador didctico el siguiente circuito, para el estudio del modo de comportamiento del transistor: Al conectar la fuente de tensin, el LED habr de encenderse, ya que al conectar el polo positivo de la pila a la base (cristal de tipo P) y el negativo al emisor (cristal tipo N), la unin queda polarizada directamente y, por tanto, circular una elevada corriente a travs del cristal (como si se tratase de un diodo), que hace que el LED se encienda.
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Esto se puede observar en la figura de superior: Si se permutan los conductores en los terminales del transistor segn se indica el esquema siguiente, el Led, al ser cerrado el circuito, no se habr de encender, debido a que si se polariza la unin emisor-base PN en sentido inverso, la corriente a travs del cristal ser prcticamente nula y por lo tanto, el diodo LED permanecer apagado tal y como se muestran en las dos imagenes que vienen a continuacin.
Como se puede observar en la figura de la derecha, la zona de puntos, representa la anchura que adquiere la regin de transicin, y el componente se comporta como un diodo polarizado inversamente, la regin de deplexin crece. Seguidamente, se conectan los terminales de colector y emisor como se muestra a continuacin, podrs comprobar como en este caso el diodo LED no se enciende.
Veamos cul es la explicacin a todos estos fenmenos. Los electrones libres del cristal N del emisor son repelidos por el polo negativo de la fuente de alimentacin, mientras que los electrones libres del cristal N del colector son atrados por el polo positivo. De todo esto, se deduce que se produce un desplazamiento de electrones en el sentido del emisor al colector. A pesar de ello, los electrones del emisor no poseen la suficiente energa para atravesar las barreras AB y CD de las uniones, las cuales los repelen. La corriente emisor-colector es por tanto muy pequea y por eso el diodo LED no se enciende, considerndose a efectos prcticos como una corriente de fuga. Si ahora conectamos una resistencia de 1000W y una fuente de alimentacin de 1,5V realizando el montaje que se expone en la siguiente figura, podremos comprobar como en este caso si que se enciende el diodo LED. La principal barrera que se opona al paso de los electrones desde el emisor al colector, la constitua la barrera AB, ya que una vez atravesada sta, los electrones se encuentran bajo la influencia del campo elctrico del polo positivo. Al aplicar una pequea tensin positiva a la base (cristal P), con respecto al emisor (cristal N), dicha barrera desaparecer, por quedar polarizada directamente la unin de
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los cristales PN que la componen, sintindose atrados los electrones por los potenciales positivos de la base y del colector. Dado que el potencial positivo del colector es mucho ms elevado que el de la base, los electrones se sentirn ms atraidos por el primero, por lo que se obtiene una elevada corriente de colector (que hace que el diodo se encienda y una pequea corriente de base. A esta explicacin hay que aadir que, al ser el cristal de la base extremadamente delgado y estar dbilmente contaminado con unos pocos huecos, la base se satura rpidamente al ser invadida por la gran cantidad de electrones procedentes del emisor, causando una difusin de los mismos hacia la zona de empobrecimiento de la unin con el colector. Una vez que los electrones han superado la unin, son atrados con fuerza por el fuerte campo elctrico positivo a que est sometido el colector. El nmero de electrones que fluyen hacia el colector ser ms elevado cuanto mayor sea la tensin de polarizacin directa del diodo base-emisor. Por lo que se puede decir que esta tensin, junto con la corriente de base, controla la corriente de colector. Haciendo un smil, podramos decir que la tensin de polarizacin del diodo base-emisor abre ms o menos una compuerta por donde pasan los electrones; esta compuerta se consigue abrir con un pequeo esfuerzo (dbil corriente de base); sin embargo, por ella pasan una gran cantidad de electrones, que se dirigen hacia el colector, debido al fuerte potencial elctrico que ste posee. Si tenemos en cuenta que la corriente de base es muy pequea con respecto a la del colector y que esta ltima vara en consonancia con la primera, habremos comprendido la ms importante propiedad del transistor, consistente en su capacidad de amplificacin de corriente. Este fenmeno nos permitir que, con la dbil corriente que puede tener cualquier forma de variacin en el tiempo, como pueden ser seales de radio, TV, sonido, etc, podamos obtener la misma forma de variacin en el tiempo sobre una corriente mayor, procedente de una fuente de alimentacin, lo que da lugar a poder transformar seales dbiles en otras suficientemente fuertes para producir, por ejemplo, sonido en un altavoz, imagen en un televisor, etc. El estudio que se ha hecho para el transistor NPN es igualmente vlido para el PNP, con la nica diferencia de que en el caso del transistor PNP la conduccin se produce cuando se aplica una tensin negativa en el colector con respecto al emisor y una tensin ingualmente negativa, aunque de inferior valor a la base, con respecto al emisor. La siguiente figura, muestra la distribucin de portadores en un transistor pnp sin polarizar, as como las barreras de potencial que aparecen en las uniones. Estas distribuciones corresponden a las de un transistor tpico, en el cual el emisor est ms intensamente dopado que el colector, y ambos estn ms dopados que la base. Pot tanto, las concentraciones de portadores mayoritarios verifican que: Por el contrario, portadores minoritarios cumplen las desiualdades:
las
concentraciones
de
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...donde los subndices e, b y c hacen referencia al emisor, base y colector, respectivamente. El segundo subndice, o, se refiere a que las concentraciones corresponden a las del equilibrio trmico. Las barreras de potencial que aparecen en las uniones emisor-base y base-colector se representan por V0 y V'0, respectivamente. Dadas las diferencias en el dopado emisor, base y colector, antes citadas, resulta evidente que V0>V' 0. Supongamos ahora un transistor polarizado en el modo activo. La tensin directa aplicada a la unin emisor base es Veb' y la tensin de polarizacin inversa aplicada a la unin base-colector es Vbo'. En la siguiente figura, se representan las barreras de potencial correspondientes a cada unin, y en un tercer lugar, se muestran las concentraciones de portadores a lo largo del transistor. Para obtener dichas concentraciones se pueden seguir los razonamientos expuestos en el estudiados en otros captulos, para el caso del modelo unidimensional de la unin p-n. As, la disminucin de la barrera de potencial de la unin del emisor provoca una inyeccin de huecos desde el emisor a la base, y una inyeccin de electrones desde la base al emisor. Las concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados de la unin son:
Donde el exceso de huecos de la base P b(O), suele ser mucho mayor que el exceso de electrones en el emisor, no(O), ya que como se ha indicado anteriormente el emisor est mucho ms dopado que la base y, por tanto, P bo>> neo. Por otra parte, las concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados de la unin de colector, porlarizada inversamente, son mucho menores que las correspondientes a una unin sin polarizar, hacindose prcticamente despeciables. Hay que sealar que, en las proximidades de las dos uniones, las concentraciones de portadores mayoritarios, se modifican ligeramente con respecto a las del equilibrio trmico. No obstante, y dado el elevado valor de P eo, nbo y P co, las variaciones relativas son muy pequeas frente a las modificaciones en las concentraciones de los portadores minoritarios. Por ello, en la figura donde se muestran, las concentraciones aparecen representadas mediante rectas horizontales. Si la anchura de la base fuese varias veces la longitud de difusin, P b decrecera exponencialmente hasta P bo y luego, en las proximidades de la unin del emisor, disminuira hasta un valor casi nulo. No obstante, y dado que el espesor de la bse es muy inferior al de una longitud de difusin, la disminucin de la concentracin de huecos desde el borde de la unin emisor-base hasta el borde de la unin base-emisor es prcticamente lineal, tal como se muestra en la figura anterior. Esta aproximacin est fundamentada en el hecho de que, al recombinarse muy pocos huecos de los inyectados desde el emisor, la corriente de difusin de huecos a travs de la base es prcticamente constante, lo que requiere un gradiente de concentraciones prcticamente uniforme y, por tanto, una distribucin lineal.
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Transistores de efecto campo FET

Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un slo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente, sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.
Comprobacin de los transistores Tipos de transistores 1. El transistor bipolar Transistores de efecto campo (FET) JFET MOSFET 2. Transistores UJT 3. Transistores IGBT 4. Transistores de potencia Tipos de transistores segn proceso de fabricacin 1. 2. 3. 4. 5. Introduccin Disipacin trmica Fabricacin de transistores Circuitos integrados monolticos Otros mtodos de fabricacin
La Figura anterior muestra un esquema que ayudar a comprender el funcionamiento de un FET. En este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N.
La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta. Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estar formada por el canal. Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin. Si Vds se hace positiva ( y Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre sumidero y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en la parte ms prxima al sumidero, que es la ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal.
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Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la tensin, ya que la penetracin de la capa desierta hacia el interior del canal no vara sustancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensin aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la conductancia de ste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre la corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamndose tensin de estriccin Vp a la del punto de transicin entre el comportamiento casi lineal y el casi saturado. Si a la puerta se le aplica una polarizacin negativa estacionaria, la capa desierta penetra ms en el interior que con la polarizacin nula; por tanto, para pasar a la zona de estriccin se necesita menos tensin de sumidero. El aumentar la polarizacin negativa permite tener la transicin a la zona de estriccin a corrientes de sumidero an inferiores. El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la conductancia del canal por parte de la tensin de puerta y, como la unin puerta-canal se encuentra siempre polarizada inversamente, el FET es por esencia un elemento de alta impedancia de entrada.
Parmetros del FET

La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir:
En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma.
El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la pendiente de la curva. En el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande). El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.
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El JFET
Vamos a tratar en este tema el transistor de efecto campo JFET, y para ello, el captulo, est dividido en varias secciones. Puedes acceder a cada una de las secciones, mediante el men local que puedes encontrar en la parte derecha de la pgina.
Introduccin
El JFET, transistor de efecto de campo o transistor unipolar, fue inventado en 1948, al mismo tiempo que el transistor normal o bipolar, pero no fue posible su implantacin hasta 1970 debido a la alta tecnologa necesaria para formar sus uniones. No es muy comn encontrarse en un circuito un JFET aislado, stos suelen aparecer, ms bien, insertos en circuitos integrados. Otras veces aparecen incorporados, por ejemplo, en las cpsulas microfnicas, como un pequeo amplificador de la seal dbil que se produce en stas. Un JFET rene las caractersticas ms interesantes de las vlvulas electrnicas, con las grandes ventajas de los componentes semiconductores. Segn su composicin, existen dos tipos de transistores JFET, los JFET de canal N y los de canal P. En la siguiente figura, se muestra la estructura de un transistor unipolar JFET de canal N con su smbolo correspondiente: Este componente est formado por una delgada capa de material semiconductor tipo N denominado canal. A los lados de sta aparecen dos regiones de material semiconductor tipo P. En cada uno de los extremos del canal se sita un terminal. As, tenemos un terminal de fuente o surtidor (del ingls source) y otro de sumidero o drenador (drain). Las dos regiones P se interconectan entre s, y hacia el exterior, constituyendo el terminal de puerta o graduador (gate). Este componente funciona de la siguiente forma: en los transistores de unin bipolares, la corriente de colector emisor se controlaba gracias a la variacin de la pequea corriente que se aplica a la base, realizndose la conduccin tanto por electrones como por huecos. Sin embargo, los transistores de efecto campo funcionan solamente con un tipo de portadores de carga: huecos o electrones, segn el tipo de canal. As, por ejemplo, en un JFET de canal N, lo portadores son los electrones. El transistor de la figura de la derecha conduce siempre del terminal de surtidor al de drenador (sentido electrnico de la corriente). El canal N posee suficientes electrones libre como para que se pueda establecer un paso de corriente. Si ahora sometemos al terminal de puerta a una tensin negativa, los electrones libres sern expulsados por repulsin fuera del canal. Esto hace que el canal se quede con menos portadores de carga y, por lo tanto, su resistencia aumente considerablemente, lo que provoca una disminucin de la corriente que atraviesa el canal del surtidor al de drenaje. En el caso de que la tensin sea suficientemente negativa, la corriente puede dejar de fluir.
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A esta forma de trabajo se la denomina de empobrecimiento, es decir, que la tensin de control aplicada a la puerta empobrece o extrae los portadores del canal, lo que hace que ste se estreche al paso de la corriente. En el JFET de canal P de la siguiente figura, se utiliza material semiconductor P para el canal y N para la puerta. Observa, cmo en este caso, la flecha del canal, en el smbolo, apunta hacia afuera. La tensin aplicada a la puerta se hace ahora positiva, consiguiendo, as, repeler los huecos existentes en el canal P y controlar de esta forma, la corriente del surtidor. En cualquiera de los dos tipos de transistores unipolares, la tensin de polarizacin del diodo formado por la puerta y el canal se polariza inversamente. De esta forma evita que por esta unin fluya corriente elctrica. Todo el estudio que vamos a realizar a continuacin del JFET, lo hacemos para el de canal tipo N.
Curvas caractersticas de drenador de un JFET

