.

1 INTRODUCCION
La Figura 6.1 muestra el smbolo de un transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor), con la nomenclatura habitual de sus terminales.

Figura 6.1: Smbolo y tipos de transistor BJT Internamente, el BJT se compone de tres capas de silicio, segn la configuracin mostrada en la Figura 6.2.

Figura 6.2: Estructura interna del transistor bipolar Como puede apreciarse, la flecha que indica el tipo de transistor, apunta al sentido de la corriente en polarizacin directa del diodo BE. En principio, parece una estructura simtrica, en la que es imposible distinguir el emisor del colector. Sin embargo la funcin que cumple cada uno es completamente distinta, y en consecuencia, se fabrican con diferentes caractersticas. Por lo tanto no es un componente simtrico. Un transistor tiene dos formas principales de operacin: como un interruptor o como una resistencia variable.

6.1.1 TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

La funcin del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un dispositivo mecnico: o bien deja pasar la corriente, o bien la corta. La diferencia est en que mientras en el primero es necesario que haya algn tipo de control mecnico, en el BJT la seal de control es electrnica. En la Figura 6.3 se muestra la aplicacin al encendido de una bombilla.

Figura 6.3: El transistor bipolar como interruptor de corriente En el primer caso, bajo la seal de control adecuada, que es introducida a travs de la base, el transistor se comporta como un circuito abierto entre el emisor y el colector, no existe corriente y la bombilla estar apagada. En el segundo caso, cambiando la seal de control, se cierra el circuito entre C y E, y los 12 V se aplican a la bombilla, que se enciende. Este funcionamiento entre los estados de corte y conduccin se denomina operacin en conmutacin. Las aplicaciones tpicas de este modo de operacin son la electrnica de potencia y la electrnica digital, en la que los circuitos operan con dos niveles de tensin fijos equivalentes al y lgicos.

6.1.2 TRANSISTOR COMO RESISTENCIA VARIABLE

En la Figura 6.4 se presenta la comparacin entre un potencimetro y un transistor colocados en un circuito.

Figura 6.4: Transistor bipolar operando como resistencia variable Si el valor de la resistencia del potencimetro se fija en 5 k;, la tensin de salida VOUT ser de 5 V. Al aumentar esta resistencia, la salida tambin aumentar de valor. Por ejemplo, con 20 k; VOUT resulta ser 8 V. Modificando el valor del potencimetro se puede obtener cualquier valor en la salida comprendido entre 0 V y 10 V, ya que:

Al igual que en el potencimetro, en el transistor se puede ajustar su resistencia entre colector y emisor, con la diferencia de que la seal de mando no es mecnica, sino elctrica a travs de la base. Como se ver ms adelante, con una pequea seal aplicada en la base puede gobernarse el BJT, con lo que aparece un concepto nuevo: la amplificacin de seales. Esta funcin es la base de la electrnica analgica, aquella en la que se procesan seales de tensin respetando su forma de onda temporal.

6.2 PRINCIPIO DE OPERACION

En este apartado se va a trabajar exclusivamente con el transistor NPN. No obstante, cabe sealar que los razonamientos necesarios para entender el transistor PNP son completamente anlogos, por lo que se deja al lector la tarea de deducir los modelos caractersticos de su funcionamiento. En la Figura 6.2 pueden verse las dos uniones PN del transistor: la unin Base-Emisor (BE), y la unin BaseColector (BC). Cada una por separado constituye un diodo, pero la conjuncin de ambas provoca un efecto nuevo, denominado efecto transistor. Obviamente, el estado global del transistor depende de la polarizacin, directa (PD) o inversa (PI), de las dos uniones.

Los casos posibles se adjuntan en la tabla siguiente:

Unin

PI PD PD PI

Unin PI PD PI PD

Estado Corte Saturacin RAN RAI

Los dos ltimos casos, la Regin Activa Normal (RAN) y la Regin Activa Inversa (RAI) son conceptualmente similares. Si el transistor fuera simtrico, estaramos ante la misma regin de funcionamiento, solo que con los terminales intercambiados. Sin embargo el colector y el emisor se fabrican de forma diferente, precisamente para adaptar su funcionamiento a la RAN. Por ello no se suele trabajar en la RAI. Una vez aclarado este punto se va a analizar el funcionamiento en cada regin de operacin. 6.2.1 REGION DE CORTE
Como elemento bsico para la discusin en este apartado se va a emplear el circuito de la Figura 6.5.

Figura 6.5: Transistor BJT polarizado en la regin de corte

En el circuito de la Figura 6.5:

y y En este caso las dos uniones estn polarizadas en inversa, por lo que existen zonas de depleccin en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores de carga mviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los portadores minoritarios s pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero dan lugar a corrientes muy dbiles. Por lo tanto, un transistor en corte equivale a efectos prcticos, a un circuito abierto. A partir de esta definicin, se pueden deducir fcilmente los modelos matemtico y circuital simplificados para este estado. El transistor BJT en la regin de corte se resume en la Figura 6.6.

Figura 6.6. Modelo del

en corte para seales de continua

Obviamente, en estos modelos no se tiene en cuenta el efecto de las corrientes de fuga de las dos uniones, y slo son vlidos para realizar una primera aproximacin al comportamiento de un circuito.

EJEMPLO 6.1: Calcular las tensiones VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e IE del circuito de la figura 6.7, cuando EB = 0 V.

Figura 6.7: Circuito del ejemplo 6.1 SOLUCIN: La base del transistor est conectada a la fuente a travs de una resistencia RB. Puesto que la diferencia de potencial entre los extremos del generador es nula, no puede polarizarse la unin BE en directa, por lo que el transistor est en corte, es decir:

VBC = VBE - VCE = 0 - 10 = - 10 V Pueden obtenerse los mismos resultados si se sustituye el transistor en el circuito por su modelo equivalente:

6.2.2 REGION ACTIVA NORMAL

Para facilitar el estudio y comprensin de los fenmenos que suceden cuando se polariza el transistor en RAN, se va a analizar en primer lugar el comportamiento del transistor en las situaciones descritas en la Figura 6.8 a) y b).

Figura 6.8: Transistor NPN. En la Figura 6.8 a), como la tensin EC est aplicada al colector, la unin base-colector estar polarizada en inversa. A ambos lados de la unin se crear la zona de depleccin, que impide la corriente de portadores mayoritarios. No existir corriente de colector significativa, y el transistor se encontrar operando en la regin de corte. En el caso de la Figura 6.8 b), la fuente EB polariza la unin base-emisor en directa, que se comporta como un diodo normal, es decir, la zona P inyecta huecos en la zona N, y esta electrones en aquella. Si el dopado de la base es muy inferior al del emisor, la inyeccin de huecos ser muy inferior a la de electrones, y se puede describir el proceso as: el emisor inyecta electrones en la base. Estos se recombinan con los huecos que provienen de la fuente de alimentacin y se crea una corriente IB. En este caso el colector no entra en juego. La operacin en RAN se da cuando la unin BE se polariza en directa y la BC en inversa. Los tres puntos caractersticos de esta regin de operacin son:

1. 2. 3.

Corriente de colector no nula: conduccin a travs de la unin BC pese a que est polarizada en inversa. La corriente de base es muy inferior a la de colector. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base.

Figura 6.9: Transistor NPN en RAN.

Conduccin a travs de la unin BC

En el circuito de la Figura 6.9 la unin BE se polariza en directa, mientras que si EC es mayor que EB, la unin BC estar en inversa, luego no debera circular corriente a travs de esta ltima. Lo que sucede es que el emisor (tipo N) inyecta electrones en la base (tipo P), en la que los portadores mayoritarios son los huecos, y los minoritarios son los electrones. Como se explic anteriormente, una unin PN en inversa bloquea el paso de mayoritarios, pero no de minoritarios (que constituyen la corriente de fuga en inversa). Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atrados por el potencial positivo aplicado al colector, pueden atravesar la unin BC, y dar origen a la corriente de colector IC. Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta drsticamente el nmero de portadores minoritarios del diodo base-colector, con lo que su corriente inversa aumenta tambin. As que la primera contradiccin queda resuelta. El diodo BC no conduce realmente en inversa, sino que sus corrientes de fuga se equiparan con la corriente normal gracias al aporte de electrones que provienen del emisor.

La corriente de base es muy inferior a la de colector

En este punto de la explicacin surge una pregunta: y por qu los electrones llegan hasta la unin BC y no se recombinan como en la Figura 6.8.b)?. La Figura 6.10 muestra la distribucin de corrientes.

Figura 6.10: Distribucin de corrientes en un transistor NPN en RAN. Si la base es estrecha y est poco dopada, es relativamente probable que un electrn la atraviese sin encontrarse con un hueco. Tpicamente, los BJT se construyen para que se recombine el 1% de los electrones. En este caso se obtiene una ganancia de corriente de 100, es decir, la corriente de base es 100 veces inferior a la del colector. Como la corriente de emisor es la suma de estas dos, es obvio que su valor es cercano al de la corriente de colector, con lo que en la prctica se consideran iguales (slo operando en RAN).

La corriente de colector es proporcional a la corriente de base

Centrando la atencin en la recombinacin de los electrones en la base procedentes del emisor. All donde haba un hueco pasa a haber, tras la recombinacin, un ion negativo inmvil. Si desaparecen los huecos de la base y se llena de iones negativos, se carga negativamente, y se repelen los electrones procedentes del emisor. En este caso se impedira la circulacin de corriente, es decir, es necesario que la corriente de base reponga huecos para que haya corriente de colector. Por tanto, por cada electrn recombinado hay que introducir un hueco nuevo que neutralice la carga negativa. Si la reposicin de huecos es lenta (corriente IB pequea), la capacidad de inyectar electrones ser baja, debido a la repulsin elctrica. Este fenmeno tiene la propiedad de ser aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional denominado ganancia directa de corriente, o bien ganancia esttica de corriente.

Resumiendo.
El transistor bipolar operando en la RAN se comporta como un amplificador de corriente. La corriente dbil se reproduce amplificada en un factor en .

Los modelos y condicin de existencia se presentan en la Figura 6.11. De nuevo hay que resear que se trata de un modelo muy simplificado, que slo da cuenta de los fenmenos bsicos sealados anteriormente.

Figura 6.11: Modelo del BJT en RAN para seales de continua. La condicin de corriente de base mayor que cero se refiere a corriente entrante en el dispositivo, es decir, la corriente debe entrar por la base para que el est en RAN. Para los valores habituales de IB, la tensin VBE se sita en torno a los 0,7 V. Por ello, en muchas ocasiones se toma este valor para realizar un anlisis aproximado de los circuitos.

EJEMPLO 6.2: En el circuito de la Figura 6.7 calcular VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e IE cuando EB = 5 V y cuando EB = 7 V. La ganancia de corriente del transistor es F = 100. SOLUCIN: Al aplicar una diferencia de potencial positiva (> 0,7) a la base se polariza la unin BE en directa. Adems, si EB, es inferior a la de la fuente conectada al colector, la tensin de colector ser superior a la de la base, con lo que la unin BC estar polarizada en inversa. Se dan, por lo tanto, las condiciones necesarias para la operacin en RAN, con lo que se verifica aproximadamente que:

; Estas dos ecuaciones pueden introducirse en el circuito empleando el modelo equivalente:

Figura 6.12: Anlisis del transistor en RAN El anlisis del circuito permite aadir dos ecuaciones nuevas para el clculo de IB, IC y VCE:

De la primera expresin se obtiene

Teniendo en cuenta que

Finalmente:

En la tabla siguiente se adjuntan los resultados numricos de los dos casos requeridos en el enunciado: IB 43 A 63 A IC 4,3 mA 6,3 mA IE 4,343 mA 6,363 mA VBE 0,7 V 0,7 V VCE 5,7 V 3,7 V VBC -5 V -3 V

EB = 5 V EB = 7 V

Los resultados obtenidos en el ejemplo 6.2 sugieren los siguientes comentarios:

y

La tensin VBC obtenida en ambos casos es negativa, lo que significa que la polarizacin de la unin BC es inversa. Como adems la corriente de la base es positiva queda comprobado que el transistor est operando en RAN. La corriente IE tiene un valor muy cercano al de IC. En la prctica, sera difcil de detectar la diferencia entre ambas mediante aparatos de medida convencionales. Por ello, en ocasiones se realiza la aproximacin IC = IE. Una variacin de corriente en la base de tan slo 20 A provoca una variacin en la tensin VCE de 2 V. Este es el principio de la amplificacin analgica de seales.

Centremos ahora la atencin en la evolucin de VCE. Cuando el transistor est en corte VCE = 0 V. En la RAN, a medida que aumenta EB disminuye VCE. Este resultado es lgico, puesto que IC es directamente proporcional a EB. Como VCE = EC - RCIC, al aumentar el trmino negativo disminuye el valor de la resta. Grficamente puede representarse este hecho como sigue (Figura 6.13):

Figura 6.13: Evolucin de las tensiones y corrientes en el ejemplo 6.2

Si RC fuera una bombilla, en el caso A estara apagada, mientras que en los casos B y C proporcionara luz. Evidentemente, en el caso C la intensidad de la luz ser mayor que en el B, puesto que la tensin aplicada es mayor. Aqu se pone de manifiesto claramente el funcionamiento del transistor como resistencia variable, ya que el comportamiento entre C y E es similar al de un potencimetro: modificando la seal de control convenientemente podemos variar la tensin de alimentacin de la bombilla entre 0 y 10 V.

6.2.3 REGION DE SATURACION

Supongamos que tenemos un transistor polarizado en la RAN segn el circuito de la Figura 6.7). En la tabla de resultados del ejemplo 6.2 queda claro que segn aumenta la tensin EB (o bien la corriente IB) el valor absoluto de la tensin VBC disminuye. Llegar un momento en el que, si IB crece lo suficiente VBC cambiar de signo y pasar a ser positiva. En ese instante, la unin BC dejar de estar polarizada en inversa, y entrar en polarizacin directa. La consecuencia es que el colector pierde su capacidad de recolectar electrones, y la corriente IC resulta ser inferior al valor IB.

Figura 6.14: Transistor BJT polarizado en la regin de saturacin Por otra parte, segn se muestra en la Figura 6.14, al estar las dos uniones polarizadas en directa, la tensin entre el colector y el emisor en saturacin ser: VCE SAT = VBE ON - VBC ON Si los diodos BE y BC fueran idnticos, la tensin de conduccin de ambos sera prcticamente igual, y entonces la tensin VCE SAT sera nula. Sin embargo, tal y como se ha comentado anteriormente, el colector y el emisor se fabrican con distintas caractersticas. Normalmente la tensin VBE ON es aproximadamente igual a 0,7 V, mientras que VBC ON se sita en torno a los 0,5 V. Ello conlleva una tensin cercana a 0,2 V. Dado que la tensin de codo de los diodos permanece prcticamente constante para las corrientes de operacin habituales, la tensin VCE SAT es tambin independiente de las corrientes IB IC. Con ello el transistor pierde su capacidad de gobierno sobre la corriente de colector, que ser controlada nicamente por el circuito externo. Anlogamente al resto de regiones de funcionamiento, tambin puede hallarse un modelo simplificado para realizar clculos con un transistor polarizado en la regin de saturacin:

Figura 6.15. Modelo simplificado del BJT en saturacin. Como puede observarse, en este modelo se toma la tensin VCE SAT nula, pero podra considerarse cualquier valor sin ms que incluir una fuente de tensin independiente del valor deseado entre el colector y el emisor.

EJEMPLO 6.3: En el circuito de la Figura 6.7 calcular VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e IE cuando EB = 15 y 20 V. La ganancia de corriente del transistor es F = 100. SOLUCIN: En este caso la tensin aplicada a la base con respecto al emisor es claramente superior a la aplicada al colector. Por lo tanto el transistor est operando en la regin de saturacin. Sustituyendo el modelo correspondiente en el circuito original se tiene que:

En la tabla siguiente se presentan los resultados numricos para los casos indicados en el enunciado del problema: IB EB = 5 V EB = 7 V 143 A 193 A IC 10 mA 10 mA IE 10,14 mA 10,19 mA VBE 0,7 V 0,7 V VCE 0 0 VBC 0,7 V 0,7 V

La corriente IC se mantiene constante en 10 mA, pese a las variaciones de IB, puesto que la tensin VCE es ahora constante. Ntese adems que en ambos casos se cumple que IC es menor que el producto FIB. Retomando de nuevo el caso en el que RC sea una bombilla, los resultados obtenidos muestran que ahora la intensidad luminosa ser ahora constante, luego se ha perdido la capacidad de regular, y el dispositivo se comporta ahora como un interruptor cerrado. A modo de recapitulacin, la siguiente figura muestra la evolucin global de IC con respecto a EB, donde se puede apreciar el paso del transistor por las tres regiones de operacin.

Figura 6.16: Grfica

frente a

6.3 CURVAS CARACTERISTICAS. PUNTO DE OPERACION

Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parmetros para determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes bsicas de resolucin de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y bajo la accin de unas excitaciones concretas, existirn unos valores de estos cuatro parmetros que caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de operacin (Q). Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que relacionan VBE con IB y VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.

6.3.1 CARACTERISTICA VBE-IB

La funcin que liga VBE con IB es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse todo lo dicho cuando se estudi aqul.

Figura 6.17: Caracterstica IB-VBE. La curva representada en la Figura 6.17 sigue la expresin:

6.3.2 CARACTERISTICA VCE-IC

Segn lo explicado hasta ahora, la caracterstica VCE - IC debera ser la siguiente:

Figura 6.18: Caracterstica VCE -IC ideal. Idealmente, en la RAN la corriente de colector depende exclusivamente de la de base, a travs de la relacin . Por lo tanto, en el plano , la representacin estar formada por rectas horizontales (independientes de VCE) para los diversos valores de IB (en este caso se ha representado el ejemplo para grfico. Para ). Evidentemente, no se dibujan ms que unos valores de IB para no emborronar el , la corriente de colector tambin debe ser nula. La regin de corte est representada el transistor entra en saturacin, luego esta regin queda

por el eje de abscisas. Por contra, para representada por el eje de ordenadas.

Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un poco ms compleja (Figura 6.19):

Figura 6.19: Caracterstica Las diferencias son claras: y y

real.

En la RAN la corriente de colector no es totalmente independiente de la tensin colector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la resistencia interna del transistor. La regin de saturacin no aparece bruscamente para , sino que hay una transicin gradual. Tpicamente se suele considerar una tensin de saturacin comprendida entre 0,1 V y 0,3 V.

6.3.3 PRINCIPALES PARAMETROS COMERCIALES

De entre los numerosos datos que suministran los fabricantes de componentes electrnicos, con respecto a los transistores y cabe destacar los siguientes:

Tensin mxima en entre colector y emisor, colector-base y emisor-base (VCEO, VCBO y VEBO): son las tensiones mximas a las que se puede someter a los terminales del transistor. Tensiones mayores pueden provocar una ruptura en inversa y la destruccin del transistor. Corriente continua mxima de colector, : es la corriente mxima que puede circular por el colector sin que el transistor sufra ningn dao. Ganancia de corriente en DC (DC CurrentGain): se suele especificar la ganancia para varios puntos de operacin, incluso pueden ser suministradas las grficas de la ganancia en funcin de la corriente de colector. La fluctuacin de su valor es debida a los efectos de segundo orden. Tensiones de saturacin VCE(sat), VBE(sat): son las tensiones que aparecen entre los terminales en la regin de saturacin. Potencia mxima disipable (Total DeviceDissipation): mxima que puede disipar el transistor sin sufrir ningn dao. es la potencia

y y

y y

Adems es habitual facilitar la influencia de la temperatura en el funcionamiento del transistor.

6.4 MODELOS DELTRANSISTOR BIPOLAR

Existen dos tipos principales de seales aplicadas al transistor BJT: y y Seales de continua Seales de alterna de pequea amplitud que oscilan respecto a un punto de operacin en RAN

En este apartado se presentan modelos del transistor BJT vlidos para el anlisis de ambas situaciones. En primer lugar se presenta el modelo de Ebers-Moll, con el que puede realizarse el clculo de las corrientes y tensiones de polarizacin de un transistor sea cual fuere su regin de operacin. A partir de las ecuaciones dictadas por este modelo, se deducen posteriormente las expresiones necesarias para el anlisis de seales de alterna de pequea amplitud, a travs del modelo de parmetros hbridos.

6.4.1 MODELO DE EBERS-MOLL

En el apartado 6.2 se han presentado los modelos parciales para cada una de las regiones de funcionamiento (corte, saturacin, RAN) del transistor bipolar. Sin embargo, existe un modelo esttico general vlido para las tres regiones: el modelo de Ebers-Moll. El modelo est basado en el hecho de que un transistor BJT se compone de dos uniones PN, la unin baseemisor y la unin base-colector. Por lo tanto se puede expresar las corrientes del transistor como la superposicin de las corrientes en las dos uniones PN. En la Figura 6.20 se muestra la notacin empleada durante este apartado.

Figura 6.20: Notaciones empleadas en este apartado Considerando el modelo ideal para los diodos BE y BC se tiene que:

donde ICS, IES son las corrientes de saturacin de ambos diodos. Sin embargo, el comportamiento del transistor es ms complejo que el de dos diodos conectados en serie. Se debe tener el cuenta el efecto transistor descrito en el captulo 6.2: debido a que las uniones se encuentran muy prximas entre s se produce una interaccin electrnica entre ellas. En la Figura 7.21 se muestra el modelo de Ebers-Moll para un transistor NPN. Este se compone de dos diodos de unin PN y dos fuentes de intensidad dependientes.

