Transistor BJT

William Shockley, John Bardeen y Walter H. Brattain 1947-48 Nobel de Fsica en 1956

Transistor BJT
Tres terminales: Colector Base Emisor

BJT: Bipolar Junction Transistor

Se suelen usar ms los npns que los pnps ya que la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos y mejor funcionamiento en la mayora de las aplicaciones.

Transistor BJT
Corriente controlada por pequeos cambios en tensin y corriente en el tercer terminal

Permite amplificar seales

Configuraciones

Estructura del transistor

Dos uniones pn -Unin de emisor -Unin de colector Dependiendo de su estado->regin de funcionamiento Base: estrecha y poco dopado en comparacin con el emisor Emisor: muy dopado y estrecho (<<Lp) Colector: ancho y menos dopado que el emisor

Regiones de funcionamiento
a) Uniones en inversa -> corte b) Unin de emisor en directa y la de colector en inversa -> regin activa o activa directa c) Unin de emisor en inversa y la de colector en directa -> regin activa inversa d) Ambas uniones en directa -> regin de saturacin

Diagrama de corrientes en Activa

Pequea corriente (generados trmicamente)

Los electrones inyectados desde el emisor cruzan la base, movidos por difusin, hasta alcanzar la regin de carga espacial de la unin del colector. Esta unin est polarizada en inversa y por ello existe en la regin de carga espacial un campo elctrico intenso que barre los electrones que entran en ella, envindolos al colector y generando a travs de la regin neutra de ste la corriente InC. Pequea corriente circulando por la base produce una importante carga que pasa del emisor al colector

Diagrama de corrientes en Activa

Aplicando la ley de corrientes de Kirchhoff

Relacin de variables elctricas externas del BJT

Parmetros
Ganancia de corriente continua en base comn de un BJT Tambin se define como el producto de y B Rendimiento de inyeccin Tanto B son son < que la unidad luego <1 En regin activa la corriente del colector es proporcional a la corriente de emisor y no depende de la tensin con que se polariza la unin de colector Factor de transporte

Parmetros
El inters de la ganancia surge del hecho de que es aproximadamente constante. Para que el dispositivo sea un buen amplificador conviene que se aproxime a la unidad. Dopado del emisor es mucho mayor que el de la base Para valores de corriente IE habituales InE es tambin mucho mayor que Ir Longitud de difusin de los portadores minoritarios en la base es mucho mayor que la longitud de sta InC es ligeramente menor que InE Depende de la temperatura. Valores tpicos: 0,99- 0,997 Aplicaciones de potencia valores menores ~1

B~1

Parmetros

Ganancia de corriente continua en emisor comn. ICE0 se puede definir como la corriente que circula por el colector cuando la base est abierta tambin depende de la temperatura. Aprox. Constante Valores tpicos 2N2222: 50-300 Depende de los procesos de fabricacin.

Modelo Ebers-Moll
Estructura-> Dos diodos con nodos conectados

Modelo Ebers-Moll
Estructura-> Dos diodos con nodos conectados

Contactos hmicos y una conexin metlica. No se comporta igual!!

Modelo Ebers-Moll
Estructura-> Dos diodos con nodos conectados

En activa

En activa

Modelo Ebers-Moll
Funcionalidad del colector y emisor intercambiada pero los dopados y dimensiones no son simtricos. R Ganancia de corriente continua. R valor entre 0.005 y 0.5. Nunca se utilizan como amplificadores en activa inversa.

En activa inversa

Uniones en directa-> efecto transistor en ambas uniones. Sera aplicable a cualquier regin de funcionamiento.

Modelo Ebers-Moll
Aplicando Kirchoff:

Diodos:

Relacin de reciprocidad:

El modelo de Ebers-Moll se define mediante tres parmetros independientes. Modelo genrico pero inviable para resolucin papel y lpiz.

Modelo simplificado
Activa

Saturacin
El potencial de contacto de la unin de colector es menor que el de la unin de emisor 0,2V

Modelo simplificado
Cortado
IC=IE=IB=0 0,7V

Caracterstica esttica en emisor comn

En activa este trmino <<1 IC debera ser constante para VBE constante

Probabilidad de recombinacin pequea

Si VCE aumenta

Caracterstica esttica en emisor comn

Si VCE aumenta

Mayor polarizacin de inversa de UC

Aumenta la RCE de colector y disminuye la longitud de la regin neutra de la base W'b

Caracterstica esttica en emisor comn

Si VCE aumenta Tiempo de trnsito disminuye--> Disminuye la recombinacin y InC aumenta--> Aumenta el factor de transporte

Mayor polarizacin de inversa de UC

Aumenta la RCE de colector y disminuye la longitud de la regin neutra de la base W'b

Aumenta la derivada de portadores minoritarios--> Aumenta InE --> Aumenta el rendimiento de inyeccin

Caracterstica esttica en emisor comn

Aumentan por tanto las ganancias de corriente y , y IC -->Efecto Early

Modelo de efecto Early en un ttor polarizado en activa

Va: Tensin Early

Caracterstica esttica en emisor comn

Caractersticas estticas de salida del transistor bipolar en emisor comn Activa

Vlido en todas las regiones pero en saturacin ambos trminos son parecidos

IC=IE=IB=0 Corte

Caracterstica esttica en emisor comn

Caractersticas estticas de entrada del transistor bipolar en emisor comn Forma de caracterstica de un diodo IpE y InE-InC crecen exponencialmente Supongamos que la IB es constante, al aumentar la tensin VCE disminuye la recombinacin en la regin neutra de la base por efecto Early. Pero como IB es constante, debe aumentar la inyeccin de portadores a travs de la unin de emisor --> un aumento de IpE y de InE-InC. Dicha inyeccin es proporcional a la exponencial VBE/VT, producindose un aumento de VBE.

Transistor pnp
npn activa IC = I B VBE = VBEon = 0.7 V VBC < 0 pnp activa -IC = -IB--> IC = IB VBE = VBEon = -0.7 V VBC > 0 VEB = VEBon = 0.7 V VCB < 0

Ejemplo

Vbb

Recta de carga