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FISI 3143: Laboratorio de Electrnica I Departamento de Fsica y Electrnica Universidad de Puerto Rico en Humacao 2011-2012

Prctica 7: Transistores BJT


Objetivo: Estudiar propiedades y curvas caractersticas de transistor BJT. Referencias: 1. Notas y enlaces en pgina del curso (http://mate.uprh.edu/~iramos/fisi3143.html). 2. Boylestad and Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, Prentice Hall, 7th Ed., Cap. 3. Preguntas de repaso: 1. Explique las caractersticas del transistor de unin bipolar (BJT) y las diferencias entre los BJT tipo NPN y tipo PNP. 2. Qu caractersticas tiene el BJT con polarizacin Emisor Comn? 3. Modifique el subVI que controla su Power Supply para controlar las tres fuentes de voltaje en lugar de una solamente. 1. Transistor de Unin Bipolar (BJT) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la seal de uno de los terminales controla las otras dos. Los transistores se utilizan para amplificacin, regulacin de potencia y como interruptores. El transistor de unin bipolar (BJT) est formado por la unin de dos semiconductores tipo n y uno tipo p, o dos tipo p y uno tipo n. Se conoce como transistor bipolar ya que la corriente es producida tanto por electrones como por huecos. La figura 1 muestra la construccin de un BJT tipo npn (dos semiconductores tipo n separados por un semiconductor tipo p) y su correspondiente smbolo esquemtico. Los terminales del transistor se identifican como Colector (C), Emisor (E) y Base (B). La figura 2 muestra un BJT tipo pnp.

Figura 1. BJT tipo npn

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Figura 4. Terminales BJT. Figura 3. Foto de BJT

La figuras 3 y 4 muestran un ejemplo y un esquemtico de la parte inferior de un BJT que nos permite identificar sus terminales (Colector, Base y Emisor), respectivamente. Note que los terminales son los mismos para NPN y PNP. Como los transistores BJT pueden representarse internalmente como la unin de dos diodos (ver figura 5), el DMM puede utilizarse para revisar cada diodo como aprendimos en las prcticas anteriores. Prctica 1: Verificar funcionamiento del BJT 1. Seleccione un par transistores BJT (Note que la codificacin comienza con 2N). Anote su cdigo e identifique sus terminales. 2. Verifique que funcionan correctamente utilizando la tcnica que utilizamos para los diodos. . Coloque las puntas de prueba del DMM entre los terminales: BE, EB, BC y CB. Explique sus resultados. 3. Seleccione un transistor NPN que funcione correctamente para la prxima prctica (2N3904 o similar). 2. Curvas Caractersticas de BJT La operacin del transistor se obtiene polarizando las uniones pn o np. La figura 6 muestra un circuito polarizado en configuracin Emisor Comn. Las curvas caractersticas de la entrada del Emisor Comn son las curvas de IB versus VBE para distintos valores de VCE. Como usted puede deducir del circuito, estas curvas se comportan como las curvas caractersticas de un diodo. La figura 7 muestra las curvas caractersticas de la salida del emisor comn con sus correspondientes zonas de operacin (Amplificacin o Activa, Saturacin o Cut-Off). Aplicando las leyes de Kirchhoff al circuito obtenmos:
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Figura 5. Representacin de transistors BJT como uniones de dos diodos: a) NPN y b) PNP.

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I E=I C + I B V CE =V CC 1kIC
V BE =V BB100kI B
Para polarizacin dc la relacin entre IC e IB est dada por el parmetro donde:

IC IB

Prctica 2: Curvas Caractersticas del BJT

1. Usted programar un VI que muestre las curvas caractersticas de un BJT como las de
la figura 7. Comience modificando el VI que program para obtener la caracterstica del diodo. Su nuevo VI tiene dos elementos que lo hacen ms complejo: 1) necesitar utilizar dos fuentes del power supply en lugar de una y 2) necesitar dos ciclos para obtener las curvas caractersticas, un ciclo interno que controle el voltaje VCE y otro externo que controle los valores de IB. Power Supply: Modifique el subVI del power supply para que le permita utilizar ms de una fuente de voltaje. Pruebe su subVI antes de insertarlo al VI del BJT. Los siguientes enlaces le pueden ser de utilidad: Ejemplo de VI: https://decibel.ni.com/content/docs/DOC-1202 y Artculo sobre VI: http%3A%2F%2Fwww.tau.ac.il%2F~electro%2Fdoc_files%2Fmicro %2FPOWER_SUPPLY_INTERFACING_LA.DOC&ei=4cOlTtjwB9SSgQflg_DyBQ&usg = AFQjCNGKCYjWsG3tM0fTJ2rTjuXxQe8PS w&sig2=z1imw_lI1X9amrxY7AlHSg&cad=rja.

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2. Una vez su Power Supply este listo para controlar dos o tres fuentes de voltaje, escriba un VI para obtener las curvas caractersticas del transistor en el circuito de la figura 6. Su programa debe ejecutar los siguientes pasos: Ajustar VBB hasta que IB=10 A. Manteniendo IB fija, ajustar VCC hasta que VCE sea aproximadamente 0.1 V. Medir IC (directamente o midiendo voltaje y utilizando la ley de Ohm). Incrementar VCE en pasos de 0.1 V hasta 15 V y medir IC para cada voltaje. Trazar la curva de IC versus VCE. Verique que su VI traza esta curva antes de continuar con el paso siguiente. Incrementar IB hasta 40 A en pasos de 10 A y repetir el segunto paso. Trazar las curvas de IC versus VCE para los distintos valores de IB

3. Construya el circuito y verifique el funcionamiento de su VI. 4. Utilizando los resultados, calcule el valor de y compare con los parmetros en la literatura.

Para su informe: 1. Muestre el programa funcionando a la profesora. 2. Incluya el diagrama del circuito, fotos del experimento funcionando, copia del VI (panel y diagrama de bloque) y discusin de sus resultados.

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