Figura 7.21: Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar NPN. El efecto transistor viene caracterizado por las fuentes de corriente dependientes. Como se ha explicado, parte de la corriente IDBE, que circula por la unin base-emisor es atrapada por la unin base-colector. Este hecho se modela mediante la fuente de corriente EFIDBE. EF es un parmetro caracterstico de cada transistor que toma valores prximos a la unidad. De igual manera, parte de la corriente IDBC atraviesa la regin de base para alcanzar el emisor. Esto se modela con la fuente de corriente ERIDBC. Debido a que la estructura de un transistor no es simtrica, sino que est optimizada para obtener valores altos de EF, ER es generalmente pequea (desde 0.02 a 0.5). Adems, aplicando las leyes de la fsica de semiconductores se obtiene la condicin de reciprocidad, que se concreta en la siguiente expresin:

IS toma valores entre 10-14 y 10-15A para transistores de baja potencia. Si se aplica la ley de los nudos en el emisor, el colector y la base

Se puede sustituir en esta ecuacin las corrientes de los diodos IDBE y IDBC. Adems, si se definen las constantes FF y FR de manera que

las ecuaciones anteriores, resultan

que son las ecuaciones de las intensidades en los tres terminales del transistor NPN segn el modelo de EbersMoll. Estas ecuaciones son vlidas para cualquier regin de funcionamiento. An siendo un modelo complejo del transistor, el modelo de Ebers-Moll no describe todos los efectos que tienen lugar en el dispositivo. Los llamados efectos de segundo orden como la tensin de ruptura en inversa de las uniones PN, o la dependencia de IC con VCE no estn incluidos en este modelo.

6.4.2 APLICACION DEL MODELO DE EBERS-MOLL A LA REGION ACTIVA NORMAL

En este apartado se van a simplificar las ecuaciones de Ebers-Moll, deducidas en el apartado anterior para el caso de que el transistor se encuentre funcionando en la RAN. Como ya se ha comentado, el funcionamiento en la RAN de un transistor se caracteriza por tener la unin PN polarizada en directa (con VBE 0.7V) y la unin base colector polarizada en inversa (VBC < 0). Obsrvese que bajo estas condiciones las expresiones exponenciales de las ecuaciones de Ebers_Moll se pueden simplificar

y las ecuaciones quedan reducidas a:

Como el segundo sumando de estas ecuaciones suele ser despreciable frente al valor de IB, IC e IE, a partir de las ecuaciones B. y C., se puede obtener la relacin

que concuerda con la deducida en el apartado 6.2.2.

6.4.3 MODELO HIBRIDO PARA PEQUENTILDE;AS SENTILDE;ALES DE ALTERNA

En este subapartado se presenta el modelo hbrido del transistor BJT, uno de los ms ampliamente utilizados para el anlisis de las pequeas seales de alterna. Para la deduccin del mismo se consideran las siguientes hiptesis: y y Transistor polarizado en RAN Oscilaciones alternas de baja amplitud y baja frecuencia

6.4.3.1 Expresiones generales

Segn se ha indicado en el apartado 6.3, el punto de operacin de un transistor bipolar viene indicado por cuatro variables elctricas. De entre las diversas opciones posibles, para la deduccin del modelo hbrido se escogen como variables independientes la corriente IB y la tensin VCE, mientras que las dependientes son VBE e IC. De este modo, las ecuaciones caractersticas del transistor vendrn dadas por dos funciones f1 y f2 tales que:

Las tensiones y corrientes de un punto de polarizacin concreto vendrn dadas por las expresiones anteriores:

Supongamos que sobre este punto de operacin Q se aade una componente alterna, caracterizada por un IB y por un VCE. Para calcular el VBE y el IC pueden sustituirse las funciones f1 y f2 en las cercanas del punto Q por las tangentes respectivas en dicho punto. Como se trata de funciones de dos variables independientes, las expresiones sern las siguientes:

A partir de este momento, para simplificar la notacin se escribirn con letra minscula los incrementos de las variables. La expresin anterior admite una representacin matricial:

en donde los coeficientes hij se llaman parmetros hbridos, puesto que tienen diferentes unidades entre s.

y y y y

hie : Impedancia de entrada () hre: Ganancia inversa de tensin hfe : Ganancia directa de corriente, o ganancia dinmica -1 hoe : Admitancia de salida ( )

6.4.3.2 Clculo de los parmetros hbridos

Para el clculo de los parmetros hij se van a emplear las expresiones resultantes del modelo de Ebers-Moll para la RAN.

y y

Funcin f1 => Funcin f2 =>

Tal y como puede observarse, los coeficientes hre y hoe son nulos segn estos clculos. Este resultado refleja las limitaciones del modelo de Ebers-Moll propuesto, ya que en realidad hre 5 x 10-5 y hoe 6 x 10-6 -1. Sin embargo, su valor es tan pequeo que en muchos casos son aceptables las expresiones obtenidas anteriormente. 6.4.3.3 Representacin grfica El modelo hbrido , con las simplificaciones mostradas en el subapartado anterior, admite la siguiente representacin grfica:

Figura 6.22: Modelo hbrido para pequeas seales de alterna

6.5 EJEMPLO DE APLICACION: EL AMPLIFICADOR DE SENTILDE;ALES ALTERNAS

El mundo est lleno de pequeas seales que necesitan amplificarse para procesar la informacin que contienen. Por ejemplo: una guitarra elctrica. El movimiento de una cuerda metlica en el interior de un campo magntico (creado por los captadores o pastillas) provoca una pequea variacin de tensin entre dos terminales de una bobina. Para que esa dbil seal pueda llegar a los odos de todo un auditorio, es evidente que se necesita una amplificacin. La seal producida por la pastilla de la guitarra viaja por un par de terminales hasta el amplificador. Aqu se produce la transformacin de la pequea seal, que es capaz ahora de excitar la membrana de un altavoz con la potencia que se desee. Para que se pueda or lo que se toca realmente, la amplificacin debe cumplir ciertas condiciones:

1. 2.