En las siguientes figuras, se muestra un ejemplo de la familia de curvas caractersticas de surtidor comn de un transistor JFET de canal N y el circuito correspondiente con el que se han obtenido dichas curvas. Examinando estas curvas podemos observar que la corriente de drenaje ( ID ) se hace ms pequea a medida que aumenta la tensin negativa aplicada entre la puerta y el surtidor ( VGS ). Al igual que ocurra con los transistores bipolares, en estas curvas se pueden apreciar cuatro zonas de operacin: regin de ruptura, regin activa, regin de corte y regin de saturacin. En la regin de ruptura, cuando la tensin drenador-surtidor ( VDS ) aumenta excesivamente, el JFET entra en la regin de ruptura y se produce una avalancha que puede destruir el transistor. En las curvas, tomadas como ejemplo, de la figura anterior, es del orden de 16 V. En la regin de corte, el transistor entra en corte, es decir, no conduce (se comporta como un interruptor abierto). Esto ocurre cuando la tensin negativa del graduador o puerta es suficiente para estrangular totalmente el canal. En las curvas anteriores, se
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observa que esta tensin VGS es de -1.2 V. A esta tensin se la representa por VGS(apag). En la regin de saturacin, el transistor se convierte en un buen conductor (se comporta como un interruptor cerrado). Esto ocurre cuando se cortocircuitan los terminales de puerta y fuente, y VGS=0. Para este valor (observa las curvas caractersticas), la corriente se mantiene prcticamente constante (aproxiamdamente ID=4 mA) a partir del codo de la curva (aproximadamente VDS=3V). A esta corriente se la conoce por IDSS y es la mxima que se puede dar en el drenador de un JFET con la puerta en cortocircuito. Segn las curvas de la figura, IDSS=4mA. La regin activa del JFET se encuentra entre las regiones de saturacin y ruptura. Segn las curvas expuestas, esta regin se encontrar para los valores de 3 a 16 V de VDS.
Corriente de fuga de graduador o compuerta.

La unin que se establece entre los cristales del graduador y el surtidor se comporta como si fuese un diodo de silicio polarizado inversamente, por lo que la corriente inversa que fluye por el graduador es muy pequea, prcticamente despreciable. sta es la razn por la que slo se tiene en cuenta una corriente, la ID.
Resistencia de entrada.
Debido a que la corriente que circula por el terminal graduador es prcticamente cero, la resistencia o impedancia de entrada se hace elevadsima, del orden de miles de kilohmios. Por esta razn, este transistor se emplea ms en aquellos casos en que se requiera una mayor impedancia de entrada.
Curvas de transferencia o transconductancia.

Estas curvas nos indican los valores que toma la intensidad de drenador (ID) en funcin de las variaciones que experimenta la tensin de graduador-surtidor (VGS) para valores de VDS constantes. En general, la curva de transconductancia de cualquier JFET posee la forma de una parbola, tal como se muestra en la figura anterior. Esta grfica se corresponde con las curvas de drenador del JFET. Esta curva se corresponde con la siguiente ecuacin:
De esta forma, conociendo los valores de IDSS y VGS(apag) (datos que suele proporcionar el fabricante en las hojas tcnicas) se puede determinar el valor de la corriente ID para cualquier valor de la tensin VGS aplicada a la puerta.
Aplicaciones
El JFET posee bastantes aplicaciones, como son: interruptores analgicos, multiplexores, control automtico de ganancia "CAG" en receptores de radio, amplificadores de pequea seal en receptores de radio y TV, troceadores o choppers, etc. En la figura de la izquierda, se muestra un ejemplo de interruptor analgico con un JFET. Si a este circuito se le aplica una tensin VGS=0, el transistor entrar en saturacin y se comportar como un interruptor cerrado. Por otro lado, si la tensin aplicada es VGS=VGS(apag), el transistor se pondr en corte y actuar como un interruptor abierto.
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Cuando se utiliza un JFET como interruptor, se le hace trabajar nicamente en dos estados, corte y saturacin.
Fabricacin
JFET de canal N. La siguiente figura representa un JFET en el que difusin se realiza por una cara solamente. Se representa en ella la seccin del plano AA' de la vista superior de la figura b). El sustrato es de material tipo P en el que se ha formado por crecimiento epitaxial el canal n. Seguidamente, se difunde una puerta P en el canal N. La puerta difundida es de un material de muy baja resistividad permitiendo que la regin de deplexin se extienda ms en el canal tipo N.
JFET de canal P. Este tipo se obtiene a partir de la estructura de la resistencia MOS, aadiendo una conexin metlica al emisor, que la resistencia no necesitaba para a su construccin. Este contacto conductor constituye el terminal de puerta mientras que los otros dos terminales actan de fuente y drenador. El canal lo constituye la fina regin P que forma la resistencia. Obsrvese que el FET de canal P requiere dos operaciones de difusin P contrariamente a lo que ocurre al FET de canal N de la anterior figura. Con lo dicho, resulta evidente que tal resistencia es fuertemente no lineal. La resistencia es igual a la inversa de la pendiente de la curva tensin-corriente (dVDS/dID) y por tanto su valor depende de VDS. Si VDS aumenta hasta provocar la estriccin de la seccin recta del canal y llegar a la corriente de saturacin, la resistencia llega a adquirir valores sumamente elevados.
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El MOSFET
Introduccin al MOSFET
Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field Effect Transistor) son muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos estriba en que, en los MOS, la puerta est aislada del canal, consiguindose de esta forma que la corriente de dicho terminal sea muy pequea, prcticamente despreciable. Debido a este hecho, la resistencia de entrada de este tipo de transistores es elevadsima, del orden de 10.000 MW , lo que les convierte en componentes ideales para amplificar seales muy dbiles. Existen dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura interna: los de empobrecimiento y los de enriquecimiento. Los primeros tienen un gran campo de aplicacin como amplificadores de seales dbiles en altas frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada. Los segundos tienen una mayor aplicacin en circuitos digitales y sobre todo en la construccin de circuitos integrados, debido a su pequeo consumo y al reducido espacio que ocupan.
MOSFET de empobrecimiento
Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede aislar totalmente la estructura de la puerta de la del canal. Con esta disposicin se consigue eliminar prcticamente la corriente de fuga que apareca en dicho terminal en los transistores JFET. En la siguiente figura se puede apreciar la estructura de un MOSFET de canal N. Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento como de enriquecimiento, como puede observarse en la siguiente figura: La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los electrones de la fuente pueden circular desde el surtidor hacia el drenador a travs del canal estrecho de material semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea la diferencia de potencial VDD aplicada por la fuente, mayor ser esta corriente. Como ocurra con el JFET, la tensin negativa, aplicada a la puerta, produce un estrechamiento en el canal, debido al empobrecimiento de portadores, lo que hace que se reduzca la corriente de drenador. Aqu se aprecia claramente que, el fenmeno de control se realiza a travs del efecto del campo elctrico generado por la tensin VGG de la puerta. Debido a que la puerta est aislada del canal, se puede aplicar una tensin positiva de polarizacin al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al MOSFET en enriquecimiento. Efectivamente, la tensin positiva del graduador provoca un aumento o enriquecimiento de electrones libres o portadores en el canal, de tal forma que, al aumentar la tensin positiva VGG, aumenta tambin la corriente de drenador.
Curvas caractersticas
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En la siguiente figura, abajo a la izquierda, se muestra el ejemplo de una familia de curvas de drenador de un MOSFET de empobrecimiento de canal N.
Obsrvese cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de VGS (trabajo en modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de enriquecimiento). La corriente ms elevada se consigue con la tensin ms positiva de VGS y el corte se consigue con tensin negativa de VGS(apag). De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que nos indica la relacin que existe entre VGS e ID. sta posee la forma que se muestra en la siguiente curva abajo a la derecha: Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones positivas como negativas. Por esta razn, la corriente IDSS, correspondiente a la enterseccin de la curva con el eje ID, ya no es la de saturacin. Como ocurra con el JFET, esta curva de trasconductancia es parablica y la ecuacin que la define es tambin:
Segn se puede apreciar en la curva de transconductancia de un MOSFET, este tipo de transistor es muy fcil de polarizar, ya que se puede escoger el punto correspondiente a VGS=0, ID=IDSS. Cuando ste queda polarizado as, el transistor queda siempre en conduccin o, normalmente, encendido.
Smbolos de los MOSFET

En la siguiente figura, podemos ver un transistor MOSFET de canal N (punta hacia adentro) con cuatro terminales disponibles. El terminal de sustrato est libre, en algunos casos, para dar al transistor un mayor control sobre la corriente de drenador.
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Tipo de enriquecimiento
Este tipo de MOSFET est diseado de tal manera que slo adminte la forma de trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicacin fundamental de este transistor se realiza en circuitos digitales, microprocesadores, etc. En las siguientes figura (a), se muestran un ejemplo de las curvas de drenador y en la (b) las de transconductancia de este tipo de MOSFET. Como se podr observar en las curvas caractersticas, este transistor slo conduce cuando son aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que normalmente estar en no conduccin o apagado. El smbolo que representa al MOSFET de enriquecimiento son los que se indican en las siguientes figuras, siendo el (a) de enriquecimiento y canal N y en el (b) MOSFET de enriquecimiento y canal P.
Observa cmo la lnea del canal en estos transistores se representa como una lnea punteada.
Proteccin de los MOSFET

Tanto los MOSFET de empobrecimiento como los de enriquecimiento, poseen una capa extremadamente delgada de aislante que separa la puerta del canal. Esta capa se destruye con suma facilidad si se aplica una tensin VGS por encima de la mxima soportable. Por esta razn, nunca debe operarse con una tensin superior a la VGS(max) prescrita en las caractersticas del MOSFET. An as, dicha capa aislante es tan delicada que puede destruirse por otras causas, como pueden ser las sobretensiones provocadas al insertar o retirar un MOSFET del circuito sin haber desconectado la fuente de alimentacin. Tambin puede ocurrir, en ciertos casos, que al tocar con las manos los terminales de un MOSFET se produzca una descarga electrosttica entre ellos, que los destruya. Por esta razn los MOSFET se almacenan con un conductor que cortocircuita sus terminales. Este conductor se retira una vez conectado el MOSFET a su circuito.
Consideraciones sobre el MOSFET

En un transistor de unin de efecto campo, se aplica al canal un campo elctrico a travs de un diodo p-n. Empleando un electrodo de puerta metlico separado del canal semiconductor por una capa de xido, como se muestra en la figura, se obtiene el efecto de un campo bsicamente distinto. La disposicin Metal-xido-Semiconductor (MOS) permite que un campo bsicamente distinto afecte al canal si se aplica una tensin
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externa entre puerta y sustrato, y sto, tambin posee un efecto negativo sobre el comportamiento del MOSFET. En efecto, si observamos la figura de la derecha, donde en azul marino se representa la capa de Dixido del Silicio y en Rojo las zonas tipo N y el canal, vemos que al aplicar una tensin sobre la puerta se necesitar un campo mnimo que inversione el canal. Esta tensin, llamada tensin umbral y representada por VTH es aquella que acumula una concentracin de cargas capaz de invertir el canal. Esto da lugar a que los niveles entre los circuitos digitales MOS y TTL sean incompatibles, porque los MOS no pueden trabajar a 5 V, puesto que quedara un margen de ruido muy pequeo para su trabajo. Se puede buscar entonces, reducir esa tensin umbral para la compatibilidad de las dos familias de dispositivos, y se ataca este problema en la fase de fabricacin del dispositivo, teniendo en cuenta que la tensin umbral se debe a: El espesor del SiO2: A ms espesor, menos campo aplicado. A los espacios de registro de la puerta. El contacto de puerta, en su fabricacin, no cubre el 100% de la capa, por lo que baja su efectividad. Para reducir la tensin umbral del dispositivo, hemos de atacar estos dos conceptos, en la fase de fabricacin de estos dispositivos, por ejemplo, mediante fabricacin con la tcnica SATO. Adems, los dispositivos MOS, presentan otro problema: las capacidades asociadas al contacto de puerta y los contactos de drenador y surtidor por el hecho de estar solapados. Esta capacidad, introduce cortes o polos a altas frecuencias. Si disminuimos las capacidades, el transistor, podr trabajar a ms altas frecuencias, sobre todo dirigido para aplicaciones digitales y computacionales.
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El transistor de Unijuntura (UJT)

