ESCUELA POLITECNICA DEL EJERCITO ESPE

TEMA:
ARSENIURO DE GALIO.

OBEJETIVO GENERAL:
Conocer los usos y aplicaciones del arseniuro de galio.

OBEJETIVO ESPECIFICOS:
Investigar los componentes y funcionamiento del arseniuro de galio. Conocer las diferentes aplicaciones del arseniuro de galio. Comparar los beneficios y desventajas respecto a otros materiales.

MARCO TEORICO:
ARSENIURO DE GALIO
El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsnico. Es un importante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisin infrarroja, diodos lser y clulas fotovoltaicas.

ACERCA DEL ARSENIURO DE GALIO

El compuesto arseniuro de Galio (GaAs) se emplea como semiconductor (con los elementos de los grupos II, IV o VII de la Tabla Peridica) o como semiaislante. Componentes hechos de arseniuro de galio se encienden diez veces ms rpido que aquellos de silicio, no sufren tan a menudo daos transmitiendo seales analgicas y no necesitan mucha energa. Por estas cualidades el arseniuro de galio tiene una amplia aplicacin en la industria de las telecomunicaciones. Su principal aplicacin es en la construccin de circuitos impresos y dispositivos optoelectrnicos(es el nexo de unin entre los sistemas pticos y los sistemas electrnicos) en telfonos celulares y mviles para la transmisin de seales. Adems el arseniuro de galio se emplea para transmitir informacin por fibra ptica a travs de lseres para tratamiento superficial (VCSEL) o para suministrar energa mediante los paneles solares con clulas fotovoltaicas de los satlites.

 UN GRAN DESCUBRIMIENTO
Los investigadores examinaron el movimiento ultrarrpido de los electrones en un cristal, arseniuro de galio, expuesto por corto tiempo a un campo elctrico de gran intensidad. Este experimento, conceptualmente nuevo, mostro por primera vez un movimiento oscilatorio colectivo, de los electrones con frecuencia muy alta, que adems se aade, al conocido movimiento de deriva de estas partculas. Este efecto descubierto est desarrollando una importante miniaturizacin en los dispositivos electrnicos .

COMO FUNCIONA
El arseniuro de galio (GaAs) es uno de los materiales ms importantes para los semiconductores optoelectrnicos, es un compuesto de galio y arsnico. Se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisin infrarroja, diodos lser y clulas fotovoltaicas. Un cristal de GaAs consta de una red de tomos de galio y arsnico, en la que los tomos de galio portan una pequea carga positiva y los tomos de arsnico una pequea carga elctrica negativa . Un movimiento lento de electrones a travs del cristal causa en sus alrededores una distorsin en la red cristalina. La carga elctrica negativa de electrones repele a los tomos cargados negativamente y atrae a los tomos cargados positivamente . Esto provoca oscilaciones de los tomos en torno a su posicin de equilibrio: desarrollando vibraciones de red, llamadas fotones. Mediante la generacin de vibraciones de red, los electrones pierden energa y, por tanto, se ralentizan. Esta desaceleracin no es otra cosa que la resistencia elctrica. La deriva de los electrones se da con velocidad constante a travs de la red. Esta descripcin fsica es la base de la tan conocida ley de la resistencia elctrica, la ley de Ohm. Ahora una situacin completamente nueva se plantea si los electrones experimentan una pre-salida, es decir, si son acelerados por un campo elctrico muy elevado, ms rpido que el tiempo de respuesta de los tomos en sus alrededores. El movimiento de los electrones causado por este elevado campo elctrico se

observa con pulsos ultracortos de luz en la regin infrarroja del espectro. En contraste con el movimiento de deriva con velocidad constante observado para los pequeos campos elctricos, para grandes campos, la velocidad de los electrones acelerados cambia en periodos entre valores alto y bajo. La frecuencia de estas oscilaciones de velocidad se corresponde exactamente con la frecuencia ms alta con la que los tomos pueden vibrar, la frecuencia de los denominados fotones longitudinales pticos. .

ESTRUCTURA: Arseniuro de galio General

Nombre Frmula qumica Masa molar Apariencia Nmero CAS

Arseniuro de galio GaAs 144.645 g/mol Cristales cbicos grises Plantilla:CASREF Propiedades

Densidad y estado 5.3176 g/cm, slido. Solubilidad en agua < 0.1 g/100 ml (20C) Punto de fusin 1238C (1511 K) Punto de ebullicin ?C (? K) Propiedades electrnicas Ancho de banda prohibida a 300 K 1.424 eV Masa efectiva del electrn 0.067 me Masa efectiva Light hole 0.082 me Masa efectiva Heavy hole 0.45 me Movilidad del electrn a 300 K 9200 cm/(Vs) Movilidad del hueco a 300 K 400 cm/(Vs)

APLICACIONES SEMICONDUCTORES
En la industria de semiconductores se utiliza ante todo la composicin de AlGaAs/GaAs (arseniuro de galio y aluminio / arseniuro de galio) para produccin de heteroestructuras semiconductoras. Actualmente surgen muchos problemas por la eliminacin de los txicos del arsenio.

 Absorcin de energa luminosa

El arseniuro de Galio dispone una estructura semejante a la del silicio pero alternando tomos de galio y arsnico. Este tipo de estructura consigue una gran absorcin con solo una fina capa de material. Las clulas de este tipo de material tienen unas caractersticas de absorcin mas optimas incluso que el silicio para absorber la energa de la radiacin solar. Presenta tambin una fuerte resistencia a la degradacin de sus caractersticas frente a las temperaturas extremas. La problemtica que le impide liderar el mercado es su proceso de fabricacin, aun no suficientemente desarrollado y por tanto, con unos costes muy elevados; a su vez los materiales con los que se fabrica (As,Ga) no son muy abundantes. Estas placas, pues, son empleadas, cuando los requerimientos de rendimiento estn por encima de los costes, como por ejemplo en el campo aeroespacial.

La absorcin de luz en materiales semiconductores nicamente puede ocurrir con niveles de energa iguales, o mayores a, la brecha de energa EN LA OPTOELECTRONICA El arseniuro de galio se utiliza en optoelectrnica en una variedad de aplicaciones de infrarrojos. El Arseniuro de galio se utiliza en diodos lser infrarrojo de alta potencia. Como un componente de semiconductores de indio nitruro de galio y nitruro de galio, se utiliza galio para producir dispositivos optoelectrnicos violeta, principalmente diodos lser y diodos emisores de luz azul. VENTAJAS Y DESVENTAJAS El arseniuro de galio, que actualmente ya se utiliza para entablar comunicaciones a travs de fibra ptica y tecnologas de radar, consigue cantidades asombrosas de electricidad. Con el silicio existe el problema de que la reduccin a escala manomtrica produce una limitacin de la cantidad de corriente que se puede producir.

CONCLUSIONES:
Comparndolo con el silicio tiene una mayor capacidad de absorcin como semiconductor pero se encuentra en el planeta en menor cantidad. Es costoso debido a su dificultad de produccin. Aunque sea ms caro las necesidades tecnolgicas harn que este, cobre ms fuerza por sus beneficios.

BIBLIOGRAFIA:
http://es.wikipedia.org/wiki/Arseniuro_de_galio http://www.investigacionyciencia.es/investigacion-yciencia/numeros/1990/4/avances-en-semiconductores-de-arseniuro-degalio-2960 http://www.siliconweek.es/noticias/un-diminuto-transitor-de-arseniuro-deindio-y-galio-pone-en-jaque-al-silicio-30564 http://www.energiasolarok.com/2010/05/arseniuro-de-galio-una-nuevadireccion.html