ESCUELA TECNICA SUPERIOR DE INGENIER IA DE TELECOMUNICACION UNIVERSIDAD POLITECNICA DE CARTAGENA

Trabajo Fin de M aster

POR ESTUDIO DEL MECANISMO DE RADIACION ASIMETR IA DE LAS ONDAS DE FUGA EN GU IAS DE ONDA DE TIPO SIW (Substrate Integrated Waveguide)

AUTOR: Alejandro Javier Mart nez Ros DIRECTOR: Dr. Jos e Luis G omez Tornero Cartagena, Septiembre 2008

 Indice general
1. Introducci on a las SIW 1.1. Introducci on . . . . . . . . 1.2. Caracter sticas de las SIW 1.2.1. Transiciones SIW . 1.2.2. Aplicaciones SIW . 7 . 7 . 8 . 9 . 10

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2. Antenas Leaky-Wave 13 2.1. Introducci on a las LWA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 2.2. Desarrollo te orico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 3. Resultados 19 3.1. Consideraciones iniciales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 3.2. Gu as de onda rectangulares . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 4. Conclusiones 33

 Indice de guras
1.1. Topolog a de una SIW realizada en sustrato diel ectrico . . . . 9 1.2. Transiciones integradas de SIW a circuito planar. (a) Transici on microstrip. (b) Transici on coplanar. . . . . . . . . . . . . 10 1.3. Ejemplos de circuitos SIW. (a) Filtro con postes inductivos y transiciones microstrip. (b) Divisor de potencia 1:16, con entradas y salidas microstrip. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 2.1. Principio de radiaci on por asimetr a de las LWA . . . . . . . . 15 2.2. L neas de campo el ectrico del modo T E10 de la gu a rectangular 16 2.3. Relaci on entre la constante de propagaci on compleja de un modo de fuga (k = j) y el diagrama de radiaci on generado 17 Gu a de onda de dimensiones a = 50mm y D = 1,57mm . . . Constante de fase de la gu a cerrada . . . . . . . . . . . . . Gu a de onda ranura con paredes laterales . . . . . . . . . . . Vista frontal de la gu a con las variables utilizadas . . . . . . . Evoluci on de la constante de propagaci on y del angulo de apuntamiento para w = 5mm y diferentes valores de d . . . 3.6. Vista frontal del puerto de excitaci on de la gu a . . . . . . . . 3.7. Comparativa entre los resultados obtenidos con PAMELA y los de HFSS para w = 5mm y diferentes valores de d . . . . . 3.8. Diagrama de radiaci on obtenido mediante HFSS para w = 5mm y diferentes valores de d . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.9. Evoluci on de la constante de propagaci on y del angulo de apuntamiento para diferentes valores de w y d . . . . . . . . 3.10. Diagrama de radiaci on para diferentes valores de d y w = 10mm 3.11. Diagrama de radiaci on para diferentes valores de d y w = 11,6mm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.12. Diagrama de radiaci on para diferentes valores de d y w = 13,3mm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.13. Diagrama de radiaci on para diferentes valores de d y w = 15mm 5 3.1. 3.2. 3.3. 3.4. 3.5. 21 21 22 22 23 24 24 25 26 27 27 28 28

INDICE DE FIGURAS 3.14. Valores de /k0 y obtenidos mediante HFSS y PAMELA para diferentes valores de d y w . . . . . . . . . . . . . . . . . 29 3.15. Curvas de /k0 ,/k0 y en funci on de la frecuencia para diferentes valores de w y d = 5mm . . . . . . . . . . . . . . . . 30 3.16. Directividad para una LWA de las siguientes dimensiones: a = 40mm, LA = 40 , L = 20mm, d = 5mm y w = 15mm. . . . . 31

Cap tulo 1 Introducci on a las SIW

1.1. Introducci on

La tecnolog a cl asica de gu a de ondas presenta caracter sticas de bajo coste y altas prestaciones, y por este motivo sigue siendo la corriente dominante en el dise no de sistemas de radiofrecuencia [1], [2]. Pero a pesar de ser una tecnolog a muy madura, no se ajusta bien a los requerimientos de producci on masiva, ya que necesita gran esfuerzo de ensamblado. Adem as el volumen y el peso de los dispositivos no pueden reducirse demasiado [2]. Por otra parte, la tecnolog a planar presenta importantes limitaciones en cuanto a la posibilidad de soportar dise nos de bajas p erdidas y ltros de gran factor de calidad. Por este motivo, es frecuente el empleo simult aneo de ambas tecnolog as. Por todo ello, y de manera reciente, se ha desarrollado una nueva generaci on de circuitos integrados de alta frecuencia, conocidos como Substrate Integrated Circuits (SICs) [2]. El fundamento de los circuitos SICs es sintetizar estructuras noplanares con un substrato diel ectrico. Este nuevo concepto unica las integraciones de circuitos planares y no-planares sobre un mismo substrato. Existen numerosos tipos de SICs; entre ellos, la tecnolog a SIW (Substrate Integrated Waveguide) es muy popular. El fundamento de esta tecnolog a es sintetizar una gu a de ondas articial a base de arrays de v as metalizadas en un substrato de alta permitividad, el mismo utilizado para los circuitos planares [2], [3]. De esta forma, todos los componentes pasivos se pueden realizar utilizando el mismo proceso est andar de placas de circuito impreso [1]. Adem as, resulta bastante f acil reutilizar las t ecnicas ya existentes de modelado y dise no en tecnolog a de gu a de ondas rectangular para dise nar componentes SIW [2]. Las estructuras SIW tienen caracter sticas de p erdidas mucho mejores que sus hom ologas en tecnolog as planares. Aunque el relleno de la gu a con un diel ectrico reduce el factor de 7

A LAS SIW CAP ITULO 1. INTRODUCCION

calidad de una gu a SIW en comparaci on con una gu a cl asica [1], [2], este se mantiene muy por encima de las posibilidades de las tecnolog as planares, permitiendo el dise no de componentes de gran factor de calidad y usando una t ecnica de fabricaci on de bajo coste. Adem as, la s ntesis de gu as SIW permite la realizaci on eciente de transiciones de banda ancha con circuitos planares.

1.2.

Caracter sticas de las SIW

Como sabemos, los esquemas de integraci on de las gu as de onda rectangulares convencionales con los circuitos planares son complicados y generalmente requieren de un proceso con maquinaria de alta precisi on, que hacen imposible un proceso de producci on en masa. Una soluci on directa es la integraci on de las gu as rectangulares en el sustrato diel ectrico del circuito microstrip, como hemos discutido brevemente en el punto anterior. Esto no nos proporcionar a un factor Q tan alto como el que nos da las gu as rectangulares, debido al relleno diel ectrico y la reducci on de volumen, pero el circuito completo, incluyendo circuiter a planar, transiciones y gu as de onda puede ser construido utilizando un proceso PCB u otras t ecnicas de procesamiento est andar. Adem as, las p erdidas de transmisi on de las transiciones o zonas de acoplo se ven dr asticamente reducidas. Las SIW son sintetizadas situando dos las de postes met alicos en el sustrato, como muestra la Figura 1.1. El di ametro d de los postes, el espaciado s entre postes y el espaciado a, entre las las, son los par ametros f sicos necesarios en el dise no de la gu a. El espaciado s se tiene que mantener lo sucientemente peque no como para reducir las p erdidas entre postes adyacentes. El di ametro de los postes d tambi en est a sujeto a un problema de p erdidas, por lo que el ratio d/s se considera m as cr tico que la longitud del espaciado. Como veremos m as adelante, adem as de esto, el di ametro de los postes afecta negativamente a las p erdidas por retorno vistas desde el puerto de entrada (Par ametro S11 ). Como norma de dise no, se pueden tomar las siguientes: d< g 5 s 2d (1.1) (1.2)

Estas condiciones son sucientes pero no necesarias. Un di ametro o una separaci on mayores pueden ser utilizadas pero con m as cautela, pero estas condiciones aseguran un nivel de radiaci on m nimo. Siempre que nos mantengamos cerca de estas condiciones, estaremos consiguiendo un optimo fun-

1.2. CARACTER ISTICAS DE LAS SIW

Figura 1.1: Topolog a de una SIW realizada en sustrato diel ectrico

cionamiento y la SIW podr a ser modelada como una gu a rectangular. A pesar de esto, los efectos tanto del diel ectrico, como de las particularidades geom etricas de la SIW tienen que ser tenidos en cuenta a la hora de implementar un dise no de una antena, un acoplador u otro tipo de aplicaci on en esta tecnolog a.

1.2.1.

Transiciones SIW

Una parte importante de las SIW es el referido a su transici on hac a otras l neas de transmisi on. En la Figura 1.2 tenemos dos tipos de transiciones ampliamente utilizadas. La primera es una transici on de una l nea microstrip a SIW. Las l neas microstrip es una estructura de banda ancha, que cubre todo el ancho de banda utilizable de la SIW. Esta transici on utiliza una l nea microstrip con forma de huso para excitar el modo, como se muestra en la Figura 1.2-a. Con un sustrato poco grueso, las p erdidas en los conductores no pueden ser despreciadas, y para reducirlas tenemos que aumentar, en la medida de lo posible, este grosor h lo cual supone un aumento de p erdidas en la l nea microstrip.

10

A LAS SIW CAP ITULO 1. INTRODUCCION

Figura 1.2: Transiciones integradas de SIW a circuito planar. (a) Transici on microstrip. (b) Transici on coplanar. Una manera de solucionar este problema es el uso de una transici on de una gu a coplanar (CPW) a SIW como muestra la Figura 1.2-b. Como vemos consiste en una secci on de gu a-onda coplanar con codos de 90 en cada slot. Un stub se a nade a la l nea coplanar para marcar la transici on y la gu a de onda rectangular es denida mediante postes. Sin embargo esta transici on presenta un ancho de banda m as estrecho que el anterior, aunque un dise no CPW-SIW de mayor ancho de banda es perfectamente realizable.

