FACULDADE BRASILEIRA UNIVIX

Transistores FET
Juan Henrique Zanon Tayguara Rodrigo Henrique 15/05/2009

Tudo sobre os aspectos construtivos e tipos, interao entre as camadas dopadas e condutividade eltrica resultante e materiais utilizados na sua fabricao.

ndice 1. Transistor FET ............................................................................................... 4 1.1. Aspectos construtivos e tipos...................................................................... 4 1.1.2 Aspectos construtivos e tipos (JFET).................................................. 5 1.1.3 Aspectos construtivos e tipos (MOSFET)............................................ 6 1.1.4 Aspectos construtivos e tipos (CMOS ou MOS Complementar).......... 7 2. Interao entre as camadas dopadas e condutividade eltrica.................. 7 2.1 Operao sem tenso de porta............................................................... 7 2.2 Aplicando um pequeno valor de Vds....................................................... 9 2.3 Operao com o aumento de Vds............................................................... 9 2.4 As caractersticas de corrente-tenso do MOSFET tipo enriquecimento.. 10 2.5 O Efeito da Temperatura........................................................................... 11 2.6 As caractersticas de corrente-tenso do MOSFET tipo Depleo............11 2.7 Amplificadores com MOSFET no Modo de Depleo.................................12 2.8 Operao fsica do transistor JFET........................................................... 13 3. Materiais Utilizados.......................................................................................15

1. Transistores FET
FET o acrnimo em ingls de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o prprio nome diz, funciona atravs do efeito de um campo eltrico na juno. Este tipo de transitor tem muitas aplicaes na rea de amplificadores (operando na area linear), em chaves (operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. O FET pode ser dividido em duas categorias: JFETS e MOSFETS. Por sua vez, os MOSFETS se dividem em duas categorias: MOSFET tipo Enriquecimento; MOSFET tipo Depleo. Os termos depleo e intensificao definem o seu modo bsico de operao, enquanto o nome MOSFET designa o transistor Metal xido semicondutor. Os FETs semicondutores de xido de metal (MOSFETs) so muito importantes para implementaes de lgica digital.

1.1 Aspectos construtivos e tipos

O transistor de efeito de campo (FET Field effect transistor) um dispositivo de trs terminais. O nome efeito de campo deriva-se do fato de que a corrente no dispositivo controlada pelo ajuste da tenso aplicada externamente. Os transistores MOSFET tm um ponto positivo sobre os transistores TBJ porque podem ser feitos com dimenses muito pequenas (isso e muito importante devido evoluo da tecnologia e tudo esta se reduzindo tamanhos pequenos isto seria um aspecto importante). Nos aspectos construtivos podemos destacar o silcio (Si), embora o germnico (Ge) e o arseneto de glio (GaAs) sejam tambm usados na produo de dispositivos semicondutores integrados, o silcio ainda o material mais popular e continuara sendo por algum tempo. O silcio um material abundante e ocorre normalmente na forma de areia. Ele pode ser refinado usando tcnicas simples de purificao e crescimento de cristais. Ele tambm apresenta propriedades fsicas adequadas para a fabricao de dispositivos ativos com boas caractersticas eltricas. Alm disso, o silcio pode ser facilmente oxidado para formar uma excelente camada isolante, (vidro). Esse xido nativo usado para fabricar capacitores e MOSFETs. Ele serve tambm como uma boa barreira de difuso contra impurezas indesejveis, as quais se podem difundir para o silcio com alto grau de pureza.

1.1.2 Aspectos construtivos e tipos (JFET)

O primeiro FET desenvolvido foi o de juno, FET (Junction Field Efect Transistor). H dois tipos: Canal N e Canal P. O transistor de efeito de campo de juno, ou JFET, talvez o transistor mais simples de todos. Sua estrutura consiste numa barra de material semicondutor N (ou P), envolvida no centro com material P (ou N), a regio N (ou P) esta parte, estreita, chamado canal, por influir a corrente controlada.

