El transistor

El transistor de unin Concentracin de portadores Polarizacin en forma activa Tensiones y corrientes en el transistor Movimiento de cargas en el transistor El transistor como amplificador Configuraciones del transistor El transistor como conmutador

Introduccin

En 1949, Walter Houser Brattain, John Bardeen y William Bradford Shockley, cientficos de la Bell Telephone Laboratories, iniciaron una revolucin en la electrnica con la invencin del transistor. En 1956 recibieron el premio Nobel de Fsica por su trabajo.

Tipos
El transistor es un dispositivo electrnico de estado slido de gran uso tanto en la electrnica analgica (amplificador) como en la digital (conmutador). Hay distintos tipos: BJT= BiJunction Transistor (Transistor de unin o bipolar) JFET=Junction Field Effect Transistor (Transistor de efecto de campo) MOSFET= Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Otros

El transistor de unin
El transistor de unin es un semiconductor en el que una capa de tipo n est entre dos capas de tipo p (p-n-p), una capa de tipo p est entre dos capas de tipo n (n-p-n).
Emisor Base Colector Emisor Base Colector

Smbolos

En los smbolos la flecha del emisor indica la direccin de la corriente cuando la unin emisor base est polarizada directamente

Concentracin de portadores

P Emisor

N Base

P Colector

Concentracin de portadores de carga

P
pp0 np0 nn0 pn0

P
p'p0 n'p0

Polarizacin en forma activa

P Emisor N Base P Colector

Concentracin de portadores de carga pp0 np0

nn0

P
p'p0 n'p0

Difusin

E N

Tensiones y corrientes en el transistor

El emisor y el colector estn fuertemente dopados (el emisor ms), mientras que la base est dbilmente dopada y es muy estrecha (<0.01mm) Se consideran tres corrientes principales: IE = corriente de emisor IB = corriente de base IC = corriente de colector IE + IB + IC = 0 (con los signos adecuados)

Emisor Base Colector

IE P VEB N IB P

IC VBC

Y tres ddp: VBE, VCB y VCE

VCE + VEB + VBC = 0

Hay 6 variables y dos ecuaciones. El estado del transistor quedar definido dando dos intensidades y dos tensiones cualesquiera.

Movimiento de cargas en el transistor

(P) Emisor

(N) Base

(P) Colector

IE

IpB InB IBB IB InC

IC

IE = IpB + InB

IB = InC - IBB -InB

IC = -IpB + IBB - InC

El transistor como amplificador

IE

P Emisor

N Base

P Colector

IC

IB

El transistor como amplificador

IE V VEB IC

N IB

A RL D

VAD =RL IC VAD = RL IC (-IC) = g m VEB

VBC gm= transconductancia VAD = RL g m V EB Factor de ganancia = VAD = RL gm VEB

Configuraciones del transistor

Al analizar el transistor hay 4 variables importantes, que dependen el tipo de conexin: Vsalida, V entrada, I salida, I entrada. E C B

Base comn Variables: VBE, VCB , IE, IC

Emisor comn Variables: VBE, VCE , IB, IC

Colector comn Variables: VCB , VCE , IB, IE

Configuraciones
E C B B base comn B C colector comn E E emisor comn C