Debe respetar la forma de onda de la tensin de entrada. Si no lo hace as, se produce una distorsin, una prdida de la informacin que aporta. La energa absorbida de la fuente que emite la onda que se desea amplificar ha de ser mnima. El circuito amplificador necesita una fuente de alimentacin propia.

6.5.1 EL TRANSISTOR BIPOLAR

El esquema ms sencillo de amplificador de seales es el propio transistor bipolar.

Figura 6.23: Circuito con un transistor bipolar.

Si el transistor se encuentra en la RAN, hay una relacin lineal entre

Como es reflejo de la entrada e lo es de la salida, este esquema proporciona una ganancia en corriente. Sin embargo presenta dos limitaciones muy importantes:

1. 2.

Slo amplifica la parte positiva de la seal: Cuando corte, con lo que .

es menor que 0,7 V Q pasa al estado de

Requiere seales de tensin grandes, por lo menos mayores que 0,7 V, ya que la seal de entrada ha de polarizar en directa la unin BE y llevar el transistor a la RAN.

Con este dispositivo slo se puede trabajar con seales positivas mayores de 0,7 V. Por lo tanto no es capaz de amplificar seales de alterna. La figura siguiente representa aproximadamente la respuesta que se obtendra al tratar seales de alterna:

Figura 6.24: Corrientes en el circuito de la Figura 6.23.

6.5.2 POLARIZACION DE QUOT;QQUOT; A TRAVES DE LA BASE

Figura 6.25: Transistor polarizado a travs de la base. Este esquema presenta la novedad de la resistencia RB. Gracias a ella, la base se polariza mediante la fuente de alimentacin EC y no mediante y y . La corriente que llega a la base proviene de dos fuentes:

: Es la seal que queremos amplificar, por lo tanto, ser variable en el tiempo. : Esta corriente es la suministrada por EC, que es una fuente de continua, para la polarizacin del transistor.

La intensidad de colector ser, si Q est en la RAN:

Finalmente, puede calcularse la tensin de salida

La siguiente figura ayuda a comprender mejor estos conceptos.

Figura 6.26: Tensiones y corrientes en el circuito de la Figura 6.25. La onda de salida es, efectivamente, proporcional a la entrada, pero est desplazada en el eje de las "Y", es decir, tiene una componente de continua que ha sido introducida por la fuente de polarizacin del transistor. LOGROS DEL ESQUEMA:

1. 2. 3.

El transistor es tambin capaz de amplificar la parte negativa de la seal. La tensin de entrada puede ser pequea, ya que ahora el transistor se polariza a travs de una fuente de alimentacin ajena a la entrada. En la salida se dispone de una seal de tensin, gracias a RC, que cumple dos misiones:

o o

Transforma en una tensin . Junto con RB lleva el transistor a la RAN.

INCONVENIENTES:

1. 2.

Al conectar directamente el generador de seal a la entrada, IB ira a tierra a travs de l. Esto podra daar el generador (en el ejemplo de la introduccin, las pastillas o captadores de la guitarra elctrica) Al conectar directamente la salida a la carga (altavoz), IC ira a tierra a travs de ella, dandola.

Los inconvenientes de este esquema estn introducidos por la corriente continua de polarizacin. Estas corrientes deben quedar limitadas al interior del dispositivo amplificador.

6.5.3 EL CONDENSADOR DE ACOPLAMIENTO

El condensador es un componente que se comporta como un circuito abierto para la corriente continua. Por medio de l, se asla tanto la entrada como la salida de las componentes de continua. Si elegimos correctamente el valor de la capacidad de acuerdo con la frecuencia a la que se espera que trabaje el dispositivo, se logra adems que estos condensadores se comporten como un cortocircuito para las seales de alterna que se quieren amplificar. En cualquier caso, la respuesta frecuencial del amplificador queda limitada por los valores de C1 y C2.

Figura 6.27: Esquema amplificador con condensadores de acoplamiento. Una vez visto el esquema bsico de un amplificador, se enuncian los parmetros ms importantes de ste:

y y y y

: Seal de entrada (pequea seal AC). : Corriente de entrada, que se absorbe del generador de seal de entrada (AC). : Seal de salida (AC). , : Corrientes de polarizacin del transistor (DC).

y y y y

: Resistencias de polarizacin.

: Carga sobre la que se aplica la tensin de salida. : Asla la entrada del circuito de la polarizacin en continua. : Asla la salida del circuito de la polarizacin continua.

6.5.4 GANANCIA Y RESISTENCIA DE ENTRADA DE UN AMPLIFICADOR

El esquema presentado es slo una de las posibles soluciones vlidas para la amplificacin de seales. Para comparar las caractersticas de todos ellos, se definen dos parmetros de AC: la ganancia en tensin y la resistencia de entrada:

Ganancia en tensin:
Es el cociente entre la seal de salida y la aplicada al dispositivo. Normalmente, la ganancia depende de la carga que se conecte ( ).

Ntese que en este parmetro se relacionan las amplitudes de las seales alternas entrada y de salida y no los valores instantneos. Se da por supuesto que el circuito va a mantener en gran medida la similitud de las formas de onda, y de lo que se trata es de cuantificar la magnitud de la amplificacin. (El grado de distorsin de la seal de salida con respecto a la de entrada se valora mediante otros parmetros).