1.2.2.

Aplicaciones SIW

Un gran n umero de aplicaciones han sido reportadas utilizando la tecnolog a SIW. Dos de ellas las podemos ver en la Figura 1.3:

Figura 1.3: Ejemplos de circuitos SIW. (a) Filtro con postes inductivos y transiciones microstrip. (b) Divisor de potencia 1:16, con entradas y salidas microstrip.

1.2. CARACTER ISTICAS DE LAS SIW

11

En la Figura 1.3-a tenemos un ltro que nos proporciona un ancho de banda de 1 GHz, con una frecuencia central de 28 GHz y unas p erdidas de inserci on de 1 dB, pero podemos encontrar una gran cantidad de ltros ya desarrollados. La Figura 1.3-b nos presenta un divisor de potencia 1:16 de bajo coste y bajo perl. Este divisor puede utilizarse como combinador de potencia para dise nos de amplicaci on o como alimentador de un array de antenas. Gracias a la tecnolog a SIW podemos conseguir este divisor, con unas p erdidas de inserci on mucho m as bajas que las que nos proporcionaban las t ecnicas de circuitos planares. Fue dise nado utilizando t ecnicas ya existentes para gu as rectangulares convencionales.

Cap tulo 2 Antenas Leaky-Wave

2.1. Introducci on a las LWA

Las antenas de tipo Leaky-Wave (LWA, Leaky Wave Antennas ) son un tipo de antenas de onda progresiva cuyo funcionamiento se basa en una gu a de ondas abierta por la que se puede propagar un modo de fugas (o modo leaky-wave). Las LWA han sido estudiadas en profundidad a lo largo de las u ltimas cuatro d ecadas, exhibiendo caracter sticas interesantes debido a la naturaleza no resonante de la antena de onda progresiva. En este sentido, a favor de ellas podemos mencionar la capacidad del angulo de apuntamiento en frecuencia, alta directividad y elevados anchos de banda. La mayor a de las primeras LWA estaban basadas en gu as de onda rectangulares cerradas, en las cuales se proced a a crear cortes o agujeros para producir la fuga de potencia (leakage) a lo largo de la longitud de la gu a onda [4]- [5]. En estas dos u ltimas d ecadas, la investigaci on ha estado centrada en las bandas milim etricas, donde los nuevos dise nos de estas antenas han estado orientados a solucionar los problemas tecnol ogicos que llevan asociados al trabajar a esas frecuencias tan elevadas [6]. Las principales dicultades que nos surgen en tales dise nos son las elevadas p erdidas en las l neas de transmisi on convencionales y las dicultades de fabricaci on asociadas a las peque nas longitudes de onda con las que trabajamos. Por este motivo, los nuevos dise nos han usado gu as de onda abiertas de bajas p erdidas, concebidas espec camente para uso en bandas milim etricas y frecuencias opticas, como la grooveguide, la NRD (non-radiative dielectric, en ingl es) o la dielectric-image guide. Un amplio resumen de estos nuevos dise nos, as como su mecanismo de trabajo puede verse en [7]. Estas gu as de onda diel ectricas se abren para reducir las p erdidas debidas al metal y soportar as un modo connado en el diel ectrico (llamado bounded) que 13

14

CAP ITULO 2. ANTENAS LEAKY-WAVE

no causa p erdidas por radiaci on. En este sentido, alg un tipo de perturbaci on (slot o strip) se introduce en la gu a (originariamente no radiante) para hacer al modo bounded radiar (en este caso el modo bounded se transforma en un modo leaky). Este es precisamente el principio de radiaci on de las antenas Leaky-Wave. El por qu e de este fen omeno se explica a continuaci on. En primer lugar, podemos mencionar el caso en el que la gu a abierta no se perturba con ning un elemento planar (Figura 2.1-A). En este caso, no existe diferencia de potencial entre las paredes de la cavidad (el reparto de cargas es el mismo en un lado que en otro), de tal modo que no se crea ning un campo horizontal adicional propagativo que pueda viajar al exterior. Por el contrario, en la supercie del diel ectrico aparecen las llamadas ondas de supercie, cuya constante de propagaci on (kz ) es imaginaria y su energ a decrece de forma exponencial conforme se crece en el eje z, de manera que si L se elige sucientemente grande, la energ a de estas ondas ser a muy peque na en el l mite superior de la gu a y no podr a escapar al exterior. Por el contrario, si L es peque no, la energ a de las ondas ser a suciente para que esta pueda escapar al exterior y provocar radiaci on que no puede ser controlada bajo ning un mecanismo. Estos campos en la supercie del diel ectrico se llaman reactivos, ya que est an al corte (no se propagan en la direcci on transversa de la gu a) y al modo en la gu a se le llama bounded o de supercie, pues los u nicos campos que aparecen permanecen en la supercie del diel ectrico.