Note que em torno de um canal forma-se uma regio de potencial na juno PN. Esta barreira restringe a rea de conduo de canal ao outro. A principal funo que essa juno executa na operao desse FET que deu a origem a seu nome: transistor de efeito de campo de juno (JFET).

1.1.3 Aspectos construtivos e tipos (MOSFET)

A figura abaixo mostra a estrutura fsica do MOSFET do tipo canal-n enriquecido. O transistor fabricado sobre um substrato do tipo p, o qual uma lamina de silcio cristalino que serve de suporte fsico para o dispositivo.

No substrato, foram criadas duas regies do tipo n fortemente dopadas, indicadas na figura acima como regies n+, designadas por fonte (source) e dreno. Uma camada fina (tipicamente de 2-50 nm) de dixido de silcio (SiO2), que um excelente isolante, foi desenvolvida na superfcie do substrato, cobrindo a rea entre as regies da fonte e do dreno. Seguidamente, depositase metal por cima da camada de xido para formar o eletrodo de porta do dispositivo. Finalmente, realizam-se contactos metlicos nas regies da fonte, dreno e substrato, este ltimo conhecido como corpo. Desta forma, foram criados quatro terminais: os terminais da porta (gate - G), o terminal da fonte (source - S), o terminal do dreno (D) e do substrato ou corpo (B). Um MOSFET de enriquecimento de canal p (transistor PMOS) fabricado num substrato do tipo n com regies p+ para o dreno e a source, e usa lacunas como portadores de carga. O dispositivo funciona da mesma maneira que o de canal n, exceto que Vgs e Vds so negativas e a tenso limiar Vt negativa. A corrente Id entra pelo terminal da source e sai pelo terminal do dreno.

De fato, pelo dispositivo NMOS pode ser menor, operar mais rpido e requerer uma fonte uma fonte de alimentao de menor valor de tenso do que o PMOS, a tecnologia NMOS substitui virtualmente a PMOS. Todavia, no se devem ignorar os PMOS por duas razes: os PMOS continuam a ser fabricados para circuitos discretos, e principalmente porque os circuitos CMOS (MOS complementar) que so atualmente a tecnologia dominante utilizam os dois tipos de transistores, NMOS e PMOS.

1.1.4 Aspectos construtivos e tipos (CMOS ou MOS Complementar)

A tecnologia MOS complementar utiliza transistores MOS das duas polaridades. Atualmente, a tecnologia CMOS a mais usada de todas as tecnologias de circuitos integrados MOS, quer no que respeita a circuitos analgicos, quer digitais.

A figura acima tem uma seco transversal duma pastilha CMOS ilustrando como os transistores PMOS e NMOS so fabricados. Note-se que enquanto o transistor NMOS implementado diretamente no substrato do tipo p, o transistor PMOS fabricado numa regio n especialmente criada, conhecida como um poo n. Os dois dispositivos so isolados um do outro por uma espessa regio de xido que funciona como um isolante.

2. Interao entre condutividade eltrica

as

camadas

dopadas

2.1 Operao sem tenso de porta

Sem tenso aplicada de porta h dois diodos face a face em serie entre o dreno e a fonte. Um diodo formado pela juno pn entre o substrato tipo p e a regio n+ da fonte, e outro formado pela juno pn entre o substrato tipo p e o dreno,