Resistencia de entrada:
La resistencia de entrada da una idea de la cantidad de corriente que absorbe la fuente de seal que se desea amplificar (no hay que confundir la con la fuente de alimentacin del amplificador). Dado que interesa absorber poca energa de la fuente, el amplificador ser tanto mejor cuanto mayor sea su resistencia de entrada.

Puesto que la seal de entrada es alterna, estamos de nuevo ante un parmetro que relaciona las amplitudes de las oscilaciones de las magnitudes elctricas implicadas

6.5.5 METODO DE CALCULO

Cuando todos los componentes de un circuito responden a ecuaciones lineales, se puede aplicar el principio de superposicin. En este caso, los transistores no son componentes lineales. Sin embargo, teniendo en cuenta que las seales aplicadas son de baja amplitud, el transistor opera soportando pequeas oscilaciones

con respecto a unas magnitudes continuas, luego s que es posible aplicar la superposicinteniendo en cuenta el punto de operacin:

1. 2. 3.

Clculo del punto de operacin DC: Se sustituyen los condensadores por circuito abierto. A continuacin se introduce el modelo DC del transistor en RAN y se calculan los valores de las corrientes y tensiones de polarizacin. Determinacin del modelo AC del transistor: Ha de emplearse el modelo de pequeas seales, particularizando para en los resultados del punto 1. Estudio del circuito en AC. En este estudio las componentes de continua no afectan a la relacin de las amplitudes de las ondas AC. Por consiguiente pueden cortocircuitarse las fuentes de tensin continua. Si el diseo del circuito es correcto, los condensadores pasan a comportarse como cortocircuitos.

6.5.6 EJEMPLO DE CALCULO

A continuacin se aplica este procedimiento al clculo de funcionamiento en vaco. y en el ltimo esquema presentado, en su

1) Punto de operacin DC

Figura 6.28: Esquema equivalente DC del circuito Figura 6.27. Segn el circuito equivalente DC:

2) Parmetros del modelo equivalente AC

Los parmetros del modelo AC son la resistencia de entrada y la ganancia dinmica de corriente Ambos han sido definidos en el subapartado 6.4.3.2 de este captulo.

3) Estudio AC
La figura 6.24 muestra el esquema equivalente del circuito para las seales de alterna.

Figura 6.29: Circuito equivalente AC La resistencia RB est conectada por un terminal a la fuente de seales y a la base, y por el otro a la fuente de alimentacin EC. Idealmente, esta fuente no ofrece ningn obstculo para las seales de alterna (si su resistencia interna es nula), se comporta como un cortocircuito que conecta RB con tierra. En el lado derecho del esquema, RC se une por una parte con el colector del transistor, y por la otra con tierra a travs de la fuente de alimentacin. Es de vital importancia que se tenga en cuenta que en este esquema slo se relacionan las amplitudes de las ondas, y no sus valores instantneos. Los valores de rIN y AV pueden obtenerse a partir del esquema de la figura 6.24.

Como

Ntese que para el clculo de los parmetros rIN y AV no es necesario definir el valor de vIN, ya que en ambos casos se calcular variaciones de una magnitud con respecto a esa tensin de entrada.

6.5.7 ETAPAS DE AMPLIFICACION ESTABILIZADAS

El esquema de la Figura 6.27 presenta un claro problema de inestabilidad: La tensin de la base depende directamente de la corriente de base. Cualquier pequea variacin debido a la influencia de la temperatura sobre la resistencia RB modificar el punto de operacin, y con l la ganancia. El esquema de la Figura 6.30 incluye dos mejoras con respecto al anterior: y y Polarizacin de la base a travs de un divisor de tensin. Estabilizacin mediante resistencia de emisor.

Figura 6.30: Circuito amplificador estabilizado. Las funciones de estos subcircuitos son:

Divisor de tensiones: Mediante una correcta seleccin de las resistencias

puede

conseguirse que la corriente sea muy superior a . Entonces, la tensin de la base quedar fijada nicamente por el valor de las resistencias del divisor. y Resistencia de emisor ( ): Un aumento de la corriente de colector provocar una elevacin de la tensin de emisor. Con ello, como la tensin de base es fija, la tensin base emisor disminuir, la corriente de base tambin y finalmente, la corriente de colector volver a su valor de diseo. El condensador se encarga de cortocircuitar esta resistencia en alterna.

6.1

Un transistor est polarizado en RAN como se indica en la figura. Tiene una corriente de base de 8 QA y una corriente en el colector de 1.2 mA. Cul es valor de la corriente en el emisor?. Cul es la ganancia (F) del transistor?. 6.2 Un transistor se conecta como se muestra en la figura del problema anterior. La corriente del emisor es de 2.42 mA y la del colector es de 2.4 mA. Cunto vale la corriente en la base?. Y el valor de F? 6.3 Un transistor est conectado como se indica en la figura del problema 6.1. Tiene una corriente de base de 16 QA y una ganancia de 80. Cunto vale la corriente en el colector?. Y en el emisor? 6.4 En el circuito de la figura F =80, IB = 10 QA, R1 = 50 K;, R2 = 6 K; y V2=10V. y y Qu valor tomarn los medidores IE, IC y VCE, si se admite la hiptesis de que el transistor est polarizado en la RAN?. A la vista de los resultados del apartado 1, comprobar la validez de la hiptesis.

6.5 Si la corriente de base es 30 A y la corriente de emisor es 4mA, Cul es el valor de ? 6.6 Encontrar la tensin en el colector cuando el transistor de la figura del problema 6.8 se encuentra en saturacin. 6.7 Encontrar la tensin del colector del transistor de la figura del problema 6.8 cuando se encuentra en corte. 6.8 Si la F del transistor de la figura es 50, Qu tensin es necesaria a la entrada para saturar el transistor?

6.9 Si la tensin de mnima en la entrada es de 3.7 V, Cul es el valor lmite de la resistencia R1 de la figura del problema 6.8 antes de entrar en saturacin para un valor de F de 50? 6.10 Cuando la entrada en la figura del problema 6.8 es de 5V, Qu F se requiere para saturar el transistor? 6.11 En el circuito de la figura del problema 6.8 suponer que la corriente del colector es de 4 mA cuando la corriente de entrada es de 0.5 mA. En estas condiciones, Cul ser la corriente del emisor? 6.12 En el circuito de la figura del problema 6.8 suponer que la corriente del colector es de 4 mA cuando la corriente de entrada es de 0.5mA. Si la corriente de entrada se aumenta a 1.0 mA, Qu le suceder a la corriente del colector? 6.13 Considerando el circuito y el grfico de la figura: y y Calcular y dibujar la lnea de carga del circuito entre C y E. Localizar el punto de operacin Q en la grfica cuando IC = 1,25 mA.

y y

Determinar la tensin de VCE en el punto Q. Calcular el valor de IB en el punto Q.

6.14 Sabiendo que VCC =12 V y dada la grfica de la figura, calcular el valor de RC y RB necesario para que el transistor dado en la figura opere en el punto Q dado.

6.15 Calcular las tensiones y corrientes de polarizacin en DC para el circuito de la figura ( = 80).

6.16 Que resistencia RB se requiere para que el transistor opere en el punto medio de la recta de carga si ECC es 20 V, RC es 5 K; y F es 125? 6.17 En el circuito amplificador de la figura: y Calcular el punto de operacin DC del transistor.

y y

Determinar el modelo AC para pequeas seales Calcular la ganancia y la resistencia de entrada del dispositivo

6.18 En el circuito de la figura: y y y y Hallar el punto de operacin DC del transistor. Determinar el modelo AC de pequeas seales equivalente para ese punto de operacin Hallar el valor de la impedancia de entrada y la ganancia en tensin. Tensin de salida del circuito si la entrada es una onda sinusoidal de 20 mV de tensin entre pico y pico.

6.19 En el esquema amplificador de la figura: y y Calcular RB y RC para que VCEQ = 5 V, e ICQ = 1 mA. Determinar y dibujar el circuito equivalente para las seales de alterna.

6.20 Se tiene un amplificador como el de la figura, con un potencimetro en la entrada que puede variar entre 0 y 1 K; y y Ganancia cuando RP = 0 K; Ganancia cuando RP = 1 K;

6.21 Para el amplificador de la figura calcular: y y y Punto de operacin DC Circuito equivalente AC Ganancia y resistencia de entrada

1.
6.22 En el circuito de la figura calcular: y y y La ganancia de tensin. La resistencia de entrada que opone al generador de seal. Las tensiones y corrientes de polarizacin.

6.23 Para el circuito de la figura: y y y Encontrar la tensin en el colector cuando el transistor se encuentra en saturacin. Encontrar la tensin del colector del transistor cuando se encuentra en corte. Calcular la potencia consumida por el transistor en ambos casos.

6.24 Qu resistencia Rb se requiere para que el transistor opere en el punto medio de la recta si Ecc es 20V, Rc es 4K y es 100? 6.25 Para el circuito de la figura, determinar: y y y y Las tensiones y las corrientes de polarizacin del transistor. Representar en la grfica Ic/Vce la recta de carga y el punto de operacin Q. Calcular la resistencia de entrada. Si manteniendo constantes los restantes valores dados en la figura, variamos Rb, para qu valores de Rb el transistor se encontrara en saturacin?. Para esos valores de Rb, determinar Vce, Vbe, Ic.

6.26 El transistor de la figura esta en configuracin de colector comn, tambin llamada seguidor de tensin y adaptador de impedancias. En este sencillo circuito se pide: y y y y y 1.- Hallar la relacin entre Vin y Vout (Vout=f(Vin)) 2.- Particularizar la expresin del apartado anterior para Vin1=0.3V y Vin2=4V. Calcular las intensidades de base para ambos casos. 3.- Calcular la resistencia de entrada Rin (Rin=Vin/Iin) entre la puerta de entrada y tierra. 4.- Calcular la resistencia de salida Rout entre la puerta de salida y tierra. 5.- Cual crees que es la tensin mxima que se puede aplicar a la base del circuito de manera que el circuito siga comportndose como un seguidor?Por qu?

6.27 El esquema de la figura representa un circuito seguidor de tensin para pequeas seales. Se pide calcular: y El circuito equivalente en DC.

y y y

El punto de operacin del transistor (VCEQ,ICQ). El circuito equivalente en AC con sus parmetros. Ganancia de tensin y resistencia de entrada.

6.28 En el sistema electrnico de la figura se pide el valor de VIN para que Q1 se sature suponiendo que Q2 no se satura.

Datos: Vcc=15V; Vee=-15V; Rc=10K;; Re=1K;; VBE1(on)= VBE2(on)= 0.7V; F1=F2=100 6.29 El LED de la figura tiene una tensin de conduccin en directa Vf=1.5V y requiere al menos de 1mA de corriente para conseguir un nivel apropiado de iluminacin. El LED puede disipar como mximo 15mW. El valor de VCC es de 5V y el valor de la entrada Vin es producida por una fuente digital con una tensin de salida de 5V. Calcular: y y La mxima corriente admisible en el diodo. Los valores mximos y mnimos de las resistencias RB y RC para que el diodo LED ilumine correctamente.