Modelo de Modelo de Ebers Ebers- -Moll Moll para transistores de unin bipolar para transistores de unin bipolar

El transistor es un dispositivo no lineal que puede ser modelado El transistor es un dispositivo no lineal que puede ser modelado utilizando utilizando
las las caractersticas caractersticas no lineales de los diodos. El modelo de no lineales de los diodos. El modelo de Ebers Ebers- -Moll Moll es un es un
modelo de seal grande que comnmente se utiliza para modelar lo modelo de seal grande que comnmente se utiliza para modelar los BJT. Una s BJT. Una
versin del modelo se basa en suponer un diodo con polarizacin versin del modelo se basa en suponer un diodo con polarizacin directa y un directa y un
diodo con polarizacin inversa. Esta configuracin aparece en la diodo con polarizacin inversa. Esta configuracin aparece en la figura D.1 figura D.1
para un transistor para un transistor npn npn. Este modelo, conocido como versin de inyeccin del . Este modelo, conocido como versin de inyeccin del
modelo de modelo de Ebers Ebers- -Moll Moll, es vlido para las regiones activa, de saturacin y de , es vlido para las regiones activa, de saturacin y de
corte. Bajo condiciones de funcionamiento normal dentro de la re corte. Bajo condiciones de funcionamiento normal dentro de la regin activa, gin activa,
una unin del BJT tiene polarizacin directa, y la otra, inversa una unin del BJT tiene polarizacin directa, y la otra, inversa. .
FIGURA D.1 Versin de inyeccin del modelo de FIGURA D.1 Versin de inyeccin del modelo de Ebers Ebers- -Moll Moll para un transistor para un transistor npn npn

R
I
R

F
I
F
+B+
(a) (a) Versin de inyeccin del modelo Versin de inyeccin del modelo
(b) (b) Versin de inyeccin aproximada del Versin de inyeccin aproximada del
modelo modelo
Los diodos emisor Los diodos emisor- -base y colector base y colector- -base pueden ser descritos utilizando la base pueden ser descritos utilizando la
caracterstica del diodo caracterstica del diodo Shockley Shockley de la ecuacin (2.1): de la ecuacin (2.1):
|
|
.
|

\
|
= 1 exp
T
BE
ES F
V
V
I I
|
|
.
|

\
|
= 1 exp
T
BC
CS R
V
V
I I
(D.1)
(D.2)
Donde
VT = kT/q = 25.8 mV a 25C
IES = Corriente de saturacin inversa base-emisor del diodo
ICS = Corriente de saturacin inversa base-colector del diodo
Tanto I Tanto IES ES como I como ICS CS dependen de la temperatura. Si V dependen de la temperatura. Si VBE BE > 0, el diodo D > 0, el diodo DF F tiene tiene
polarizacin directa y su corriente I polarizacin directa y su corriente IF F genera una corriente correspondiente genera una corriente correspondiente F FI IF F. Si . Si
V VBC BC 0, el diodo D 0, el diodo DR R tiene polarizacin inversa. tiene polarizacin inversa.
A fin de designar, respectivamente, las condiciones directa e in A fin de designar, respectivamente, las condiciones directa e inversa, se utilizarn versa, se utilizarn
los subndices F y R. Aplicando en las terminales del colector los subndices F y R. Aplicando en las terminales del colector y el emisor la LKC, y el emisor la LKC,
la corriente del emisor I la corriente del emisor IE E es es
R R F E
I I I + =
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
= 1 exp 1 exp
T
BC
CS R
T
BE
ES
V
V
I
V
V
I (D.3)
y la corriente de colector y la corriente de colector Ic Ic es es:
R F F C
I I I =
Si V Si VBE BE = 0, = 0, R RI ICS CS = Is representa la corriente de fuga de saturacin inversa = Is representa la corriente de fuga de saturacin inversa
del diodo D del diodo DR R. De manera similar, si V . De manera similar, si VBC BC = 0, = 0, F FI IES ES = I = Is s representa la corriente representa la corriente
de fuga de saturacin inversa del diodo D de fuga de saturacin inversa del diodo DF F. Si se supone que los diodos son . Si se supone que los diodos son
ideales, las corrientes de fuga de saturacin directa e inversa ideales, las corrientes de fuga de saturacin directa e inversa estarn estarn
relacionadas mediante relacionadas mediante
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
= 1 exp 1 exp
T
BC
CS
T
BE
ES F
V
V
I
V
V
I
(D.4)
S ES F SC R
I I I = =
donde donde Is Is se conoce como se conoce como corriente de saturacin del transistor. corriente de saturacin del transistor. La corriente de La corriente de
colector a base, con el emisor a circuito abierto se puede obten colector a base, con el emisor a circuito abierto se puede obtener suponiendo que er suponiendo que
Ic Ic = I = ICBO CBO Y I Y IE E = 0. = 0.
Ya que es normal que la unin colector Ya que es normal que la unin colector- -base est polarizada a la inversa, base est polarizada a la inversa,
V VBC BC<0 y V <0 y VBC BC V VT T, exp (V , exp (VBC BC/V /VT T) 1. Bajo estas condiciones, en las ) 1. Bajo estas condiciones, en las
ecuaciones (D.3) y (D.4) se obtiene ecuaciones (D.3) y (D.4) se obtiene
CS R
T
BE
ES
I
V
V
I
|
|
.
|

\
|
= 1 exp 0
CS
T
BE
ES F CBO
I
V
V
I I +
|
|
.
|

\
|
= 1 exp
Al despejar I Al despejar ICBO CBO en estas dos ecuaciones, se tiene en estas dos ecuaciones, se tiene
(D.6) (D.6)
La corriente de emisor a base, con el colector a circuito abiert La corriente de emisor a base, con el colector a circuito abierto, puede o, puede
obtenerse suponiendo que I obtenerse suponiendo que IE E = I = IEBO EBO y que I y que IC C = 0. Puesto que la unin del = 0. Puesto que la unin del
emisor est polarizada a la inversa. emisor est polarizada a la inversa.
( )
S F CS CS R F CS CS R F CBO
I I I I I I = = + = 1
La corriente de emisor a base, con el colector a circuito abiert La corriente de emisor a base, con el colector a circuito abierto, puede o, puede
obtenerse suponiendo que I obtenerse suponiendo que IE E = I = IEBO EBO y que I y que IC C = 0. Puesto que la unin del = 0. Puesto que la unin del
emisor est polarizada a la inversa, V emisor est polarizada a la inversa, VBE BE < 0 (esto es, V < 0 (esto es, VEB EB > 0) y V > 0) y VBE BE V VT T, ,
exp (V exp (VBE BE/V /VT T) 1. Las ecuaciones (D.3) y (D.4) dan ) 1. Las ecuaciones (D.3) y (D.4) dan
|
|
.
|

\
|
+ = 1 exp
T
BC
CS R ES EBO
V
V
I I I
|
|
.
|

\
|
+ = 1 exp 0
T
BC
CS ES F
V
V
I I
Al despejar I Al despejar IEBO EBO de estas dos ecuaciones, se obtiene de estas dos ecuaciones, se obtiene
( )
ES F R ES F R ES EBO
I I I I = = 1 (D.7)
De acuerdo con las ecuaciones (D.5), (D.6) y (D.7), De acuerdo con las ecuaciones (D.5), (D.6) y (D.7),
( ) ( )
CBO R F R CS R F F R ES EBO F
I I I I = = = 1 1
(D.8)
En vista de que el diodo D En vista de que el diodo DF F est est con polarizaci con polarizaci n directa y D n directa y DR R lo est lo est a la inversa. a la inversa.
V VEB EB < V < VBC BC. Por tanto, I . Por tanto, IEBO EBO es menor que I es menor que ICBO CBO, y , y

F F es mayor que es mayor que

R R. En la regi . En la regi n n
activa, el diodo D activa, el diodo DR R est est polarizado a la inversa, e I polarizado a la inversa, e IR R 0. Esto es, 0. Esto es,
I IE E = = - -I IF F e I e IC C = =

F FI IF F = = - -

F FI IE E. Por tanto, la figura D.1 (a) se puede aproximar con la . Por tanto, la figura D.1 (a) se puede aproximar con la
figura .1(b). figura .1(b).
El modelo del circuito de la figura D.1 (a) relaciona las fuente El modelo del circuito de la figura D.1 (a) relaciona las fuentes dependientes s dependientes
con las corrientes del diodo. En el an con las corrientes del diodo. En el an lisis de circuito resulta conveniente lisis de circuito resulta conveniente
expresar la fuente de corriente en una forma que resulte control expresar la fuente de corriente en una forma que resulte controlada por las ada por las
corrientes en las terminales. Eliminando corrientes en las terminales. Eliminando exp exp (V (VBE BE/V /VT T) ) - - 1 de las ecuaciones (D.3) 1 de las ecuaciones (D.3)
y despu y despu s utilizando la ecuaci s utilizando la ecuaci n (D.6) se obtiene n (D.6) se obtiene
De manera similar, eliminando De manera similar, eliminando exp exp (V (VBC BC/V /VT T) ) - -1 de las ecuaciones (D.3) y 1 de las ecuaciones (D.3) y
(D.4) y luego utilizando la ecuaci (D.4) y luego utilizando la ecuaci n (D.7), n (D.7),
( )
|
|
.
|

\
|
= 1 exp 1
T
BC
CS R F E F C
V
V
I I I
|
|
.
|

\
|
= 1 exp
T
BC
CBO E F
V
V
I I
(D.9)
( )
|
|
.
|

\
|
= 1 exp 1
T
BE
ES F R C R E
V
V
I I I
|
|
.
|

\
|
= 1 exp
T
BE
EBO C R
V
V
I I
(D.10)
El modelo del circuito que corresponde a las ecuaciones (D.9) y El modelo del circuito que corresponde a las ecuaciones (D.9) y (D. 10) (D. 10)
aparece en la figura D.2(a). Las fuentes de corriente est aparece en la figura D.2(a). Las fuentes de corriente est n controladas por la n controladas por la
corriente del colector I corriente del colector IC C y por la corriente del emisor I y por la corriente del emisor IE E. Este modelo, conocido . Este modelo, conocido
como la versi como la versi n de transporte del modelo de n de transporte del modelo de Ebers Ebers- -Moll Moll, normalmente se , normalmente se
utiliza en simulaciones por computadora con utiliza en simulaciones por computadora con PSpice PSpice/SPICE. De hecho, los /SPICE. De hecho, los
modelos lineales de la figura 5.6 son las versiones aproximadas modelos lineales de la figura 5.6 son las versiones aproximadas del modelo de del modelo de
Ebers Ebers- -Moll Moll de la figura D.2(a). de la figura D.2(a).
Suponiendo que V Suponiendo que VBC BC 0 e I 0 e IR R 0, I 0, IC C = = - - F FI IE E, y la figura D.2(a) se puede , y la figura D.2(a) se puede
aproximar utilizando la figura D.2(b). Si se sustituye I aproximar utilizando la figura D.2(b). Si se sustituye IC C = = - - F FI IE E, la ecuaci , la ecuaci n n
(D.10) se transforma en: (D.10) se transforma en:
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
= 1 exp
T
BE
EBO F
V
V
I I

R R
I I
C C

F F
I I
E E
+B+

R R
I I
C C

F F
I I
E E
+B+
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
= 1 exp
T
BC
CBO R
V
V
I I
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
= 1 exp
T
BE
EBO F
V
V
I I
que relaciona a IE con que relaciona a IE con R R, ,

F F y V y VBE BE mediante mediante

|
|
.
|

\
|
= 1 exp
T
BE
EBO E F R E
V
V
I I I
I IES ES e I e ICS CS tambi tambi n se conocen como corrientes de saturaci n se conocen como corrientes de saturaci n en cortocircuito, en n en cortocircuito, en
tanto que I tanto que ICBO CBO e I e IEBO EBO se conocen como corrientes de saturaci se conocen como corrientes de saturaci n a circuito abierto. n a circuito abierto.
Obs Obs rvese que las versiones de transporte y de inyecci rvese que las versiones de transporte y de inyecci n del modelo de n del modelo de Ebers Ebers- -
Moll Moll son intercambiables. Una vez que se conocen los par son intercambiables. Una vez que se conocen los par metros de una versi metros de una versi n n
es posible determinar los par es posible determinar los par metros de la otra. metros de la otra.
(D.11)
F R
T
BE
EBO
E
V
V
I
I
+