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para SCR y TRIACs. El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal como se muestra en la siguiente figura: En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en realidad est compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad de impurezas, presentando en su estructura un nmero elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor no conduce. Para entender mejor cmo funciona este dispositivo, vamos a valernos del circuito equivalente de la figura siguiente: R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los terminales de las bases. El diodo D equivale a la unin formada por los cristales P-N entre el terminal del emisor y el cristal N. Mientras el diodo del emisor no entre en conduccin, la resistencia entre bases es igual a:
Si en estas condiciones aplicamos una tensin de alimentacin VBB entre las dos bases, la tensin que aparece entre el emisor y la base ser la que corresponda en el circuito equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensin se cumplir que:
Si llamamos =R1/RBB, la ecuacin queda: V1 = VBB. El trmino representa la relacin intrnseca existente entre las tensiones V1 y VBB. As, por ejemplo, si un UJT posee una relacin intrnseca caracterstica igual a 0,85 y queremos determinar la tensin que aparecer entre el terminal de emisor y la base 1 al aplicar 12V entre bases, bastar con operar de la siguiente forma:
Al valor de V1 se le conoce como tensin intrnseca, y es aqulla que hay que aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos una tensin de 8V al emisor, ste no conducir, ya que en el ctodo del diodo D existe un potencial
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positivo de 10,2V correspondiente a la tensin intrnseca, por lo que dicho diodo permanecer polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos una tensin superior a 10,9V (los 10,2V de V1 ms 0,7V de la tensin de barrera del diodo D), el diodo comenzar a conducir, producindose el disparo o encendido del UJT. En resumen, para conseguir que el UJT entre en estado de conduccin es necesario aplicar al emisor una tensin superior a la intrnseca. Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una tensin de polarizacin directa del emisor respecto a la base 1, los portadores mayoritarios del cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal de tipo N comprendido entre el emisor y dicha base (recordar que el cristal P est fuertemente contaminado con impurezas y el N dbilmente). Este efecto produce una disminucin repentina de la resistencia R1 y, con ella, una reduccin de la cada de tensin en la base 1 respecto del emisor, lo que hace que la corriente de emisor aumente considerablemente. Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (Iv), el diodo permanecer en conduccin como si de un biestable se tratase. Esta corriente se especifica normalmente en las hojas de caractersticas y suele ser del orden de 5mA. En la figura de la derecha, se muestra el aspecto de una de las curvas caractersticas de un UJT. Vp (punto Q1) nos indica la tensin pico que hay que aplicar al emisor para provocar el estado de encendido del UJT (recordar que Vp = V1 + 0,7). Una vez superada esta tensin, la corriente del emisor aumenta (se hace mayor que Ip), provocndose el descebado del UJT cuando la corriente de mantenimiento es inferior a la de mantenimiento Iv (punto Q2).
Aplicaciones del UJT

Una de las aplicaciones del UJT ms comn es como generador de pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR. En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos. Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensin VCC al circuito serie R-C, formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador comienza a cargarse. Como este condensador est conectado al emisor, cuando se supere la tensin intrnseca, el UJT entrar en conduccin. Debido a que el valor hmico de la resistencia R1 es muy pequeo, el condensador se descargar rpidamente, y en el terminal de B1 aparecer un impulso de tensin. Al disminuir la corriente de descarga del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de la de mantenimiento, ste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del condensador. As, se consigue que en el terminal de la base 1 aparezca una seal pulsante en forma de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC. Para regular el tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor hmico de la resistencia variable RS, ya que de sta depende la constante de tiempo de carga del condensador. En la siguiente figura, se muestra una tpica aplicacin del generador de pulsos de diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR. Mediante este circuito controlamos la velocidad de un motor serie (o de cualquier otro tipo de carga: estufas, lmparas, etc) gracias a la regulacin de la corriente que realiza sobre medio ciclo del SCR. Para controlar
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la velocidad del motor, basta con modificar la frecuencia de los pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue variando el valor del potencimetro RS.
Proyecto realizado por: Directoras: lvaro Len Ruiz. Pilar Martnez Jimnez. Marta Varo Martnez. Mapa web Otros laboratorios virtuales disponibles en: http://rabfis15.uco.es/lvct/index.php?q=node/18
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Transistores IGBT
Los IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) constituyen, desde el punto de vista de su empleo, un hbrido entre los transistores bipolares y los MOSFET para aprovechar tanto la sencillez de ataque de los ltimos, como la capacidad para conducir altas corrientes y baja resistencia en conduccin de los primeros. La estructura bsica, as como el circuito equivalente se muestra en la siguiente figura:
La estructura recuerda mucho la de un transistor MOSFET de potencia donde se utilizan obleas dopadas de Tipo N sobre las que se deposita una fina capa epitaxial. El IGBT est construido de forma casi idntica. La capa epitaxial presenta el mismo espesor y se dopa igual que en un FET. Sin embargo, existe una importante diferencia: el material de partida es una oblea dopada Tipo P en lugar de Tipo N. La unin PN adicional, as creada, inyecta portadores (huecos) en la regin epitaxial Tipo N reduciendo su resistividad y rebajando la cada de tensin en conduccin. A este proceso se le conoce tambin por "Modulacin de la Conductividad" y puede contribuir a incrementar la capacidad de conduccin de corriente hasta 10 veces ms. Por otro lado, la adicin de esta capa Tipo P, introduce un nuevo transistor parsito que con el NPN inherente a la estructura de un MOSFET, conforma un Tiristor parsito, el cul en caso de ser activado puede destruir al IGBT. Desde el punto de vista econmico, los IGBT, al utilizar el principio de los FET tan slo para el circuito de ataque y no el de potencia, dejando ste en manos de una estructura bipolar, reducen sustancialmente los requerimientos en cuanto a superficie de Silicio necesaria. Tenemos entonces que, para tensiones superiores a los 400V, la superficie de un IGBT es tpicamente un tercio de la del MOSFET comparable. El techo de frecuencia se sita alrededor de los 75kHz, debido a que la corriente principal se controla con un transistor bipolar. En estos dispositivos sin embargo, se han conseguido tiempos de conmutacin de 0,2 ms con muy bajas cadas de tensin, lo que les hace muy tiles en conmutaciones rpidas. La facilidad de control, similar a la de un MOSFET, unida a sus prdidas relativamente bajas, les convierten en la eleccin idnea para aplicaciones de control de motores conectados directamente a la red (hasta 480 V). Para tensiones de 400 a 1200 V, los IGBT ofrecen ventajas sustanciales frente a los transistores bipolares de potencia, por lo que estn sustituyendo a stos en un amplio campo de aplicaciones.
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Actualmente, con la aparicin de la 2 generacin de IGBTs, los fabricantes ofrecen una amplia gama de estos dispositivos, y se pueden elegir bien por su rapidez o bien por su cada de tensin en conduccin; esto es muy interesante ya que permite optimizar la utilizacin de stos dispositivos en funcin de las distintas aplicaciones. Se encuentran ya dispositivos capaces de soportar 1200 V y 400 A.
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El transistor de potencia
El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. Existen tres tipos de transistores de potencia: Bipolar Unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo) IGBT Parmetros Impedancia de entrada Ganancia en corriente Resistencia ON (saturacin) Resistencia OFF (corte) Voltaje aplicable Mxima operacin temperatura de MOS Alta Ohmios) Alta (107) Media/alta Alta Alto (1000 V) Alta (200C) Alta 500Khz) Alto (100Bipolar (1010 Media Ohmios) (104
Media (10-100) Baja Alta Alto (1200 V) Media (150C)
Frecuencia de trabajo Coste
Baja (10-80Khz) Medio
El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares: Trabaja con tensin. Tiempos de conmutacin bajos. Disipacin mucho mayor (como los bipolares). Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal: Pequeas fugas. Alta potencia. Bajos tiempos de respuesta (ton, toff), para conseguir una alta frecuencia de funcionamiento. Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del semiconductor. Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE mxima elevada). Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ). Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no se hace
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instantneamente, sino que siempre hay un retardo (ton, toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector-base y baseemisor y los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.
Principios bsicos de funcionamiento

La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicacin de una tensin entre puerta y fuente. Esta diferencia vienen determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son sustancialmente distintas. Es una caracterstica comn, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre ms pequea que la potencia manejada en los otros dos terminales. En resumen, destacamos tres cosas fundamentales: En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC. En un FET, la tensin VGS controla la corriente ID. En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante mayor.
Tiempos de conmutacin
Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el transistor va a ser mayor. Estas prdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar sta, tambin lo hace el nmero de veces que se produce el paso de un estado a otro. Podremos distinguir entre tiempo de excitacin o encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). A su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos. Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica la seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la seal de salida alcanza el 10% de su valor final. Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final. Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su valor final. Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final. Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones :
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Cabe destacar, el hecho de que el tiempo de apagado (toff) ser siempre mayor que el tiempo de encendido (ton). Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia mxima a la cual puede conmutar el transistor. Otros parmetros importantes
Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un terminal. Ejemplo ICAV, corriente media por el colector. Corriente mxima: es la mxima corriente admisible de colector (ICM) o de drenador (IDM). Con este valor se determina la mxima disipacin de potencia del dispositivo. VCBO: tensin entre los terminales colector y base cuando el emisor est en circuito abierto. VEBO: tensin entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto. Tensin mxima: es la mxima tensin aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector y emisor con la base abierta en los bipolares, drenador y fuente en los FET). Estado de saturacin: queda determinado por una cada de tensin prcticamente constante. VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de conduccin RDSon en el FET. Este valor, junto con el de corriente mxima, determina la potencia mxima de disipacin en saturacin. Relacin corriente de salida - control de entrada: hFE para el transistor bipolar (ganancia esttica de corriente) y gds para el FET (transconductancia en directa).
Modos de trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor, pueden ser:
Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisorbase y a una polarizacin inversa de la unin colector-base. Esta es la regin de operacin normal del transistor para amplificacin.
Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisorbase y a una polarizacin directa de la unin colector-base. Esta regin es usada raramente. Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en sta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC=0). Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerrado (VCE=0).
Avalancha secundaria - Curvas SOA.
Si se sobrepasa la mxima tensin permitida entre colector y base con el emisor abierto (VCBO), o la tensin mxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (VCEO), la unin colector-base polarizada en inverso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo, denominado avalancha primaria. Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones por debajo de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin de la intensidad de base), que se produce cuando tenemos polarizada la unin base-emisor en directo. En efecto, con dicha polarizacin se crea un campo magntico transversal en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequea zona del dispositivo (anillo circular). La densidad de potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de polarizacin de la base, a la corriente de colector y a la VCE, y alcanzando cierto valor, se produce en los puntos calientes un fenmeno degenerativo con el consiguiente aumento de las prdidas y de la temperatura. A este fenmeno, con efectos catastrficos en la mayor parte de los casos, se le conoce con el nombre de avalancha secundaria (o tambin segunda ruptura). El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es producir unos codos bruscos que desvan la curva de la situacin prevista (ver grfica anterior). El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la avalancha secundaria durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas lmites en la zona activa con los tiempos lmites de trabajo, conocidas como curvas FBSOA. Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de curvas para corriente pulsante, cada una de las cuales se dan en un ciclo concreto. Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con polarizacin inversa de la unin base-emisor se produce la focalizacin de la corriente en el centro de la pastilla
de Si, en un rea ms pequea que en polarizacin directa, por lo que la avalancha puede producirse con niveles ms bajos de energa. Los lmites de IC y VCE durante el toff vienen reflejado en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.
Efecto producido por carga inductiva - Protecciones

Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de trabajo ms desfavorables dentro de la zona activa.
En el diagrama superior se han representado los diferentes puntos idealizados de funcionamiento del transistor en corte y saturacin. Para una carga resistiva, el transistor pasar de corte a saturacin. Para una carga resistiva, el transistor pasar de corte a saturacin por la recta que va desde A hasta C, y de saturacin a corte desde C a A. Sin embargo, con una carga inductiva como en el circuito anterior el transistor pasa a saturacin recorriendo la curva ABC, mientras que el paso a corte lo hace por el tramo CDA. Puede verse que este ltimo paso lo hace despus de una profunda incursin en la zona activa que podra fcilmente sobrepasar el lmite de avalancha secundaria, con valor VCE muy superior al valor de la fuente (Vcc). Para proteger al transistor y evitar su degradacin se utilizan en la prctica varios circuitos, que se muestran a continuacin: a. Diodo Zner en paralelo con el transistor (la tensin nominal zner ha de ser superior a la tensin de la fuente Vcc). b. Diodo en antiparalelo con la carga RL. c. Red RC polarizada en paralelo con el transistor (red snubber). Las dos primeras limitan la tensin en el transistor durante el paso de saturacin a corte, proporcionando a travs de los diodos un camino para la circulacin de la intensidad inductiva de la carga. En la tercera proteccin, al cortarse el transistor la intensidad inductiva sigue pasando por el diodo y por el condensador CS, el cual tiende a cargarse a una tensin Vcc. Diseando adecuadamente la red RC se consigue que la tensin en el transistor durante la conmutacin sea inferior a la de la fuente, alejndose su funcionamiento de los lmites por disipacin y por avalancha secundaria. Cuando el transistor pasa a saturacin el condensador se descarga a travs de RS. El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la figura adjunta, donde vemos que con esta red, el paso de saturacin (punto A) a corte (punto B) se produce de forma ms directa y sin alcanzar valores de VCE superiores a la fuente Vcc. Para el clculo de CS podemos suponer, despreciando las prdidas, que la energa almacenada en la bobina L antes del bloqueo debe haberse transferido a CS cuando la intensidad de
colector se anule. Por tanto:
de donde:
Para calcular el valor de RS hemos de tener en cuenta que el condensador ha de estar descargado totalmente en el siguiente proceso de bloqueo, por lo que la constante de tiempo de RS y CS han de ser menores (por ejemplo una quinta parte) que el tiempo que permanece en saturacin el transistor :
Clculo de potencias disipadas en conmutacin con carga resistiva

La grfica de la derecha muestra las seales idealizadas de los tiempos de conmutacin (ton y toff) para el caso de una carga resistiva. Supongamos el momento origen en el comienzo del tiempo de subida (tr) de la corriente de colector. En estas condiciones (0 t tr) tendremos :
donde ICmax vale:
Tambin tenemos que la tensin colector-emisor viene dada como:
Sustituyendo, obtenemos:
Nosotros asumiremos que la VCE en saturacin es despreciable en comparacin con Vcc.As, la potencia instantnea por el transistor durante este intervalo viene dada por:
La energa, Wr, disipada en el transistor durante el tiempo de subida est dada por la integral de la potencia durante el intervalo del tiempo de cada, con el resultado:
De forma similar, la energa Wf disipada en el transistor durante el tiempo de cada, viene dado como:
La potencia media resultante depender de la frecuencia con que se efecte la conmutacin:
Un ltimo paso es considerar tr despreciable frente a tf, con lo que no cometeramos un error apreciable si finalmente dejamos la potencia media, tras sustituir, como:
Clculo de potencias disipadas en conmutacin con carga inductiva

A la derecha podemos observar la grfica de la iC(t), VCE(t) y p(t) para carga inductiva. La energa perdida durante ton viene dada por la ecuacin:
Durante el tiempo de conduccin (t5) la energa perdida es despreciable, puesto que VCE es de un valor nfimo durante este tramo. Durante el toff, la energa de prdidas en el transistor vendr dada por la ecuacin:
La potencia media de prdidas durante la conmutacin ser por tanto:
Si lo que queremos es la potencia media total disipada por el transistor en todo el periodo debemos multiplicar la frecuencia con la sumatoria de prdidas a lo largo del periodo (conmutacin + conduccin). La energa de prdidas en conduccin viene dada por la ecuacin:
Ataque y proteccin del transistor de potencia

Como hemos visto anteriormente, los tiempos de conmutacin limitan el funcionamiento del transistor, por lo que nos interesara reducir su efecto en la medida de lo posible. Los tiempos de conmutacin pueden ser reducidos mediante una modificacin en la seal de base, tal y como se muestra en la figura anterior. Puede verse como el semiciclo positivo est formado por un tramo de mayor amplitud que ayuda al transistor a pasar a saturacin (y por tanto reduce el ton) y otro tramo de amplitud suficiente para mantener saturado el transistor (de este modo la potencia disipada no ser excesiva y el tiempo de almacenamiento no aumentar). El otro semiciclo comienza con un valor negativo que disminuye el toff, y una vez que el transistor est en corte, se hace cero para evitar prdidas de potencia.
En consecuencia, si queremos que un transistor que acta en conmutacin, lo haga lo ms rpidamente posible y con menores prdidas, el proceso ideal a seguir sera poder atacar a la base del dispositivo con una seal como la que se mostraba en la figura anterior. Para conseguir este objetivo se puede emplear el circuito de la figura que aparece a la izquierda de este prrafo.
En estas condiciones, la intensidad de base aplicada tendr la forma indicada abajo:
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Durante el semiperiodo t1, la tensin de entrada (Ve) se mantiene a un valor Ve (max). En estas condiciones la VBE es de unos 0.7 v y el condensador C se carga a una tensin VC de valor:
debido a que las resistencias R1 y R2 actan como un divisor de tensin. La constante de tiempo con que se cargar el condensador ser aproximadamente de:
Con el condensador ya cargado a VC, la intensidad de base se estabiliza a un valor IB que vale:
En el instante en que la tensin de entrada pasa a valer -Ve(min), tenemos el condensador cargado a VC, y la VBE=0.7 v. Ambos valores se suman a la tensin de entrada, lo que produce el pico negativo de intensidad IB (min):
A partir de ese instante el condensador se descarga a travs de R2 con una constante de tiempo de valor R2C. Para que todo lo anterior sea realmente efectivo, debe cumplirse que:
con esto nos aseguramos que el condensador est cargado cuando apliquemos la seal negativa. As, obtendremos finalmente una frecuencia mxima de funcionamiento:
Un circuito ms serio es el de Control Antisaturacin:
El tiempo de saturacin (tS) ser proporcional a la intensidad de base, y mediante una suave saturacin lograremos reducir tS:
Inicialmente tenemos que:
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En estas condiciones conduce D2, con lo que la intensidad de colector pasa a tener un valor:
Si imponemos como condicin que la tensin de codo del diodo D1 sea mayor que la del diodo D2, obtendremos que IC sea mayor que IL:
En lo que respecta a la proteccin por red snubber, ya se ha visto anteriormente.
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Tipos de transistores segun fabricacin

Existen millares de tipos de transistor, pertenecientes a numerosas familias de construccin y uso. Las grandes clases de transistores, basadas en los procesos de fabricacin son: 1. Transistores de punta de contacto : El transistor original fue de esta clase y consista en electrodos de emisor y colector que tocaban un pequeo bloque de germanio llamado base.El material de la base poda ser de tipo N y del tipo P y era un cuadrado de 0.05 pulgada de lado aproximadamente. A causa de la dificultad de controlar las caractersticas de este frgil dispositivo, ahora se le considera obsoleto. 2. Transistor de unin por crecimiento : Los cristales de esta clase se obtienen por un proceso de "crecimiento" partiendo de germanio y de silicio fundidos de manera que presenten uniones muy poco separadas embebidas en la pastilla.El material de impureza se cambia durante el crecimiento del cristal para producir lingotes PNP o NPN, que luego son cortados para obtener pastillas individuales. Los transistores de unin se pueden subdividir en tipos de unin de crecimiento, unin de alineacin y de campo interno. El transistor del ltimo tipo es un dispositivo de unin de alineacin en que la concentracin de impurezas que est contenida dentro de una cierta regin de la base a fin de mejorar el comportamiento en alta frecuencia del transistor. 3. Transistor de unin difusa: Esta clase de semiconductor se puede utilizar en un margen ms amplio de frecuencias y el proceso de fabricacin ha facilitado el uso de silicio en vez de germanio, lo cual favorece la capacidad de potencia de la unidad. Los transistores de unin difusa se pueden subdividir en tipos de difusin nica (hometaxial), doble difusin, doble difusin planar y triple difusin planar. 4. Transistores epitaxiales: Estos transistores de unin se obtienen por el proceso de crecimiento en una pastilla de semiconductor y procesos fotolitogrficos que se utilizan para definir las regiones de emisor y de base durante el crecimiento. Las unidades se pueden subdividir en transistores de base epitaxial, capa epitaxial y sobrecapa (overlay). 5. Transistores de efecto de campo : El transistor de efecto de campo de unin (JFET), o transistor unipolar, fue descubierto en 1928, pero hasta 1958 no se construy el primer transistor prctico de efecto de campo. Se puede considerar a este dispositivo como si fuese una barra, o canal, de material semiconductor de silicio de cualquiera de los tipos N o P. En cada extremo de la barra se establece un contacto hmico, que representa un transistor de efecto de campo tipo N en su forma ms sencilla. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N (desde los extremos opuestos del canal N) y se conectan externamente entre s, se produce una puerta o graduador. Un contacto se llama surtidor y el otro drenador. Si se aplica una tensin positiva entre el drenador y el surtidor y se conecta la puerta al surtidor, se establece una corriente. Esta corriente es la ms importante en un dispositivo de efecto de campo y se le denomina corriente de drenador con polarizacin cero (IDSS).Finalmente, con un potencial negativo de puerta denominado tensin de estrangulamiento (pinch-off) cesa la conduccin en el canal. Las tcnicas de fabricacin, las aplicaciones a que son destinados y las restricciones a que estn sometidos dan por resultado una multitud de tipo de transistores, la mayora de los cuales pertenecen a los grupos generales que acabamos de mencionar. Por otra
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parte, los transistores pueden ser agrupados en familias dentro de las cuales cada uno de sus miembros es un tipo nico, pero entre ellos se pueden establecer sutiles diferencias en cuanto a la aplicacin, ganancia, capacidad, montaje, caja o cpsula envolvente, terminales, caractersticas de tensin de ruptura, etc. Adems, el estado actual de la tcnica permite tener en cuenta los parmetros del transistor en el diseo para que se adapten a los diversos equipos en condiciones de economa, en vez de disear el equipo basndose en los tipos disponibles de transistor. Esto da lugar a que gran nmero de equipos de transistores tengan caractersticas generales casi idnticas.
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Disipacin trmica
Como se ha visto en otros captulos, la temperatura de la unin ejerce un efecto decisivo sobre el comportamiento de la misma, por lo que ser ste un parmetro importante de controlar, debido a que la unin, podr destruirse debido a un exceso de temperatura de la misma, adems de que una mayor temperatura de la misma, hace variar sus caractersticas de conduccin, lo que tambin la puede llevar a la destruccin. Es muy importante, por lo tanto, que el calor que en un funcionamiento normal se produce en la unin, pueda ser evacuado al exterior (al aire circundante) mediante el uso de disipadores, bien sea con ventilacin natural (por conveccin) o bien mediante ventilacin forzada (con ventiladores). De esta forma, el semiconductor , podr soportar una mayor potencia, un mayor paso de corriente a travs de l sin que quede destruido, adems de ser ms estable ante las variaciones puntuales de intensidad.
Introduccin
El estudio trmico de los dispositivos de potencia es fundamental para un rendimiento ptimo de los mismos. Esto es debido a que en todo semiconductor, el flujo de la corriente elctrica produce una prdida de energa que se transforma en calor. El calor produce un incremento de la temperatura del dispositivo. Si este incremento es excesivo e incontrolado, inicialmente provocar una reduccin de la vida til del elemento y en el peor de los casos lo destruir. En electrnica de Potencia la refrigeracin juega un papel muy importante en la optimizacin del funcionamiento y vida til del semiconductor de potencia.
Propagacin del calor

En todo semiconductor el flujo de la corriente elctrica produce una prdida de energa que se transforma en calor. Esto es debido al movimiento desordenado en la estructura interna de la unin. El calor elevar la energa cintica de las molculas dando lugar a un aumento de temperatura en el dispositivo; si este aumento es excesivo e incontrolado provocar una reduccin de la vida til del dispositivo y en el peor de los casos su destruccin. Es por ello que la evacuacin del calor generado en el semiconductor es una cuestin de gran importancia para asegurar el correcto funcionamiento y duracin del dispositivo. La capacidad de evacuacin del calor al medio ambiente podr variar segn el tipo de cpsula pero en cualquier caso ser demasiado pequea, por lo que necesita una ayuda adicional para transferir el calor disipado mediante un dispositivo de mayor volumen y superficie conocido como disipador de calor, el cual hace de puente para evacuar el calor de la cpsula al medio ambiente.
Formas de transmisin del calor

La experiencia demuestra que el calor producido por un foco calorfico se propaga por todo el espacio que lo rodea. Esta transmisin del calor puede producirse de tres formas: 1. Conduccin:Es el principal medio de transferencia de calor. Se realiza por la transferencia de energa cintica entre molculas, es decir, se transmite por el interior del cuerpo establecindose una circulacin de calor. La mxima cantidad de
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calor que atravesar dicho cuerpo ser aquella para la cual se consigue una temperatura estable en todos los puntos del cuerpo. En este tipo de transmisin se debe tener en cuenta la conductividad trmica de las sustancias (cantidad de calor transmitido por unidad de tiempo, superficie, gradiente de temperatura). 2. Conveccin:El calor de un elemento slido se transmite mediante la circulacin de un fluido que le rodea y este lo transporta a otro lugar, a este proceso se le llama conveccin natural. Si la circulacin del fluido est provocada por un medio externo se denomina conveccin forzada. 3. Radiacin:El calor se transfiere mediante emisiones electromagnticas que son irradiadas por cualquier cuerpo cuya temperatura sea mayor a cero grados Kelvin. El estado de la superficie influye en gran medida en la cantidad de calor radiado. Las superficies mates son ms favorables que las pulidas y los cuerpos negros son los de mayor poder de radiacin, por este motivo se efecta un ennegrecimiento de la superficie radiante. La transferencia de calor por radiacin no se tiene en cuenta puesto que a las temperaturas a las que se trabaja, sta es despreciable.
Parmetros que intervienen en el clculo

Para que un semiconductor disipe la potencia adecuada, hay que mantener la temperatura de la unin por debajo del mximo indicado por el fabricante. El paso de la corriente elctrica produce un aumento de la temperatura de la unin (T j ). Si sta se quiere mantener a un nivel seguro, debemos evacuar al exterior la energa calorfica generada por la unin. Para que se produzca un flujo de energa calorfica de un punto a otro, debe existir una diferencia de temperatura. El calor pasar del punto ms caliente al ms fro, pero aparecen factores que dificultan este paso. A estos factores se les denomina resistencias trmicas. Por lo tanto, aprovechando la ley de ohm realizamos la siguiente comparacin elctrica mostrada en la figura adjunta. Asemejaremos las temperaturas a tensiones, las resistencias trmicas a las resistencias hmicas. Al igual que en un circuito elctrico, se puede decir que:
De la figura se obtiene la expresin:
Resistencias trmicas
En la siguiente figura se muestra la igualdad entre el circuito equivalente de resistencias trmicas y los elementos en un montaje real: Rjc: Resistencia unin-contenedor. Rcd: Resistencia contenedor-disipador. Rd: Resistencia del disipador. Tj: Temperatura de la unin. Tc: Temperatura del contenedor. Td: Temperatura del disipador.
Ta
: Temperatura ambiente.
Resistencia Unin-Contenedor (Rjc) En este caso el foco calorfico se genera en la unin del propio cristal semiconductor, de tal forma que el calor debe pasar desde este punto al exterior del encapsulado. Generalmente este dato lo suministra el fabricante, y depender del tipo de cpsula del dispositivo. Aparecer bien directamente o indirectamente en forma de curva de reduccin de potencia. En la figura siguiente se muestra este tipo de curva.
Esta muestra la potencia en funcin de la temperatura del contenedor. En ella la pendiente de la recta dada es la resistencia unin contenedor. La frmula que se utiliza para el clculo de esta resistencia es:
Donde estos datos se obtienen de la curva de reduccin de potencia, que ser propia de cada dispositivo. Deberemos de tener en cuenta que P d es la dada por el fabricante y no la que disipar el dispositivo en el circuito. Normalmente T c vale 25 C. Si tomamos de un manual los datos correspondientes a un 2N3055 sern:
Sustituyendo estos valores en la siguiente ecuacin, se obtiene el valor de la Rjc:
y sta es, precisamente, la Rjc indicada en los manuales para el 2N3055. Resistencia Contenedor-Disipador (Rcd) Es la resistencia trmica entre el semiconductor y el disipador. Este valor depende del sistema de fijacin del disipador y el componente, y del estado de planitud y paralelismo de las superficies de contacto, puesto que a nivel microscpico, solo contactan por unos puntos, quedando huecos de aire que entorpecen la transmisin del calor. Tambin depende del tipo de material que se interponga entre ambas superficies de contacto. Los elementos que se sitan entre la cpsula y el disipador pueden ser de dos tipos: a. Pastas conductoras de calor, que pueden ser o no ser conductoras de la electricidad. b. Lminas aislantes elctricas que se pueden emplear conjuntamente con siliconas conductoras de calor como mica, kelafilm, etc. Tambin las hay conductoras de calor que no precisan pasta de silicona. El tipo de contacto entre cpsula y disipador podr ser: Directo. Directo ms pasta de silicona. Directo ms mica aislante. Directo ms mica aislante ms pasta de silicona. El valor de esta resistencia trmica influye notablemente en el clculo de la superficie y longitud que debe disponer la aleta que aplicaremos al dispositivo a refrigerar. Cuanto ms baja es Rcd menor ser la longitud y superficie de la aleta requerida. Por ejemplo, para una cpsula TO.3 se tiene que con contacto directo ms pasta de silicona la Rcd = 0,12 C/W, que con contacto directo Rcd = 0,25 C/W, que con contacto directo ms mica y ms pasta de silicona Rcd = 0,4 C/W, y que con contacto directo ms mica Rcd = 0,8 C/W. Por lo tanto podemos decir, que cuando no sea necesario aislar el dispositivo, el tipo de contacto que ms interesa es el directo ms pasta de silicona, ya que da el menor valor de Rcd y si hubiese que aislar con mica interesa montar mica ms pasta de silicona ya que la Rcd es menor que si se monta solo con mica. Por ello podemos obtener la siguiente conclusin: La mica aumenta la Rcd mientras que la pasta de silicona la disminuye y como se ha dicho cuanto ms pequea sea la Rcd menor superficie de aleta refrigeradora. Resistencia del disipador (Rd) Representa el paso por conveccin al aire del flujo calorfico a travs del elemento disipador. Este dato ser, en la prctica, la incgnita principal de nuestro problema,
puesto que segn el valor que nos de el clculo, as ser el tipo de aleta a emplear. Depende de muchos factores: potencia a disipar, condiciones de la superficie, posicin de montaje y en el caso de disipadores planos factores como el grosor del material y el tipo de encapsulado. Para el clculo de la resistencia se pueden utilizar las siguientes frmulas:
Este valor de Rja no es el que da el fabricante ya que ste la suministra sin disipador, y la que hay que utilizar es con disipador. El fabricante la facilita como suma de Rjc y Rca puesto que ignora el tipo de disipador que utilizaremos. Una vez calculada la Rd se pasa a elegir la aleta refrigeradora. Para la eleccin de la aleta, habr que tener en cuenta que el tipo de encapsulado del dispositivo a refrigerar sea el adecuado para su montaje en la aleta disipadora que se haya elegido. Despus de cumplir la condicin anterior hay que calcular la longitud o la superficie del disipador elegido. Para ello es necesario disponer de uno de los dos tipos de grficas que ofrecen los fabricantes de disipadores, la Rd-longitud y la Rd- superficie. Segn la grfica de que se disponga se obtendr un valor de longitud o un valor de superficie de disipador que hay que montar para refrigerar adecuadamente el dispositivo semiconductor. Resistencia Unin-Ambiente (Rja) Como su nombre indica es la resistencia que existe entre la unin del semiconductor y el ambiente. Con esta resistencia deberemos de distinguir dos casos, el de resistencia unin ambiente con disipador y sin disipador. Cuando se habla de resistencia unin ambiente sin disipador, nos referimos a la resistencia unin contenedor junto con la contenedor ambiente:
Este valor es suministrado por el fabricante en funcin del tipo de contenedor. Cuando se habla de la resistencia unin ambiente con disipador nos referimos a la suma de la resistencia unin contenedor (Rjc), la resistencia contenedor disipador (Rcd) y la resistencia disipador ambiente (Rd):
Este valor no es conocido ya que vara segn el tipo de disipador que se utilice. El valor de Rja depender de los valores de Rd y de Rcd. Como no es un valor fijo, no existe una tabla de valores tpicos.
Temperaturas
Temperatura de la unin (Tj) La temperatura mxima de la unin es el lmite superior de temperatura a la que no se debe llegar y menos sobrepasar si queremos evitar la destruccin de la unin. Este dato es un valor que se suele suministrar, normalmente, en los manuales de los fabricantes de semiconductores. Si este valor no se reflejara en dichos manuales o, simplemente, no se encuentra, podremos adoptar unos valores tpicos en funcin del dispositivo a refrigerar como los mostrados en la tabla que se expone a continuacin: Dispositivo Rango de TTjmax
de unin de Germanio Entre 100 y 125C de unin de Silicio JFET entre 150 y 200C entre 150 y 175C
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MOSFET Tiristores
entre 175 y 200C entre 100 y 125C
Transistores de Unin entre 100 y 125C Diodos de Silicio Diodos Zener entre 150 y 200C entre 150 y 175C
En algunas ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se suministra el OPERATING TEMPERATURE RANGE que es el rango de valores entre los que puede funcionar el semiconductor, pero que no tiene relacin con la temperatura de la unin. Se debe distinguir entre la temperatura mxima de la unin permitida para un dispositivo y la temperatura real de la unin a la que se pretende que trabaje dicho elemento o dispositivo que, lgicamente, siempre ser menor que la mxima permitida. El objetivo del que disea ser mantener la temperatura de la unin por debajo de la mxima. Para ello se utiliza un coeficiente (K) de seguridad cuyo valor dar una temperatura de la unin comprendida entre el 50% y el 70% de la mxima. Por lo tanto K estar comprendido entre 0,5 y 0,7. Le asignamos el valor segn el margen de seguridad que queremos que tenga el dispositivo. La temperatura de la unin que se utilizar en los clculos ser:
Las condiciones de funcionamiento en funcin de k sern: Para valores de k=0.5. Dispositivo poco caliente. Mximo margen de seguridad, pero el tamao de la aleta refrigeradora ser mayor. Para valores de k=0.6. Dimensin menor de la aleta refrigeradora sin que el dispositivo se caliente demasiado. Para valores de k=0.7. Mximo riesgo para el dispositivo, mxima economa en el tamao de la aleta refrigeradora. Este coeficiente de seguridad exige que la aleta se site en el exterior. Temperatura de la Cpsula (Tc) Este dato no se suministra en los manuales ya que depende del valor de la potencia que disipa el dispositivo, de la resistencia del disipador y de la temperatura ambiente. Por lo tanto slo podemos calcularla cuando conozcamos todos los datos reflejados en alguna de las siguientes expresiones:
Temperatura del disipador (Td) Este valor se obtiene a partir de la potencia disipada P d, de la resistencia trmica de la aleta Rd y finalmente de la temperatura ambiente T a. Se calcular con cualquiera de estas expresiones:
La temperatura obtenida ser siempre inferior a la temperatura de la cpsula aunque ser lo suficientemente alta en la mayora de los casos como para no poder tocar el disipador con las manos. Esto, sin embargo, no es motivo de preocupacin ya que se han tomado las medidas necesarias como para que la temperatura de la unin disponga de un margen de seguridad dentro de los mrgenes ya explicados. Puede suceder que la temperatura de la aleta sea bastante elevada, tanto que si se toca con un dedo notaramos que quema. Pero en todo momento la temperatura de la unin entrar con amplio margen dentro de los lmites permitidos. No obstante, si se quiere disminuir esta temperatura, solo hay que calcular de nuevo la resistencia trmica Rd de la aleta, poniendo esta vez 0,5 como factor (k) necesario para determinar T j . Ello llevar a adoptar una aleta ms grande, pero tanto la T c, como la T d disminuirn como se desea. Temperatura ambiente (Ta) En la interpretacin de este dato puede haber alguna confusin ya que se puede tomar su
valor como la temperatura del medio ambiente, cuando en realidad es la temperatura existente en el entorno donde est ubicado el disipador.
Potencia disipada
La potencia mxima es un dato que nos dar el fabricante. Este dato es para las mejores condiciones de funcionamiento del dispositivo, es decir, para una temperatura del contenedor de 25 C y un disipador adecuado. Por ejemplo, si de un determinado transistor nos dice el fabricante que puede disipar un mximo de 116 Watios, a primera vista se puede pensar que disipando 90 Watios no se corre ningn riesgo puesto que hay un margen con respecto al mximo y no se necesita disipador. Si conocemos que la temperatura de la unin es de 200 C y Rja de 35 C/W se tiene:
Esta es la mxima potencia disipable sin disipador. Se puede ver que este valor se queda muy por debajo del indicado por el fabricante. Si consideramos una aleta con una buena resistencia trmica como puede ser una de 0.6 C/W y unas resistencias trmicas contenedor-disipador (Rcd) y unin-contenedor (Rjc) de 0.12 C/W y de 1.5 C/W respectivamente, ambos valores tambin bastante adecuados, se tendr:
Si hiciramos disipar 90 W como pretendamos se destruira la unin. Como se puede observar la potencia obtenida es superior a la disipable sin disipador e inferior a la que nos suministra el fabricante. Ello es debido a que el fabricante ha calculado la P dmax manteniendo la temperatura del contenedor a 25 C, cosa que en la prctica es imposible:
Como se ha dicho este dato de 116 W es para las mejores condiciones de funcionamiento y el fabricante debe indicar en cuales se realiz esa medida. Resumiendo, es importante saber interpretar adecuadamente los datos suministrados por el fabricante, de lo contrario pueden aparecer sorpresas desagradables. Sabemos que la mxima potencia que se puede hacer disipar a un semiconductor sin disipador viene dada por el cociente entre el incremento de la temperatura y la resistencia trmica unin ambiente:
Donde Rja es la que nos suministra el fabricante que no incluye Rd. Cuando se utiliza un disipador, la resistencia trmica se divide en tres parmetros: la resistencia entre la unin y el contenedor (Rjc), entre el contenedor y el disipador (Rcd) y entre el disipador y el ambiente (Rd):
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Fabricacin de Transistores
Los transistores suelen construirse de Ge o de Si segn la tcnica usada. Los transistores de aleacin prcticamente se usan slo con el Ge, debido en gran parte a su temperatura de fusin mucho ms baja que la del Si.
Transistores de aleacin
Por este procedimiento se puede realizar transistores PNP de Ge de pequea y mediana potencia (hasta 150 W). Normalmente se parte de discos de Ge monocristalino tipo N. Se coloca en un molde de grafito, a la vez que se introducen dos bolitas del componente de la aleacin que se quiere formar (para este caso In). La de mayor tamao se coloca en la cara destinada al colector y la ms pequea para el emisor. El conjunto se introduce en un horno con una atmsfera neutra o ligeramente reductora y se realiza el proceso de vuelco. A una temperatura de 600 C se forma una aleacin eutctica de InGe que contiene el 24% de Ge, una vez girado el molde 90C. A continuacin se gira dicho molde 180 C para la formacin del emisor. Los tiempos de permanencia en cada fase determinan la profundidad de las uniones base-emisor y base-colector. Las aplicaciones ms importantes de estos transistores son para baja frecuencia y conmutacin media de baja potencia, as como para usos generales que no exijan rendimientos elevados. Existe una variante para seales dbiles que son las de aleacin difusa. Estos son bsicamente iguales a los de aleacin, pero haciendo que el emisor forme en una aleacin de In como Ge tipo N fuertemente dopado como muestra la figura de la izquierda. Esto es debido a que entre las dos capas de conductividades diferentes, existe un campo acelerado, disminuyendo el tiempo de trnsito.
Transistores por difusin. Tcnica Mesa

Sobre una oblea de Ge tipo P o Si tipo N, que constituye el colector, se difunde arsnico o boro segn se trate de Ge o Si respectivamente. El emisor se obtiene por difusin (a veces aleacin) de Indio para el Ge o de Fsforo para el Si. Se metalizan las conexiones y se fijan los terminales por termocompresin. Como se ha podido observar, se obtienen transistores PNP de Ge y NPN de Si. La tcnica mesa reduce las superficies de unin colector-base, eliminando en gran parte la capacidad parsita asociada a esta unin (ya que normalmente est polarizado en inversa). Tambin permite obtener un reducido espesor de base, con lo que se llega a frecuencias de corte de 500 Mhz. Adems de estas caractersticas, podemos resear la elevada superficie de colector, con lo que sus aplicaciones se pueden enfocar hacia transistores de Radiofrecuencia (RF) de potencia. Algunos variantes ms perfeccionados con mtodos epitaxiales se usan para VHF y en general para conmutacin rpida.
Transistores planares
El nombre de planar se debe a que la superficie de la pastilla permanece plana, es decir,
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no presenta irregularidades geomtricas como los transistores de aleacin, mesa, etc. El proceso comienza por la obtencin de mscaras de una escala 500:1 aproximadamente, para luego reducirse a tamao natural mediante fotolitografa. Estas mscaras van a determinar las zonas donde se han de hacer las difusiones correspondientes a cada parte del transistor, incluidas las metalizaciones. Hay que decir que las mscaras definitivas que se aplicarn a las obleas de Si, estn constituidas por una multiplicidad de mscaras elementales correspondientes a un solo transistor. Es decir, que se fabrican unos 4000 transistores a la vez en la misma oblea y a continuacin se separan para su encapsulacin. El proceso de fabricacin se va a explicar respecto a un transistor aislado, aunque como ya se ha dicho no sea fiel reflejo de la realidad. Se parte de un disco de Si tipo N, poco dopado (alta resistividad). Se procede a una oxidacin global en un horno a 1200 C. A continuacin se recubre la cara superior con una resina fotosensible, para despus colocarle la mscara correspondiente e iluminarla, generalmente con luz actnica. Se ataca el disco mediante fluoruro amnico y fluorhdrico para eliminar la resina polimerizada y el xido, donde se ha de hacer la difusin a una temperatura de 1200 C y se realiza una difusin de B en forma de vapor, obtenindose la base tipo P. Se introduce vapor de agua en el horno y se forma nuevamente SiO2 para proteger la zona difundida. Para la formacin del emisor se procede de la misma forma que para la base, con su mscara correspondiente y con una difusin tipo N con Fsforo o Arsnico. La pureza de la oblea inicial es muy importante, pues las dos difusiones posteriores (la de base tipo P y la de emisor tipo N) tienen que contrarrestar las impurezas que hubiera, disminuyendo por consiguiente la resistividad del material, y no se puede admitir un emisor con una resistividad demasiado baja. Para terminar, se procede a la metalizacin mediante la apertura de ventanas de forma anloga a la formacin de la base y el emisor. Por ltimo, se sueldan los terminales dummets de la base y el emisor por termocompresin, mientras que el colector suele ir conectada a la cpsula para obtener una mejor disipacin trmica. Existe una variante de esta tcnica denominada planar-epitaxial. Esta se diferencia de aquella en que se parte de una oblea de Si fuertemente dopado (menos puro) llamado sustrato, sobre la cual se hace crecer una capa epitaxial tipo N de elevada resistividad. A partir de aqu, el proceso es idntico al planar. Con esta tcnica se obtiene la ventaja de que la tensin inversa mxima que puede soportar la unin base-colector, es elevada gracias a la gran resistividad de la capa epitaxial, pero permite, a diferencia de la tcnica planar, que la tensin de saturacin sea pequea gracias a la baja resistividad del sustrato, mejorando los tiempos de conmutacin y la potencia til respecto a los planares. Las aplicaciones de los transistores planares, son innumerables, como principales podemos citar transistores de seales fuerte o de potencia y VHF para los planares-epitaxiales, as como para conmutaciones rpidas. Cuando se requieren transistores de potencia para alta frecuencia, se suele aumentar la longitud de difusin del emisor adoptando estructuras interdigitadas en forma de cruz o peines como puede observarse en la figura de la derecha. Esto es debido a la elevada concentracin de portadores sobre los bordes del emisor, por las elevadas densidades de corriente que ha de soportar. Los transistores de efecto campo, tambin se fabrican mediante la tcnica planar-epitaxial, slo que mediante un proceso distinto.
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Transistores en circuitos integrados

Destinado a realizar una funcin determinada, el circuito integrado monoltico constituye un conjunto indivisible de componentes producidos simultneamente en el curso de un mismo proceso de fabricacon. El material de partida es una pequea placa monocristalina de silicio de tipo p, llamada substrato, de 3 a 5 cm de dimetro aproximadamente y de 0,25 mm de espesor. Sobre sta son creados sucesivamente todos los elementos de un cierto nmero de circuitos idnticos cuyas dimensiones se procura reducir por razones evidentes de economa, pero tambin con el fin de disminuir las capacidades parsitas. Cada circuito integrado est pues elaborado sobre una pequea parte del substrato, precisamente sobre un "cristal" de dimensiones comprendidas entre 2*2 mm y 0,5 *0,5 mm. Una vez terminado el proceso fsico de fabricacin, se corta la placa original a fin de obtener los microcircuitos elementales. Entonces comienza la segunda fase de fabricacin, el montaje, o encapsulacin: cada circuito integrado se monta en su caja o cpsula y es provisto de sus conexiones. Desde luego, estas diferentes etapas se obtienen por una serie de manipulaciones. No se trata, pues, de tcnicas fundamentalmente diferentes de las que se emplean para la realizacin de los transistores planares, por ejemplo. Sin embargo, hay que solventar una dificultad: la de aislar elctricamente los componenetes individuales de un slo y nico circuito integrado. En efecto, sera totalmente inadmisible que estos componetes pudiesen ser cortocircuitados por el substrato semiconductor. Uno de los principios de aislamiento entre los componentes, que conduce a la realizacin de zonas de aislamiento, como veremos, est ilustrado en la siguiente figura.
Comprobacin de los transistores Tipos de transistores 1. El transistor bipolar 2. Transistores de efecto campo (FET) JFET MOSFET 3. Transistores UJT 4. Transistores IGBT 5. Transistores de potencia Tipos de transistores segn proceso de fabricacin 1. 2. 3. 4. Introduccin Disipacin trmica Fabricacin de transistores Circuitos integrados monolticos 5. Otros mtodos de fabricacin
Consideremos los dos transistores npn representados en a y realizados sobre un substrato de tipo p; su esquema elctrico equivalente est representado en b.
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Evidentemente el substrato est a un potencial ms negativo que el de los colectores, por lo que las uniones colector-substrato constiturn diodos polarizados en sentido inverso, y por tanto bloqueados. En consecuencia, el aislamiento queda asegurado entre estos dos transistores. Tambin existen otros mtodos de aislamiento, los cuales consisten en crear zonas dielctricas.
Fotograbado
Estando recubierta la superficie de la placa con la capa de dixido, antes de cada difusin es necesario destruir dicha capa por encima de las zonas a tratar y abrir ventanas en que quede nuevamente al descubierto el silicio. Esto se consigue mediante una operacin de fotograbado que comprende siete etapas sucesivas: 1. Depsito, sobre la placa oxidada, de una pelcula de barniz o laca fotosensible de 0,6 a 0,8 um de espesor, extendida por centrifugacin. 2. Coccin del barniz a una temperatura de 90 C para endurecerla. 3. Aplicacin sobre la pelcula de barniz de una mscara (cromo sobre vidrio) cuya finalidad consiste en delimitar con rigurosa precisin la superficie y la forma de los elementos anlogos que se producirn en el curso de la difusin. Las partes cromadas de la mscara, o motivos corresponden a las ventanas que se han de abrir. La mscara evidentemente contiene el mismo motivo tantas veces como circuitos integrados se fabriquen sobre la placa. 4. Aislamiento del barniz por medio de rayos ultravioleta a travs de la mscara, no polimerizando sta ms que en los sitios no protegidos por los motivos confeccionados en cromo. 5. Revelado en un producto apropiado que disuelve el barniz no polimerizado y deja que subsista la laca polimerizada. El dixido reaparece en los lugares correspondientes a las ventanas. 6. Cccin de la placa a 150 C para endurecer el barniz que subsista y hacerlo ms resistente a ataque qumico a que luego ser sometido. 7. Abertura de las ventanas por desoxidacin de las superficies correspondientes en una solucin de cido fluoridrco y de fluoruro de amonio que disuelve el dixido dejando intacto el silicio. Es evidente que despus de cada difusin que sigue a una operacin de fotograbado, ser necesario eleminar el barniz que quede en la placa en las inmediaciones de las ventanas. Esto se consigue por medio de solventes (tricloroetileno, acetona, etc.) o cidos (sulfrico, ntrico, etc.) de acuerdo con la naturaleza del barniz.
Realizacin de los cricuitos monolticos

Ahora vamos a exponer las diversas operaciones sucesivas de fabricacin de los circuitos integrados. Desde luego, el esquema simplificado que presentaremos relativo a la fabricacin de un transistor npn es susceptible de muchas variantes en la prctica. En la placa de silicio, de tipo p se obtiene por crecimiento una capa epitaxial de silicio n. Despus es oxidada la placa en toda su superficie, y recubierta con un barniz fotosensible. Sobre el barniz, previamente insolado, se aplica una mscara que representa con extremada precisin el dibujo que se desea obtener. En el proceso de fotograbado descrito, el barniz no insolado se disuelve, y quedan abiertas las ventanas en la capa de xido. Luego se elimina el resto del barniz. Estas ventanas corresponden a lo que van a constituir las zonas de aislamiento, es decir, las uniones inversamente polariadas que separan los componentes elementales. En un primer tiempo se deposita una capa de boro destinada a crear una zona p fuertemente dopada en la superficie de las ventanas abiertas por el fotograbado. A esto sigue la difusin del aislamiento propiamente dicho, en el curso de la cual penetra el depsito p en las ventanas hasta una profundidad que debe ser superior a la de la capa epilaxial. As se crea un conjunto de zonas de aislamiento separadas entre s por uniones pn que se polarizarn en sentido inverso para aislar los elementos situados en zonas de aislamiento diferentes. Cada ventana es pues un fragmento de silicio n completamente rodeado de silicio de tipo p. Durante la difusin del aislamiento, operacin que puede durar varias horas, se forma una nueva capa de xido en la superficie, en virtud de un fenmeno de reoxidaccin propio de toda difusin.
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Una segunda operacin de fotograbado, seguida de la abertura de nuevas ventanas en la capa de oxido, permitir la difusin simultnea de todas las bases de los transistores, as como eventualmente la de resistencias. A continuacin se procede a la operacin de difusin en una profundidad del orden de 2 a 5 um. Esta difusin constituye la fase ms crtica de fabricacin; en efecto, los valores de las resistencias obtenidas son funcin de su geometra y de la resistencia de la capa correspondiente a la zona difundida. Son pues las caractersticas fsicas de los elementos activos las que determinan a su vez las caractersticas de los elementos pasivos. Para obtener los valores deseados de las resistencias, slo es posible actuar sobre las caractersticas geomtricas de stas, para lo que si es necesario, se recurre a darles una forma acodada. En la operacin siguiente de fotograbado se abren ventanas en la capa de dixido, en los emplazamientos o lugares previstos, para que se produzcan simultneamente los emisores de los transistores y las zonas n+ fuertemente dopadas que se utilizarn para establecer los contactos, de modo que se evite el efecto rectificador metalsemiconductor. La conductividad n requerida se obtiene por depsito y despus por difusin del fsforo con una fuerte concentracin en superficie y una profundidad de difusin de 2 a 5 um para las uniones emisor-base de los transistores. Esta difusin se puede emplear tambin para la produccin de condensadores difundidos. Estando ahora prcticamente terminados sus circuitos, slo falta preparar los contactos en los diferentes terminales o bornes del montaje y las interconexiones. La cuarta operacin de fotograbado va seguida, pues, de la abertura de las ventanas que corresponden a los contactos que se han de establecer, y despus se recubre toda la superficie de la placa con una capa de aluminio de 1 a 2 um. Esta operacin se realiza en una cmara de vaco, en la cual se calienta la placa a la temperatura de + 200 C. Por ltimo, se deja subsistir el aluminio en las superficies necesarias para los contactos o para las interconexiones y se elimina el resto. Este resultado se obtiene en una quinta y ltima operacin de fotograbado seguida de un ataque por cido ortofosfrico. A continuacin se introduce la placa en un horno de aleacin en donde se calienta a 550 C aproximadamente, con lo que se aumenta la adherencia del alumnio al silicio.
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Otros mtodos de fabricacin de transistores

Adherirse a los requerimientos para una mnima complejidad en los procesos, a menudo obliga a bastantes compromisos restrictivos en los dispositivos y caractersticas de circuitos, siempre que los mtodos de fabricacin adicionales sean compatibles con el proceso bsico, pueden ser aprovechados y por tanto se pueden introducir adicionalmente hasta cierto grado de libertad, permitiendo estos al diseador mejorar la ejecucin de circuitos. Comenzaremos discutiendo las alternativas del mtodo de aislamiento por difusin de una unin. Aqu los beneficios no slo son de mejora de caractersticas, sino tambin de disminucin de tamao y por tanto un incremento de la densidad de componentes. Despus consideraremos las alternativas para la difusin de componentes en un nico cristal monoltico. Estn descritas y discutidas las modificaciones de los procesos de difusin y las tcnicas de implantacin inica. Se describen los recursos alternativos para los monocristales monolticos en trminos de recursos compatibles de pelcula fina. Finalmente se discuten los mtodos de interconexin, incluyendo tcnicas "beam-lead".
Mtodos de aislamiento
El aislamiento convencional por difusin de una unin p-n tiene las siguientes desventajas: 1. El tiempo necesario para la difusin del aislamiento es considerablemente ms largo que cualquiera de las otras difusiones. 2. Como la difusin lateral es importante durante la difusin de aislamiento, un espacio considerable debe de usarse para las regiones de aislamiento. Puesto que las difusiones de aislamiento suceden en la periferia de las regiones aisladas, el rea usada con el fin de aislar es una importante porcin del rea del chip. Esta rea de aislamiento debe considerarse utilizada en lo que interesa a densidad de componentes. 3. La relativa profundidad de las caras laterales y lo extenso del rea de las regiones aisladas contribuyen a importantes capacidades parsitas que degradan las caractersticas del circuito. Note que no slo las paredes laterales del aislamiento, sino que adems el fondo del substrato epitaxial de la unin de las regiones aisladas contribuye a las capacidades parsitas. El substrato epitaxial de la unin debe, por tanto, considerarse como parte del mtodo de aislamiento. Diversos mtodos de aislamiento han sido desarrollados para evitar el uso de una difusin de aislamiento. Estos son el mtodo Fairchild Isoplanar II, el proceso Raytheon V-ATE y el Proceso Motorola Multiphase Memory. Todos ellos evitan las dificultades de las grandes reas y de las capacidades de las caras laterales, pero a pesar de esto sufren las capacidades del substrato epitaxial. Un proceso conocido de aislamiento de dielctricos evita este ltimo problema.
El proceso Isoplanar II
La fabricacin de los transistores n-p-n epitaxiales de difusin doble por el proceso Isoplanar II comienza, como en el proceso bsico; por una capa enterrada (buried-layer) y el crecimiento de una capa epitaxial como se muestra en la figura de abajo. A continuacin se deposita una capa de Si3N4 sobre la cara de la oblea y una fotorresistencia es usada para quitar el Si3N4 de las reas donde se va a aislar. Se utiliza
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ahora un ataque con cido para quitar el silicio como se muestra en la figura. Se hace crecer trmicamente dixido de silicio para llenar las regiones que han sido atacadas. El Si3N4 evita el crecimiento del xido en las otras partes de la oblea. Una difusin es realizada para el contacto del colector y se quita el Si3N4 dejando la oblea como aparece en la figura. Note que el xido aislante no solo se usa para aislar el transistor sino adems para separar la regin del contacto del colector del resto del dispositivo. Esto ha hecho eliminar los espacios que ordinariamente tendran que ser dejados cuando el emisor se difunde en la regin de base. A partir de este punto el proceso es similar al proceso bsico; el dispositivo completo est en la figura. La reduccin de la geometra de las caras que acompaa el proceso Isoplanar II, puede verse en la figura de abajo . Puesto que la regin de base est enteramente rodeada por xido en lugar del material epitaxial del colector, no hay peligro de desajustes causando un corto en la superficie de la unin base-colector o en el solapamiento de la difusin del emisor y material del colector. Los nicos espacios que deben observarse son aquellos entre el emisor y la regin de contacto de base. La doble franja de base del dispositivo de la figura (a) ocupa menos de la mitad del rea del dispositivo convencional de la figura (b). Con los mismos procesos y dificultades litogrficas. Si bien el proceso Isoplanar II es compatible con el proceso bsico, tiene la desventaja de requerir material epitaxial fino a fin de que las regiones atacadas que tienen que ser llenadas con xido no sean demasiado hondas y de requerir mucho tiempo de oxidacin. Este proceso se ha mostrado muy prometedor para memorias de gran escala, donde la alta densidad de componentes es muy importante.
El proceso V-ATE
El proceso V-ATE (ataque vertical anisotrpico) hace uso de una tcnica de ataque preferencial, la cual ataca 30 veces ms rpido a lo largo del plano del cristal 100 que a lo largo del plano 111. Si la oblea usada tiene una cara 100, atacando el silicio queda abierta una ventana en forma de ranura en V, como se muestra en la figura (abajo). La naturaleza preferencial del ataque es la causa para que forme un ngulo de 54 con la superficie. Puesto que el ngulo es fijado, la profundidad de la ranura est determinada por la anchura de la apertura en la superficie. No hay penetracin por debajo del xido. En el ataque ordinariamente uniforme, si diversos canales de profundidad micromtrica son atacados y se deposita metal sobre ellos, sucedern burbujas en el metal a causa del corte de las paredes de los canales. Es por esta razn que regiones atacadas deben ser rellenadas con xido en el proceso Isoplanar II. No obstante en el caso de la ranura V el ngulo de la ranura provee una pendiente suficiente a las paredes para permitir la deposicin del metal sin que se produzcan burbujas. El proceso V-ATE comienza con la difusin de la capa enterrada y el crecimiento del estrato epitaxial como en el proceso bsico. Seguidamente la regin de base es difundida como se muestra en la figura (abajo). Son abiertas ventanas para las ranuras de aislamiento en el xido y las ranuras son atacadas. Puesto que no hay nada en este mtodo anlogo a la difusin lateral de la regin de aislamiento del proceso bsico, las ranuras aislantes ocupan muy poco espacio. El xido es ahora quitado y un sandwich de Si3N4-SiO2 se deposita.
Se abren ventanas para el emisor y el colector y se realizan las correspondientes difusiones. Posteriormente se abre la ventana de la base. Se usa un tipo de terminales sobre los bordes de la tableta de interconexin metlica del sistema. Este diseo consiste en tres capas de metalTitanio, platino y oro y se usa porque permite el cierre de los espacios con un modelo metlico bien definido, necesario para geometras pequeas. En el V-ATE, se emplean dos capas en el proceso de metalizacin; el primero es empleado para hacer el fino, requiere estrechas lneas para contacto en la pequea geometra del dispositivo. Se deposita entonces un estrato de xido y el segundo estrato de metalizacin se deposita encima del xido. El segundo estrato de metal es galvanizado de doble espesor que el primero y es usado para aquellas interconexiones que deben llevar ms corriente. Como puede verse de la discusin anterior, el proceso V-ATE requiere muchos pasos y tiene un complicado esquema de metalizacin. Una ventaja del proceso de metalizacin es que es compatible con los requerimientos para la fabricacin de diodos de barreraSchottky.
El proceso Multifase Motorola

