Clasicacin de Estructuras Cristalinas

Los sistemas cristalinos pueden ser clasicados en un nmero denido de grupos. Veamos la terminologa necesaria para describirlos. El agrupamiento ms pequeo en un cristal el cual es representativo de la estructura cristalina es llamada una celda unitaria o motif. Es posible denir un cristal como un arreglo regular de unidades, es decir, la unidad se repite a intervalos regulares a lo largo de cada una de las direcciones del cristal. En un cristal el ambiente en cualquier lugar es idntico en todo respecto al ambiente en un punto correspondiente en cualquier otra parte del cristal. En la gura 1 se muestra un cristal tridimensional en el cual el paraleleppedo ABCDEFGH es una celda unitaria de la red y est determinada por los vectores base a, b y c. Todos los desplazamientos traslacionales de ABCDEFGH por mltiplos enteros de los vecotres a, b y c a lo largo de estas tres direcciones lo trasladan a alguna otra regin del cristal idntica a su ambiente original. As, el cristal completo puede ser construido repitiendo este proceso para todas las combinaciones posibles de los mltiples enteros de los vectores base o ejes cristalinos, a, b y c. Cualquier punto a una distancia r0 del origen puede ser alcanzado desde cualquier otro punto a una distancia r por la relacin r0 = r + T; donde T = n1 a + n2 b + n3 c: Aqu T es llamado el operador de traslacin y n1 , n2 y n3 son enteros arbitrarios. (2) (1)

Figura 1

Consideremos ahora la siguiente denicin. Una celda unitaria es cualquier poliedro por medio del cual se puede construir un cristal por aplicacin repetida del operador de traslacin. El arreglo de puntos generado por el operador de traslacin es la red ; cada punto de la red es un punto de red. Escogemos las longitudes de los vectores a, b y c, y los ngulos , , entre estos vectores, arbitrariamente, lo cual puede llevarnos a pensar que hay un nmero inde nido de tipos de red. Pero esto no es as, Usando ciertas propiedades de simetra es posible dividir las redes en un nmero nito de grupos. Primero digamos que una operacin de simetra es tal que despus de haber sido realizada deja invariante el ambiente cristalino. Hay cuatro tipos principales de operaciones de simetra: (i) traslacin, (ii) rotacin, (iii) reexin, y (iv) inversin.

Figura 2 Ya hemos discutido la operacin de traslacin. Un objeto tiene una simetra de rotacin alrededor de un eje si, despus de haber sido rotado un ngulo , tiene el mismo ambiente como antes de haberse efectuado la rotacin. Se dice que un objeto tiene una simetra de reexin si, despus de que se reeja a lo largo de una lnea (en dos dimensiones) o un plano (en tres dimensiones), permanece sin cambio. Un objeto tiene simetra de inversin si, despus de haber sido invertido respecto a un punto, cambia un sistema de mano izquierda a 2

Sistema cristalino 1. Cbico

Nmero de redes de Bravais en un sistema

Tipo de red de Bravais simple centrada en el cuerpo centrada en la cara simple centrada en el cuerpo simple centrado en la base centrada en el cuerpo centrada en la cara simple centrado en la base

Caractersticas de la celda unitaria

Longitudes y ngulos que deben ser especicados

3 2

a=b=c 0 = = = 90 a=b=c 0 = = = 90 a=b=c 0 = = = 90 a=b=c 0 = = 90 = a=b=c 0 = = = 90 a=b=c 0 = = = 90 a=b=c 0 = = 90 = 1200

a a; c

2. Tetragonal

3. Ortormbico

a; b; c a; b; c a; b; c a

4. Monoclnico 5. Triclnico
6. Trigonal (romboedral)

2 1 1 1

simple simple simple Table 1:

7. Hexagonal

a; c

uno de mano derecha, y viceversa. Las operaciones (ii), (iii), y (iv), o cualquier combinacin de ellas forma un grupo puntual. Combinacin de los grupos puntuales con el grupo de traslacin llev al cientco francs Auguste Bravais a concluir, en 1866, que hay nicamente 14 tipos de redes espaciales (tridimensionales) que pueden ocurrir en los cristales. Estas 14 redes espaciales, conocidas como redes de Bravais, se muestran en la gura 2, la cual tambin las clasica en siete sistemas cristalinos. La tabla 1 proporciona esta misma informacin en forma tabular.

Defectos puntuales y dislocaciones

En general no es posible encontrar cristales con redes perfectas. Todos los cristales reales, sin importar como estn formados, tienen algunas imperfecciones. El estudio de las propiedades y efectos de las imperfecciones en las estructuras cristalinas es parte del estudio de la fsica del estado slido. Ciertas propiedades de los slidos -tal como la dureza mecnica, el comportamiento elctrico y la calidad ptica- dependen de la presencia de impurezas. Por otra parte, la presencia de imperfecciones prcticamente no altera propiedades tales como el paramagnetismo y la conductividad elctrica en metales. Las imperfecciones de las redes cristalinas se clasican en dos grupos: (a) defectos puntuales, y (b) dislocaciones. a) Defectos puntuales. Como su nombre lo indica, son defectos siempre localizados y pueden ser divididos en tres categoras: (i) vacancias, (ii) impurezas sustitucionales, y (iii) impurezas intersticiales (ver la gura 3). En la gura 3(a) se muestra un defecto puntual debido a una vacancia en algunos puntos de la red. Un tomo no aparece en un sitio dado. Para crear tal vacancia un tomo debe tener suciente energa para romper sus enlaces con sus vecinos y dejar el sitio. Esta energa -alrededor de 1 a 2 eV para cristales- la puede obtener de las vibraciones trmicas a altas temperaturas. As, este tipo de defecto se incrementa cuando la temperatura se incrementa. La gura 3(b) muestra una impureza sustitucional: Un tomo en un arreglo regular ha sido reemplazado por algn tomo extrao. La gura 3(c) muestra defectos puntuales debidos a un tomo interstiticial: Un tomo extra se coloca entre los constituyentes regulares de la red. Este tomo puede ser del mismo tipo como el resto de los tomos de la red (g. 3(c)(i)) o puede ser un tomo de alguna impureza (g. 3(c)(ii)). Una vacancia de in positivo y una vacancia de in negativo simultneas es llamada un defecto de Schottky. Una sustitucin intersticial de in positivo y una vacancia de in positivo simultneas es llamado un defecto de Frenkel. Estos defectos tambin ocurren en cristales distintos a los cristales inicos.

Figura 3

La presencia de cualquiera de los defectos puntuales en un cristal lleva a un reacomodo de los tomos en la vecindad del sitio del defecto. Los cientcos han aprendido bastante a partir del estudio de la conductividad inica en cristales inicos imperfectos que son, en otra forma, no conductores. Los defectos puntuales pueden ser producidos calentando los cristales a muy altas temperaturas o bombardendolos con partculas de altas energas, las cuales pueden fcilmente golpear y dislocar los tomos de la red. Sin embargo, el dao por radiacin cambia muchas caractersticas de los cristales. b) Dislocaciones. Los defectos de lnea en cristales son llamados dislocaciones. Suponga que hay una lnea de tomos que no tiene la misma coordenada como el resto de los tomos en el cristal. Se dice entonces que el cristal tiene una dislocacin (ver gura 4). Las dislo- caciones no slo cambian propiedades pticas y elctricas, sino que ayudan a comprender el comportamiento plstico de los slidos y la ductibilidad de los metales. Las dislocaciones en el cristal reducen la fuerza de los enlaces hasta en 1/100 del valor que tena antes el cristal. La energa necesaria para producir tales dislocaciones vara desde 3 hasta 10 eV. Hay dos tipos principales de dislocaciones: dislocaciones de arista (g. 4(a)) y disloca- ciones de tornillo (g. 4(b)). La dislocacin de arista se puede visualizar como una capa extra de tomos que ha sido empujada media distancia en el cristal, o una capa de tomos ha sido removida media distancia. En el proceso de reacomodo los tomos crean una seria distorsin en la estructura. La dislocacin de tornillo puede verse como sigue: suponga que se hace un corte en un cristal perfecto y luego un lado del corte es desplazado (o deslizado) con respecto al otro. La dislocacin misma es la lnea fronteriza entre las porciones deslizadas y no deslizadas del cristal. Usualmente ambos tipos de dislocaciones ocurren simultneamente.

Figura 4

Teoras de Electrn Libre de los Metales

Las propiedades trmicas, elctricas y magnticas de los slidos son determinadas por la carga intrnseca, el momento magntico y la distribucin de los electrones que rodean a los tomos. Dependiendo del arreglo de sus electrones, un slido puede ser clasicado en (a) un aislante, o (b) un metal. (a) En un aislante la mayora de los electrones estn fuertemente ligados al tomo; muy pocos de los electrones estn libres para moverse por el cristal. (b) En un metal hay siempre algunos electrones que estn dbilmente ligados a sus respectivos tomos y estn libres para moverse por el cristal. Vamos ahora a considerar las propiedades de los metales a partir de la teora del electrn libre. a) Teora Clsica del electrn libre. Paul Karl Ludwig Drude, en 1900, sugiri que en los metales los iones positivos estn jos mientras que los electrones de valencia estn libres para moverse a cualquier lugar dentro del cristal. Estos electrones libres constituyen un gas de electrones libres (un gas que como cualquier otro, obedece las reglas de la teora cintica de los gases). Drude les llam electrones de conduccin, y a los electrones de las capas cerradas les llam electrones de la coraza inica. En 1909 H. A. Lorentz incorpor las siguientes suposiciones que llevaron a la formulacin de la teora clsica del electrn libre de Drude-Lorentz: (i) La estadstica clsica de MaxwellBoltzmann se aplica al gas de electrones libres. (ii) La repulsin entre electrones libres es despreciable. (iii) Los iones positivos producen un potencial constante. Esta teora predijo exitosamente muchos aspectos cualitativos de las conductividades tr- micas y elctricas. Por ejemplo, predice la ley de Ohm y la relacin entre las conductividades trmica y elctrica. Sin embargo, falla en predecir la dependencia correcta de la conductivi- dad elctrica sobre la temperatura. Tambin falla en predecir las magnitudes de los calores especcos de los metales, as como propiedades magnticas como las susceptibilidades dia- magntica y paramagntica. La teora es, sin embargo, su cientemente vlida como para considerar una discusin de sus caractersticas. i) Conductividades elctrica y trmica. De acuerdo a la ley de Ohm la corriente i en metales es proporcional al voltaje aplicado V , esto es i= V R (3)

donde R es la resistencia. Denamos la densidad de corriente j = i=A, donde A es el rea de la seccin transversal del conductor, y V = E l, donde E es el campo elctrico y l es la longitud del conductor. Entonces podemos escribir la ley de Ohm como jA = Esto es j= donde = El R o 1 E= E; R 1 = 7 l 1 : AR j= l E AR (4)

Aqu es la resistividad y es la conductividad del metal. De acuerdo a la teora clsica del electrn libre obtenemos la expresin
teo

'

(5)

6 10 p ; T

donde T es la temperatura absoluta. Sin embargo, experimentalmente encontramos que, excepto a temperatura baja, la relacin siguiente es cierta:
exp

1 : T

(6)

Por el contrario, la teora clsica predice correctamente que la razn de la conductividad elctrica a la conductividad trmica K es proporcional a la temperatura absoluta T . Esto es 1 = const ' 2:5: (7) TK La razn K es llamada razn Wiedemann-Franz. ii) Calor especco. De acuerdo a la teora cintica de gases, si el gas de electrones de un metal se comporta como un gas ideal, su calor especco debera 2 ser 3 R, donde R es la constante universal de los gases. Experimentalmente se encuentra que el calor especco de un gas de electrones libres depende de la temperatura de acuerdo a la relacin Cvelec = 10
4

RT :

(8) Estos y muchos otros defectos de la teora clsica del electrn libre fueron superados por la introduccin de un nuevo modelo por Sommerfeld. Veamos este modelo. b) Teora cuntica del electrn libre (modelo de Sommerfeld). En 1928 Sommerfeld sugiri dos modicaciones a la teora clsica del electrn libre. Primero, dijo que los electrones libres en un metal deben ser tratados cunticamente, lo que condujo a la idea de que estos electrones tienen niveles discretos de energa. Segundo, dijo que para el gas de electrones se debera utilizar la estadstica de Fermi-Dirac y no la de Maxwell-Boltzmann. Veamos estas dos modicaciones. i) Mecnica cuntica y estadstica de Fermi-Dirac aplicado a los electrones libres en metales. De acuerdo con Sommerfeld, el potencial dentro de un cristal metlico puede ser asumido como constante, de modo que no hay fuerza neta actuando sobre los electrones en el cristal. El movimiento de los electrones est restringido al cristal por la presencia de altas barreras de potencial en las fronteras del cristal. As, podemos visualizar al cristal como una caja cbica de longitud L conteniendo electrones libres. Recordemos que en un pozo innito unidimensional de ancho L la energa de un electrn est dada por En = n 2
2 2h x

2mL2

nx = 1; 2; 3; ::::::

(9)

donde m es la masa del electrn. Cuando se extiende al caso tridimensional, es decir, una caja cbica de arista L, la ecuacin anterior es ahora E = n +n +n
x y 2 2 2 2 2

=n

2 2

(10)

2mL2

2mL2

donde
2 2 n2 = n2 x + ny + n z ;

nx ; ny ; nz = 1; 2; 3; :::::::

En la gura 5(a) se muestra la grca de E versus n. Puede demostrarse que an para valores tan pequeos como L = 0:1cm la separacin entre los niveles de energa es 14 10 eV, lo cual es tan pequeo que los niveles pueden ser asumidos como muy empaquetados, formando un casi-continuo de niveles. Cada nivel energtico es designado por cuatro 1 nmeros cunticos nx , ny , nx y ms donde ms = . Dado que ms puede tomar slo dos 2 valores, cada nivel puede ser ocupado por dos electrones, como lo muestra la gura 5(b). En el estado base la energa del ltimo electrn aadido al sistema -es decir, la energa del electrn en el nivel ms alto, con n = nf como se ve en la gura 5(b)- es una funcin de nf y L. Esta energa mxima del electrn correspondiente a n = nf en el cero absoluto se llama energa de Fermi del punto cero, EF (0).

Figura 5 Usualmente se desea conocer la energa de Fermi en trminos del nmero total de elec- trones y el tamao de la caja. As, supngase que hay N electrones por volumen unitario, de modo que el nmero total de electrones en el sistema es N L3 . Designando cada punto de la red ocupado por un electrn con los nmeros cunticos nx , ny , nx y ms , obtenemos la siguiente expresin para la energa de Fermi del punto cero: EF (0) = h 2 3 2m
2N
2 3

(11)

Obviamente, la energa de Fermi es una funcin del nmero de electrones N . La ecuacin anterior da los siguientes valores para las energas de Fermi en el cero absoluto: Cs, 1.53eV; Na, 3.12eV; Ag, 5.51eV.

Ejemplo: Calculemos la energa de Fermi del sodio, haciendo uso de la ecuacin (11). As, tenemos que h = 1:05457266 10 34 J s, m = 9:1093897 10 31 kg, y N es el nmero de electrones por unidad de volumen en el sodio, que se calcula como sigue: N = NA 0:9712 g=cm3 = A 10 =cm
22 3

6:0221367
1

1023 =g mol

22:9898= mol = 2:53 Por tanto

2 10 34 J s) (3 2:53 1022 =cm3 ) 3 EF (0) = 2 (9:1093897 10 31 kg) 5:03 10 19 J2 s2 = = 5:03 10 23 1:602 10 19 J=eV kg cm2 = 3:15 eV

(1:05457266

Para calcular la energa cintica E (0) de los electrones en el metal a 00 K promedio , debemos conocer la densidad de estados g (E), denida como el nmero de estados por unidad de energa por unidad de volumen. Esta cantidad se puede calcular considerando que la expresin (11) puede utilizarse para obtener el nmero de estados con energa menor o igual a E: 3 1 2mE 2 ; N (E) = 2 3 h 2 y de aqu dN 1 1 g (E) = = 2 2m 2 E 2 : (12) dE 3 2 h
2

La densidad de estados cumple con la relacin Z EF (0) g (E) dE = N

0

(13)

de donde

g (E) EdE 0 R E (0) = EF (0) g (E) dE 0

R EF (0)

(14)

Cuando estas ecuaciones se combinan se obtiene 3 E (0) = EF (0) 5

(15)

Ntese que, de acuerdo con la teora clsica, E (0) debera ser cero en 00 K . De acuerdo a lo anterior, a 00 K todos los estados con energas hasta EF (0) estn comple- tamente llenos, mientras que los estados con E > EF (0) estn completamente vacos. Esto lleva a la siguiente ley de distribucin del punto cero, de acuerdo a la cual la probabilidad f (E) de que el estado est ocupado est dada por

f (E) =

1; E < EF (0) 0; E > EF (0)

(16)

La gura 6 muestra una grca de f (E) versus E.

Figura 6 Dado que los electrones son fermiones, su distribucin en un metal en diferentes estados energticos debera seguir la estadstica de Fermi-Dirac, la cual est dada por N (E) dE = g (E) f (E) dE = Esto es f (E) = exp g (E) dE (E E ) exp kT F + 1 (17)

1
(E EF ) kT

+1

(18)

donde N (E) es el nmero de electrones por unidad de energa en el estado de energa E y EF es la energa de Fermi a temperatura T 0 K , dada por ( ) 2 kT 2 EF ' EF (0) 1 (19) 12 EF (0)

Figura 7 En la gura 7 se muestra una grca de N (E) versus E para metales a distintas tem- peraturas. Si se eleva la temperatura arriba de 00 K se fuerza a los electrones de los niveles justo abajo de la energa EF a ir a niveles excitados justo arriba de EF . A temperatura T 0 K 10 10

slo aquellos electrones en niveles con energas entre EF niveles

kT y EF son excitados a

11 11

con energas entre EF y EF + kT . (Si otros electrones fuesen excitados, tendran que ir a estados ocupados, lo cual no es posible de acuerdo al principio de exclusin de Pauli). As, la fraccin de electrones en un metal que pueden ser excitados por medio de fuentes externas (tales como fuentes trmicas, elctricas o magnticas) es igual a la razn del rea sombreada al rea total de la gura 8; esto es, rea sombreada kT 0:03 1 ' = = rea total EF 100 3:00 (20)

Figura 8 ii) Aplicaciones de la teora a las propiedades de los metales. Ahora se pueden explicar algunas de las propiedades de los metales usando la teora cuntica de los electrones libres. a) Conductividad elctrica de metales. De acuerdo a la teora cuntica, los electrones libres en los metales ocupan estados denidos de energa, de acuerdo a la estadstica de Fermi-Dirac. Como se muestra en la gura 9, en ausencia de campo externo, los electrones se mueven aleatoriamente. Esto es, hay tantos electrones movindose con alguna velocidad dada en la direccin +x como en la direccin x. Por tanto, no hay corriente neta.

Figura 9 Pero tan pronto como un campo elctrico E es aplicado, los electrones se aceleran hacia la terminal positiva del campo. Esta aceleracin signica un incremento en la velocidad y por tanto, de la energa. Pero slo aquellos electrones con energa cercana a la energa de Fermi EF puede adquirir suciente energa para ser redistribuido como

muestra la gura 10. El exceso neto de electrones a lo largo del eje +x da como resultado una corriente elctrica,

y contribuye a la conductividad elctrica. Los clculos basados en la teora muestras que la conductividad es inversamente proporcional a la temperatura absoluta T , como se esperara de la evidencia experimental.

Figura 10 b) Conductividad trmica de metales. La alta conductividad trmica de los metales y su relacin con la conductividad elctrica puede entenderse fcilmente. En los metales, la conduccin se debe a las vibraciones de los tomos as como de los electrones libres. En los materiales no metlicos, la conduccin se debe primordialmente a las vibraciones de los tomos. En lugar de hablar acerca de las vibraciones de los tomos, podemos hablar en trminos de los fonones. (En analoga con un fotn, el cual es un quantum de energa radia- tiva, un fonn es un quantum de energa vibracional) El nmero de fonones se incrementa con el incremento de la temperatura, pero las trayectorias libres medias de los fonones per- manecen cortas (10-100). As, para materiales no metlicos las conductividades son muy cortas. Sin embargo, aunque las trayectorias libres medias de los fonones en los metales son tambin cortas, las trayectorias libres medias de los electrones son largas. Por ello es que los electrones libres son la causa de la buena conductividad trmica de los metales. Los mismos electrones libres son tambin responsables de la conductividad elctrica de los metales de modo que es de esperarse alguna relacin entre ambas conductividades. La teora cuntica del electrn libre predice la ley de Wiedemann-Franz discutida un poco antes. c) Calores especcos electrnicos en metales. El calor especco de un metal puede ser escrito como 3 9 Cv = Cv (atmico) + Cv (electrnico) = 3R + R = R 2 2 (21) (recurdese que los electrones tiene tres grados de libertad). Pero es bien sabido que arriba de cierta temperatura el calor especco de todos 3 los slidos es 3R. As, de alguna manera debemos librarnos del trmino R. De acuerdo 2 a la estadstica de Fermi-Dirac, a cualquier temperatura T slo aquellos electrones con energas en el intervalo EF kT absorben calor. Estos electrones son una fraccin 2kT =EF del total, de modo que el calor especco electrnico est dado por 3 C R 2kT EF

3Rk EF

T = T (22 )

donde = 3Rk=EF es una cantidad muy pequea, de modo que la contribucin del calor especco electrnico es despreciable y por tanto Cv ' Cv (atmico) :

Teora de Bandas y Aplicaciones

La descripcin que hemos hecho anteriormente en trminos de la teora del electrn libre no fue suciente para explicar por qu algunos slidos son aislantes, otros conductores y algunos otros semiconductores. Estos y otros fenmenos pueden ser explicados mediante la teora cuntica de slidos, tambin llamada teora de bandas de los slidos. Existen varios modelos de aproximacin para estudiar al slido. Uno de ellos es modicar el modelo del electrn libre para considerar el movimiento de un electrn en un potencial peridico, lo que tambin se llama teora de zonas. Otro modelo es el llamado aproximacin de enlace fuerte (tight-binding approximation) y que se conoce tambin como teora de bandas Veremos en qu consisten estos dos modelos. Electrones en un potencial peridico (Teora de Zonas) En la teora del electrn libre se asumi que el movimiento de los electrones en un cristal es completamente, de modo que los electrones pueden ir a cualquier parte dentro del cristal. Se supuso tambin que haba una barrera alta de potencial que impeda que los electrones abandonaran el cristal. Esto en realidad no es as. El potencial real es peridico, como se muestra en la gura 11 para el caso de un cristal unidimensional. La periodicidad del potencial es el resultado de la interaccin coulombiana entre el electrn en movimiento y la distribucin de carga peridica debida a los iones positivos colocados en los sitios de la red.

Figura 11 Encontrar los niveles de energa permitidos de un electrn implica resolver la ecuacin de Schrdinger para un electrn que se mueve en un potencial peridico. Es posible simplicar bastante el problema sin afectar los resultados nales si se remplaza el potencial de la gura anterior por un potencial peridico con barreras rectangulares, como el de la gura 12. Este es el llamado Modelo de Kronig-Penney. La ecuacin de Schrdinger a resolver es + dx2 d2 (x)

2m

h 2 (23)

[E

V (x)]

(x) = 0

donde V (x) = 0 para regiones del tipo I y V (x) = V0 para regiones del tipo II.

Figura 12 El efecto del potencial peridico sobre la funcin de onda es cambiar la funcin de onda del electrn eikx a p 2m [E V (x)] (24) (x) = u (x) eikx ; k= h y u (x) es la amplitud de modulacin, la cual es casi uno en el centro del pozo y apreciable- mente diferente de uno cerca de la frontera de cada pozo. Dado que u (x) se repite de red a red (con a el espaciamiento de red), debe satisfacer la condicin u (x + a) = u (x) (25) Las ecuaciones (24) y (25) juntas constituyen el llamado teorema de Bloch. Usando este teorema y las condiciones de frontera peridicas para la continuidad de una funcin de onda y su derivada, se obtiene la relacin cos ka = P donde P es una constante dada por P = lim y p 1 2
2

sin a + cos a a

(26)

b!0 !1

ab =

ma V0 b h 2

(27)

p 2mE 2m (V0 E) = ; = : h h Los niveles de energa permitidos para el electrn en un potencial peridico pueden obtenerse considerando las siguientes dos interpretaciones de la ecuacin (26):

(28)

Figura 13 a) Interpretacin del lado derecho de la ecuacin La gura 13 muestra la curva oscilatoria correspondiente al lado derecho de la ecuacin (26) versus a. Las lneas horizontales son los lmites +1 y 1 impuestos por el lado izquierdo de esa misma ecuacin, esto es, por cos ka. Para valores reales de k, las soluciones fsicamente signicativas de la ecuacin (26) deben estar dentro de estos lmites, los cuales son mostrados por las lneas verticales horizontales. Estas energas, -las energas que un electrn movindose en un potencial peridico puede tomar- son llamadas bandas de energa o regiones permitidas o zonas permitidas. Entre las bandas permitidas estn las bandas prohibidas o regiones prohibidas o zonas prohibidas de energa, las cuales no puede tomar el electrn mientras se est moviendo en un potencial peridico. Note que si V0 b es muy grande las zonas permitidas son muy angostas y el electrn no puede moverse libremente. Esto es lo que ocurre en el caso de que los electrones estn fuertemente ligados al ncleo. Por otra parte, si V0 se aproxima a cero, las zonas permitidas se ensanchan tanto que las zonas prohibidas desaparecen. Esto es lo que ocurre en el caso de los electrones del tomo. Para V0 = 0 la situacin se reduce al caso de electrones libres. El origen y posicin de estas bandas los podemos entender como sigue. Si por un momento pensamos en el cristal como un conjunto de pozos aislados por barreras impenetrables, las soluciones de la ecuacin de Schrdinger seran precisamente las que corresponden a un pozo innito. Los electrones del cristal tendran entonces el espectro discreto de un pozo in nito. Al interconectar N pozos bajando las barreras que los separan, cada nivel se descompone en N niveles innitamente prximos, crendose una sucesin de bandas, cada una con un continuo de niveles alrededor de la solucin para un pozo aislado, como se muestra en la gura 14.

Figura 14 b) Interpretacin del lado izquierdo de la ecuacin Puede alcanzarse una interpretacin ms til y directa de la ecuacin (26) considerando el lado izquierdo de la ecuacin. La funcin cos ka puede asumir slo aquellos valores que corresponden a valores permitidos de E. Las lneas gruesas de la gura 13 se muestran en una grca de valores permitidos de E versus ka (gura 15). Si se proyectan estos valores permitidos a la derecha, se obtiene las bandas o zonas permitidas, y entre estas bandas estn las bandas prohibidas.