En segundo lugar, podr amos citar los casos en los que se introduce una perturbaci on planar (slot o strip) de forma sim etrica (Figura 2.1-A y B) respecto a las paredes met alicas de la gu a. En este caso, de nuevo, al no existir diferencia de potencial entre las paredes met alicas de la cavidad, s olo se generan campos en la supercie del diel ectrico (campos reactivos) procedentes del modo bounded, de tal modo que no se consigue radiaci on. Por tanto, al modo en este tipo de gu a sigue siendo un modo bounded o de supercie. Por u ltimo, si se sit ua la perturbaci on planar de manera asim etrica respecto de las paredes de la gu a, se generar a una diferencia de potencial entre ambas paredes, pues el reparto de carga no es sim etrico en ambos lados, de tal manera que aparece un campo perpendicular a dichas paredes (polarizaci on horizontal). Su constante de propagaci on transversa (kz ) es real, con lo que el campo es propagativo y puede radiar al exterior. En este caso decimos que el modo alojado en el diel ectrico ya no es bounded, sino leaky, pues permite la generaci on de campos radiantes. Por tanto, en este caso al modo alojado en la cavidad se le llama modo leaky o de fuga.

 2.2. DESARROLLO TEORICO

15

Figura 2.1: Principio de radiaci on por asimetr a de las LWA

2.2.

Desarrollo te orico

El estudio de las propiedades de radiacion de una LWA puede ser determinado analizando la constante de propagaci on del modo leaky-wave en la antena. Los modos leaky-wave se caracterizan por una constante de propagaci on compleja, ky , formada por una constante de fase ( ) y una constante de atenuaci on (). La constante de atenuaci on esta relacionada con las p erdidas por radiaci on (Np/m): k = j (2.1)

A partir de las constantes de fase y atenuaci on, el angulo de m axima radiaci on, (medido desde la direcci on broadside), y el ancho de banda a 3 dB, , pueden ser determinados a partir de las siguientes expresiones anal ticas: sin m = k0 2 0

(2.2)

k0 =

(2.3)

LA 0

1 k0 0,183 cos m cos m LA 0,183 = 0 k0

(2.4)

(2.5)

16

CAP ITULO 2. ANTENAS LEAKY-WAVE

Otra ecuaci on importante es aquella que nos relaciona las p erdidas que sufrimos en nuestra gu a con los par ametros S. A partir de ella podremos obtener la constante de atenuaci on con los par ametros S. e2LA = |S11 |2 + |S21 |2 (2.6)

Adem as, al estar trabajando con gu as rectangulares debemos de tener en cuenta las ecuaciones que rigen este tipo de estructuras. En nuestro caso, el modo que nos interesa excitar es el modo T E10 que es el modo fundamental de las gu as rectangulares. La caracter stica fundamental de este modo es que su m axima intensidad de campo el ectrico se encuentra en el centro de la gu a (Figura 2.2), adem as de ser el primer modo que aparece en la gu a rectangular. La frecuencia de corte fc y la constante de fase de los modos vienen denidos por las siguientes ecuaciones: 1 fc m,n = 2 m a
2

n b

(2.7)

m,n = k

fc f

(2.8)

Figura 2.2: L neas de campo el ectrico del modo T E10 de la gu a rectangular Una concepci on f sica de las ecuaciones anteriores se puede sacar de la Figura 2.3 donde se muestra una l nea de transmisi on abierta que es capaz de propagar un modo de fuga en su eje longitudinal (eje y). Este modo de fuga se puede caracterizar por su constante de propagaci on compleja k = j , tal

 2.2. DESARROLLO TEORICO

17

y como se ha comentado anteriormente. La constante de fase determinar a la direcci on de radiaci on dada por el angulo RAD , ya que como se muestra en la parte superior de la gura, RAD se dene a partir del tri angulo que forman y k0 (constante de propagaci on de una onda libre). Por lo tanto, controlando la constante de fase de un modo de fuga podemos variar la direcci on hacia la que sale su energ a radiada.

Figura 2.3: Relaci on entre la constante de propagaci on compleja de un modo de fuga (k = j) y el diagrama de radiaci on generado De forma an aloga, la constante o tasa de radiaci on de un modo de fuga , determinar a la directividad del haz radiado (ancho de haz). A menor valor de , la onda de fuga necesitar a m as longitud de antena para radiar toda la energ a, obteniendo por tanto una antena con mayor longitud efectiva. Como es bien sabido [8], a una mayor longitud efectiva iluminada por la antena se corresponde un haz radiado m as estrecho (una mayor directividad). De esta forma, controlando la constante de radiaci on de un modo de fuga podemos variar el ancho del haz radiado (directividad). Con estas premisas podemos comprender por qu e los modos de fuga pueden ser usados para crear un tipo espec co de antenas, llamadas antenas de onda de fuga (leaky-wave antennas, LWA), o antenas leaky. Estas antenas pertenecen a la divisi on de antenas de onda progresiva (TWA, Travelling Wave Antenas, [9], [5], [4], [6]).Como se ha mostrado, podemos caracterizar el diagrama de radiaci on de estas antenas leaky de una manera sencilla, simplemente conociendo la constante de propagaci on compleja del modo de

18

CAP ITULO 2. ANTENAS LEAKY-WAVE

fuga que provoca la radiaci on. M as a un, si logramos controlar esta constante de propagaci on del modo de fuga, podremos controlar el diagrama de radiaci on de la antena leaky.