El proceso multifase motorola, conocido adems como VIP, hace uso de una ranura en V formada por ataque anisotrpico como en el caso del V-ATE. Sin embargo, el proceso motorola es ms simple. Despus que las ranuras han sido atacadas para el aislamiento, se hace crecer un estrato de xido estndar. Las ranuras son entonces rellenadas hasta la superficie, no con xido, sino al contrario con silicio policritalino crecido por mtodos epitaxiales estndar. El metal es aluminio; una seccin transversal de la oblea completa aparece en la figura de abajo. Este proceso tiene la ventaja de lo simple del comienzo como el V-ATE y de retener la superficie plana caracterstica del Isoplanar II. Aunque el metal puede ser depositado sobre las ranuras en V, como fue previamente apuntado, la seguridad de las interconexiones metlicas est mejorada si la superficie es plana.
Aislamiento dielctrico
El proceso bsico de aislamiento dielctrico comienza con una oblea de tipo n que tenga la resistividad seleccionada normalmente para el estrato epitaxial tipo n en el proceso estndar. Las difusiones de la capa enterrada son realizadas en el sitio deseado y los canales son ahora abiertos hasta una profundidad de aproximadamente 8 micras. Se hace crecer el xido sobre toda la superficie de la oblea. Despus se hace crecer un estrato de silicio de estrictamente unas milsimas de pulgada de espesor sobre la cara por los mtodos epitaxiales estndar. Puesto que el silicio crece sobre el estrato xido, al contrario que sobre la oblea, de silicio, ser policristalino. Sin embargo, como se ver, solo tiene la funcin de proveer los dispositivos para el soporte mecnico; este hace el papel de substrato. El montaje entero se vuelve sobre si y la cara trasera de la oblea tipo n es pulida hasta que la profundidad que haba originalmente en los canales atacados se alcance. Los restos que hay son islas de la oblea n original rodeadas de xido y silicio policristalino. El proceso de difusin estndar es ahora utilizado para difundir la base y
emisor centro de estas islas, y las ventanas de contactos y encapsulamiento son realizadas de la manera usual, el material policristalino forma un sustrato, y las islas de material n son rodeadas, sobre el fondo as como en las caras, por xido. Ya que el xido usualmente es ms grueso que la regin de deslexin de la unin del substrato, y puesto que la permitividad dielctrica del xido es un tercio de la del silicio, las capacidades parsitas son fuertemente reducidas. Adems, el aislamiento no envuelve a ninguna unin, de manera que se eliminan los problemas de polarizacin usuales de los aislamientos convencionales. Adems el sistema de aislamiento es menos susceptible a la degradacin por radiaciones, puesto que la unin no est envuelta. Este mtodo de aislamiento utiliza pasos extra y es dificultosa la realizacin de la operacin de pulido con la precisin que se requiere. El aislamiento dielctrico es por sto usado solo en casos en que se necesitan bajas capacidades parasitas y fuertes radiaciones.
Transistores PNP
En muchos circuitos, notablemente circuitos de polarizacin y circuitos lgicos, es deseable o esencial tener disponible un transistor PNP, preferiblemente uno cuyas caractersticas complementen a las del dispositivo NPN. Es difcil conseguir una estructura complementaria PNP sin aadir una serie de pasos adicionales, pero si el diseador se inclina por disminuir el requisito para las caractersticas complementarias, pueden conseguirse dispositivos razonables PNP sin pasos extra. Consideramos primero el proceso extra requerido para los dispositivos PNP compatibles.
Transistores PNP de triple difusin

La estructura del PNP triple difundido es quizs la estructura compatible ms obvia. Mientras que hay muchos caminos para hacer circuitos integrados. Con transistores PNP usando mltiples capas profundas, selectivas capas epitaxiales y complicados pasos de difusin adicionales, la estructura del PNP triple difundido es muy similar a la estructura NPN doble difundida. Una difusin p adicional es usada para formar al emisor PNP. Esta PNP es doblemente aislada una vez por la oblea de sustrato tipo p y difusiones de aislamiento y otra vez por la capa epitaxial tipo n, de modo que todo PNP triple difundido en un circuito dado, podra ser colocado en la misma regin de aislamiento. El principal problema en la fabricacin de triple difusin es la concentracin de superficies cada vez ms alta, a lo largo de los tres pasos de la difusin. Es difcil controlar la difusin del fsforo, la cual forma el emisor del transistor NPN por causa de efectos de difusin anormales que se presentan con el fsforo. La segunda difusin tipo n debe por tanto tener una concentracin de superficie muy fuerte; de hecho, no es siempre posible conseguir una estructura trabajable, la cual no requiera excesivamente la solubilidad slida del difuso p. Existe tambin un problema considerable en los tiempos y temperaturas de difusin especficos en orden a conseguir la estructura deseada. A causa de la total compensacin de impurezas necesarias para un transistor triple difundido bueno, la vida de los huecos en la base de los PNP ser pequea. La movilidad ser tambin baja en el emisor y en la base. Finalmente, a causa de las fuertes concentraciones involucradas, la eficiencia del emisor en dispositivos de triple difusin es pobre. Para aliviar algunos de los anteriores problemas deberamos escoger valores pequeos de concentracin de la primera p de difusin para obtener concentraciones ms bajas en las sucesivas difusiones. La dificultad inherente en el diseo entre reduccin del nivel de impurezas y diseo PNP es que una superficie tipo p ligeramente dopada podra
invertirse, produciendo un canal conductor tipo n que cortocircuite la regin p. En el transistor NPN la superficie invertida cortocircuitara colector y emisor, mientras que en el PNP cortocircuitara la base y la regin de aislamiento. Hay siempre la posibilidad para transistores MOS de accin parsita, particularmente en circuitos donde las superficies estn ligeramente dopadas o donde altos voltajes aparecen sobre la interconexin metlica. La canalizacin puede ser terminada difundiendo anillos de proteccin rodeando completamente todas las regiones p. El anillo protector en la triple difusin p-n-p-n-p-n compatible con estructura puede ser fcilmente usando la tercera difusin p+. Desde la precedente discusin, da la impresin de que el transistor de estructura triple difundida tiene serias dificultades de diseo y fabricacin, las cuales no compensan las mejoras que podramos obtener. Los transistores de triple difusin tambin tienen el inconveniente de tener gran tamao, grandes capacidades parsitas y bajas tensiones de ruptura. As el transistor de estructura de triple difusin tiene limitada aplicacin para circuitos integrados.
Transistores verticales PNP

Hemos visto ya que existe un transistor PNP parsito entre la base, colector y sustrato del dispositivo del NPN standard. Es difcil hacer este transistor complementario y es una desventaja adicional que el colector es el sustrato, el cual estar conectado a la tensin ms negativa. Esta desventaja limita seriamente la aplicabilidad del dispositivo en circuitos. De cualquier modo, existen algunos casos, tal como seguidor por emisor, donde un sustrato PNP puede ser empleado. La seccin transversal del sustrato PNP est mostrada en la figura . Por la inspeccin de esta figura pueden deducirse diferentes razones para la produccin de transistores de sustrato complementario PNP. Primero, el ancho de la base es la diferencia entre la profundidad de la unin de colector del PNP y la profundidad de la unin del sustrato. Para una capa epitaxial de 8 m de espesor, la anchura de la base ser aproximadamente de 6 m. Cuando comparada con la anchura de base tpica de 0.5 m para los NPN, estos 6 m parecen intolerablemente grande, ya que el factor de transporte depende del cuadrado de la anchura de la base. Sin embargo, el problema es mitigado en parte por el hecho de que el material epitaxial no ha sido compensado, y por consiguiente tiene razonables buenos valores de longitud de difusin y tiempo de vida media. Longitudes de difusin del orden de 30 m pueden ser fcilmente conseguidas; por ello, valores de 50 para la B son accesibles. Si bien esto es an mucho ms bajo que los valores tpicos para los NPN, es todava suficientemente elevado para obtener caractersticas razonables. La anchura de base del sustrato PNP puede por supuesto, ser reducida por el uso de material epitaxial ms delgado. De cualquier modo, esto compromete al comportamiento del NPN, por que el material del colector del NPN, puede ser completamente vaciado incluso por tensiones inversas de colector bajas, resultando la perforacin del colector. Al mismo tiempo, la resistencia de colector del NPN aumentar. El segundo factor degradante del rendimiento del PNP viene por la relativa alta resistividad del colector. Esta capa epitaxial tpica tiene una resistencia de hoja de 1250 ohmios por cuadrado. La regin bajo la difusin p, siendo slo 6 m de espesor tiene una resistencia de hoja de 1660 ohmios por cuadrado. De este modo, la resistencia de base lateral del dispositivo debe ser considerablemente mayor que la del NPN. Un tercer factor degradante del rendimiento del PNP es el aumento de la resistencia de base. El estrechamiento de corriente se fijar a niveles mucho ms bajos que para el paso del dispositivo NPN. Esto significa que para dispositivos NPN y PNP de tamao comparable, el decrecimiento de B con Ic, empezar a valores mucho ms pequeos de Ic para el PNP, que para el NPN.
El transistor PNP lateral

La restriccin impuesta sobre el circuito por el uso del substrato de colector de un p-n-p puede ser quitado haciendo un p-n-p lateral, cuya seccin transversal y superficie geomtrica son expuestos en la figura siguiente.
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Mientras que en la figura est representado el substrato rectangular tambin puede ser usada la geometra circular. En estos dispositivos contamos con los portadores minoritarios introducidos desde las paredes laterales del emisor para alcanzar el colector y proporcionar la accin deseada del transistor. La anchura base efectiva de los dispositivos depende de la distancia entre las entradas laterales del emisor y del colector, esto es tener el emisor y el colector tan cerca como sea posible. Un aspecto importante de la fabricacin de los dispositivos hace posible una base estrecha escasa: ambos emisor y colector estn fabricados durante el mismo ciclo de difusin. Esto significa que son necesarias mscaras de difusiones entre emisor y colector. Por tanto, la tolerancia sobre el espacio entre el emisor y el colector es determinada bsicamente por la tolerancia sobre el control de la extensin de la difusin lateral, es decir, control de la (difusin) profundidad de la unin. Observemos que el substrato parsito del transistor pnp sucede a las regiones de emisor y colector del transistor p-n-p lateral. Considerar en la regin activa normal. Para este caso el transistor de colector parsito tiene ambas uniones polarizadas inversamente. El transistor de emisor parsito est en la regin activa normal, por consiguiente esto reduce la ganancia efectiva de los dispositivos. En realidad solamente los portadores emitidos por las paredes laterales del emisor contribuyen a la accin del transistor p-n-p lateral, podemos ver estas dos pautas observadas poniendo fuera el transistor p-n-p lateral. 1. El emisor debera ser rodeado por el colector de manera que la posible inyeccin de las paredes laterales sea captada por el colector. 2. La anchura de lnea mnima debera ser usada por la ventana de difusin del emisor, con objeto a conseguir la radiacin ms grande posible de las paredes laterales, el rea de fondo de esta manera minimiza el efecto del transistor parsito pnp.
El compuesto PNP
En algunas aplicaciones el transistor pnp es requerido en aquellas situaciones donde solamente su comportamiento a baja frecuencia es importante, pero es necesaria una ms grande ganancia en corriente que puede ser obtenida con el pnp lateral. Si el pnp lateral est combinado con un transistor npn, se obtienen dos resultados para este dispositivo compuesto: 1. Todas las posibles polaridades para este compuesto son las mismas que para un transistor pnp. 2. La ganancia en corriente del compuesto es aproximadamente el producto de la ganancia en corriente de los dos transistores. Como puede verse en al figura para propsito de polarizacin los signos de corriente en los terminales del compuesto son los mismos que seran en el caso de un transistor pnp. Podemos ver que para ambos transistores del compuesto, para operar en la regin activa normal es necesario que el colector del compuesto este por lo menos a Vd voltios ms negativa que la base. Se demuestra fcilmente que la ganancia en corriente c del compuesto es:
Donde p y n son las ganancias en corriente de los transistores pnp y npn respectivamente.
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Obsrvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de instensidad

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