Eletronica de Potencia - Introducao PDF

Universidade Federal do Cear Eletrnica de Potncia
Professor Fernando Antunes

Semestre
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2007.2
1
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Programa da Disciplina
Unidade I Introduo
Objetivo, histrico e aplicaes da Eletrnica de potncia ; Semicondutores de potncia: diodos, Transistor Bipolar e Tiristores; Classificao dos conversores estticos; Clculo trmico. Principio de operao; Regulador CC-CC Abaixador (Conversor Buck); Regulador CC-CC Elevador (Conversor Boost); Regulador CC-CC Abaixador / Elevador (Conversor Buck / Boost); Operao com cargas RLE.
Unidade II Conversores CC-CC Abaixadores e Elevadores

Unidade III Retificadores Monofsicos a Diodo

Retificadores monofsicos de meia onda; Retificadores Monofsicos de onda completa.
Unidade IV Retificadores Trifsicos no controlados

Retificadores em Meia Ponte e Ponte Completa; Comutao
Unidade V Retificadores Controlados Monofsicos e Trifsicos

Retificadores em Meia ponte e Ponte Completa; Fator de potncia Comutao Pontes mista
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Unidade VI Transistor para Alta Freqncia
MOSFET; IGBT.
Unidade VII Conversores CC-CA

Estrutura Bsica VSI; Principio de modulao por largura de pulso PWM; Estruturas monofsica Estrutura trifsicas
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Aulas de Laboratrio
Caracterstica de chaveamento de diodos e tiristores; Conversores ca-cc monofsicos a diodo; Conversores ca-cc trifsicos a diodo; Conversores ca-cc de monofsico controlado a tiristor; Conversores ca-cc trifsico controlado a tiristor; Conversores ca-cc de 12 pulsos; Conversor Buck a MOSFET/IGBT; Conversor Boost a MOSFET/IGBT; Inversor monofsico; Inversor trifsico .
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Unidade I - Introduo
Definio de Eletrnica de Potncia uma nova tecnologia que trata da aplicao de dispositivos eletrnicos e componentes associadas para converso, controle e condicionamento da energia eltrica; Controle da Energia Eltrica, meio usado para se obter controle de grandezas no eltricas como: velocidade de maquinas girantes, controles de temperatura de fornos, processo eletromecnicos, intensidades de iluminamento, etc.
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Definio de Eletrnica de Potncia De uma maneira geral pode ser considerada como uma tecnologia multidisciplinar que envolve: Dispositivos Semicondutores de Potncia; Circuitos Conversores; Mquinas Eltricas; Teoria de Controle; Microprocessadores; Sistemas Eltricos.
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Histrico Retificador a Arco de Mercrio inicio do sculo passado; Estrutura Retificadoras Anos 30; Tiristor Grande evoluo:
Laboratrio Bell, 1956; Comercializado pela GE, 1958;
Anos 70 diodos, Transistores de potncia e GTO; Anos 80 MOSFET e IGBT; Anos 90 Encapsulamento de Potncia.
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Aplicaes Fontes Estabilizadas Controles de Motores Equipamentos de soldagem Veculos Eltricos Trao Eltrica Controle de Trnsito Utilizao de fontes no Convencionais de Energias Utilizao Aeroespacial Carregadores de bateria Alimentao de Emergncia (UPS) Sistema Eltricas de Potncia
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Conversores Estticos Circuito projetados para processamento da energia; Convertem energia eltrica da forma como fornecida por uma fonte, na forma requerida por uma carga; Alto rendimento (99% em grandes conversores); Usam semicondutores como chaves; Estrutura formada basicamente por chaves, capacitores e indutores.
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Conversores Estticos
Conversores ca-cc (Retificadores) Conversores cc-cc (Choppers e fontes cc chaveadas) Conversores cc-ca (Inversores) Conversores ca-ca (Chaves ca)
Vantagens : Espao fsico Resposta rpida Baixa manuteno Desvantagens : Harmnicos Interferncias
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Chaves Semicondutoras
Idealmente possuem apenas dois estados: Apresentam completo bloqueio ou oferecem irrestrita conduo passagem de corrente. Podem ser:
Diodos; Tiristores; Chaves controladas:
BJT 1kV, 300A, 20kHz, 200kVA; MOSFET 1kV, 100A, 50kHz; IGBT 1,7kV e 2kA, 20kHz; 6,5kV, 600A, 800Hz MCT. IGCT
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IGBT de alta potncia
IGBT
FZ2400R17KE3 FZ3600R17KE3 CM2400HC-34H 5SNA 2400E170100 5SNA 3600E170300 DS_FZ1500R33HE3* DS_FZ1500R33HL3* CM1200HA-66H 5SNA 1500E330300* FZ 600 R 65 KF1 VCE [V] 1700 1700 1700 1700 1700 3300 3300 3300 3300 6500 ICE [A] 2400 3600 2400 2400 3600 1500 1500 1200 1500 600 Switching frequency [Hz] 2000 2000 2000 2000 2000 1500 1500 1500 1500 800
No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
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Aplicaes tpicas da Eletrnica de Potncia
10 00 FO N T E S CHAVEADA S 10 0 Corrente de Conduo, A TRAO E L T R IC A AUTOMAO IN D U S T R IA L A C IO N A M E N T O DE MOTO RES 10 HVDC
B A L LA S T S D E ILU M IN A O 1 E LE T R N IC A EMBA RCADA (A U T O M O T IV A ) 0.1 10 10 0 10 00 1 0 0 00 T ens o d e B loq u eio, V
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Caractersticas Potncia x Tenso e Potncia x Freqncia
VA
10 7
VA 7 10 GTO 6 10 BJT IGBT 105 MOSFET 104 103