|
|
.
|

\
|

=
1
) 1 (exp
EJEMPLO D.1 EJEMPLO D.1
C C lculo de las corrientes para el modelo de lculo de las corrientes para el modelo de Ebers Ebers- -Moll Moll de un transistor de un transistor
npn npn. . Un transistor Un transistor npn npn est est polarizado de forma que V polarizado de forma que VBE BE = 0.3V y V = 0.3V y VCE CE = 6V. Si = 6V. Si
F F = 0.99, = 0.99, R R = 0.90 e I = 0.90 e ICBO CBO = 5nA, calcular todas las corrientes para la versi = 5nA, calcular todas las corrientes para la versi n n
de inyecci de inyecci n del modelo de Ebers n del modelo de Ebers- -Moll de la figura D. 1 (a). Suponer un voltaje Moll de la figura D. 1 (a). Suponer un voltaje
t t rmico V rmico VT T = 25.8 mV. = 25.8 mV.
V VT T = 25.8 = 25.8 mV mV = 0.0258 V. Puesto que V = 0.0258 V. Puesto que VBE BE es positivo, la uni es positivo, la uni n base n base- -emisor emisor
est est polarizada directamente. El voltaje en la uni polarizada directamente. El voltaje en la uni n colector n colector- -base es base es
V VCB CB = V = VCE CE + V + VEB EB = V = VCE CE - - V VBE BE = 6 = 6 - - 0.3 = 5.7 V 0.3 = 5.7 V
o V o VBC BC = = - -5.7V 5.7V
Como V Como VCB CB es positivo, la uni es positivo, la uni n colector n colector- -base est base est polarizada polarizada
inversamente, y el transistor funciona en la regi inversamente, y el transistor funciona en la regi n activa. De acuerdo con n activa. De acuerdo con
la ecuaci la ecuaci n (D.8), n (D.8),
I IEBO EBO = = R RI ICEO CEO/ / F F = 0.9 x 5 nA/0.99 = 4.545 nA = 0.9 x 5 nA/0.99 = 4.545 nA
De la ecuaci De la ecuaci n (D.6), n (D.6),
I ICS CS = I = ICBO CBO/(1 /(1 R R F F) = 5 nA/(1 ) = 5 nA/(1 - - 0.9 x 0.99) = 45.87 nA 0.9 x 0.99) = 45.87 nA
Con la ecuaci Con la ecuaci n (D.7), n (D.7),
I IES ES = I = IEBO EBO/(1 /(1 R R F F) = 4.545 nA/(1 ) = 4.545 nA/(1 - - 0.9 X 0.99) = 41.697 nA 0.9 X 0.99) = 41.697 nA
De acuerdo con la ecuaci De acuerdo con la ecuaci n (D.1), la corriente de polarizaci n (D.1), la corriente de polarizaci n directa del diodo n directa del diodo
es es
mA x x I
F
678 . 4 1
0258 . 0
3 . 0
exp 10 697 . 41
9

|
.
|

\
|
=

De la ecuaci De la ecuaci n (D.2), la corriente de polarizaci n (D.2), la corriente de polarizaci n inversa del diodo es n inversa del diodo es
nA x x I
R
87 . 45 1
0258 . 0
7 . 5
exp 10 87 . 45
9

|
.
|

\
|

=

Y RIR - 0.9 x 45.87 nA = -41.28 nA
FIF - 0.99 x 4.678 mA = 4.63 mA
IE = -IF + RIR = -4.678 X 10-3 - 41.28 x 10-6 -4.719 mA
IC = FIF - IR = 4.63 x 10-3 + 45.87 x 10-9 4.63 mA
IB = -(IE + IC) = -(-4.719 x 10-3 + 4.63 x 10-3) = 89 A
EJEMPLO D.2 EJEMPLO D.2
C C lculo de las corrientes para el modelo de lculo de las corrientes para el modelo de Ebers Ebers- -Moll Moll de un de un
transistor transistor pnp pnp. . Los par Los par metros del modelo de transistor metros del modelo de transistor pnp pnp de la figura 5.2(b) de la figura 5.2(b)
son: son:

R R= 0.9, = 0.9,

F F = 0.99, = 0.99,
I IES ES I ICS CS = 45 nA, V = 45 nA, VEB EB = 0.4 V y V = 0.4 V y VCB CB = 0.3 V. Calcular (a) las corrientes para la = 0.3 V. Calcular (a) las corrientes para la
versi versi n de inyecci n de inyecci n modelo de Ebers n modelo de Ebers- -- -Moll de la figura D.1(a) y (b) Moll de la figura D.1(a) y (b)
F F = = Forzada Forzada. Suponer un voltaje t . Suponer un voltaje t rmico V rmico VT T = 25.8 mV. = 25.8 mV.
SOLUCION SOLUCION
Para V Para VEB EB = 0.4 V y V = 0.4 V y VCB CB = 0.3 V, las uniones colector = 0.3 V, las uniones colector- -base y emisor base y emisor- -base est base est n n
con polarizaci con polarizaci n directa. Por tanto, el transistor est n directa. Por tanto, el transistor est operando en la regi operando en la regi n de n de
saturaci saturaci n. n.
(a) (a) Para un transistor Para un transistor pnp pnp, todas las polaridades de los voltajes y las direcciones , todas las polaridades de los voltajes y las direcciones
de las corrientes estar de las corrientes estar n invertidas; por tanto, las ecuaciones (D.3) y (D.4) se n invertidas; por tanto, las ecuaciones (D.3) y (D.4) se
transforman en transforman en
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
= 1 exp 1 exp
T
CB
CS R
T
EB
ES E
V
V
I
V
V
I I
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|
=

1
8 . 25
3 . 0
exp 10 45 9 . 0 1
8 . 25
4 . 0
exp 10 45
9 9
m
X x
m
x I
E
= 243.48 = 243.48 mA mA 4.54 mA = 238.94mA 4.54 mA = 238.94mA
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
= 1 exp 1 exp
T
CB
CS
T
EB
ES F C
V
V
I
V
V
I I
|
.
|

\
|
+
|
.
|

\
|
=

1
8 . 25
3 . 0
exp 10 45 1
8 . 25
4 . 0
exp 10 45 99 . 0
9 9
m
X
m
x x I
C
= = - -241.04 241.04 mA mA + 5.05 + 5.05 mA mA = = - -235.99 235.99 mA mA
= = - -241.04 241.04 mA mA + 5.05 + 5.05 mA mA = = - -235.99 235.99 mA mA
Por consiguiente, I Por consiguiente, I
B B
= = - -(I (I
E E
+ I + I
C C
) = ) = - -(238.94 (238.94 - - 235.99) = 235.99) = - -2.95 2.95 mA mA. .
(b) Dado que el transistor est (b) Dado que el transistor est funcionando en la regi funcionando en la regi n de saturaci n de saturaci n, el valor n, el valor
de la ganancia en corriente directa se hace menor que la corresp de la ganancia en corriente directa se hace menor que la correspondiente a la ondiente a la
regi regi n activa. La ganancia en corriente directa se conoce como n activa. La ganancia en corriente directa se conoce como ganancia en ganancia en
corriente forzada corriente forzada
forzada forzada
: :

forzada forzada
= I = I
C C
/I /I
B B
= 235.99 mA/2.95 mA = 80 = 235.99 mA/2.95 mA = 80
EJEMPLO D.3 EJEMPLO D.3
Clculo del voltaje de saturacin colector Clculo del voltaje de saturacin colector- -emisor de un BJT Un transistor emisor de un BJT Un transistor
npn npn est funcionando en la regin de saturacin, y sus parmetros s est funcionando en la regin de saturacin, y sus parmetros son: on:

R R = =
0.9, 0.9,

F F = 0.989 y V = 0.989 y VT T = 25.8 mV. Calcular el voltaje de saturacin colector = 25.8 mV. Calcular el voltaje de saturacin colector- -
emisor VCE(sat). emisor VCE(sat).
SOLUCIN SOLUCIN
De la ecuacin (5.3) De la ecuacin (5.3)
F F = = F F /(1 /(1 - - F F) = 0.989/(1 ) = 0.989/(1 - - 0.989) = 89.91 0.989) = 89.91
Se sabe que Se sabe que
V VBC BC =V =VBE BE + V + VEC EC = V = VBE BE - - V VCE CE
En la regin de saturacin, V En la regin de saturacin, VBE BE > 0 Y V > 0 Y VBC BC > 0. Esto es, > 0. Esto es,
exp exp (V (VBE/ BE/V VT T) 1 ) 1 y y exp exp (V (VBC BC/V /VT T) 1 ) 1
T BC T BE
V V
ES F
V V
ES E
e I e I I + =
( )
T CE BE T BE
V V V
ES F
V V
ES
e I e I

+
| |
T CE T BE
V V
F
V V
ES
e e I

1
Pero I Pero I
E E
+ I + I
C C
+ I + I
B B
= 0, as = 0, as que que - -I I
E E
= (I = (I
C C
+ I + I
B B
). Esto es, ). Esto es,
| |
T CE T BE
V V
F
V V
ES B C
e e I I I

= + 1
De manera similar. utilizando las ecuaciones (D.4) y (D.5), se o De manera similar. utilizando las ecuaciones (D.4) y (D.5), se obtiene btiene
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
= 1 exp 1 exp
T
CB
CS
T
EB
ES F C
V
V
I
V
V
I I
Utilizando las ecuaciones (D.3) y (D.5), se obtiene Utilizando las ecuaciones (D.3) y (D.5), se obtiene
(D.14)
(

=

T CE T BE
V V
R
V V
ES F
e e I

1
1
Al dividir la ecuaci Al dividir la ecuaci n (D.14) entre (D.15), se tiene n (D.14) entre (D.15), se tiene
|
|
.
|

\
|

= + =
+

T CE
T CE
V V
R
F
V V
F
C
B
C
B C
e
e
I
I
I
I I

1
1
1
1
(D.15)
que, despu que, despu s de la simplificaci s de la simplificaci n, se transforma en n, se transforma en
( )
( )

+
(

+
=
1
1 1
ln
F
B
C
F R
R
B
C
F
T CE
I
I
I
I
V V


(D.16) (D.16)
En la regi En la regi n activa, la corriente de la base I n activa, la corriente de la base I
B B
est est relacionada con la comente del relacionada con la comente del
colector le mediante I colector le mediante I
B B
= I = I
C C
/ / F F. Se considera que la regi . Se considera que la regi n de saturaci n de saturaci n empieza n empieza
en el punto en que la ganancia en corriente en condiciones de po en el punto en que la ganancia en corriente en condiciones de polarizaci larizaci n directa n directa

F F
es de 90% del valor correspondiente a la regi es de 90% del valor correspondiente a la regi n activa. Esto es, n activa. Esto es,
SAT SAT
= =
Forzada Forzada
= =
0.9 0.9
F F
e I e I
C C
= 0.9I = 0.9I
B B

F F
. La ecuaci . La ecuaci n (D.15) da el voltaje de saturaci n (D.15) da el voltaje de saturaci n colector n colector- -emisor emisor
como como
( ) | |
( ) | |
)
`

+
+
=
1 9 . 0
1 9 . 0 1
ln
) (
F F F R
R F F
T sat CE
V V


Sustituyendo Sustituyendo
F F
= =
F F
/(1 /(1 - - F) en el denominador, da F) en el denominador, da
( )
( )
)
`

+
=
9 . 0 1
1 9 . 0 1
ln
) (
R
R F
T sat CE
V V

(D.17) (D.17)
Para V Para V
T T
= 0.0258 V, = 0.0258 V,
R R
= 0.9 y = 0.9 y
F F
= 89.91, se tiene = 89.91, se tiene
( )
( )
V x V
sat CE
119 . 0
9 . 0 1 9 . 0
9 . 0 1 91 . 89 9 . 0 1
ln 0258 . 0
) (
=
)
`

+
=
RL
v
Vi
+
+ -
_
RL
v
Vi
+
+ -
Rs
Rc
Ic
Vcc
+ +
_ _
V Vi i