Figura 15 La parbola con lnea punteada en la gura 15 corresponde al caso de un electrn libre para el cual E = k 2 h 2 =2m. Note que las lneas gruesas se separan ligeramente de la

parbola

punteada slo en la vecindad de n , donde n es un entero. Esto signica que el electrn que se mueve en un potencial peridico se comporta como un electrn libre para la mayora de los valores de k, excepto aquellos cercanos a n . Para valores grandes de E los dos son casi similares. Tambin note que las discontinuidades en los valores permitidos de E ocurren en cos ka = 1. Esto es, ka = n ; n = 0; 1; 2; 3; :::::: (29) y si sustituimos k = 2 obtiene = , se n = 2a; (30)

el cual corresponde a la condicin de Bragg, si se sustituye = 900 en n = 2a sin . Esto implica que las discontinuidades representan lugares en los cuales las ondas electrnicas son reejadas hacia atrs. La regin que contiene electrones con momento tal que 0 < k < =a [esto es, n = 1 en la ecuacin (29)] es llamada primera zona de Brillouin. La segunda zona de Brillouin es una que contiene electrones con valores de k entre =a y 2 =a. La tercera, cuarta y superiores zonas de Brillouin pueden ser denidas de manera similar. Teora de Bandas de Slidos (Aproximacin de Enlace Fuerte) Los aislantes, conductores y semiconductores pueden distinguirse (entre otros factores) por sus conductividades elctricas. Los aislantes son pobres conductores de electricidad; ejemplos son: diamante, cuarzo y la mayora de los slidos inicos y covalentes. Los con- ductores son buenos conductores de electricidad; ejemplos son: plata y otros metales. La conductividad de los semiconductores est entre la de los aislantes y la de los conductores; ejemplos son: germanio y silicio. Vamos ahora a discutir la formacin de estos tres tipos de materiales de acuerdo a la teora de bandas. La teora de aproximacin de enlace fuerte asume que cada electrn est fuertemente ligado a su ncleo -una suposicin completamente opuesta a la de la teora de zonas-, aunque los resultados que se obtienen son casi los mismos. Es conveniente utilizar la teora de zonas cuando se estudia a los metales y la teora de bandas cuando se estudia a los aislantes y semiconductores. Para encontrar los niveles de energa de los electrones en los slidos necesitamos conocer los niveles de energa de los tomos individuales cuando se agregan para formar un slido. Imagine que agregamos dos tomos de hidrgeno para formar una molcula. Los dos niveles 1s (uno de cada tomo) se combinan para formar dos nuevos niveles moleculares con diferente energa. En el caso de los slidos hay muchos ms tomos y la situacin es ms complicada. Por ejemplo, suponga que agregamos seis tomos de sodio, cada uno con un electrn en el estado 3s. Tendremos seis funciones de onda resultantes, como lo muestra la gura 16. La combinacin en la gura 16(a) es la funcin de onda perfectamente simtrica con la menor energa, mientras que en la gura 16(b) se muestra la funcin de onda perfectamente antisimtrica, con la energa mxima. Las energas del resto de funciones de onda combinadas estn entre estos dos extremos pero tambin dependen de qu tan cercanos estn colocados los tomos

Figura 16 El resultado es la formacin de bandas de energa, como lo muestra la gura 17. Real- mente, debido a la degeneracin de spin (un estado con spin "hacia arriba" y otro con spin "hacia abajo"), el nmero total de estados de energa es el doble. Adems, si hay un nmero grande de tomos, los niveles de energa en las bandas son casi continuos, como se muestra en la gura 17(c) para los niveles 1s, 2s, 2p, y 3s de N tomos aislados. La situacin provoca la formacin de bandas permitidas de energa 1s, 2s, 2p, y 3s, as como bandas prohibidas de energa. En general, en la formacin de cualquier slido a partir de N tomos individuales, hay 2N estados en cada banda 1s, 2s, 3s, ..., 6N estados en cada banda 2p, 3p, 4p, ..., 10N estados en cada banda 3d, 4d, ... y as en adelante. Esto es [Nmero de estados en cada banda l] = 2 (2l + 1) N (31) Cuando los slidos se forman tambin se forman cuatro tipos de bandas, como lo muestra la gura 18. Esto lleva a la clasicacin de los slidos en: aislantes, semiconductores y conductores. Veamos cada uno de ellos.

Figura 17 a) Aislantes. Para estos materiales la formacin de bandas es como lo muestra la gura 18(a). La caracterstica de estas bandas es que la regin prohibida entre la ms alta banda llena y la ms baja banda vaca es muy amplia, 3 6eV. An cuando se excite trmicamente a los electrones (con cualquier temperatura alcanzable) o se les aplique un campo elctrico, muy pocos de ellos en la banda llena se muevan a la banda vaca. Sin embargo, debido al principio de exclusin de Pauli, los electrones no pueden moverse dentro de la banda llena, por lo que no hay modo de obtener una corriente por electrones libres. Esta es la razn por la cual los slidos de este tipo son pobres conductores de electricidad y se clasican como aislantes. En la tabla 1 se muestra una lista de las anchuras de las bandas prohibidas entre la ms alta banda llena y la ms baja banda vaca para algunos aislantes, as como de algunos semiconductores. La ms alta banda llena, o parcialmente llena, se llama banda de valencia.

Figura 18 b) Semiconductores. En estos materiales la formacin de bandas se ilustra en la gura 18(b). Aqu la caracterstica es que la regin prohibida entre la ms alta banda llena y la ms baja banda vaca es muy angosta, 0:1 1eV (ver tabla 1). En este caso los electrones pueden moverse de la ms alta banda llena a la ms baja banda vaca sin mucho problema. Esto se consigue por excitacin trmica o aplicacin de algn campo elctrico. As, los pocos electrones de la banda vaca estn disponibles para producir 20 20

corriente elctrica debido a que

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pueden moverse en esta banda. En la gura 19((a) y (b)) se muestran distribuciones de electrones en un semiconductor a 00 K y 3000 K. Aislantes Diamante (C) xido de Zinc (ZnO) Cloruro de Plata (AgCl) Gap, eV 5.33 3.2 3.2 Semiconductores Gap, eV Silicio (Si) 1.14 Germanio (Ge) 0.67 Telurio (Te) 0.33

Tabla 1 Algunos Gaps de Energa Prohibida Adems, existe otro mecanismo que produce corriente elctrica: Las vacancias (o lugares vacos dejados por los electrones que se mueven) que estn cerca del tope de la ms alta banda llena son llamados huecos. Estos huecos se comportan como electrones positivos y pueden contribuir al ujo de corriente elctrica, como lo muestra la gura 19(c). Cuando se aplica un campo elctrico, el electrn debajo del hueco puede obtener energa su ciente para saltar y ocupar al hueco, por lo que, para todo propsito, el hueco se mueve a un estado de menor energa. Tal movimiento del hueco contribuye a la corriente elctrica

