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66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat.

2010

Clase 10-1

Clase 91 - MOSFET (I) MOSFET: caracteristicas I-V 14 de Abril de 2010 Contenido: 1. MOSFET: corte seccional, layout, s mbolos 2. Descripci on b asica del funcionamiento 3. Caracter sticas I-V Lectura recomendada: Howe and Sodini, Ch. 4, 4.1-4.3

Esta clase es una traducci on y adaptaci on, realizada por los docentes del curso 66.25 - Dispositivos Semiconductores - de la FIUBA, de la correspondiente hecha por el prof. Jesus A. de Alamo para el curso 6.012 - Microelectronic Devices and Circuits del MIT. Cualquier error debe adjudicarse a la traducci on.

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Clase 10-2

Preguntas disparadoras C omo puede aproveharse la inversi on de portadores para obtener un transistor? C omo funciona un MOSFET? Como se construye un modelo simple de las caracter sticas corriente-tensi on del MOSFET?

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Clase 10-3

1. MOSFET: corte seccional, layout, s mbolos

Elementos claves: Una capa de inversi on bajo el gate (depende de VG) Regiones fuertemente dopadas que se extienden bajo el gate la capa de inversi on conecta electricamente el source y el drain Es un dispositivo de cuatro terminales: la tensi on del body es importante

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Clase 10-4

de IBM Microelectronics:
http://www-03.ibm.com/chips/photolibrary/photo10.nsf/WebViewNumber/ D8B9CCA0131418F9852569EC005EE990

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Clase 10-5

2 S mbolos circuitales Dos dispositivos complementarios: dispositivo de canal n (n-MOSFET) sobre un substrato p-Si (usa una capa de inversi on de electrones) dispositivo de canal p (p-MOSFET) sobre un substrato n-Si (usa una capa de inversi on de huecos)

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Clase 10-6

2. Descripci on b asica del funcionamiento Analog a del MOSFET con tanques de agua: Source: tanque de agua Drain: tanque de agua Gate: compuerta entre los tanques

Queremos analizar la operaci on del MOSFET como funci on de: tensi on gate-source (altura del gate sobre el nivel de agua del source) tensi on drain-source (diferencia de nivel de agua entre los tanques) Inicialmente consideramos el source conectado al body (substrato o bulk).

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Clase 10-7

Tres reg menes de operaci on: 2 Corte: MOSFET: VGS < VT , VGD < VT con VDS > 0. Analog a con agua: el gate cerrado; no puede uir agua, independientemente de la diferencia de nivel entre source y drain.

ID = 0

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Clase 10-8

2 Regimen Lineal o Triodo: MOSFET: VGS > VT , VGD > VT , con VDS > 0. Analog a con agua: el gate abierto, pero peque na diferencia de nivel entre source y drain; el agua uye.

Los electrones uyen del source al drain corriente el ectrica! VGS |Qn| ID VDS |Ey | ID

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Clase 10-9

2 R egimen de Saturaci on: MOSFET: VGS > VT , VGD < VT (VDS > 0). Analog a con agua: compuerta abierta; el agua uye del source al drain, pero cae libremente del lado del drain el ujo es independiente del nivel relativo entre los tanques!

ID es independiente de VDS : ID = IDsat

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Clase 10-10

3. Caracter sticas I-V Geometr a del problema:

2 Expresi on general de la corriente del canal La corriente es uniforme y uye en la direcci on y : Iy = W Qn(y )vy (y ) La corriente de Drain es inversa a la corriente del canal: ID = W Qn(y )vy (y )

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Clase 10-11

ID = W Qn(y )vy (y ) Reescribimos en t erminos de la tensi on del canal Vc(y ): Si el campo el ectrico no es demasiado grande: vy (y ) nEy (y ) = n dVc(y ) dy

Para Qn(y ) usamos la relaci on de control de carga: Qn(y ) = Cox[VGS Vc(y ) VT ] para VGS Vc(y ) VT . Todo junto: ID = W nCox(VGS Vc(y ) VT ) dVc(y ) dy

Una simple ecuaci on diferencial de primer orden con una sola inc ognita, Vc(y ).

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Clase 10-12

Resolvemos mediante separaci on de variables: ID dy = W nCox(VGS Vc VT )dVc Considerando regimen lineal integramos a lo largo del canal: -para y = 0, Vc(0) = 0 -para y = L, Vc(L) = VDS (regimen lineal) Entonces: ID o: ID = VDS W nCox(VGS VT )VDS L 2
L 0 dy

= W nCox

VDS (VGS 0

Vc VT )dVc

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Clase 10-13

Para VDS peque na: ID W nCox(VGS VT )VDS L

Principales dependencias: VDS ID (elevado campo el ectrico transversal) VGS ID (elevada concentraci on de electrones) L ID (menor campo el ectrico transversal) W ID (canal de conducci on m as ancho)

Este es el regimen lineal o de triodo.

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Clase 10-14

En general, ID = W VDS nCox(VGS VT )VDS L 2

La ecuaci on es v alida si VGS Vc(y ) VT para todo y . El peor punto es y = L, donde Vc(y ) = VDS , luego, la ecuaci on es v alida si VGS VDS VT , o: VDS VGS VT

El t ermino responsable por la concavidad de ID es VDS 2

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Clase 10-15

Para entender por qu e ID se curva debemos entender la despolarizacion del canal:

A lo largo del canal, desde source hasta drain: y Vc(y ) |Qn(y )| |Ey (y )| El local channel overdrive se reduce cerca del drain.

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Clase 10-16

Impacto de VDS :

Cuando VDS , la despolarizaci on del canal se hace mas prominente ID crece m as lentamente con VDS

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Clase 10-17

3m n-channel MOSFET Output characteristics (VGS = 0 4 V, VGS = 0.5 V ):

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Clase 10-18

Zoom cerca del origen (VGS = 0 2 V, VGS = 0.25 V ):

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Clase 10-19

Caracter sticas de transferencia (VDS = 0100 mV, VDS = 20 mV ):

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Clase 10-20

Principales conclusiones El MOSFET es un transistor de efecto de campo: la carga en la capa de inversi on es controlada por la acci on del campo el ectrico del gate la carga en la capa de inversi on puede moverse posibilita la conducci on entre drain y source En el regimen lineal o triodo: VGS ID : hay m as electrones en el canal VDS ID : un campo el ectrico m as intenso arrastra a los electrones Depolarizaci on del canal: la capa de inversi on decrece desde el source hasta el drain la corriente satura a medida que VDS se aproxima a: VDSsat = VGS VT