impedindo a circulao de corrente entre o dreno e a fonte, quando aplicada uma tenso Vds devido alta resistncia existente. A tenso na positiva na porta faz com que lacunas livres em um primeiro instante sejam repelidas da regio do substrato sobre a porta. Essas lacunas so repelidas para baixo no substrato deixando uma regio depletada de portadores, repleta de ligaes covalentes de cargas negativas associadas aos tomos aceitadores. Alm disso, a tenso aplicada na porta atrai eltrons da regio n+ da fonte e do dreno para a regio do canal., quando for acumulado um n suficientes de eltrons prximo superfcie sob a porta uma regio n criada conectando a fonte e o dreno. Aplicando uma tenso entre o dreno e fonte uma corrente circular por essa regio n induzida onde ocorre o transporte de eltrons moveis, formando um canal para a corrente do dreno para a fonte. O valor de Vgs para o qual um numero suficiente de eltrons se acumulam na regio do canal. Para formar um canal de conduo chamado de tenso liminar ( threshold) e representado por Vt sendo positivo para um fet tipo n e seu valor fixado na fabricao do dispositivo, dentro de uma faixa entre 1 e 3V. O MOSFET se comporta como um capacitor de placas paralelas com uma camada de oxido agindo como dieltrico, a tenso na porta faz acumular cargas positivas na parte de cima e as negativas na parte de baixo do capacitor, na parte de baixo a placa formada pelos eltrons do canal induzido, agindo assim um campo eltrico na direo vertical. Esse campo que controla a quantidade de cargas no canal, logo ele determina a condutividade e quantidade que circular pelo canal, quando aplicada uma tenso Vds.

2.2 Aplicando um pequeno valor de Vds

Uma pequena tenso Vds far com que circule uma corrente Id pelo canal n induzido, essa corrente surge devido o movendo de eltrons livres da fonte para o dreno. O valor de Id depende da densidade de eltrons no canal que por sua vez de pende do valor de tenso Vgs. Especificamente, para Vgs=Vt, o canal esta fracamente induzido, quando Vgs > Vt mais eltrons so atrados para o canal, aumento o numero de portadores de carga e o aumento de profundidade, aumentando a condutncia ou equivalentemente diminuindo a resistncia do canal, logo Id ser proporcional a Vgs Vt e claro da tenso Vds, com isso o canal ficar mais rico em eltrons, da o nome de enriquecimento, com a corrente que deixa a fonte Is igual corrente que entra no dreno Id, e a corrente da porta Ig zero.

2.3 Operao com o aumento de Vds

O aumento da Vds faz com que o canal fique estreito e com isso aumentam as resistncias, com isso a curva Id x Vds no ser mais uma linha reta como na figura abaixo. Eventualmente quando aumentamos o Vds at uma valor que reduz a tenso entre a porta e canal no final do dreno, diminui a profundidade do canal e o dreno se aproxima de zero, estrangulando o canal (pinched-off). A corrente de dreno se satura o MOSFET inicia ento sua operao na regio saturada.

2.4 As caractersticas de corrente-tenso do MOSFET tipo enriquecimento

fabricado sobre o substrato tipo n com regies p+ para o dreno e fonte e nesse caso as lacunas so os portadores de cargas, sua operao se dar do mesmo modo que o dispositivo canal n, exceto que as tenses Vgs , Vds e Vt so negativas, e a corrente Id entra pela fonte e sai pelo dreno. Quando Vgs for menor que Vt no h corrente e o dispositivo esta em corte, porm no de tudo verdade pois nesse caso essa regio chamada de sublimiar, e a corrente de dreno tem uma relao exponencial com Vgs , embora na maioria das operaes ele opere com Vgs > Vt visto um aumento no numero de aplicaes que fazem uso dessa operao.

As curvas da figura 5.11 (b) nos indicam 3 regies de operao: regio de corte, regio de triodo e a regio de saturao, essa ltima se usa quando for opera como amplificador, para operar como chave usa-se a regio de corte e de triodo.

2.5 O Efeito da Temperatura

Tanto a Vt (tenso de limiar) quanto a Kn (parmetro de transcondutncia do processo), seu valor determinado pela tecnologia de fabricao, so sensveis a temperatura.O mdulo de Vt diminui cerca de 2mv a CAD 1 C de aumento de temperatura, aumentando com isso a corrente de dreno, contudo devido temperatura K sofre uma diminuio, ento se observa que o efeito total do processo ocorre uma diminuio da corrente de dreno.

2.6 As caractersticas de corrente-tenso do MOSFET tipo Depleo.

Ele uma parte de material tipo n com um regio p direita e uma porta isolada esquerda.Os eltrons livres podem fluir da fonte para p dreno atravs do material n.A regio p chamada substrato ou corpo.Os eltrons que fluem da fonte para o dreno tm de passar atravs do estreito canal entre a porta e a regio p. Com uma tenso de porta negativa a tenso Vdd fora os eltrons livres a fluir da fonte para o dreno.Como em um JFET a tenso de porta controla a largura do canal.Quanto mais negativa a tenso da porta, menor a corrente de dreno. Quando a tenso da porta suficientemente negativa, a corrente de dreno cortada.Portanto, o funcionamento de um MOSFET similar ao JFET quando Vgs negativa. Como a porta do MOSFET est eletricamente isolada do canal , podemos aplicar uma tenso positiva na porta, essa tenso positiva aumenta

o nmero de eltrons livres que fluem atravs do canal.Quanto maior a tenso positiva, maior a conduo da fonte para o dreno. A operao no modo depleo se d quando Vgs est entre Vgs(off) e zero, quando Vgs maior que zero temos a operao no modo intensificao.

2.7 Amplificadores com MOSFET no Modo de Depleo.

Um MOSFET no modo de depleo o nico porque pode operar com tenses na porta positiva ou negativa. Por isso, podemos estabelecer o ponto Q em Vgs = 0V, no meio da reta de carga. Quando o sinal de entrada positivo, ele aumenta a Id acima de Idss. Quando o sinal de entrada negativo, ele diminui Id abaixo de Idds. Pelo fato de no existir a juno pn a ser polarizada, a resistncia de entrada do MOSFET permanece muito alta.

A possibilidade de usar o valor zero para Vgs nos permite montar o circuito de polarizao muito simples da figura abaixo. Pelo fato de Ig ser zero, Vgs = 0V, e Id = Idds . A tenso do dreno :

Pelo fato de o MOSFET-D ser um dispositivo normalmente em conduo, possvel tambm usar a auto polarizao adicionando-se um resistor de fonte. A operao fica semelhante de um circuito JFET com auto polarizao. Os amplificadores com MOSFETs-D tem um ganho de tenso relativamente baixo. Uma das principais vantagens deste dispositivo sua resistncia de entrada extremamente alta. Isso nos permite usar o dispositivo quando a carga para o circuito for um problema. Alm disso, os MOSFETs tm a excelente propriedade de baixo rudo. Essa a vantagem definitiva para qualquer estgio inicial de um sistema em que o sinal fraco; muito comum em muitos tidos de circuitos eletrnicos de comunicao.

2.8 Operao fsica do transistor JFET

Considere um JFET canal n disposto como na figura abaixo. Com Vgs = 0, a aplicao de uma tenso Vds faz com que uma corrente circule do dreno para a fonte. Quando uma tenso negativa Vgs aplicada, a regio de depleo da juno porta-canal fica correspondentemente mais estreita; portanto, a resistncia do canal aumenta e a corrente Id (para um dado valor de Vds) diminui. Pelo fato de Vds ser de pequeno valor, a largura do canal quase uniforme. O JFET est operando simplesmente como uma resistncia cujo valor controlado por Vgs. Se continuarmos a aumentar Vgs no sentido negativo, ser atingido um valor no qual a regio de depleo ocupar todo o canal. Com esse valor de Vgs, o canal fica completamente depletado de portadores de carga (eltrons) e o canal, como resultado, desaparece. Esse valor de Vgs , portanto, a tenso de limiar do dispositivo, Vt a qual obviamente negativa para um JFET canal n. Para JFETs, a tenso de limiar

costuma ser chamada de tenso de estrangulamento (pinch-off voltage) e representada por Vp.

(a) A estrutura bsica do JFET canal n. Essa uma estrutura simplificada utilizada para explicar a operao do dispositivo. (b) Smbolo do JFET canal n. (c) Smbolo do JFET canal p.

Na figura abaixo, Vgs mantida constante em um valor maior (isto , menos negativo) do que Vp, e Vds aumentada. Como Vds aparece como uma queda de tenso no sentido do comprimento do canal, a tenso aumenta medida que nos movemos ao longo do canal da fonte para o dreno. Isso significa que a tenso de polarizao reversa entre a porta e o canal varia nos diferentes pontos ao longo do canal e maior no final do dreno. Portanto, o canal adquire uma forma estreitada e a caracterstica Id-Vds se torna linear. Quando a polarizao reversa no final do dreno, Vgd, cai abaixo da tenso de limiar Vp, o canal se estrangula no final do dreno e a corrente de dreno satura. O restante da descrio da operao do JFET segue aproximadamente a descrio dada para o MOSFET. A descrio anterior indica claramente que o JFET do tipo depleo. Isso verdadeiro com uma exceo muito importante: embora seja possvel operar um MOSFET tipo depleo no modo de enriquecimento (aplicando-se simplesmente uma tenso Vgs positiva se o dispositivo for canal n), isso impossvel no caso do JFET. Se tentarmos aplicar uma tenso Vgs positiva, a juno porta-canal torna-se diretamente polarizada e a porta deixa de controlar o canal. Portanto, o valor mximo de Vgs est limitado em 0V, embora seja possvel ir at um valor de 0,3V, visto que a juno permanece essencialmente em corte com essa pequena tenso direta.

3. Materiais Utilizados.
Os materiais utilizados na fabricao do transstor so principalmente o Silcio (Si), o Germnio (Ge), o Glio (Ga) e alguns xidos. Na natureza, o silcio um material isolante eltrico, devido conformao das ligaes eletrnicas de seus tomos, gerando uma rede eletrnica altamente estvel. Atualmente, o transstor de germnio no mais usado, tendo sido substitudo pelo de silcio, que possui caractersticas muito melhores. O silcio purificado e passa por um processo que forma uma estrutura cristalina em seus tomos. O material cortado em finos discos, que a seguir vo para um processo chamado de dopagem, onde so introduzidas quantidades rigorosamente controladas de materiais selecionados (conhecidos como impurezas) que transformam a estrutura eletrnica, introduzindo-se entre as ligaes dos tomos de silcio, roubando ou doando eltrons dos tomos,

gerando o silcio P ou N, conforme ele seja positivo (tenha falta de eltrons) ou negativo (tenha excesso de eltrons). O transstor montado justapondo-se uma camada P, uma N e outra P, criando-se um transstor do tipo PNP. O transstor do tipo NPN obtido de modo similar. A camada do centro denominada base, e as outras duas so o emissor e o coletor. No smbolo do componente, o emissor indicado por uma seta, que aponta para dentro do transstor se o componente for PNP, ou para fora se for NPN.

Devido ao calor produzido o transistor e outro componente so produzidos em diversos formatos (chamados invlucros ou encapsulamento), para sua instalao em dissipadores de calor. Os transistores usam os: SOT 37, SOT 3, TO 39, SOT 9, TO 3, SOT 18, SOT 32, SOT 82, SOT 93, entre outros.

A maneira como o fabricante encapsulou o transistor nos fornece a identificao dos terminais. Devido ao calor produzido o transistor e outro componente so produzidos em diversos formatos (chamados invlucros ou encapsulamento), para sua instalao em dissipadores de calor. OS transistores usam os: SOT 37, SOT 3, TO 39, SOT 9, TO 3, SOT 18, SOT 32, SOT 82, SOT 93, entre outros. Tabelas de transistores: Apresentam as seguintes especificaes: Tipo: o nome do transistor Pol: polarizao; N quer dizer NPN e P significa PNP. VCEO: tenso entre coletor e emissor com a base aberta. VCER: tenso entre coletor e emissor com resistor no emissor. IC: corrente mxima do emissor. PTOT: a mxima potncia que o transistor pode dissipar.

 Hfe: ganho (beta). Ft: freqncia mxima. Encapsulamento: A maneira como o fabricante encapsulou o transistor nos fornece a identificao dos terminais.