Presentacin de Ciencias de los Materiales

Superconductores y Semiconductores
Ciencias de los Materiales Crdova Moreno Anthony Calle Cabrera Alexis Mora Carrin Edwin Panchana Gonzlez Jerry Rodrguez Moran Andres Villn Barona Richard

Guayaquil, 15 de Agosto de 2013

Superconductividad
La superconductividad es el fenmeno por medio del cual algunas sustancias pierden su resistividad elctrica cuando la temperatura es reducida. En el estado de superconductividad la resistividad elctrica a la corriente directa es cero o muy cercana a cero, de tal forma que corrientes elctricas que fluyen dentro del material no son atenuadas. En algunos materiales superconductores se han observado tiempos de decaimiento finitos; esto se debe a que existe una redistribucin irreversible del flujo magntico dentro del material. El estado de superconductividad es un estado ordenado de la conduccin de electrones de un metal. Este orden se da en la formacin de pares de electrones que se asocian dbilmente. La superconductividad ocurre en metales, aleaciones, compuestos intermetlicos y semiconductores. Los rangos de temperaturas de transicin son de 23;3 K a ;01 K. La prdida de resistencia elctrica es slo uno de los varios cambios que tienen lugar cuando se enfra un superconductor por debajo de su temperatura crtica. Las principales observaciones experimentales asociadas al fenmeno de la superconductividad son las siguientes:

Por debajo de una temperatura crtica Tc la resistividad elctrica en corriente continua se vuelve ~ 0, Para entender cmo se logra llegar a esa fase superconductora, es necesario analizar las distintas interacciones que se producen a nivel subatmico. Analizando la dependencia de la temperatura y la resistencia, podemos concluir que al disminuir la temperatura, se reducir la resistencia elctrica. Segn el modelo de Sommerfeld, el comportamiento del metal es similar al de los gases de electrones. Se esperaba entonces que al enfriar un material conductor, sus electrones tuvieran comportamientos similares a los observados para los gases, por lo que se esperaba que pudiera existir una temperatura por debajo de la cual se iban a condensar, formando un lquido de electrones y hasta eventualmente un slido. De esta manera, los electrones perderan movilidad y esto debera manifestarse como un fuerte incremento en la resistencia elctrica por debajo de alguna temperatura crtica. Desde entonces se fueron utilizando distintos gases que en estado lquido podran enfriar a la muestra a temperaturas cercanas a los 0K. El holands Kamerlingh Onnes logr comprobar la reduccin de la resistividad a medida que disminua la temperatura. En 1911, utilizando helio lquido como refrigerante, not que a temperaturas cercanas al 4K la resistencia elctrica de la muestra de mercurio (Hg), se hizo abruptamente cero. De esta observacin, es posible disear espirales de superconductores a las cuales puedan mantener corriente elctrica sin voltaje aplicado. Experimentos han demostrado que corrientes en espirales superconductoras pueden persistir por aos sin ninguna degradacin medible. Evidencia experimental, seala un tiempo de vida de la corriente de por lo menos 100.000 aos. Estas supercorrientes de electrones que no disipan energa, no obedecen el efecto Joule de prdida de energa por disipacin de calor; creando tambin un potente campo magntico.

Debido a que la cantidad de electrones superconductores es finita, la cantidad de corriente que puede soportar el material es limitada. Por tanto, existe una corriente crtica a partir de la cual el material deja de ser superconductor y comienza a disipar energa.

Efecto Meissner.- Un superconductor en un campo magntico dbil se comporta como un diamagntico perfecto A diferencia de un conductor, debido al efecto Meissner, un superconductor repele todo campo magntico y no los que estn cambiando. Cuando el material es enfriado por debajo de la temperatura crtica, observaramos la repulsin abrupta del campo magntico interno, el cual no se esperara basndose en la ley de Lenzs.

Figura 2. En la figura (a) se observa un material en estado normal al cual se le aplica un campo
magntico que penetra en el material. En la figura (b) se observa al mismo material, variando las condiciones externa (Temperatura menor a la crtica y Campo magntico menor al crtico) pasando al estado superconductor. En este estado se observa la presencia del efecto Meissner, en el cual el campo dentro del superconductor es nulo.

Fase de transicin Superconductiva

Si demasiado corriente atraviesa el superconductor, el material volver al estado normal aunque est bajo de su temperatura crtica. El corriente crtico Ic es funcin de la temperatura: ms el superconductor es fro, ms podr conducir grandes corrientes.