Figura 19 c) Conductores. En estos materiales la formacin de bandas es como el mostrado en la gura 18(c) o 18(d). Aqu la caracterstica es que la banda de valencia est parcialmente llena (g. 18(c)), o si est llena la siguiente banda permitida vaca se traslapa con la banda 22 22

llena (g. 18(d)). En cualquier caso hay estados desocupados para los electrones de la banda ms alta, de modo que estos electrones estn disponibles para portar corriente. Por ello es que estos slidos se llaman conductores. An cuando no sean metlicos, exhiben todas las caractersticas de los conductores metlicos. Veamos algunos ejemplos. El sodio (Z = 11) tiene una conguracin electrnica 1s2 2s2 2p6 3s1 . As, en un slido con N tomos de sodio hay 2N electrones 1s, 2N electrones 2s, 6N elec- trones 2p y N electrones 3s. Esto implica que las bandas 1s, 2s, y 2p estn completamente llenas, mientras que la banda 3s est slo medio llena. De aqu que el sodio y todos los metales alcalinos deberan ser conductores. Y lo son! Sin embargo, la situacin es ligeramente complicada. La distancia de equilibrio entre los tomos de sodio en la forma slida es r0 = 3:67. De acuerdo a la aproximacin de enlace fuerte a esta distancia las bandas 1s, 2s y 2p permanecen imperturbadas y separadas, pero las bandas correspondientes a los estados 3s y 3p se traslapan. Esto signica que para los N electrones de conduccin en los estados 3s, hay N estados 3s y 6N estados 3p, es decir, un total de 7N estados disponibles. Enseguida consideremos al magnesio (Z = 12) cuya conguracin electrnica es 1s2 2s2 2p6 3s2 . De acuerdo a la aproximacin de enlace fuerte, debido a que las bandas 1s, 2s, 2p, y 3s estn completamente llenas el magnesio debera ser un aislante. Sin embargo, como en el caso del sodio, las bandas 3s y 3p se traslapan de modo que de los 2N estados 3s y los 6N estados 3p slo 2N estados estn ocupados. El resto estn disponibles para conduccin electrnica. As, todos los slidos como el magnesio -cuya banda de valencias est llena pero con estados disponibles para conduccin electrnica debido al traslape de las bandas- sern conductores. En efecto, algunas veces estos materiales son llamados semimetales. Por ejemplo, en los elementos de transicin las bandas 3d, 4s y 4p se traslapan; y en los elementos de tierras raras las bandas 4f , 5d, 6s y 6p se traslapan. Por ello todos estos elementos son conductores. Ahora consideremos el caso ms importante de distincin entre aislantes y semiconductores, de acuerdo a la teora de bandas. Tomemos el diamante (uno slido covalente) cuya conguracin electrnica es 1s2 2s2 2p2 . Cuando N tomos de carbn se agregan, se deberan de formar tres bandas (1s, 2s, y 2p). Las bandas 1s y 2p deberan estar completamente llenas, pero de los 6N estados de la banda 2p slo 2N estados deberan estar llenos. Sin embargo no es esto lo que ocurre. Cuando los tomos de carbn se agregan para formar un slido, los niveles 2s y 2p se empiezan a ensanchar en bandas. A medida que el espaciamiento interatmico disminuye, estas bandas empiezan a traslaparse, como lo muestra la gura 20. Entre ms y ms pequeas son estas distancias, el continuo de los estados 2s y 2p que tena un total de 2N + 6N = 8N estados se separa en dos bandas, cada una conteniendo 4N estados cunticos. Cuando el carbn es un slido estable, los cuatro electrones del tomo de carbn que solan estar en los estados 2s y 2p ahora llenan la banda inferior con 4N elec- trones, mientras que la banda superior, que contiene 4N estados, est vaca. La distancia de equilibrio del diamante es 1:5; a esta distancia la separacin entre la ms baja banda llena y la ms alta banda vaca es 5eV, lo cual es un gap de energa prohibida muy grande. Esta es la razn por la cual el diamante es un buen aislante. 23 23

El esquema de bandas para el carbn mostrado en la gura 20 tambin se aplica a semiconductores como el Si y el Ge, excepto que las bandas corresponden a diferentes niveles de energa atmica. Pero hay una diferencia fundamental muy importante: La separacin de equilibrio de los tomos de Si y Ge son mucho mayores que en el diamante, de modo que

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los gaps de energa son mucho menores en estos materiales. El ancho de la banda prohibida es 1:2eV en el silicio y 0:7eV en el germanio (ver gura 20). Los estrechos gaps de energa en Si y Ge implican que ms electrones de la banda inferior completamente llena o de valencia pueden ser excitados trmicamente a las vacas bandas de conduccin. Cuando esto ocurre, estos slidos vienen a ser conductores. Debemos mantener siempre en mente que tanto los electrones como los huecos contribuyen a la corriente elctrica.

Figura 20 Semiconductores intrnsecos y de impureza Hemos hablado del tipo de semiconductores en los cuales el movimiento de los electrones a la banda de conduccin y la creacin de huecos en la banda de valencia es efectuado exclusi- vamente por medio de excitacin trmica. Estos semiconductores se llaman semiconductores intrnsecos. Los electrones y huecos son portadores de carga intrnsecos, y la conductividad resultante es conductividad intrnseca. Sin embargo, es posible incrementar enormemente la conductividad de un semiconductor intrnseco aadiendo cierto tipo de impurezas al otrora material puro. Haciendo esto se obtienen los semiconductores de impureza. Hay dos tipos diferentes de impurezas que se pueden agregar: tipo n y tipo p. Cada una da un tipo diferente de semiconductor de impureza. Veremos los dos tipos. Consideremos que se introduce una pequea cantidad de fsforo o arsnico (o cualquier otro elemento del Grupo V de la tabla peridica) como impureza dentro de un cristal puro de silicio o germanio. Agregar una impureza signica reemplazar un tomo de silicio o germanio en un sitio de red por un tomo de la impureza. Los tomos de silicio o germanio tienen cada uno cuatro electrones de valencia, mientras que los tomos de elementos del Grupo V tienen cinco electrones de valencia. Cuatro de los electrones del tomo de la impureza forman enlaces de par covalente con los electrones de los tomos vecinos en el semiconductor, como lo muestra la gura 21(a). Pero el quinto electrn queda dbilmente ligado por fuerzas electrostticas al tomo de la impureza.

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Figura 21 As, cada tomo de impureza en el semiconductor tiene un electrn extra. Este electrn no puede acomodarse en la banda de valencia original ya llena. Por lo tanto, ocupa un nivel discreto de energa justo abajo de la banda de conduccin (ver gura 22(a)). La separacin entre este nuevo nivel y la banda de conduccin puede ser de slo unas dcimas de electrn-volt. As, los tomos de la impureza del Grupo V son ionizados muy fcilmente (a temperaturas arriba de 200 K) y los electrones extra saltan a la banda de conduccin, donde contribuyen a la conductividad elctrica del semiconductor. Note que estos electrones son adicionales a los pares electrn-hueco producidos por excitacin trmica del semiconductor puro. Como se ve, hay ms electrones que huecos para servir como portadores de carga y por ello estos materiales son llamados semiconductores tipo n, o semiconductores negativos. Los tomos del Grupo V son llamados tomos donadores, debido a que cada tomo de impureza dona un electrn libre adicional al semiconductor. La parte de la conductividad elctrica que es debida al tomo de impureza es la conductividad de impureza.

Figura 22 Ahora, si en lugar de agregar tomos del Grupo V al cristal de silicio o germanio, se agregan tomos del Grupo III -tal como Al, Ga o In- como impurezas, la situacin es difer- ente. Los tomos del Grupo III tienen slo tres electrones de valencia, de modo que cuando un tomo de este grupo sustituye a un tomo del cristal semiconductor de Si o Ge, los tres electrones de valencia del tomo del Grupo III forman enlaces de pares covalentes con electrones de los tomos vecinos del semiconductor. Pero el cuarto electrn disponible del semiconductor carece de un electrn con el cual formar enlace, lo que resulta equivalente a decir que hay un hueco creado en el sitio del tomo de impureza. 26 26

Un electrn del tomo

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semiconductor ms cercano salta para llenar este hueco, imponiendo as una carga negativa sobre el tomo de impureza. As, el hueco es transferido al tomo de donde sali el electrn (ver gura 21(b)). En este caso el tomo del semiconductor (Si o Ge) es el tomo antrin mientras que el tomo de la impureza del Grupo III es el tomo aceptor, debido a que ha aceptado un electrn de la estructura de enlace covalente del semiconductor, dejando un hueco migratorio detrs. Los tomos de impureza del Grupo III introducen niveles discretos de energa vacantes muy cerca del tope de las bandas de valencia completamente llenas del semiconductor antrin (ver gura 22(b). Como en el caso anterior, no toma mucha energa mover el hueco del tomo de la impureza, o mover un electrn de la banda de valencia para llenar el hueco. Excepto a bajas temperaturas, todos los huecos son migratorios. Estos huecos se comportan como portadores de carga positivos y son indistinguibles de los huecos creados por excitacin trmica. Debido a que los cristales de este tipo siempre tienen un exceso de huecos, o porta- dores de carga positiva, son llamados semiconductores tipo p, o semiconductores positivos. La conductividad de los semiconductores de impureza tipo n o tipo p es mayor que la conductividad de un semiconductor intrnseco. Todo lo que se necesita es un tomo de impureza por millones de tomos del semiconductor intrnseco para producir un cambio signi cativo en la conductividad. Las impurezas son introducidas por difusin. Mecanismos semiconductores Hoy en da se habla mucho de los aparatos de estado slido, aunque realmente son aparatos semiconductores. En los aos recientes los materiales semiconductores han sido usados para fabricar muchos artculos tiles de gran importancia tecnolgica: recticadores, transistores, fotoceldas, circuitos de encendido, reguladores de voltaje, amplicadores y muchos otros ms. Vinieron a reemplazar al diodo electrnico y los tubos de vaco. Pero antes de hablar ms de estos mecanismos, hablemos primero del llamado potencial de contacto. Los distintos materiales requieren diferentes cantidades de energa para remover un elec- trn desde su supercie. Esta energa, usualmente medida en electrn-volts, es la funcin de trabajo del metal, denotada por . Cuando dos metales o semiconductores diferentes son colocados en contacto, una diferencia de potencial se establece entre ellos. Este potencial de contacto, Ve , es igual a la diferencia entre las funciones de trabajo de los dos materiales en contacto: Ve = 1 2 (32) Podemos explicar la existencia de un potencial de contacto como sigue: Supongamos que tenemos dos tipos de cristales, cada uno con un nivel de energa diferente. Y supongamos que colocamos estos dos cristales en contacto, tal que electrones de un cristal pueden moverse al otro. Debido a la diferencia entre sus energas de Fermi, los electrones en el material con la mayor energa de Fermi encuentran estados de energa desocupados en el material con la menor energa de Fermi as que empiezan a poblar estos estados. Este proceso contina hasta que la energa de Fermi en ambos cristales sea la misma. Este paso de electrones hace un cristal positivo con respecto al otro y por ello se establece una diferencia de potencial. Este es el potencial de contacto. Usaremos este concepto de 28 28

potencial de contacto -algunas veces llamado potencial difundido- en la discusin de dos mecanismos semiconductores: (a) el diodo semiconductor o unin p-n, y (b) el transistor unin (n-p-n p-n-p). a) Diodo semiconductor o unin p-n. Supongamos que tenemos dos cristales del mismo

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material semiconductor, tal como germanio. Uno es de tipo p y el otro de tipo n (ver gura 23(a)). Colocamos estos dos cristales en contacto para formar una unin p-n. Los huecos uyen de izquierda a derecha, y los electrones de derecha a izquierda. Este ujo doble contina, produciendo capas positivas del lado derecho y capas negativas del lado izquierdo de la unin, respectivamente. En el estado de equilibrio el potencial de contacto queda establecido (gura 23.(b)). Esto evita cualquier ujo adicional de huecos y electrones a travs de la unin. La anchura de la regin de transicin es del orden de unos pocos cientos de angstroms.

Figura 23 30 30

Cmo sera el ujo de corriente a travs de la unin si se limitara nuestra discusin al movimiento de los huecos nicamente? (El movimiento de los electrones es siempre igual y opuesto al movimiento de los huecos). Habra electrones libres (o de conduccin) en el material tipo n. Por tanto, habra una recombinacin de huecos y electrones y de aqu el nmero de huecos en el material tipo n disminuira. Esto llevara a un ujo continuo de corriente por huecos, I1 , del lado p al lado n. Debido a la excitacin trmica se estaran continuamente produciendo pares electrn-hueco en el material tipo n. El ujo de estos huecos al lado p producira la corriente I2 . En el equilibrio las dos corrientes por hueco seran equivalentes, esto es, I1 = I2 . Un razonamiento similar se aplica a los electrones. En un semiconductor de impureza siempre hay ms portadores de corriente de un signo que del otro. Los que predominan son llamados portadores mayoritarios ; los otros son portadores minoritarios. En materiales tipo n los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. En materiales tipo p ocurre lo opuesto. Qu ocurre si se aplica una diferencia de potencial V (gura 23(c)) tal que la terminal positiva de la fuente de voltaje est conectada al semiconductor tipo p y la terminal negativa al tipo n? La altura de la barrera de potencial disminuye lo cual incrementa la corriente I1 . Hay una gran fuente de huecos en el lado p de modo que la corriente I1 rpidamente se incrementa cuando as lo hace el voltaje. La corriente I = I1 I2 es como se muestra en la gura 24 (Note que I2 no se afecta mucho por la aplicacin de V ). Tal arreglo es llamado una unin p-n polarizada directa. Considere el caso opuesto (gura 23(d)). Esto es, suponga que se conecta la terminal negativa al tipo p y la terminal positiva al tipo n. Esto incrementara la diferencia de potencial a travs de la unin, lo cual causara la reduccin de la corriente I1 (debido a que no muchos huecos del lado p podran ir al lado n), mientras que la corriente I2 no cambiara. La unin n-p en estas situaciones es llamada unin p-n polarizada inversa. La grca de I (= I1 I2 ) -esto es, la corriente neta a travs de la unin p-n versus el voltaje aplicado V (ver gura 24)- indica que el ujo de corriente es favorecido en la direccin p a n. Esto signica que se puede usar una unin p-n como un recticador, justo igual que un diodo o triodo de tubo de vaco. La unin p-n tiene la ventaja de que usa mucho menos energa.

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Figura 24 b) Transistor unin. El transistor unin es equivalente a un diodo de tubo de vaco. Consiste de un trozo sencillo de semiconductor en el cual, si la porcin central tiene con- ductividad tipo p, las otras dos partes tienen tipo n, y viceversa. La regin central es muy delgada (aproximadamente unas pocas milsimas de pulgada) tal que los electrones que cruzan una unin se encuentran a s mismos en el otro lado. El transistor unin resultante es ya sea n-p-n p-n-p. Se puede pensar tambin un transistor unin como una combinacin de dos uniones p-n. La gura 25(a) muestra un transistor n-p-n. Hay muchas formas en la cual se puede usar en un circuito electrnico. La gura 25(b) muestra el transistor n-p-n usado como un amplicador. Es obvio qe la unin de la izquierda es polarizada directa y la de la derecha es polarizada inversa. La porcin central es la base, la porcin izquierda es el emisor y la porcin derecha es el colector. Un circuito de este tipo es llamado una operacin base-comn.

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Figura 25 Cuando ambas regiones en una unin p-n son altamente dopadas -es decir, tienen grandes cantidades de impurezas- el mecanismo es llamado un diodo tnel. Cuando un transistor unin no tiene portadores minoritarios y su operacin depende slo de los portadores may- oritarios, el mecanismo es llamado un transistor de efecto de campo (FET). Superconductividad De la evidencia experimental se sabe que la resistividad de un metal disminuye con la temperatura. La razn es que al disminuir la temperatura las amplitudes de vibracin de los tomos tambin disminuyen, lo cual incrementa la trayectoria libre media de los electrones. Esto disminuye la resistividad o incrementa la conductividad del metal. Sin embargo, se ha encontrado que en la vecindad de 40 K muchos metales exhiben una conductividad anor- malmente alta. Este es el estado superconductor y a esta propiedad se le conoce como superconductividad. Este fenmeno fue descubierto por Kamerlingh Onnes, en 1911, cuando meda la resis- tividad del mercurio a bajas temperaturas. Es obvio de los resultados (gura 26) que la resistencia del mercurio cae muy abruptamente a casi cero abajo de los 4:20 K. Experimentos posteriores probaron que no slo los metales, sino tambin conductores pobres como plomo e indio, exhiben superconductividad a bajas temperaturas.

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Figura 26 La Tabla 2 enlista la temperatura crtica Tc para algunos elementos y compuestos. Abajo de su temperatura crtica un material viene a ser superconductor. Compuesto Tc , 0 K Tc , 0 K ZrAl2 Tungsteno 0:01 0:30 Cadmio 0:56 AuBe 2:64 Aluminio 1:19 NiBi 4:25 Nb2 Al Estao 3:75 17:5 Nb2 Mercurio 4:15 18:05 Nb3 Al0:8 Ge0:2 Lantano 6:00 20:05 MgB2 Plomo 7:22 39 YBa2 Cu3 O7 Tecnecio 7:92 8:22 90 Hg:8 Tl:2 Ba2 Ca2 Cu3 O8:33 138 Niobio 9:46 Tabla 2. Temperaturas de Transicin de algunos elementos y compuestos superconductores Elemento Adems de la propiedad de superconduccin -la cual puede tambin considerarse como una desaparicin de la resistividad por abajo de la temperatura crtica- hay otra propiedad importante de un material en el estado superconductor: la exclusin de ujo magntico o efecto Meissner. Supongamos que enfriamos un superconductor por abajo de su temperatura crtica y luego lo colocamos en un campo magntico. El campo magntico no puede existir dentro del conductor y de aqu que el ujo magntico se expulsa del interior del superconductor ( gura 27).

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Figura 27

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Cuando un material est en un estado superconductor, es tambin perfectamente diamagntico. De acuerdo a la ley de Lenz, la corriente inducida en el superconductor es de tal magnitud que todo el ujo es completamente expulsado del interior del superconductor. Esto es, dentro del superconductor B = 0 a T < Tc . Esta propiedad tiene una aplicacin muy interesante al caso de un anillo superconductor. En la gura 28(a) se muestra un conductor ordinario a baja temperatura y en la gura 28(b) se muestra un superconductor a baja temperatura, ambos bajo la inuencia de un campo magntico. Cuando un anillo hecho de material superconductor se coloca en un campo magntico a T > Tc , las lneas de fuerza pueden pasar a travs del anillo. Ahora supongamos que bajamos la temperatura del anillo por abajo de Tc . Entonces las lneas de fuerza no pueden pasar a travs de la seccin transversal del anillo, pero an hay lneas de fuerza que pasan a travs del hueco, como se muestra en la gura. Ahora supongamos que se apaga el campo. El ujo en el exterior del anillo desaparece, pero qu ocurre al ujo en el interior del hueco del anillo? Queda atrapado debido a que no puede pasar a travs de las paredes del superconductor. Una gran corriente es inducida en el conductor debido al colapso del campo exterior. El colapso del campo magntico exterior al anillo induce una gran corriente dentro del anillo mismo y esto mantiene al ujo atrapado, como se muestra en la gura 28(b). As, si la corriente inicia en el anillo superconductor, an cuando se apague el campo, la corriente contina uyendo inde nidamente dentro del anillo, debido a que la resistividad en el superconductor es casi cero. Por tanto, tal mecanismo no muestra ninguna prdida. Los experimentos realizados no han sido capaces de detectar una disminucin en la corriente an en periodos de varios aos. La primera explicacin exitosa de la superconductividad fue dada por J. Bardeen, L.N. Cooper y J.R. Schrieer y se conoce como la teora BCS. Es claro que existe una fuerte interaccin electrn-red en el material superconductor a bajas temperaturas. Esta interaccin es la que conduce a las sorprendentes caractersticas de los superconductores.

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