Cap tulo 3 Resultados

3.1. Consideraciones iniciales

A la hora de comenzar con este trabajo n de m aster se marco como objetivo el poder demostrar que es posible desarrollar Leaky Wave Antennas (LWA) de apertura en tecnolog a SIW. Para ello, el primer paso que se dio fue el construir una gu a de onda ranurada, en la cu al se ha variado tanto la posici on como la anchura de la ranura. Para as , comprobar los efectos que tiene sobre la radiaci on y constante de fase de nuestra antena. Tambi en se ha establecido como par ametros dise no los siguientes valores: Frecuencia de trabajo fRF ID = 2, 45GHz Constante diel ectrica relativa
r

= 2, 2

Altura del diel ectrico D = 1, 57mm La frecuencia de trabajo ha sido escogida a ese valor porque es la que se utiliza para muchos dispositivos RFID (Radio Frequency IDentication ) que es una de las diferentes aplicaciones donde se podr a utilizar nuestra antena. En cuanto a la constante diel ectrica relativa y a la altura del diel ectrico se han escogido en funci on de un substrato comercial adecuado para nuestra frecuencia. Para obtener los resultados utilizaremos el software PAMELA [10] el cu al nos permitir a calcular la constante de fase y la constante de atenuaci on a partir de una gu a de onda rectangular. Adem as, para validar los resultados obtenidos con PAMELA se utilizar a el software comercial HFSS [11]. 19

20

CAP ITULO 3. RESULTADOS

3.2.

Gu as de onda rectangulares

Debido a la similitud que poseen las gu as de onda rectangulares con las gu as de onda en tecnolog a SIW de equivalentes dimensiones, se ha optado por hacer la mayor parte del trabajo de dise no utilizando una gu a rectangular con paredes met alicas laterales por las ventajas que nos ofrec a a la hora de simular y dise nar nuestros dispositivos. Adem as, se ha de tener en cuenta que los resultados obtenidos con PAMELA son calculados para este tipo de gu as, por lo que la utilizaci on de gu as puramente SIW ser a dejado para fases futuras de la investigaci on. Tomando la ecuaci on 2.7 y particulariz andola para el modo T E10 con una frecuencia de corte fc 10 de 2GHz (fc 0,8 fRF ID ) se ha dise nado una gu a con las siguientes dimensiones:

a=

1 2fc 10 0 0

50mm

Seg un estas dimensiones y utilizando la ecuaci on 2.8 se obtiene la siguiente constante de fase:

10 = k

fc a=50mm f

43

rad m

A partir de las dimensiones anteriores se ha construido mediante el simulador HFSS una gu a rectangular Figura 3.1 para validar nuestros resultados te oricos. Tras simular la estructura y representar su constante de fase (Figura 3.2), se comprueba como los resultados se adecuan a nuestros valores te oricos.

3.2. GU IAS DE ONDA RECTANGULARES

21

Figura 3.1: Gu a de onda de dimensiones a = 50mm y D = 1,57mm

70 60 50 40 30 20 10 0

a=50mm D=1.57mm r=2.2

=43.04 rad/m

1.8

2.2 2.45 freq (Ghz)

2.6

2.8

Figura 3.2: Constante de fase de la gu a cerrada

Tras la comprobaci on anterior, vamos a realizar las modicaciones en la

22

CAP ITULO 3. RESULTADOS

gu a para permitir que funcione seg un el mecanismo de radiaci on descrito en la Figura 2.1. Para ello se van a introducir unas paredes laterales de longitud L = 20mm que estar an acabadas por unas paredes horizontales de longitud a/2 = 25mm cada una. Adem as, tambi en se introducir a una ranura (que ser a el elemento central de nuestro estudio) a lo largo de la gu a para as poder excitar el modo leaky (ver Figura 3.3).

Figura 3.3: Gu a de onda ranura con paredes laterales

En la Figura 3.4 se muestra una vista frontal con el tipo de gu a utilizado y sus variables.

Figura 3.4: Vista frontal de la gu a con las variables utilizadas

3.2. GU IAS DE ONDA RECTANGULARES

23

En esta fase de dise no se utilizar a el software PAMELA, ya que nos permitir a obtener la constante de propagaci on de los modos leaky que se propagan por la gu a de onda de una manera m as eciente de la que lo har amos con HFSS. En la Figura 3.5, se puede ver la evoluci on de la constante de propagaci on para w = 5mm y diferentes valores de d, en una gu a de dimensiones a = 50mm y L = 20mm. Adem as, tambi en se ha representado la evoluci on del angulo de apuntamiento utilizando la Ecuaci on 2.2 junto con la distribuci on de campo el ectrico en el interior de la gu a.
/k0 /k0
a=50mm D=1.57mm r=2.2 L=20mm W=5mm

f=2.45GHz

1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 15 90 75 60

m
d=17.5mm j=3.9j33.28

17.5 d (mm)
d=20mm j=19.51j6.12
20 10 0 10 0 0 20 40 0 20

20
d=22mm j=35.97j0.84

22.5

20

45 10 30 15 0 15
0 0 20 40

20

40

d=22.5mm j=36.6
20

CUT OFF
.

10 0 0 20 40

17.5

20

22.5

d (mm)

Figura 3.5: Evoluci on de la constante de propagaci on y del angulo de apuntamiento para w = 5mm y diferentes valores de d Para validar los resultados anteriores y debido a las caracter sticas de este tipo de gu as, se va a utilizar un tipo de excitaci on que nos permita obtener la constante de propagaci on de una forma directa. Para ello, consideraremos todo el perl de la gu a como un puerto a partir del cu al se excitar an los diferentes modos posibles en la estructura(ver Figura 3.6). Una vez simulada la estructura se deber an de analizar los resultados para seleccionar nuestro modo de inter es (T E10 ).

24

CAP ITULO 3. RESULTADOS

Figura 3.6: Vista frontal del puerto de excitaci on de la gu a En la Figura 3.7 vemos la similitud entre los resultados obtenidos con PAMELA y los obtenidos con HFSS, se aprecian algunas diferencias con respecto a la constante de atenuaci on , este efecto puede ser debido a que en PAMELA es calculada a partir de la soluci on modal del modo leaky mientras que en HFSS la obtenemos a partir de los par ametros S (Ecuaci on 2.6). Tambi en es interesante comprobar como los valores de /k0 obtenidos a partir del angulo de apuntamiento (Figura 3.8) tambi en son similares a los obtenidos con otros m etodos.
1.2 /k 0 /k
a=50mm D=1.57mm r=2.2 L=20mm W=5mm

f=2.45GHz
HFSS S
21

0.8

HFSS * PAMELA

0.6

0.4
.

0.2

0 19

20 d (mm)

21

22

22.5

Figura 3.7: Comparativa entre los resultados obtenidos con PAMELA y los de HFSS para w = 5mm y diferentes valores de d

3.2. GU IAS DE ONDA RECTANGULARES

25

En la Figura 3.8 est an representados los diagramas de radiaci on obtenidos mediante HFSS para diferentes valores de d. Se puede observar como el angulo de apuntamiento se incrementa conforme lo hace d esto se debe a que la permitividad efectiva ef f de la gu a aumenta por motivo de la proximidad al centro, as se evita que parte del campo el ectrico se disperse en el exterior ya que el mecanismo de radiaci on por asimetr a pierde efectividad, con lo que la fc mientras que la .
Directividad
15 d=20mm d=20.8mm d=21.6mm d=22.5mm

a=50mm D=1.57mm =2.2

r

f=2.45GHz

10

L=20mm W=5mm

dB
0 5 10 80

60

40

20

ngulo

20

40

60

80

Figura 3.8: Diagrama de radiaci on obtenido mediante HFSS para w = 5mm y diferentes valores de d

Para comprobar los efectos que tiene la variaci on de w en la constante de propagaci on de la gu a, vamos a incrementar el tama no de la ranura a w = 10mm y variaremos su posici on al igual que se hizo en la Figura 3.5. En la Figura 3.9 se pueden ver los resultados obtenidos con PAMELA y se comprueba como la constante de fase disminuye su valor al aumentar w, esto se debe a que conforme aumenta w m as campo se dispersa por el exterior del diel ectrico, provocando el descenso de la permitividad efectiva as, se observa como ahora la constante ef f y por tanto el descenso de . Adem de propagaci on disminuye conforme la ranura se acerca m as a la posici on central al contrario que ocurr a en la Figura 3.5. Esto puede ser debido a que para esta anchura de ranura w el efecto que m as predomina, es el que tiene que ver con la distribuci on de campo el ectrico del modo T E10 , donde la m axima intensidad se concentra en el centro de la gu a (ver Figura 2.2).

26

CAP ITULO 3. RESULTADOS

Por ello, conforme la ranura esta m as pr oxima al centro m as campo se radia el exterior con lo que la ef f disminuye y por tanto el valor de .

f=2.45GHz
1 0.8
W=15mm W=10mm W=12.5mm a=50mm D=1.57mm =2.2
r

L=20mm

0.6

0.1

0.4 0.05 0.2 0 10 90 75 60

/k0
/k =0
0

0 10

12.5

15
d (mm)

17.5

20

SYMMETRY !
.

12.5

15 d (mm)

W=12.5mm 17.5 d=16mm j=33.7j3.7 m1 W=12.5mm d

cent

20

=18.75mm
1

j=0j11.47 m W=10mm

W=10mm d=16mm j=44.6j0.6 m1 W=10mm dcent=20mm j=20.8j0 m

1

45 30 W=15mm d=16mm
W=15mm

W=12.5mm j=7.7j12.4 m1
1

15 W=15mm dcent=17.5mm
j=0j27.95 m

CUT OFF
. .

CUT OFF
20

0 10

12.5

15 d (mm)

17.5

Figura 3.9: Evoluci on de la constante de propagaci on y del angulo de apuntamiento para diferentes valores de w y d

Para validar los resultados de la Figura 3.9, vamos a calcular la constante de fase por medio del diagrama de radiaci on que se obtiene a partir de HFSS, con la ayuda de la Ecuaci on 2.2. Mediante HFSS se han obtenido los diagramas de radiaci on para tres diferentes posiciones de la ranura d = 13, 15, 17mm (Figuras 3.10-3.13)

3.2. GU IAS DE ONDA RECTANGULARES

27

Directividad
15

10

d=13mm d=15mm d=17mm

a=50mm D=1.57mm =2.2
r

w=10mm

f=2.45GHz

L=20mm

dB
0 5 10 80

60

40

20

ngulo

20

40

60

80

Figura 3.10: Diagrama de radiaci on para diferentes valores de d y w = 10mm

Directividad
15

10

d=13mm d=15mm d=17mm

a=50mm D=1.57mm =2.2
r

w=11.6mm

f=2.45GHz

dB
0 5 10

L=20mm

80

60

40

20

ngulo

20

40

60

80

Figura 3.11: Diagrama de radiaci on para diferentes valores de d y w = 11,6mm

28

CAP ITULO 3. RESULTADOS

Directividad
15

10

d=13mm d=15mm d=17mm

a=50mm D=1.57mm =2.2
r

w=13.3mm

f=2.45GHz

dB
0 5 10

L=20mm

80

60

40

20

ngulo

20

40

60

80

Figura 3.12: Diagrama de radiaci on para diferentes valores de d y w = 13,3mm

Directividad
15

10

d=13mm d=15mm d=17mm

a=50mm D=1.57mm r=2.2 L=20mm

w=15mm

f=2.45GHz

dB
0 5 10

80

60

40

20

ngulo

20

40

60

80

Figura 3.13: Diagrama de radiaci on para diferentes valores de d y w = 15mm

3.2. GU IAS DE ONDA RECTANGULARES

29

Observando los diagramas de radiaci on, se comprueba como conforme nos acercamos m as al centro de la gu a, el angulo de apuntamiento decrece como ya nos indicaban los resultados obtenidos con PAMELA (ver Figura 3.9). Para el caso de w = 15mm y d = 17mm (ver Figura 3.13) se observa como la directividad ha decrecido, esto se debe a que nuestro modo leaky empieza ya a entrar en corte como mostraban los resultados obtenidos con PAMELA en la Figura 3.9. En la Figura 3.14 podemos ver las similitudes que existen entre los resultados obtenidos con PAMELA y HFSS.

f=2.45GHz
1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 12.5 90 75 60
W=15mm W=10mm W=12.5mm

W=10mm

a=50mm D=1.57mm =2.2

r

L=20mm W=11.6mm W=12.5mm

/k W=15mm

0 PAMELA HFSS

W=13.3mm

15
W=10mm

17.5

W=11.6mm

45 30 15 0 12.5
W=15mm W=13.3mm W=12.5mm

15 d (mm)

17.5

Figura 3.14: Valores de /k0 y obtenidos mediante HFSS y PAMELA para diferentes valores de d y w

En la siguiente Figura 3.15 vamos a variar la anchura de la gu a, para comprobar los efectos que tiene sobre la constante de propagaci on y de atenuaci on . Se puede ver como para estos valores de d y w, predomina m as el efecto de la distribuci on de campo el ectrico del modo T E10 , como ya se coment o anteriormente. Por ello, la frecuencia de corte fc ha aumentado de w = 10 a w = 15, y adem as el valor de es menor.

30
1.2 1 0.8 0.6 0.4 /k

CAP ITULO 3. RESULTADOS

0 0

j=47.2j0.2 m1

W=10mm d=5mm

/k

W=15mm d=5mm

j=22j9.7 m

a=40mm D=1.57mm =2.2

r

0.2 0 90 75 60 45 30 15 0
20 15 10 5 0 0 10 20 30 40 20 15 10 5 0

L=20mm

1.8

2.2

2.45 freq (Ghz)

2.6

2.8

W=10mm d=5mm

W=15mm d=5mm

1.8

2.2

2.45 freq (GHz)

2.6

2.8

10

20

30

40

Figura 3.15: Curvas de /k0 ,/k0 y en funci on de la frecuencia para diferentes valores de w y d = 5mm

Por u ltimo, se va obtener el diagrama de radiaci on que presenta nuestra LWA, bas andonos en las dimensiones de la Figura 3.15. En donde escogeremos la curva w = 15mm y d = 5mm para una f = 2, 45GHz , debido a los buenos resultados obtenidos con PAMELA. En la Figura 3.16 comprobamos que el diagrama de radiaci on es bastante puro ya que carece de l obulos secundarios de importancia y adem as encaja bien con los resultados predichos por PAMELA, ya que la m axima direcci on de radiaci on se obtiene para = 31 mientras que con PAMELA es de = 26 .

3.2. GU IAS DE ONDA RECTANGULARES

31

Directividad
15

a=40mm D=1.57mm =2.2

r

w=15 mm d= 5 mm

=31

f=2.45GHz

10

L=20mm LA=40

dB
0 5 10 80

60

40

20

ngulo

20

40

60

80

Figura 3.16: Directividad para una LWA de las siguientes dimensiones: a = 40mm, LA = 40 , L = 20mm, d = 5mm y w = 15mm.

Cap tulo 4 Conclusiones

Una vez estudiados los resultados del cap tulo anterior, se pueden extraer varias conclusiones sobre este tipo de antenas leaky-wave en tecnolog a SIW. Dentro de las m as importantes podemos destacar las siguientes: 1. Debido a la estrechez D a/30 que presentan estas gu as los efectos sobre la constante de fase y son muchos m as elevados que para una gu a de dimensi on est andar (D = a/2). Esto las hace extremadamente sensibles a cualquier variaci on tanto en d como en w. 2. Conforme la ranura se encuentra m as centrada en la gu a, las p erdidas por radiaci on tienden a aumentar. Esto que parece contrario al mecanismo de radiaci on por asimetr a expuesto en este trabajo. Se explica por la escasa intensidad de campo que existe en los bordes de la gu a provocando as su escasa radiaci on, sin embargo, tambi en se ha demostrado que cuando la ranura se encuentra totalmente centrada o muy pr oxima al centro, las p erdidas por radiaci on son nulas, ya que el balance de cargas es igual en ambas paredes laterales y no se puede propagar el campo. 3. Conforme w y/o d aumentan la frecuencia de corte del modo leaky aumenta. Esto se explica porque conforme m as se aproximan al centro de la gu a la intensidad de campo el ectrico es mayor, con lo que m as campo se escapa del interior de la gu a, esta p erdida de campo el ectrico en el interior de la gu a hace que la constante diel ectrica efectiva disminuya. Con lo que la frecuencia de corte aumenta. fc 10 = 2a 1
r

, si
0

= fc

33

34

CAP ITULO 4. CONCLUSIONES 4. Se han podido observar dos mecanismos que favorecen la radiaci on y que predominan en la gu a. Uno dado por la distribuci on del campo el ectrico del modo T E10 y el otro por asimetr a. Para w peque nas suele predominar el mecanismo de asimetr a, debido a que el campo no se puede dispersar demasiado a causa de la estrechez de la ranura. Por otro lado, para w grandes, el mecanismo que suele predominar es el de la distribuci on de campo el ectrico, dado que una ranura de anchura elevada permite que se escape gran parte del campo el ectrico sin necesidad de estar colocada en el borde.

Tras nalizar esta investigaci on sobre LWA en tecnolog a SIW, se ha de decir que todav a queda mucho trabajo por hacer para poder entender sin ambig uedad, la distribuci on de los campos electromagn eticos en el interior de la gu a tras variar la anchura w y la posici on d de la ranura.

Bibliograf a
[1] D. Deslandes and K. Wu, Integrated microstrip and rectangular waveguide in planar form, IEEE Microwave Wireless Comp. Lett., vol. 11, pp. 6870, February 2001. [2] K. Wu, D. Deslandes, and Y. Cassivi, The substrate integrated circuits - a new concept for high-frequency electronics and optoelectronics, in Proc. 6th Telecommunications in Modern Satellite, Cable and Broadcasting Services. TELSIKS, vol. 1, pp. 310, October 2003. [3] K. Wu and D. Deslandes, Single-substrate integration technique of planar circuits and waveguide lters, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 51, pp. 593596, February 2003. [4] C. Walter, Travelling Wave Antennas. McGraw-Hill, 1965. [5] F. Zucker, Surface and Leaky-Wave Antennas. Antenna Engineering Handbook, New York: McGraw-Hill, 1961. [6] F. Schwering and A. Oliner, Milimeter-Wave Antennas, ch. 10. Antena Handbook, McGraw-Hill, 1993. [7] A.A. Oliner, S.T. Peng, and K.M. Shang, Leakage from a gap in nrd guide, IEEE MTT International Microwave Symposium Digest, pp. 610 621, June 1985. [8] C. Balanis, Antenna Theory, Analysis and Design. Wiley, 1997. [9] F. Zucker, Surface-Wave Antennas, vol. II of Antenna Theory. New York: McGraw-Hill, 1961. [10] J.L. G omez, D. Ca nete, F. Quesada, J. Pascual, and A.A. Melc on, P.a.m.e.l.a: A useful tool for the study of leaky-wave modes in striploaded open dielectric waveguide, IEEE Antennas and Propagat. Magazine, vol. 48, pp. 5472, August 2006. 35

36

BIBLIOGRAF IA

[11] Hfss(high frequency structure simulator), nite element method based software. Agilent, Palo Alto, CA., 2005.