Una corriente elctrica atravesando un cable crea un campo magntico alrededor de ese. La fuerza del campo magntico aumenta a medida que el corriente en el cable aumenta. Como los superconductores pueden conducir fuertes corrientes sin de energa, son muy adaptados para crear fuertes campos magnticos. Pero si el campo magntico H aumenta hasta un valor dado, el superconductor vuelve a su estado normal de conductividad. Este valor se llama el campo magntico Hc. Para cada superconductor, existe una zona de temperatura y de campo magntico para el cual el material es superconductor. El prximo esquema muestra la relacin entre la temperatura y el campo magntico

La teora BCS En 1957, Bardeen, Cooper y Schrieffer propusieron une teora microscpica detallada, ahora conocida como la teora BCS, en la cual se incluyen las interacciones electrn-fonn. Las predicciones de la teora BCS concuerdan muy bien con los resultados experimentales. La teora BCS muestra que, en ciertas condiciones, la atraccin entre dos electrones debida a una sucesin de intercambio de fonn puede exceder ligeramente la repulsin que estos ejercen directamente entre s debido a la interaccin de Coulomb (apantallamiento) de sus cargas iguales. Entonces los electrones se veran unidos dbilmente y formaran el llamado par de Cooper. Clasificacin Segn sus propiedades fsicas o Tipo I y II Segn la teora que lo explica Segn el valor de la temperatura crtica Segn el material Aplicaciones Las aplicaciones de los superconductores fueron variando en el tiempo a raz de los nuevos descubrimientos que se sucedieron.

Es posible agrupar a todas las aplicaciones en tres grandes grupos. La produccin de grandes campos magnticos, la fabricacin de cables de transmisin de energa y la fabricacin de componentes circuitos electrnicos.

Semiconductores
Son materiales cuyas conductividades elctricas estn entre las de metales altamente conductores y aisladores con una conduccin pobre. Semiconductores Intrnsecos Son semiconductores puros cuya conductividad elctrica se determina mediante sus propiedades conductivas inherentes. Por ejemplo: Silicio y Germanio puros elementales. Conductividad elctrica Los electrones de enlace son incapaces de moverse a travs de la retcula cristalina y por ello de conducir electricidad a menos que se proporcione energa suficiente para excitarlos desde sus posiciones de enlace. Cuando se suministra una cantidad crtica de energa a un electrn de valencia para excitarlo ms all de su posicin de enlace, ste se vuelve un electrn de conduccin libre y deja detrs de l un hueco cargado positivamente en la red de cristal. Relacin cuantitativa para la conduccin elctrica en semiconductores intrnsecos La densidad de corriente J es igual a la suma de la conduccin debida a electrones y a huecos. Donde n = Numero de electrones de conduccin por volumen unitario. p = nmero de huecos de conduccin por volumen unitario. q = Valor absoluto de la carga del electrn o de los huecos. 1.60 x 10-19 C vn, vp = Velocidades de arrastre de electrones y huecos respectivamente. Efecto de la temperatura en la semiconductividad intrnseca En contraste con los metales cuyas conductividades disminuyen con las temperaturas crecientes, las conductividades de los semiconductores aumentan con temperaturas en aumento para el intervalo de temperatura sobre el cual predomina este proceso. Semiconductores Extrnsecos Son soluciones slidas sustitucionales muy diluidas en las cuales los tomos de impureza del soluto tienen diferentes caractersticas de valencia respecto de la red atmica del disolvente. Usan tecnologa de semiconductores basados en Ge y Si. Semiconductores extrnsecos tipo p Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. Semiconductores extrnsecos tipo N Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones). Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms

dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones. El propsito de este dopaje (tipo N) es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Dispositivos Semiconductores El uso de los semiconductores est ampliamente extendido en la electrnica. La capacidad de los fabricantes de semiconductores para poner circuitos elctricos en un solo chip de silicio ha revolucionado el diseo y la manufactura de incontables circuitos. La unin pn Los dispositivos semiconductores ms comunes dependen de las propiedades de la frontera entre los materiales tipo p y tipo n y, en consecuencia, se examinaran algunas de las caractersticas de esta frontera. Un diodo de unin pn puede producirse haciendo crecer un solo cristal de silicio intrnseco e impurificndolo primero con material n y despus con material p. sin embargo, de manera ms comn, la unin pn se produce por la difusin en estado slido de un tipo de impureza (por ejemplo, tipo p) en material tipo n existente. El diodo de unin pn en equilibrio Se considerar un caso ideal en el cual se unen semiconductores de silicio tipo p y tipo n para formar una unin. Antes de esta, ambos tipos de semiconductores son elctricamente neutros. En el material tipo p los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones los portadores minoritarios. El diodo de unin pn polarizado inversamente Cuando se aplica un voltaje extremo a una unin pn, se dice que esta polarizada. Se considera el efecto de aplicar un voltaje externo de una batera a la unin pn. Se dice que la unin pn est inversamente polarizada si el terminal tipo n de la unin se conecta a la terminal positiva de la batera y si el material tipo p se conecta a la terminal negativa. El diodo de unin pn polarizado directamente El diodo de unin pn se dice que esta polarizado directamente si al material tipo n de la unin se conecta a la terminal negativa de una batera externa y si el material tipo p se conecta a la terminal positiva. Aplicaciones de los diodos pn Diodos rectificadores: su funcin ms importante es convertir el voltaje alterno en voltaje directo. Transistor de uni bipolar Es un dispositivo electrnico que puede servir como un amplificador de corriente. Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc.