LABORATORIO DE FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA

Tema : Nota:

LAB. N 4
Semestre VII

Mediciones en el Diodo Semiconductor

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Fecha:

I.

OBJETIVOS 1. Identificar las Caractersticas del Diodo Semiconductor. 2. Comprobar el estado de un diodo semiconductor e identificar el ctodo (zona N) y el nodo (zona P). 3. Graficar la curva caracterstica del diodo Semiconductor. 4. Identificar las Caractersticas del Diodo Zener.

II. III.

MATERIALES 01 Diodo 1N4004 01 Diodo 1N4007 01 Diodo 1N34A Multmetro analgico y digital. 01 protoboard 01 resistencia de 1K, 1/4 de watt. 01 resistencia de 180 ohm, 1/4 de watt. Cables y conectores 01 fuente de alimentacin. Hoja tcnica de los diodos pedidos CUESTIONARIO PREVIO 1. Como se verifica de forma prctica si un diodo esta operativo, ejemplificar. 2. Que datos son importantes al leer la hoja de caractersticas de un diodo, ejemplificar.

IV. FUNDAMENTO TERICO Un diodo (del griego: dos caminos) es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor. Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio. Viendo el smbolo del diodo en el grfico anterior( A - nodo, K,C - ctodo) 1
Ing, M. Elena Pareja V.

Consideraciones generales 1. Para la verificacin del normal funcionamiento de un diodo se realiza una prueba con un ohmmetro, previa identificacin de la polaridad de las puntas de prueba. En sentido directo la resistencia media es del orden de 10 a 30; con polarizacin inversa se pueden observar lecturas de 200 a 300 K: para el germanio y de varios Megas para el silicio. El ohmmetro ha de proporcionar suficiente intensidad para polarizar el diodo, siendo preferible la utilizacin de multmetros analgicos. 2. En el diseo de circuitos habr que seleccionar un tipo de diodo cuya tensin mxima aplicable en sentido inverso (VRmx) sea mayor (del orden de tres veces) que la mxima que se espere aplicarle en su funcionamiento. 3. El circuito exterior debe limitar la intensidad I F, ya que ha de ser inferior a la IFmx indicada por el fabricante. 4. La potencia disipada por el componente es conveniente limitarla a la mitad de la potencia nominal. Toda disipacin de potencia genera calor, aumento de temperatura, lo que provoca el aumento de la corriente inversa. 5. El diodo de germanio se utiliza en deteccin de bajas seales, el diodo de silicio se utiliza en el resto de los casos.

Curva Caracterstica Diodo De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea, debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua

Tensin umbral, de codo o de partida (V). Corriente mxima (Imax ). Corriente inversa de saturacin (Is ). Corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr ).

Ing, M. Elena Pareja V.

V.

PROCEDIMIENTO.

A. Identificar diodo Semiconductor Leer el cdigo de cada diodo y buscar sus caractersticas en el manual de reemplazos (ECG o NTE) y llenar el dibujo adjunto.(hoja de datos) Diodo 1N4004 1N4007 1N34A I V Aplicacin Material

B. Verificar el estado del Diodo Semiconductor Colocar el selector del multmetro digital en la posicin para medir diodos, o sino ohmmetro. Conectar los terminales del multmetro en paralelo con el diodo y luego cambiar la posicin de los terminales del multmetro En una posicin el multmetro indicara baja resistencia (400 700) y en la otra posicin indicara un valor extremadamente alto. Observacin: Cuando el Multmetros indica baja resistencia el terminal negativo est conectado al ctodo del diodo. Cuando se emplea un multmetros analgico, el selector se coloca en la posicin X1 y se hace la misma prueba que con el multmetros digital, con la diferencia que con el multmetros indica baja resistencia, el terminal rojo est conectado al ctodo del diodo. Dibujar conexionado ohmmetro y diodo (polaridad):

Escriba sus observaciones:

C. Comportamiento del Diodo

Ing, M. Elena Pareja V.

Polarizado Directamente: Realizar el montaje del circuito elctrico de la figura y rellenar los valores de las dos tensiones y la intensidad que se indican en la tabla de la misma figura.

V1(R1) 1N34A 1N4007

V2(diodo)

IDC

Las comprobaciones se realizaran primero, con el diodo 1N34A y luego el 1N4007. Polarizado Inversamente: Realizar el montaje del circuito elctrico de la figura y rellenar los valores de las dos tensiones y la intensidad que se indican en la tabla de la misma figura.

V1(R1) 1N34A 1N4007

V2(diodo)

IDC

Anotar las diferencias entre los valores obtenidos con el diodo de germanio y el de silicio. D. Graficar la curva caracterstica del diodo
Ing, M. Elena Pareja V.

Armar el circuito mostrado, empleando un multmetros como ampermetro y el otro como voltmetro. Usar el Diodo 1N4007 y R1 de 1K.

Variar el valor de la fuente de alimentacin (Vs) con los valores que indica la tabla sgte y anotar sus valores.

Vs(V)
0 0,5 2,0 4 6 8 10 12 15

ID

VD

Armar el circuito como indica la figura:

Variar el voltaje de la fuente de alimentacin y anotar los valores. Vs(V) -1 -3 -6 -9 -12 -15 ID VD

Graficar en un solo grafico los valores de las tablas.

Ing, M. Elena Pareja V.

VI. CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES ______________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________

Ing, M. Elena Pareja V.