3 4
10
GTO
10 5 4
Transistor Bipolar BJT
Tiristor IGBT
10
10
MOSFET
10
10
10
102
103
104
105
Hz
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Formam a base para o estudo dos diodos transistores e tiristores de potncia.
+4 +4 +4
Juno PN
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Cristal de Silcio:

Cristal de Silcio e Eltrons de Valncia
Pureza em 10 9 tomos de silcio h apenas um tomo estranho; Isolante em baixas temperaturas; Apresentam eltrons livres em altas temperaturas; Condutividade natural temperatura ambiente, cerca de 2 x 1010eltrons livres(Buracos) por cm 3 ; Quando sujeito a campo eltrico os buracos movimentam se na direo do campo comportando-se como portadores de carga positiva.
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Dopagem
tomos estranhos substituem os de silcio em varias posies da cadeia do cristal alterando enormemente a habilidade de conduo do cristal. A dopagem no deve alterar a estrutura original do cristal.
+4 +4 +4 +4 +4 +4
+4
+5
+4
+4
+3
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Cristal Tipo N
Cristal Tipo P
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Unio do Cristal P com o Cristal N Na juno os eltrons do cristal N se difundem no cristal P ocupando os buracos formando uma regio de depleo na juno. Campo eltrico na juno:
Fica mais forte medida que mais cargas atravessam a juno; Atrasa o processo de formao da camada de depleo; Age no sentido de empurrar os eltrons na regio de depleo de volta para a camada N. P N
+ + + + +
Camada de depleo
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Unio do Cristal P com o Cristal N Juno PN inversamente polarizada
Aumento da camada de depleo; Ausncia de portadores majoritrios na juno; Tenso reversa mxima determinada pela camada de depleo.
+ p n
Reversamente Polarizada
Juno PN diretamente polarizada

Portadores majoritrios saturam a juno; Colapso de camada de depleo cristal conduz; Condutividade consideravelmente menor que dos metais; Perdas causam aquecimento excessivo para o tamanho do cristal.
+ p n -
Diretamente Polarizada
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Diodo de Potncia Regio de arrasto:
Camada n- no encontrada nos diodos se sinal; Estabelece a tenso reversa mxima suportada pelo diodo; Alta resistividade devido baixa dopagem; Onde se estabelece a camada de depleo Resistividade reduz quando em polarizao direta devido saturao da regio por portadores majoritrios; Esta modulao da condutividade reduz bastante a perda por conduo.
Anodo
19 -3 p+ Nd=1 cm nNd=10 14 -3 cm
10 m
Regio de arrasto m 250
n+
-3 Nd=1019cm
Catodo
Seo Transversal de um Diodo de Potncia
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Caracterstica V x I de um diodo de potencia
i
D
- V
RM 0 ,7 V v AK
Com altas correntes a caracterstica hmica mascara a exponencial; Quando polarizado inversamente, apenas uma pequena corrente de fuga circula; Requer tempo finito para mudar estado bloqueio / conduo; Tempo de transio e formas de ondas so afetadas pela caracteristica intrnseca do diodo.
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Caracterstica de chaveamento de um diodo de potncia
+
I0
Carga indutiva
Comando da chave
-
Ic
Circuito para anlise na caracterstica de chaveamento do diodo de potncia
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Caracterstica de chaveamento de um diodo de potencia
Conduo: da carga armazenada na t1 Remoo camada de depleo com o aumento da conduo. Camada de depleo ainda presente, queda hmica na regio de arrasto e indutncias presentes no circuito so causas da sobretenso; t2 Saturao da juno (neutralizao da camada de depleo) e da regio de arrasto e estabelecimento da corrente em regime fazem a tenso cair para Von.
i(t)
I0
Q rr
v(t)
t3 t4 trr t5
Irr
Von
t V
t1
t2
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Caracterstica de chaveamento de um diodo de potncia
Bloqueio: A carga em excesso na regio arrasto passa a ser t3 de removida por recombinao e arrasto. Cessada a recombinao i(t) reduz a zero; Fluxo de minoritrios na de t4 formao da camada - As - + + i(t). depleo inverte junes p n n n permanecem polarizadas diretamente devido excesso de portadores nas junes; Retirados os portadores em t5 excesso da juno, esta polariza inversamente e logo adquire substancial valor negativo. Os minoritrios passam a ter crescimento negativo reduzindo a corrente reversa a zero.
i(t)
I0
Q rr
v(t)
t3 t4 trr t5
Irr
Von
t V
t1
t2
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Transistor de potncia
Base Emissor
19 n+ Nd=10 cm -3
C
10 m 520 m 50200 m 250 m
p nn+
16 -3 Nd=10 cm -3 Nd=10 14cm -3 Nd=10 19cm
B E
Ic
B E
Ic
NPN
PNP
Coletor
Nvel de dopagem influencia as caractersticas do dispositivos; Regio de arrasto possui dopagem leve e determina a tenso de ruptura do transistor; A espessura da base feita menor possvel, para maior ganho de corrente; Uma menor espessura de base limita a tenso reversa mxima que pode ser aplicada ao transistor.
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Transistor de potncia Junes PNP e NPN
Emissor cristal de alta dopagem; Base cristal de media dopagem; Coletor - cristal de alta dopagem.
p n p
Processo de conduo:
Pequena corrente introduzida na base atravs de circuito de controle; Algumas cargas alcanam a camada de depleo (ausente de carga) coletor-base e so arrastados para o circuito externo atravs do coletor, iniciando se uma conduo; A corrente de base satura a juno coletor-base tornando o transistor condutor; Para um certo valor de corrente de base o transistor comporta-se como uma chave fechada, para corrente de base nula comporta-se com uma alta resistncia .
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Introduo Transistor NPN
Conduo no transistor NPN (O mais usado): Inicio de conduo - os eltrons fluem do emissor para base (sentido real de corrente). A grande maioria dos eltrons atingem a camada de depleo base-coletor (inversamente polarizada). O campo eltrico da tenso de polarizao externa atrai os eltrons para camada de depleo, saturando-a. Inicia-se um fluxo de eltrons no sentido emissor coletor, isto corrente eltrica no sentido coletor emissor.
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Coletor
+ n Base p n
Emissor
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Caracterstica V x I do transistor de potncia
saturao plena quasisaturao ruptura secundria
C
I B4 I B3 I B2 I B1 I 0 B0 IB=0 ruptura primria
Coletor
n-
+ n
Base
p n
V Vsus VBCE0 CE
Emissor
Vsus: tenso mxima emissor-coletor quando o dispositivo esta conduzindo; Ruptura primria: avalanche convencional na juno; Ruptura secundria: alta dissipao de potncia em pontos localizados no cristal
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Caracterstica de chaveamento de um transistor de potncia
+ D I0
Carga indutiva
C
circuito de base
Ic
Circuito para anlise na caracterstica de chaveamento do transistor bipolar
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Conduo:
Inicio do processo de retirada da camada de depleo. Vce no alterada; Vce na se altera pois o diodo em paralelo com a carga esta conduzindo; O diodo em paralelo deixa de conduzir; O ganho do transistor diminui reduzindo a taxa de queda de Vce. td(on) ts tf1 tf2
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iB(t) 0 t VBE(on) vBE(t) 0 VBE(off) IB(on)
iC(t) 0
I0
t
vCE(t) Vd 0 VCE(sat)
t d(on) t=0
t s t f1 t f2
i B(t) 0 t vBE(t) 0 IB(on)
VBE(on) VBE(off) t i C(t)
I0 t
vCE(t) VCE(sat) 0 ts t f2 t f1 td(on)
Vd
Bloqueio:
t=0
Para bloquear um transistor tem se que remover toda carga armazenada na juno; Aps ts o transistor deixa a regio de saturao e passa a de quase saturao; Reduo de carga na regio de arrasto
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catodo gatilho
Tiristor
Anodo
n+
19 -3 10 cm 10 m 30 - 100 m
n+ p n-
19 -3 10 cm 17 -3 10 cm 17 14 -3 10 -5 x 10 cm
+
catodo
p n p n
J1 J2 J3
50 - 1000 m 30-50 m 30-50 m
gatilho
Gatilho
+
p p+
17 -3 10 cm 19 -3 10 cm
Anodo
Catodo
Anodo
(a)
(b)
Tambm chamado de SCR; Mais antigo dispositivo de potncia em estado slido um dispositivo de quatro camadas
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Junes PNPN
+ p n p n Gatilho p n
g
Anodo
a
E C B B C
v ak
v gk
Catodo

NPN inicia a conduo; Circula corrente pela juno base-emissor do transistor PNP; H uma realimentao positiva; Corrente atravs do dispositivo autosustentada.
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Junes PNPN J1 e J3 so polarizadas diretamente e J2 inversamente; A ao dos dois emissores saturam a juno J2; A camada n absorve a camada de depleo; Logo J2 determina a tenso mxima aplicvel ao tiristor.
Anodo
+ p n p n J1 J2 J3
Gatilho
+
Catodo
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Caracterstica V x I de um tiristor Sob tenso inversa o tiristor comporta-se similarmente a um diodo polarizado inversamente, que conduz pouca corrente at que avalanche ocorra. A regio de alta tenso e baixa corrente a regio de bloqueio em polarizao direta
i
Estado de conduo direta
-V
RM
IH IB0
i g>0
i g=0
de bloqueio V V v H Estado em polarizao B0 AK direta
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Caracterstica de chaveamento Conduo:
i g(t)=0 Durante td(on) a corrente de gatilho injeta portadores na di/dt I camada p2; 0 Conduo inicia se em torno de iK (t)=0 gatilho devido excesso de portadores na regio; Excesso de portadores na regio do gatilho reduz sensivelmente a vAK(t)=0 td (on) capacidade de bloqueio do tiristor; di/dt em torno do gatilho pode ter efeito destruidor; Finalmente o plama se espalha por toda seco transversal do tiristor; Grande quantidade de energia liberada nas adjacncias do gatilho; Deve se controlar a taxa de crescimento da corrente de anodo. t
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Caracterstica de chaveamento Bloqueio:
Bloquear um tiristor requer a aplicao de uma tenso negativa entre anodo e catodo por um perodo de tempo mnimo; Processo similar ao de um diodo; Dispositivo bloqueia quando J1 ou J3 ficar inversamente polarizada.
Conduo acidental do tiristor:

O tempo que o tiristor mantido sob tenso reversa deve ser suficientemente longo para garantir um real bloqueio; A taxa de crescimento dv/dt da tenso de polarizao direta deve ser mantida abaixo de um mximo valor especificado pelo fabricante.
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Transistor MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Fiel- Effect Transistor; Acionados por tenso; Operam em altas freqncias.
S
n +
G
---------++++++ ----------
D n+
Canal Tipo n
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - MOSFET
Tipo e caracterstica de conduo
D I I D V V DS V G V =12V =7V =5V D
GS GS GS
V S
GS
=3V
V DS
Essencialmente resistivo em conduo; Resistncia de conduo relativamente alta.

(a) (b)
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Caracterstica de chaveamento
D I C
VD I0 D
C DS
DF
GD
C GD RDR VDR G CGS S
G C GS
Capacitncias parasitas
Modelo para anlise de chaveamento
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V DR
GS
(t) V DR V
V GS,Io V th
GS
(t)
GS,Io
th t
(t) t
0 i G (t)
V D v DS (t) i Io t V DS(ON) (t)
v i
G
(t) Io V d
DS
(t)
Forma de onda durante o bloqueio
Forma de onda durante a conduo
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Isolated Gate Bipolar Transistor - IGBT
C
Transistor Bipolar de Gatilho Isolado; Atuao rpida (transitrio efeito de campo); Alta capacidade de potncia (Transistor Bi-polar); Controle por tenso;
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Caracterstica I-V
VGS-4
VGS-3 VGS-2 VRM VGS-1 VnsS
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42
Formas de onda da Corrente e da Tenso no IGBT em Conduo
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Formas de onda da Corrente e da Tenso no IGBT em Bloqueio
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Futuro das chaves Dispositivos a base de carbono de silcio; Suportam altos gradientes de tenso; Reduzida queda de tenso em conduo.
Evoluo
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Especificao de chaves semicondutoras Corrente mdia de conduo direta, Id
Valor mdio da corrente que o dispositivo pode conduzir continuamente repetidas as condioes de resfriamento.
Corrente eficaz de conduo direta, Irms

Valor mximo permitido para corrente eficaz. Isto limita a potncia mxima dissipada devido i.R.
Corrente de pico repetitiva, Ifrm

Valor mximo da corrente que pode ser aplicada repetitivamente, geralmente especificada para um pico a cada meia senoide.
Corrente de pico no repetitiva, Ifsm

Valor mximo da corrente que pode ser aplicada, a repetio permitida apenas aps um intervalo de tempo que permita resfriar a juno.
46
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Especificao de chaves semicondutoras Tenso de pico inversa, Vrpm
Valor instantneo de tenso mxima permitida da direo positiva ou negativa do dispositivo.
Queda de tenso em conduo direta, Vf

Queda de tenso apresentada pelo dispositivo quando em conduo direta.
Temperatura da juno, Tj(max)

Valor mximo de temperatura que o dispositivo pode operar, acima deste valor o dispositivo pode danificar se por avalanche trmica.
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47
Perdas e Clculo Trmico A perda total de um dispositivo dada por:
Perda durante a conduo; Perda no chaveamento; Perda no estado de bloqueio.
Estas perdas que se transforma em calor, devem ser liberadas par ao meio ambiente, caso contrrio a temperatura da juno se elava acima do limite permitido, provocando destruio de dispositivo. A elevao de temperatura na juno provoca mudanas qumicas e metlicas no dispositivos. Estas mudanas variam exponencialmente com a temperatura.
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48
Perda durante a conduo Seja uma juno de um dispositivo qualquer, aqui representada por um diodo
1 Pon = iv.dt To
T T
v = rd i + E0
a i rd Eo k
1 Pon = i (rd i + E0 )dt To 1 2 1 Pon = i rd dt + E0 .i.dt To To

2 Pon = ief rd + E0 imed T T
Para no danificar o semicondutor, Pon deve ser transferida para o ambiente. Como que esta potncia transferida?
49
Perdas nos dispositivos semicondutores Quando duas superfcies slidas paralelas a temperaturas uniformes, Tj e To, so justapostas, uma certa quantidade de calor Q (joules/s-m) fluir por unidade de rea da superfcie de maior temperatura (Tj) para a de menor temperatura (To). Q = 1/K (Tj - To) [Joules/s-m] No caso de um dispositivo semicondutor, a corrente atravs da juno inversamente polarizada produz calor quando os portadores majoritrios perdem energia ao atravessar a barreira de potencial. A energia eltrica na juno se transforma em energia trmica no cristal.
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50
Perdas nos dispositivos semicondutores
A potncia dissipada na juno por segundo fluir para o ambiente segundo a equao abaixo: Pon = 1/Rja (Tj - Ta) [joules/s] - Tj Temperatura na juno - Tj Temperatura ambiente - Rja resistncia trmica entra a juno e o ambiente Fazendo se uma analogia com um circuito eltrico:
Rja
Pon
Ta
0C
Quando o semicondutor no est conduzindo, Pon = 0, logo Tj=Ta. A temperatura da juno se eleva acima da ambiente e h um fluxo de calor para o ambiente. Quando menor Rja, menor ser T
51
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Perdas nos dispositivos semicondutores Para uma certa resistncia trmica Rja e temperatura ambiente Ta, h uma mxima potncia Pon que pode ser dissipada, Pon max. sem que se exceda mxima temperatura admissvel na juno, Tjmax. Desprezando se a influncia da resistncia interna. Pon = I.Von
I Pon 1 > Pon max
Pon max
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Hiprbole de dissipao de potncia
I
Pon Rja
Pon 1 > Pon max
Ta
Pon max
0C
Von
Para a temperatura ambiente Ta, qualquer combinao de Von e I que fique de Pon max no danificar o dispositivo. Um ventilador ou qualquer refrigerao que venha a reduzir a temperatura ambiente Ta nas proximidades do dispositivo, uma potncia Pon 1 maior que Pon max pode ser dissipada sem risco para p dispositivo.
53
Dissipao do calor Falha na operao de um dispositivo semicondutor est, quase que sempre, ligada elevao de temperatura do dispositivo. O fabricante normalmente especifica a mxima temperatura para a juno, mesmo nos piores transitrios. A dissipao de calor nos semicondutores est diretamente ligada aos trocadores de calor. Um trocador de calor um metal irradiador de calor projetado para retirar do dispositivo o excesso de calor por conveco. O calor flui da juno para a carcaa do semicondutor, da carcaa para o trocador de calor atravs de uma pasta trmica, e do trocador de calor para o ambiente.
54
Dissipao do calor A transferncia de calor pode ser representada pelo circuito eltrica ao lado. A temperatura da juno depender da potncia dissipada e das resistncias trmicas associadas ao dispositivos. Um clculo adequando do trocador de calor permitir ao projetista determinar a mxima potncia que poder ser dissipada pelo dispositivo, e, ainda conservar a temperatura mxima na juno a baixo de um valor escolhido
Rjc
Pon
Rch Rja Rha
Ta
0C
T j Ta = R ja .Pon R ja = R jc + R ch + R ha R ha = R ja R jc R ch
55

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Universidade Federal do Cear Eletrnica de Potncia

Professor Fernando Antunes

Unidade II Conversores CC-CC Abaixadores e Elevadores

Unidade III Retificadores Monofsicos a Diodo

Unidade IV Retificadores Trifsicos no controlados

Unidade V Retificadores Controlados Monofsicos e Trifsicos

Unidade VII Conversores CC-CA

B A L LA S T S D E ILU M IN A O 1 E LE T R N IC A EMBA RCADA (A U T O M O T IV A ) 0.1 10 10 0 10 00 1 0 0 00 T ens o d e B loq u eio, V

VA 7 10 GTO 6 10 BJT IGBT 105 MOSFET 104 103

Transistor Bipolar BJT

Cristal de Silcio e Eltrons de Valncia

Juno PN diretamente polarizada

Regio de arrasto m 250

Seo Transversal de um Diodo de Potncia

Circuito para anlise na caracterstica de chaveamento do diodo de potncia

16 -3 Nd=10 cm -3 Nd=10 14cm -3 Nd=10 19cm

Introduo Transistor NPN

Circuito para anlise na caracterstica de chaveamento do transistor bipolar

VBE(on) VBE(off) t i C(t)

vCE(t) VCE(sat) 0 ts t f2 t f1 td(on)

50 - 1000 m 30-50 m 30-50 m

Estado de conduo direta

de bloqueio V V v H Estado em polarizao B0 AK direta

Conduo acidental do tiristor:

Essencialmente resistivo em conduo; Resistncia de conduo relativamente alta.

C GD RDR VDR G CGS S

Modelo para anlise de chaveamento

V D v DS (t) i Io t V DS(ON) (t)

Forma de onda durante o bloqueio

Forma de onda durante a conduo

VGS-3 VGS-2 VRM VGS-1 VnsS

Formas de onda da Corrente e da Tenso no IGBT em Conduo

Formas de onda da Corrente e da Tenso no IGBT em Bloqueio

Corrente eficaz de conduo direta, Irms

Corrente de pico repetitiva, Ifrm

Corrente de pico no repetitiva, Ifsm

Queda de tenso em conduo direta, Vf

Temperatura da juno, Tj(max)

1 Pon = i (rd i + E0 )dt To 1 2 1 Pon = i rd dt + E0 .i.dt To To

Von www.dee.ufc.br/~fantunes fantunes@dee.ufc.br

Pon 1 > Pon max

Rch Rja Rha

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