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Inversores modulados por ancho de pulso

(10 de mayo de 2013)

H. Zniga ZA081030 R. Prez. PP080238 N. Sorto. SC080617 L. Landaverde LL080628

ResumenLos convertidores de CD a CA se llaman inversores. La funcin de un inversor es cambiar un voltaje CD a un voltaje simtrico de salida de CA, con la magnitud y frecuencia deseadas. El voltaje de salida podra ser fijo o variable a una frecuencia fija o variable. La forma de onda de los voltajes de salida de los inversores ideales debera de ser sinusoidal. Sin embargo, la de los inversores prcticos no es sinusoidal y poseen ciertas armnicas. En aplicaciones de potencia baja e intermedia se pueden aceptar voltajes de onda cuadrada o de onda casi cuadrada y para aplicaciones de grandes potencias se requieren ondas sinusoidales con baja distorsin. Con la velocidad de dispositivos semiconductores de potencia de alta velocidad, se pueden minimizar los contenidos de armnicas del voltaje de salida, o al menos reducirlos de forma importante mediante tcnicas de conmutacin. I INTRODUCCIN

corriente de entrada se mantiene constante, y convertidor enlazado con CD variable si el voltaje de entrada es controlable. Si se hacen pasar el voltaje o la corriente de salida del inversor por cero, creando un circuito resonante, a esta clase de inversor se le llama inversor de pulso resonante, y tiene muchas aplicaciones en la electrnica de potencia. II PRINCIPIO DE OPERACIN El principio de los inversores monofsicos se puede explicar con la Fig.1. El circuito del inversor consiste en dos pulsadores. Cuando slo enciende el transistor Q1 durante el tiempo To/2, el voltaje instantneo Vo a travs de la carga es Vs/2. Si el transistor Q2 se enciende durante un tiempo To/2, aparece - Vs/2 a travs de la carga. El circuito lgico se debe disear de tal modo que Q1 y Q2 no estn activos al mismo tiempo.

Los inversores se usan mucho en aplicaciones industriales, como por ejemplo impulsores variadores, reguladores o controles de motor de CA y velocidad variable, o en calentamiento por induccin, fuentes de alimentacin de reserva y fuentes de alimentacin interrumpibles. La entrada puede ser una batera, una celda de combustible, celda solar u otra fuente de cd. Las salidas normales monofsicas son: 1) 120V a 60 Hz 2) 220V a 50 Hz 3) 115V a 400 Hz. Para sistemas trifsicos de gran potencia, las salidas normales son: 1) 220 a 380Va 50 Hz 2) 120V y 208V a 60 Hz 3) de 115V 200V a 400 Hz. Los inversores se pueden clasificar en el sentido amplio en dos tipos: 1) inversores monofsicos 2) inversores trifsicos. Cada uno puede usar dispositivos controlados de encendido y Apagado, como transistores bipolares de unin [BJT], transistores de efecto de campo, de metal xido semiconductor [MOSFET], transistores bipolares de compuerta aislada [IGBT], tiristores controlados por compuerta [GTO]). Estos inversores usan en general seales de control por modulacin por ancho de pulso (PWM) para producir un voltaje de salida de CA. Un inversor se llama Inversor alimentado por voltaje si el voltaje de entrada permanece constante; inversor alimentado por corriente, si la

Fig. 1 Circuito inversor monofsico

La Fig. 2. Muestra las formas de onda del voltaje de salida y las corrientes en el transistor, con una carga resistiva. Este inversor requiere una fuente de cd de tres hilos, y cuando un transistor est apagado, su voltaje inverso es Vs en lugar de Vs/2. A este inversor se le llama inversor en medio puente.

Fig. 4 Formas de onda de salida

IV INVERSORES TRIFASICOS

Fig. 2 Formas de onda con carga resistiva

III PUENTES INVERSORES MONOFSICOS

En la Fig. 3 se muestra un puente inversor monofsico para fuente de voltaje. Consiste en cuatro interruptores peridicos. Cuando los transistores Q1 y Q2 se encienden en forma simultnea, el voltaje de alimentacin Vs aparece a travs de la carga. Si los transistores Q3 y Q4 se encienden al mismo tiempo, se invierte el voltaje a travs de la carga y es s -Vs. La forma de onda del voltaje de salida se ve en la Fig. 4. Los transistores Q1 y Q4 de la Fig. 3 funcionan como dispositivos de conmutacin S1 y S4, respectivamente. Si al mismo tiempo conducen dos interruptores: uno superior y uno inferior, de tal modo que el voltaje de salida es Vs, el estado de conmutacin es 1, mientras que si estn apagados al mismo tiempo, el estado de conmutacin es 0.

En el caso normal, los inversores trifsicos se usan en aplicaciones de grandes potencias. Se pueden conectar tres puentes inversores monofsicos medios o completos, en paralelo, como se ve en la Fig.4, para formar la configuracin de un inversor trifsico. Las seales de control de los inversores monofsicos se deben adelantar o atrasar 120 entre s, para obtener voltajes (fundamentales) trifsicos balanceados. Los devanados primarios de transformador se deben aislar entre s, mientras que los secundarios se pueden conectar en estrella o en delta. El secundario del transformador se suele conectar en delta, para eliminar armnicas que aparecen en los voltajes de salida, y el arreglo del circuito se ve en la Fig. 5. En este arreglo se requieren tres transformadores monofsicos, 12 transistores y 12 diodos. Si las magnitudes y las fases de los voltajes de salida de los inversores monofsicos no estn perfectamente balanceadas, los voltajes trifsicos de salida estarn desbalanceados. Se puede obtener una salida trifsica con una configuracin de seis transistores y seis diodos, como se ve en la Fig. 7 Se pueden aplicar dos clases de seales de control a los transistores: conduccin a 180 o conduccin a 120. La conduccin a 180 utiliza mejor los interruptores, y es el mtodo que se prefiere.

Fig. 3 Circuito inversor monofsico Fig.5 Tres inversores monofsicos conectados en paralelo.

3 Fig. 8 Voltajes de fase para conduccin de 180

B Conduccin a 120 grados

En esta clase de control, cada transistor conduce durante 120. En cualquier momento slo hay dos transistores encendidos. Las seales de disparo se ven en la Fig. 8. El orden de conduccin de los transistores es 61, 12, 23, 34, 45,56 Y 61. Hay tres modos de operacin en un medio ciclo, y en la Fig. 9 se ven los circuitos equivalentes para una carga conectada en Y. Durante el modo 1, para 0t</3, los transistores 1 y 6 conducen:
Fig.6 Arreglo detallado de Inversor trifsico

Fig. 7 Arreglo de inversor trifsico con 6 diodos y 6 transistores

A Conduccin a 180 grados

Cada transistor conduce durante 180. En cualquier momento hay tres transistores encendidos. Cuando se enciende el transistor Q1, la terminal a est conectada con la terminal positiva del voltaje CD de entrada. Cuando se enciende el transistor Q4, la terminal a se lleva a la terminal negativa de la fuente de CD. Hay seis modos de operacin en un ciclo, y la duracin de cada modo es 60. Los transistores se numeran en el orden de sus seales de, la carga se puede conectar en estrella o en delta. Los interruptores de cualquier rama del inversor (S1 y S4, S3 Y S6 o S5 y S2) no se pueden encender en forma simultnea, porque se producira un corto a travs del enlace con la fuente de voltaje CD de alimentacin. De igual modo, para evitar estados indefinidos y en consecuencia voltajes indefinidos de CA de salida, los interruptores de cualquier rama del inversor no pueden apagarse en forma simultnea, porque se produciran voltajes que dependen de la polaridad de la corriente de lnea correspondiente. Los voltajes de fase para la conduccin de 180 se observa en a Fig. 8

Fig. 8 seales de compuerta para conduccin a 120 grados.

Fig. 9 Circuitos equivalentes para carga resistivas conectada en Y.

Durante el modo 2, para /3t<2/3, los transistores 1 y 2 conducen: = = =

Durante el modo 3, para 2/3t<3/3, los transistores 2 y 3

conducen: = = =

Los voltajes de lnea a neutro que se ven en la figura 6.9 se pueden expresar como series de Fourier:

Hay varias tcnicas para variar la ganancia del inversor. El mtodo ms eficiente de controlar la ganancia (y el voltaje de salida) es incorporar control por modulacin por ancho de pulso (PWM) en los inversores. Las tcnicas que se usan con frecuencia son: 1. 2. 3. 4. 5. Modulacin por ancho de un solo pulso. Modulacin por ancho de pulsos mltiples. Modulacin por ancho de pulso sinusoidal. Modulacin por ancho de pulso sinusoidal modificado. Control por desplazamiento de fase.

=1,3,5,.

2 sin sin ( + ) 3 6 2 sin sin ( ) 3 2

=1,3,5,.

V MODULACIN POR ANCHO DE UN SOLO PULSO En el control de modulacin por ancho de un solo pulso slo hay un pulso por cada medio ciclo, y se hace variar su ancho para controlar el voltaje de salida del inversor. La Fig. 20 muestra la generacin de seales de control y el voltaje de salida de los puentes inversores monofsicos completos. Las seales de disparo se generan comparando una seal de referencia rectangular, de amplitud Ar con una onda portadora triangular de amplitud Ac. La frecuencia de la seal de referencia determina la frecuencia fundamental del voltaje de salida. El voltaje instantneo de salida es Vo = Vs(g1 g4). La relacin de Ar entre Ac es la variable de control, y se define como el ndice de modulacin: = = 1,3,5, .

=1,3,5,.

2 7 sin sin ( ) 3 6

El voltaje de lnea a a b es = 3 con un avance de fase de 30. En consecuencia, los voltajes instantneos de lnea a lnea (para una carga conectada en Y), son:

=
=1

23 sin sin ( + ) 3 3 23 sin sin ( ) 3 3 23 sin sin ( + ) 3

= 1,3,5, .

=
=1

= 1,3,5, .

=
=1

Hay un retardo de /6 desde el apagado de Q1 y el apagado de Q4 Por tanto no debe haber cortocircuito del alimentacin de cd a travs de uno de los transistores superiores y uno de los inferiores. En cualquier momento hay dos terminales de carga conectadas a la alimentacin de cd, y la tercera queda abierta. El potencial de esta terminal abierta depende de las caractersticas de la carga y podra ser impredecible. Como el transistor conduce durante 120, se utiliza menos en comparacin con los de conduccin a 180, para las mismas condiciones de carga. Por lo anterior, se prefiere la conduccin a 180 y es la que se usa en general en los inversores trifsicos. VI INVERSORES MONOFSICOS CONTROLADOS POR VOLTAJE En muchas aplicaciones industriales, para controlar el voltaje de salida de los inversores, se necesita con frecuencia: 1. 2. 3. Hacer frente a las variaciones del voltaje de entrada de cd. Regular el voltaje de los inversores. Satisfacer los requisitos de control de voltaje y frecuencia constantes.
Fig. 10 Modulacin por ancho de un pulso.

El voltaje rms de salida se puede determinar con: =

VII MODULACIN POR ANCHO DE PULSO MLTIPLE Se puede reducir el contenido de armnicas usando varios pulsos en cada medio ciclo del voltaje de salida. La generacin de seales de disparo para encender y apagar los transistores se ve en la Fig. 15, comparando una seal de referencia contra una onda portadora triangular. La frecuencia de la seal de referencia establece la frecuencia de salida fo, y la frecuencia de la portadora fe determina la cantidad de pulsos p por cada medio ciclo. El ndice de modulacin controla el voltaje de salida. A esta clase de modulacin se le llama modulacin por ancho de pulso uniforme (UPWM, de uniform pulse-width modulation). La cantidad de pulsos por medio ciclo se determina con: =

Las seales de control, como se ven en la fig. 6.15a, se generan comparando a una seal sinusoidal de referencia con una onda portadora triangular de frecuencia fc.. La frecuencia fr de la seal de referencia determina la frecuencia fo de la salida del inversor, y su amplitud pico Ar controla el ndice de modulacin M, y en consecuencia el voltaje rms de salida Vo. Al comparar la seal portadora bidireccional Ver con dos seales de referencia, vr y -vr que se ven en la Fig. 12, se producen las seales de disparo g1 y g4, respectivamente. El voltaje de salida es Vo = Vs(g1 g4) Sin embargo, g y g4 no se pueden liberar al mismo tiempo.

= 2 2

Donde = se define como la relacin de modulacin de

frecuencia. El voltaje instantneo es Vo = Vs(g1 g4). El voltaje de salida para los puentes inversores completos se ve en la figura 6.13, para UPWM.

Fig. 12 Modulacin por ancho de pulso sinusoidal

IX Modulacin por ancho de pulso sinusoidal modificada

La Fig.12 indica que los anchos de los pulsos ms cercanos al pico de la onda sinusoidal no cambian mucho al variar el ndice de modulacin. Esto se debe a las caractersticas de una onda sinusoidal, y la tcnica de SPWM se puede modificar para que se aplique la onda portadora durante los primeros y ltimos intervalos de 60 por medio ciclo (es decir, de 0 a 60 y de 120 a 180). Esta modulacin por ancho de pulso sinusoidal modifica se ve en la Fig. 13 Aumenta la componente fundamental, y mejora sus caractersticas de armnicas. Reduce la cantidad de conmutacin de los dispositivos de potencia, y tambin reduce las prdidas por conmutacin.

Fig. 11 modulaciones por ancho de varios pulsos.

VIII Modulacin por ancho de pulso sinusoidal

En lugar de mantener igual el ancho de todos los pulsos, como en el caso de la modulacin de varios pulsos, se hace variar el ancho de cada pulso en proporcin con la amplitud de una onda sinusoidal evaluada en el centro del mismo pulso.

Fig. 13 Modulacin por ancho de pulso sinusoidal modificado.

Fig. 14 generacin de de compuerta con pwm sinusoidal

X Control por desplazamiento de fase

Se puede tener control de voltaje usando varios inversores y sumando los voltajes de salida de los inversores individuales. Se puede concebir que un puente inversor monofsico completo, sea la suma de dos puentes inversores en medios. Por ejemplo, la seal de compuerta g1 para el puente inversor medio se puede retardar el ngulo a para producir la seal de compuerta g2, el voltaje rms de salida es: =

B Sobre modulacin. Para aumentar ms la amplitud del voltaje de carga, se puede hacer que la amplitud de la seal moduladora vr sea mayor que la amplitud de la seal portadora, Vcr lo cual causa sobre modulacin. Variacin del voltaje en la regin de sobre modulacin.

C PWM de 60 grados
XI INVERSORES MONOFSICOS CONTROLADOS POR

VOLTAJE Se puede considerar que un inversor trifsico es tres inversores monofsicos, y que la salida de cada inversor monofsico est desplazada 120. Las tcnicas que se usan con ms frecuencia para los inversores trifsicos son las siguientes: PWM sinusoidal PWM con tercera armnica PWM a 60 Modulacin por vector espacial. A PWM sinusoidal La generacin de disparo de compuerta con PWM se ven en la Fig. 14. Al comparar la seal portadora Ver con las fases de referencia vrm Vrb Y vrc se producen g1 , g3 Y g5, respectivamente, como se ve en la figura 6.27b. El voltaje instantneo de salida, de lnea a lnea, es Vab = Vs (g1 - g3)' .

El concepto de la PWM a 60 es "aplanar" la onda desde 60 hasta 120, y desde 240 hasta 300. Los dispositivos de potencia se mantienen encendidos durante un tercio del ciclo (a pleno voltaje) y tienen menores prdidas de conmutacin. La PWM a 60 crea una fundamental ms grande (2/3) y usa ms del voltaje disponible en cd (voltaje de fase V p = 0.57735 Vs y voltaje de lnea V L = Vs) que la PWM sinusoidal.

D PWM con tercera armnica Se implementa de la misma forma que la PWM sinusoidal. La diferencia es que la forma de onda de ca de referencia no es sinusoidal, sino consiste en una componente fundamental y una componente de tercera armnica. El resultado es que la amplitud pico a pico de la funcin de referencia que resulta no rebasa el voltaje de alimentacin de CD, Vs sino que la componente fundamental es mayor que el Vs de alimentacin disponible. Todos los voltajes de fase de lnea a neutro (VaN, VbN y VcN) son sinusoidales, con amplitud pico de V P = Vs /3= O.57735Vs. La componente fundamental tiene la misma amplitud pico V PI = O.57735Vs y el voltaje pico de lnea es V L = 3V P = 3 X O.57735Vs = Vs. Es aproximadamente 15.5% mayor en amplitud que lo que se consigue con PWM sinusoidal. Por consiguiente, la PWM con tercera armnica permite una mejor utilizacin del voltaje de alimentacin de cd, que la PWM sinusoidal.

XIII INVERSORES CON FUENTE DE CORRIENTE.

Para las cargas inductivas, se requieren los interruptores de potencia con diodos de corrida libre, mientras que en un inversor con fuente de corriente (CSI, de current-source in verter) la entrada se comporta como fuente de corriente. La corriente de salida se mantiene constante, independientemente de la carga en el inversor, y se obliga a cambiar al voltaje de salida. El diagrama elctrico de un inversor monofsico transistorizado se ve en la Fig. 16. Como debe haber un flujo continuo de corriente desde la fuente, siempre deben conducir dos interruptores, uno del interruptor superior y uno del inferior. La secuencia de conduccin es 12, 23, 34 Y 4, como se ve en la Fig. 17.

Fig. 15 Seal pwm con tercera armnica

E Modulacin por vector espacial La SVM es una tcnica de modulacin digital, en la que el objetivo es generar voltajes P\VM en la lnea de carga que en promedio sean iguales a determinados voltajes de lnea de carga. La seleccin de los estados, y sus periodos, se hacen con la transformacin del vector espacial: XII TRANSFORMACIN ESPACIAL Las coordenadas son similares a las de tres voltajes de fase, en forma tal que el vector [ua O O]T se coloca a lo largo del eje x, el vector [O ub O]T est desplazado 120 en su fase, y el vector [O O uc]T est desplazado 240 en su fase. El vector espacial SV se expresa como sigue en notacin compleja:

Fig. 16 diagrama elctrico de inversor monofsico transistorizado

Donde 2/3 es un factor de escala. Se pueden escribir los componentes reales e imaginarios de esta ltima ecuacin, en el dominio x-y, como sigue:

Que tambin se puede escribir as:

La transformacin de los ejes x-y a los ejes -, que es girar con una velocidad angular w, se puede obtener girando wf los ejes x-y de acuerdo con:
Fig. 17 secuencia de conduccin

Si dos interruptores, uno superior y uno inferior, conducen al mismo tiempo, de tal modo que la corriente de salida es I L, el estado de conmutacin es 1, mientras que si esos

interruptores estn abiertos al mismo tiempo, el estado de conmutacin es O. Cuando hay dos dispositivos en distintos ramales que conducen, la corriente de la fuente IL pasa por la carga. Cuando conducen dos dispositivos en la misma rama, la corriente de la fuente se desva de la carga. La corriente en la carga se puede expresar como: 4 0 = sin sin () 2
=1,3,5

La Fig. 18 muestra el diagrama de circuito de un inversor trifsico con fuente de corriente. Las formas de onda para las seales de compuerta y las corrientes de lnea, para una carga conectada en Y. En cualquier momento solo hay dos tiristores conduciendo. Cada dispositivo conduce durante 120.la corriente Instantnea en la fase a de una carga conectada en Y se puede expresar como: 4 0 = sin sin ( + ) 3 6
=1,3,5

La corriente instantnea de fase, para una carga conectada en delta, es: 4 0 = sin sin() = 1,3,5 . 3 3
=1

Fig. 19 Seales de salida

Para variar la corriente en la carga y mejorar la calidad de la forma de onda, se pueden aplicar las tcnicas PWM, SPWM, MSPWM, o SUM.

Fig. 18 inversor trifsico con fuente de corriente

Fig. 20 inversores utilizando capacitores

En la Fig. 20 se ve un inversor con fuente de corriente que usa capacitores para abrir dispositivos de conmutacin como tiristores. Supongamos que T1 y T2 estn conduciendo, y que los capacitores C1 y C2 estn cargados con la polaridad que se muestra. Al disparar los tiristores T3 y T4 se polarizan en sentido inverso a los tiristores TI y T2. Estos ltimos se apagan por conmutacin de pulso. Ahora la corriente pasa por T3 C1 D1, por la carga y por D2 C2 T4. Los capacitores

C1 y C2 se descargan y recargan con velocidad constante determinada por la corriente de carga, Im =IL Cuando se cargan C1 y C2 hasta el voltaje de carga y sus corrientes bajan a cero, la corriente de carga se transfiere del diodo D1 al diodo D3, y de D2 a D4. Los diodos D1 y D2 se abren cuando la corriente de carga se invierte totalmente. Ahora el capacitor est listo para abrir T3 y T4, si los tiristores T1 y T2 se disparan en el siguiente medio ciclo. El tiempo de conmutacin depende de la magnitud de la corriente y del voltaje en la carga. Los diodos de la figura 6.44 aslan los capacitores del voltaje de carga.

XIV INVERSOR ELEVADOR Imaginemos dos convertidores cd-cd alimentando a una carga resistiva R, como se ve en la Fig. 21. Los dos convertidores producen una onda sinusoidal de cd polarizada de tal modo que cada fuente slo produce un voltaje unipolar, como se ve en la Fig. 22. La modulacin de cada convertidor est desfasada 180 respecto a la del otro, por lo que se maximiza la desviacin del voltaje hacia la carga. Entonces, los voltajes de salida de los convertidores se describen mediante: = = + sin sin El voltaje a la salida es sinusoidal y se expresa como: = = 2 sin Por consiguiente, aparece un voltaje de polarizacin de cd en cada extremo de la carga, respecto a tierra. Pero la diferencia de voltaje a travs de la carga es cero.

Fig. 22 Voltaje de salida

A Circuito inversor elevador. Cada convertidor es elevador bidireccional de corriente, como se ve en la Fig. 23. El inversor elevador consiste en dos convertidores elevadores, como se ve en la Fig. 24. Se puede controlar la salida del inversor con uno de los dos mtodos siguientes: 1) Usar un ciclo de trabajo k para el convertidor A, y un ciclo de trabajo (1 - k) para el convertidor B 2) usar un ciclo de trabajo diferente para cada convertidor, de tal modo que cada uno produzca una salida de onda sinusoidal polarizada de cd. Se prefiere el segundo mtodo, y usa los controladores A y B para hacer que los voltajes de capacitor Va y Vb sigan a un voltaje de referencia sinusoidal.

Fig. 23 Circuito convertidor elevador bidireccional

Fig. 21 dos Convertidores cd-cd

Fig. 24 Convertidor elevador inversor

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Se puede explicar el funcionamiento del inversor considerando slo un inversor A. Fig. 25. Hay dos modos de operacin: modo 1 y modo 2. Modo 1: cuando el interruptor S1 est cerrado y S2 est abierto, como se ve en la Fig. 26, la corriente en el inductor ILI aumenta en forma bastante lineal, el diodo D2 tiene polarizacin inversa, el capacitor C1 suministra energa a la carga y el voltaje Va disminuye. Modo 2: cuando el interruptor S1 est abierto y S2 est cerrado, como se ve en la Fig. 27, la corriente del inductor ILI pasa por el capacitor C1 y la carga. La corriente ILi disminuye mientras el capacitor C1 se carga.

El voltaje promedio de salida del convertidor A, que funciona bajo el modo de elevacin, se puede calcular con: = 1 El voltaje promedio de salida del convertidor B, que funciona con el modo reductor, se puede determinar con: = En consecuencia, el voltaje promedio de salida es: = = 1 Que da la siguiente ganancia del inversor elevador: 2 1 = = (1 ) Donde k es el ciclo de trabajo. Se debe notar que Vo se vuelve cero cuando k = 0.5. Si se vara el ciclo de trabajo respecto al punto de reposo de 50% del ciclo de trabajo, hay un voltaje de CA a travs de la carga. El voltaje pico de salida es igual a: () = 2 = 2 2 , el componente de cd debe satisfacer la condicin: ( + ) La ganancia en voltaje de CA es: =
()

= 1

Fig. 25 Circuito equivalente para el convertidor A

As, Vo (pk) es V s cuando k = 0.5. Las caractersticas de ganancia en ca y cd del inversor elevador se ven en la figura 6.50. La corriente IL por el inductor que depende de la resistencia de carga R, y el ciclo de trabajo k se puede calcular con: ] = [ 1 (1 ) XV INVERSOR REDUCTOR Y ELEVADOR. Tambin, la topologa en puente completo se puede operar como inversor reductor y elevador como se ve en la Fig. 28. Tiene casi la misma caracterstica que el inversor elevador y puede generar un voltaje de CA menor o mayor que el voltaje de entrada de CD.(Fig. 29) El anlisis del convertidor en estado permanente tiene las mismas condiciones que el inversor elevador.

Fig. 26 Modo 1

Fig. 27 Modo 2

Fig. 28 Inversor reductor elevador

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Fig. 29 Caractersticas de ganancia del inversor elevador

REFERENCIAS [1] M. S. 1.Asghar, Power Electronics Handbook, editado por M. H. Rashid. San Diego, CA: Academic Press, 2001, captulo 18 - Gate Drive Circuits. [2] "HV Floating MOS-Gate Driver ICs," Application Note AN978, International Rectifier, Inc., El Segundo, CA, julio de 2001. www.irf.com. [3] "Enhanced Generation of PWM Controllers," Unitrode Application Note U-128, Texas Instruments, Dalias, Texas, 2000. [4] "Off-Une SMPS Current Mode ControUer," Application Note ICE2ASOl, Infineon Technologies, Munich, Alemania, febrero de 2001. www.infineon.com. [5] "Power Conversion Processor Architecture and HVIC Products for Motor Drives," International Rectifier, Inc., El Segundo, CA, 2001, Pgs. 1-21. www.irf.com.

XV CONCLUSIONES La determinacin de las capacidades de voltaje y corriente de los dispositivos de potencia en circuitos inversores depende de las clases de inversores, de la carga y de los mtodos de control de voltaje y corriente. El diseo requiere 1) deducir ecuaciones de la corriente instantnea de carga, y 2) graficar las formas de onda de corriente para cada dispositivo y componente. Una vez conocida la forma de onda de corriente, se pueden determinar las capacidades de los dispositivos de potencia. La evaluacin de las capacidades de voltaje requiere establecer los voltajes inversos de cada dispositivo. Los inversores pueden proporcionar voltajes de CA, monofsicos y trifsicos, a partir de voltaje de cd fijo o variable. Hay varias tcnicas de control de voltaje, y producen un intervalo de armnicas en el voltaje de salida. La SPWM es ms efectiva para reducir la LOH. Con una eleccin adecuada de los modos de conmutacin en los dispositivos de potencia, se pueden eliminar ciertas armnicas. La modulacin por SV (vector espacial) encuentra aplicaciones cada vez mayores en los convertidores de potencia y en los excitadores de motores. Un inversor con fuente de corriente es un dual de un inversor con fuente de voltaje. Con la secuencia y el control adecuados de excitacin compuerta, el puente inversor monofsico se puede operar como inversor elevador.

Roberto Josu Prez Prez. Naci en Cojutepeque, el 20 de Octubre de 1990, se gradu en el Instituto Tcnico Ricaldone obteniendo el ttulo de Bachiller Tcnico Vocacional Opcin: Electrnica en 2008, y es actual estudiante de Ingeniera en Telecomunicaciones en la Universidad Don Bosco de El Salvador

Hugo Ernesto Zniga Aldana. Naci en San Salvador el 9 de Diciembre de 1989, se gradu en el Instituto Tcnico Ricaldone de Bachiller Tcnico Vocacional Opcin Electrnica en 2008, luego se gradu en 2010 de Tcnico en Ingeniera en Electrnica, y es actual estudiante de Ingeniera en Automatizacin en la Universidad Don Bosco de El Salvador Nelson Gerardo Sorto Cisnado, naci en San salvador, El Salvador, el 17 de julio de 1989. Se gradu de bachillerato del Colegio Salesiano Don Bosco, recibi el ttulo de bachiller tcnico en electrnica en San Salvador, El salvador en el ao 2007. Actualmente se encuentra cursando cuarto ao de la carrera de ingeniera en telecomunicaciones, en la ciudad de Soyapango, El Salvador.

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Lony Othmaro Landaverde Lpez, naci el 29 de enero de 1988 en San Salvador, graduado de bachiller tcnico vocacional industrial opcin electrnica, del Instituto tcnico de Exalumnos Salesianos en el 2007, actualmente estudia ingeniera mecatronica en la Universidad Don Bosco de El Salvador.