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I. Identificadores de la asignatura
Clave: MIE000507 Crditos: 6
Materia: Dispositivos Electrnicos Avanzados Departamento: Ingeniera Elctrica y Computacin Instituto: Ingeniera y Tecnologa (IIT) Carrera: Maestra en ingeniera Elctrica y Computacin Nivel: Maestra Horas: 54 Totales Carcter: Obligatoria Tipo: Presencial Modalidad: Presencial
II. Ubicacin
Antecedente: Ninguno Consecuente: Clave
III. Antecedentes
Conocimientos: Fundamentos bsicos de electrnica y comunicaciones Habilidades: Manejo bsico de software matemtico (Matlab, Maple, Matemtica.), herramientas de diseo : HSPICE y VHDL.
Actitudes y valores: Disposicin a manejar una cantidad importante de informacin, lo cual incluye una inversin significativa de tiempo en la lectura, aprendizaje y dominio de los temas.
Objetivos
Objetivo general del curso Mediante el entendimiento de los principios fsicos que rigen el comportamiento de los semiconductores, el alumno tendr el conocimiento bsico de los dispositivos electrnicos, as como sus nuevas tendencias. Lo cual le permitir realizar la modelacin y simulacin del comportamiento elctrico de estos, mediante el uso de software especializado con la finalidad de interpretar sus principales caractersticas y figuras de merito. Este conocimiento le brindar la preparacin necesaria para incursionar en las reas de las comunicaciones y la microelectrnica. El estudiante adquirir una visin general del curso mediante el estudio de las nuevas tendencias de los dispositivos electrnicos para comunicaciones y la microelectrnica a travs de la revisin bibliogrfica en bases de datos especializadas. Todo esto para despertar su inters y motivacin personal en relacin al curso.
V. Compromisos formativos
Intelectual: El estudiante tendr un amplio conocimiento del comportamiento elctrico de los dispositivos semiconductores bsicos y avanzados, analizados a travs del modelado, caracterizacin y simulacin de sus principales caractersticas y figuras de mrito. Conocer las nuevas tecnologas para dispositivos digitales y de comunicaciones. Humano: El estudiante reflexionar acerca del tener un conocimiento bsico de la fsica de los
dispositivos semiconductores avanzados, que le permitirn desarrollarse adecuadamente en las tareas de investigacin en las reas de procesamiento de seales, comunicaciones y microelectrnica. Social: Con los conocimientos alcanzados el estudiante buscar generar aplicaciones de los dispositivos electrnicos acordes a las necesidades de su formacin profesional y aplicables en su quehacer investigativo. Profesional: El estudiante buscar reflejar las habilidades y conocimientos adquiridos en su disciplina de formacin profesional, tanto a nivel personal como dentro de su mbito de cultura social.
o Electrones y huecos en silicio. o Bandas de energa y ancho de banda. o Concentracin de portadores en equilibrio trmico. o Fenmeno de transporte de portadores. o Ecuaciones bsicas.
Exposicin de los conceptos de los fundamentos de los dispositivos electrnicos. Retroalimentacin a travs de exposiciones por parte de alumnos. Simulacin del comportamientos de los dispositivos en simuladores 2D. Comentarios y sugerencias de alumnos y maestro.
o Introduccin. o Regin de agotamiento. o Caractersticas corriente voltaje. o Rompimiento de la unin. o Comportamiento transitorio y ruido. o Modelo Spice.
Exposicin de los conceptos de los fundamentos de los dispositivos. Retroalimentacin a travs de exposiciones por parte de alumnos. Simulacin del comportamientos de los dispositivos en simuladores 2D. Prctica de laboratorio usando medidores I-V, extraccin de parmetros y comprobacin con modelos analticos. Comentarios y sugerencias de alumnos y maestro.
Modulo IV
o Operacin bsica del BJT. o Caractersticas estticas. o Caractersticas en alta frecuencia. o Modelos DC, AC y pequea seal. o Dispositivos bipolares y el escalamiento para RF y circuitos analgicos. o Transistor Bipolar de Heterounin (HBTs). o Comportamiento en altas frecuencias de HBTs.
Exposicin de los conceptos de los fundamentos de los dispositivos. Retroalimentacin a travs de exposiciones por parte de alumnos. Simulacin del comportamientos de los dispositivos en HSPICE. Comentarios y sugerencias de alumnos y maestro.
o Caractersticas bsicas del MOSFET. o Efectos de canal corto. o Estructuras MOSFET. o Modelos de circuitos. o Dispositivos de memoria no voltil. o FLASH. o Compuerta flotante. o Topologas de memorias. o o CMOS RAM. CMOS
Exposicin de los conceptos de los fundamentos de los dispositivos electrnicos. Retroalimentacin a travs de exposiciones por parte de alumnos. Simulacin del comportamientos de los dispositivos en simuladores 2D. Comentarios y sugerencias de alumnos y maestro.
DRAM. o MOSFET de doble compuerta (DGMOSFET). o MESFET. Exposicin de los conceptos Modulo VI Integracin e interfaces 6 sesiones (9hrs) bsicos de las diversas o Tecnologa de los microprocesadores arquitecturas para aplicaciones digitales as
basados en SiGe. o Tipos y arquitectura de lgica programable: CPLD, FPGAs o Caractersticas y tipos de DAC o Caractersticas y tipos de ADC
como los dispositivos para las interfaces digitales analgicas. Retroalimentacin a travs de exposiciones por parte de alumnos. Ejercicios de programacin en FPGAs usando VHDL Prcticas de laboratorio. Comentarios y sugerencias de alumnos y maestro.
Modulo VI Total
20% 100 %
X. Bibliografa
Por definir
XI. Institucionalizacin
Responsable del Departamento: Coordinador/a del Programa: Fecha de elaboracin: Elabor: Fecha de rediseo: Rediseo: