UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR FACULTAD DE INGENIERA Y ARQUITECTURA ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA ELECTRONICA I CICLO II - 2013

Laboratorio #1: CARACTERISTICAS DEL DIODO

Integrantes:
Hctor Mauricio Fuentes Chicas FC11023

Nstor Gabriel Vsquez Lpez

VL10008

Grupo de Laboratorio: 01

Catedrtico: Ing. Jos Ramos Lpez

Ciudad Universitaria, 25 de agosto de 2013

INDICE

Contenido

Pg.

Introduccin............

Objetivos.

Marco terico..

Asignacin...........

Observaciones.....

15

Conclusiones

16

Bibliografa.........

17

INTRODUCCION
La sociedad actual ha experimentado cambios nunca antes vistos. Somos testigos de la influencia de la Electrnica en todos los aspectos de la tecnologa. Es inconcebible la vida moderna sin los medios de comunicacin (radio, televisin, telefona), sin los sistemas de manejo de informacin (computacin), sin la electrnica de consumo en el hogar. Todo ha sido posible gracias a los trabajos de investigacin y desarrollo tecnolgico, los cuales se han visto acelerados a partir de la invencin de los diodos y transistores. Estos dispositivos basados en materiales semiconductores, a partir de los cuales se fabrican prcticamente todos los sistemas electrnicos actuales. La tecnologa de los semiconductores es un factor bsico en las economas de los pases desarrollados. El presente trabajo tiene como finalidad demostrar los criterios aprendidos en clase acerca de las caractersticas de los diodos a travs de la prctica en tiempo real y por medio de software de simulacin como Spice Opus, adems de reforzar esos criterios con la implementacin de la teora de circuitos. Como antesala podemos afirmar el comportamiento del diodo como el de un interruptor que deja o no pasar corriente, desde un punto a otro de su ubicacin. Adems, una de las caractersticas ms importantes de ser un dispositivo no lineal cuando se ve sometido a fuentes de corriente alternas. Por lo cual en este trabajo hemos abarcado gran parte de las aplicaciones de los diodos en la electrnica.

OBJETIVOS
Objetivo General: Implementar lo aprendido en clases para el estudio del comportamiento de los circuitos al utilizar dispositivos semiconductores no lineales como los Diodos

Objetivos Especficos: Interpretar los datos obtenidos de las mediciones hechas en la prctica para compararlos con los dados en clases. Distinguir las grficas generadas por Spice para un anlisis ms acertado de lo hecho en la prctica.

MARCO TEORICO
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest. Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de carga negativa (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los electrones). Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse una corriente de difusin, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de regin de agotamiento. A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos. Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio. La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto fsico, impurezas, uso de electrodos, que tienen caractersticas elctricas particulares usados para una aplicacin especial en un circuito. El funcionamiento de estos diodos es fundamentado por principios de la mecnica cuntica y teora de bandas. Los diodos normales, los cuales operan como se describa ms arriba, se hacen generalmente de silicio dopado o germanio. Antes del desarrollo de estos diodos rectificadores de silicio, se usaba el xido cuproso y el selenio: su baja eficiencia le dio una cada de tensin muy alta (desde 1,4 a 1,7V) y requeran de una gran disipacin de calor mucho ms grande que un diodo de silicio. La gran mayora de los diodos pn se encuentran en circuitos integrados CMOS, que incluyen dos diodos por pin y muchos otros diodos internos. CARACTERSTICAS TCNICAS Como todos los componentes electrnicos, los diodos poseen propiedades que les diferencia de los dems semiconductores. Es necesario conocer estas, pues los libros de caractersticas y las necesidades de diseo as lo requieren. En estos apuntes aparecern las ms importantes desde el punto de vista prctico. Valores nominales de tensin: VF = Tensin directa en los extremos del diodo en conduccin. VR = Tensin inversa en los extremos del diodo en polarizacin inversa. VRSM = Tensin inversa de pico no repetitiva. VRRM = Tensin inversa de pico repetitiva. VRWM = Tensin inversa de cresta de funcionamiento. Valores nominales de corriente: IF = Corriente directa. IR = Corriente inversa. IFAV = Valor medio de la forma de onda de la corriente durante un periodo. IFRMS = Corriente eficaz en estado de conduccin. Es la mxima corriente eficaz que el diodo es capaz de soportar. IFSM = Corriente directa de pico (inicial) no repetitiva. AV= Average(promedio) RMS= Root Mean Square (raz de la media cuadrtica) Valores nominales de temperatura Tstg = Indica los valores mximos y mnimos de la temperatura de almacenamiento. Tj = Valor mximo de la temperatura que soporta la unin de los semiconductores. . .

ASIGNACION
Tarea 1- Caractersticas del Diodo: La Curva I-V.

Dada la obtencin de datos siguientes trace la grfica I-V: VS [V] VR [V] VD [V] -1.082 0 -1.082 -0.912 0 -0.912 -0.540 0 -0.540 -0.056 0 -0.056 0 0 0 0.056 0 0.050 0.500 0.072 0.460 0.900 0.379 0.550 1.008 0.470 0.561

Para obtener los valores de la corriente ID haremos uso de la ley de Ohm:

VD [V] ID [A]

-1.082
-2.16E-03

-0.912
-1.82E-03

-0.54
-1.08E-03

-0.056
-0.11E-03

0
0

0.05
0.10E-03

0.46
0.920E-03

0.55
1.10E-03

0.561
1.12E-03

Graficando en Excel:

Grafica I-V
0.002500 0.002000 0.001500 Corriente [mA] 0.001000 0.000500 0.000000 -0.000500 -0.001000 -0.001500 -0.002000 -0.002500 Voltaje [V] -1.082 -0.912 -0.54 -0.056 0 0.056 0.5 0.9 1.008

Calculando IS por medio de la ecuacin de Shockley:

Calculando los valores de IS y RS por la ecuacin que describe el modelo de Shockley: [ [ ] ]

Calcular RS e IS, dados Vd1=-0.056, Vd2=0.9; VT=0.025 e Id1=-100A, Id2=10mA

Calculando Is: [ ] [ ]

Tarea 2- Caractersticas del Diodo: Grandes Seales.

Graficas obtenidas por el Osciloscopio:

La grafica de color verde es la comprendida en la salida del circuito.

El trazo est invertido debido a error de puesta en los terminales.

La grafica de color amarillo es la comprendida en la salida del circuito.

Tiempo de inactividad

Como podemos observar el circuito es un rectificador de media onda que esta dejando pasar la parte positiva de la seal de entrada, ademas podemos ver que los conceptos estudiados en clases se hacen evidente, ya que si observamos el grafico podemos ver que el tiempo de operacin del diodo no siempre pasa encendido hay momentos en los cuales pasa inactivo y corta la seal y ese periodo es evidentemente amplio (un periodo completo).

Graficas obtenidas por el Osciloscopio:

Voltaje Mximo = 3.04

Voltaje Minino = 0

Como podemos observar el puente rectificador es un circuito electrnico usado en la conversin de corriente alterna en corriente continua. Consiste en cuatro diodos comunes, que convierten una seal con partes positivas y negativas en una seal nicamente positiva. Un simple diodo permitira quedarse con la parte positiva, pero el puente permite aprovechar tambin la parte negativa. Y lo que hacen es que la electricidad vaya en un solo sentido y como observamos el tiempo de operacin o es de medio periodo al contrario que el rectificador de media onda visto anteriormente.

Tarea 3- Caractersticas del Diodo: Pequeas Seales.

Graficas obtenidas del osciloscopio para un offset de 0.5V:

Graficas obtenidas del osciloscopio para un offset de 0.4V:

Graficas obtenidas del osciloscopio para un offset de 0.6V

Tarea 4 - Rectificador de media onda mejorado.

Graficas obtenidas del osciloscopio: