Efecto Hall en semiconductores 1.OBJETIVOS Obtener el coeficiente Hall para un semiconductor de germanio tipo -p, as como la magnetorresistencia. 2.

INTRODUCCIN TERICA El efecto hall (Edwin Herbert Hall, 1879) surge en materiales conductores y semiconductores cuando circula por ellos una corriente elctrica que se ve afectada por un campo magntico perpendicular a la direccin de la corriente j, y se manifiesta por una desviacin de los portadores de carga en la direccin perpendicular a la corriente y al campo magntico.

La explicacin se deriva de ley de Lorentz.

F = q( E + v B) ( SI )

[ec.1]

Al aplicar un campo magntico en la direccin z, siendo inicialmente j en la direccin x, aparecer sobre las cargas una fuerza en el eje y, dependiendo del signo de las cargas el sentido de esa fuerza. Por lo tanto, las cargas se irn acumulando en uno de los bordes del material, apareciendo un campo Ey que contrarresta esta fuerza magntica. (el dibujo aparece para cargas negativas).

En este sentido, se define como coeficiente Hall

Ey j x Bz Vy IB z

RH =

[ec.2]

y como magnetorresistencia:
=
Ex jx

[ec.3]

que da una medida de la resistencia del material bajo campos magnticos. Por otro lado, podemos encontrar a qu equivalen estas magnitudes en el modelo de electrones libres, introduciendo el modelo cintico de colisiones o modelo de Drude1. En la prctica de Wiedemann-Franz se llegaba a que la ecuacin dinmica que rige el movimiento de los electrones colisionantes en este modelo es la siguiente: dv (t ) dp (t ) p (t ) m = = + f (t ) [ ec.4] dt dt donde f(t) es la fuerza externa a la que se ve sometido. En nuestro caso
f (t ) = q ( E + v B ) . Introduciendo esta expresin y resolviendo se llega a las

siguientes expresiones:
p = mv =q E + v xB

[ec.5]

que se puede expresar componente a componente:

qE x cv y m qE y vy = cv x m qE z vz = m
vx =

[ ec.6]

en donde wc=eB/m es la frecuencia de ciclotrn. Adems vy=0 porque no hay corriente no puede salir del sistema en la direccin y. Para que esto sea posible debe de existir un campo Ey tal que

vy =

qE y
m

c v x = 0 E y =

c vx m = q

Bj q / v x/ / Bm = Bv x = { j = nqv } = x q nq / / /m

[ec.7]

que si sustituimos en [ec.2] y [ec.3] llegamos a:

Ver Introduccin terica en la prctica Ley de Wiedemann-Franz

RH =

Ey j x Bz

1 nq

[ec.8] [ec.9]

Ex m = 2 jx nq

Vemos que RH slo depende de n y de q. En el modelo de electrones libres, dado que q=-e, RH<0 siempre. Experimentalmente ocurre que no es as. Adems, en general RH depende de B. Esto tiene explicacin al introducir la teora de bandas de energa, donde aparecen unos portadores de carga positivos (los huecos). En la teora de electrones Bloch, [ec.8] se reescribe:
RH = 1 e( n e n h )

[ec.10]

aunque la aproximacin de electrones libres es vlida en el lmite de campos magnticos altos. En cuanto a la magnetorresistencia, vemos que, segn el modelo de electrones libres [ec.9], no depende del campo B aplicado. Experimentalmente, el comportamiento de es muy diverso, con dbiles y fuertes dependencias. En general, para campos magnticos dbiles, crece con el cuadrado del campo magntico. Una explicacin intuitiva es que (B)- (0) debe de ser siempre positiva, pues el campo magntico siempre dificultar el paso de los electrones, sea cual sea su sentido. Esto implica que la dependencia no puede ser lineal, o de potencia impar. Para campos ms intensos, dependiendo de la topologa de la esfera de Fermi, puede comportarse de diferentes maneras, saturando a ciertos valores o creciendo indefinidamente. Entre las aplicaciones de este efecto Hall se encuentran: 1. 2. 3. . 4. determinar el tipo de portadores mayoritarios (segn el signo de RH) determinar el nmero de portadores de carga por unidad de volumen determinar la velocidad a la que se mueven en el material, sabiendo que
I j = = nqv v = R H j A

determinar un campo magntico desconocido, una vez conocido el valor de RH. Esta es la principal aplicacin del efecto Hall.

3.PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL El dispositivo experimental consiste en una placa rectangular de germanio dopado, de dimensiones conocidas, por la que se puede hacer pasar una corriente en la direccin longitudinal. Dicha placa se introduce en el interior de un campo magntico unidireccional producido por un solenoide alimentado por una fuente de potencia. El campo magntico producido depende directamente de la intensidad que circula por el solenoide, por lo que el campo B debe de calibrarse estableciendo la relacin B=B(I). Para ello se hace uso de una sonda Hall, colocada adecuadamente en el entrehierro. Una vez conocida esta relacin, se coloca la placa de germanio en el entrehierro, y se conecta a una fuente de tensin que podemos controlar. En la direccin perpendicular mediremos la cada de potencial Hall, que es la que nos interesa. Sin embargo, sucede en la prctica que los puntos donde se mide no estn alineados, como ilustra la figura, lo que podra suponer la introduccin de un gran error sistemtico.

Dibujo2. Esquema de la placa y la componente Vx

Como lo que medimos es V1-V2, y lo que queremos medir es Vy, deberemos restarle a cada medida la contribucin longitudinal. Para ello, primeramente haremos una medida para campo nulo B=0 de modo que Vy=0 y V1-V2=Vx. Entonces tomaremos diferentes series de medidas, en primer lugar manteniendo fijo el campo magntico aplicado y variando la corriente elctrica que circula por la muestra, y luego manteniendo constante la corriente y variando el campo magntico. Hay que tener cuidado de no superar cierto valor del campo magntico, por precaucin. Para cada serie de medidas haremos un ajuste lineal y despejaremos RH segn [ec.2], teniendo en cuenta que RH =
Ey j x Bz = Vy IB z e siendo e el espesor de la muestra.

Por ltimo, mediremos la magnetorresistencia. Para ello cambiaremos los terminales para medir la cada de potencial en el eje x. Esta medida se deber tomar con cierta celeridad, ya que la resistencia va a depender fuertemente de la temperatura, la cual aumentar por el paso de la corriente (efecto Fourier). Esto va a hacer que se pierda la dependencia con B2 que queremos observar para corroborar la teora. 4. RESULTADOS Y DISCUSIN. 4.1 Coeficiente Hall En primer lugar hemos calculado la relacin B=B(I), obteniendo la siguiente dependencia:
350 300 250 200

B(miliTesla)=A+BI(Amperio) A=-47,300,67 mT B=103,060,31 mT/A r=0,99922

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0

B(T)

150 100 50 0 -50 -100 -0,5

I(A)

El motivo de que la recta no pase por el origen viene de que el teslmetro no estaba bien calibrado. Esto no quiere decir que en la realidad exista un campo magntico si I=0. A la hora de realizar los clculos hemos tenido en cuenta este hecho. A continuacin medimos V12 para B=0 para calcular Vx que ser una constante a restar:
Vy si B=0 por efecto de la no alineacin de los terminales de medida
0

V(miliVoltio)=A+BI(miliAmperio) A=(7,460,57)10-3 mV B= (-5,5183 0,0010)10-1 mA r=0,99999

-1

-2

V(mV)

-3

-4

-5

-6 0 2 4 6 8 10

I (mA)

A continuacin encontramos los resultados de las medidas realizadas para B=cte e I=cte.
0,026 0,024 0,022 0,020 0,018 0,016

B1=0,125T B2=0,236T B3=0,349T

B cte

Vy(Volt)

0,014 0,012 0,010 0,008 0,006 0,004 0,002 0,000 0,000 0,002 0,004 0,006 0,008 0,010

I(A)

0,020 0,019 0,018 0,017 0,016 0,015 0,014 0,013 0,012 0,011 0,010 0,009 0,008 0,007 0,006 0,005 0,004 0,003 0,002 0,001 0,00 0,05

I1=2,52mA I2=5,41mA I3=7,47mA

I cte

Vy [Volt]

0,10

0,15

0,20

0,25

0,30

0,35

0,40

B [Tesla]

Lo que nos lleva a a obtener los siguientes valores de RH:

I=cte Rh[Vm/AT] 2,52 6,56E-03 5,41 6,57E-03 7,47 6,63E-03

I(mA)

u(Rh) 2,2E-04 2,8E-04 2,7E-04

Haciendo una media ponderada tenemos que: RH=(6,580,15)10-3 m/T

B=cte Rh[Vm/AT] u(Rh) 0,125 7,614E-03 8,0E-05 0,236 7,348E-03 4,5E-05 0,349 6,839E-03 3,3E-05

B(T)

Lo que nos lleva a: RH=(7,0720,25)10-3 m/T Vemos que este valor es ligeramente mayor, lo que nos puede llevar a pensar en alguna fuente de error sistemtico en la medida del campo B(I). En todo caso, podemos inmediatamente deducir el signo de los portadores de carga, ya que, segn [ec.8]
RH = Ey j x Bz = 1 > 0 q > 0 las cargas son huecos. nq

Podemos corroborarlo de la siguiente forma: segn [ec.1]las cargas, sean del tipo que sean, se acumularn en el punto 1 (ver dibujo 2). Tal y como tenamos conectados los terminales, ese corresponde al terminal positivo, y como Vy>0 llegamos a la misma conclusin: q>0, luego el semiconductor conduce por huecos. Adems, por la misma expresin podramos calcular el nmero de portadores por unidad de volmen n=(9,480,21)1020 m-3
I j = = nqv podemos saber la A

Adems, a travs, teniendo en cuenta que

velocidad media a la que se mueven en el eje x las cargas en cada caso. A modo de ejemplo, tomando I=2,52mA, tenemos que: v=1,660,03 m/s

Sin embargo, este resultado no es vlido, ya que est suponiendo que la corriente que circula no depende del campo magntico aplicado, lo que no es cierto, como veremos en el siguiente apartado: 4.2.Magnetorresistencia: Midiendo la resistividad en el eje x para diferentes campos magnticos, tenemos:
Magnetorresistencia
0,00264

0,00262

0,00260

( m)

0,00258

0,00256

0,00254 -0,05 0,00 0,05 0,10 0,15

Y =0,00255+1,64298E-5 X+5,33187E-4 X

0,20

0,25

0,30

0,35

0,40

B(T)

( m ) = 0,00255 +1,64310 5 B + 5,33210 4 B 2

r2=0,9957 Podemos ver la perfecta dependencia cuadrtica, tal y como habamos previsto. 5.CONCLUSIONES En esta prctica hemos comprobado experimentalmente el efecto Hall y hemos visto como deducir el tipo de portadores mayoritarios del semiconductor. A la vista de los resultados obtenidos hemos visto como la teora de electrones libres supone una buena aproximacin del comportamiento real, si bien es cierto que tambin aparecen discrepancias, para lo que es necesario introducir el modelo de Drude, o la teora de electrones Bloch (por ejemplo, para justificar la existencia de una resistencia distinta de cero, y dependiente de la temperatura).

Anexo: aqui reproduzco los datos tomados junto con los parmetros de los ajustes: En primer lugar la recta de calibracin de B:
Isolenoide (A) B(mT) 0,01 -47 0,6 7 1,28 85 1,65 131 2 162 2,5 213 3,11 273 3,67 325

B=a+b I Parameter a b r

Value Error -47,30 0,67 103,06 0,30 0,99922

A continuacin la recta V frente a I para B=0 para hallar la componente longitudinal de V12:
I(A) 0 I(mA) -0,01 9,95 8,95 7,69 6,43 5,17 4,53 3,25 2,01 0,74 V(mV) 0,03 -5,481 -4,928 -4,235 -3,541 -2,847 -2,497 -1,791 -1,106 -0,409 V=a+b I Parameter a b r B(mT) 0

Value Error 7,46E-03 5,7E-04 -5,5183E-01 9,8E-05 -0,99999

A continuacin las rectas para el clculo de R H; medida de V12 frente a I o frente a B segn sea a B=cte y a I=cte, respectivamente. La tabla de datos medidos hace referencia a esa V12, pero a la hora de ajustar ya se ha hecho la correccin V y = V12- Vx, por eso aparece Vy encima de los datos del ajuste.
B=cte B (T) u(B) 1,247E-01 1,095E-03 V(mV) s(V) mV 3,99 0,01 3,51 0,01 3,04 0,01 2,66 0,01 2,01 0,01 1,56 0,01 1,2 0,01 0,57 0,01

I(A) s(I) 1,21 0,01 I(mA) s(I) mA 9,98 0,01 8,87 0,01 7,61 0,01 6,71 0,01 5,07 0,01 3,94 0,01 2,98 0,01 1,42 0,01

Vy=a+bI Parameter a b r

B=124mT Value Error -5,9E-06 1,2E-05 9,496E-01 1,9E-03 0,99999

I(A) s(I) 2,29 I(mA) s(I) 9,7 8,94 8,03 6,93 6,05 4,8 3,42 2,54 0,91 I(A) s(I) 3,39 I(mA) s(I) 10,01 8,69 7,52 6,76 5,74 5,01 3,88 2,4 0,9

0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01

B (T) u(B) 2,360E-01 1,247E-03 V(mV) s(V) 11,52 0,01 10,61 0,01 9,51 0,01 8,27 0,01 7,22 0,01 5,73 0,01 4,09 0,01 3,05 0,01 1,12 0,01 B (T) u(B) 3,494E-01 1,463E-03 V(mV) s(V) 18,43 0,01 15,96 0,01 13,82 0,01 12,43 0,01 10,55 0,01 9,21 0,01 7,14 0,01 4,43 0,01 1,69 0,01 I=cte

Vy=a+bI Parameter a b r

B=236mT Value Error 4,3E-05 1,5E-05 1,734E+00 2,3E-03 0,99999

0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01

Vy=a+bI Parameter a b r

B=349mT Value Error 7,607E-06 1,8E-05 2,389E+00 2,8E-03 1

I(mA) s(I) (mA) 2,52 0,01 I(B) (A) s(I) 0,49 0,01 0,88 0,01 1,39 0,01 1,88 0,01 2,22 0,01 2,85 0,01 3,29 0,01 3,71 0,01 I(mA) s(I) (mA) 5,41 0,01 I(B) (A) s(I) 0,51 0,01 1,06 0,01 1,53 0,01 2,06 0,01 2,53 0,01 2,89 0,01 3,46 0,01 3,67 0,01

B(T) u(B) V(mV) s(V) 5,05E-02 1,0E-03 -0,38 0,01 9,07E-02 1,1E-03 0,42 0,01 1,433E-01 1,1E-03 1,46 0,01 1,938E-01 1,2E-03 2,37 0,01 2,288E-01 1,2E-03 2,97 0,01 2,937E-01 1,4E-03 3,95 0,01 3,391E-01 1,4E-03 4,55 0,01 3,824E-01 1,5E-03 5,1 0,01

Vy=a+bB I=2,52mA Parameter Value Error a 3,8E-04 1,4E-04 b 1,65E-02 5,6E-04 r 0,99657

B(T) u(B) V(mV) s(V) 5,256E-02 1,0E-03 -0,89 0,01 1,092E-01 1,1E-03 1,55 0,01 1,577E-01 1,1E-03 3,53 0,01 2,123E-01 1,2E-03 5,62 0,01 2,607E-01 1,3E-03 7,66 0,01 2,979E-01 1,4E-03 8,64 0,01 3,566E-01 1,5E-03 10,05 0,01 3,782E-01 1,5E-03 10,7 0,01

Vy=a+bB I=5,41mA Parameter Value Error a 7,2E-04 3,8E-04 b 3,56E-02 1,5E-03 r 0,99469

I(mA) s(I) (mA) 7,47 0,01 I(B) (A) s(I) B(T)

u(B)

V(mV) s(V)

10

0,5 1,08 1,48 1,99 2,49 2,98 3,57

0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01

5,153E-02 1,113E-01 1,525E-01 2,051E-01 2,566E-01 3,071E-01 3,679E-01

1,0E-03 1,1E-03 1,1E-03 1,2E-03 1,3E-03 1,4E-03 1,5E-03

-1,34 2,21 4,84 7,41 9,89 12,04 14,34

0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01

Vy=a+bB I=7,47mA Parameter Value Error a 8,9E-04 4,7E-04 b 4,95E-02 2,0E-03 r 0,99583

Por ltimo, los datos medidos para la magnetorresistencia, con los resultados obtenidos en cada caso.
Isolenoide (A) 0 0,42 0,62 0,8 1 1,25 1,4 1,69 2,04 2,25 2,45 2,58 2,83 3,02 3,24 3,4 3,59 s(Isolen) B (T) 0,01 0,000E+00 0,01 4,33E-02 0,01 6,39E-02 0,01 8,25E-02 0,01 1,031E-01 0,01 1,288E-01 0,01 1,443E-01 0,01 1,742E-01 0,01 2,102E-01 0,01 2,319E-01 0,01 2,525E-01 0,01 2,659E-01 0,01 2,917E-01 0,01 3,112E-01 0,01 3,339E-01 0,01 3,504E-01 0,01 3,700E-01 u(B) 1,0E-03 1,0E-03 1,0E-03 1,1E-03 1,1E-03 1,1E-03 1,1E-03 1,2E-03 1,2E-03 1,2E-03 1,3E-03 1,3E-03 1,3E-03 1,4E-03 1,4E-03 1,5E-03 1,5E-03 Vx (V) 0,2048 0,2042 0,2041 0,2042 0,2044 0,2047 0,205 0,2055 0,2061 0,2065 0,207 0,2073 0,208 0,2085 0,2089 0,2093 0,2105 s(Vx) 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 Ix (A) 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 s(Ix) 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 (m) 2,5605E-03 2,5530E-03 2,5517E-03 2,5530E-03 2,5555E-03 2,5592E-03 2,5630E-03 2,5692E-03 2,5767E-03 2,5817E-03 2,5880E-03 2,5917E-03 2,6005E-03 2,6067E-03 2,6117E-03 2,6167E-03 2,6317E-03 u() 5,1E-06 5,1E-06 5,1E-06 5,1E-06 5,1E-06 5,1E-06 5,1E-06 5,1E-06 5,2E-06 5,2E-06 5,2E-06 5,2E-06 5,2E-06 5,2E-06 5,2E-06 5,2E-06 5,3E-06

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