Ao de la Integracin Nacional y el Reconocimiento de Nuestra Diversidad

UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS GONZAGA DE ICA FACULTAD DE INGENIERA MECNICA Y ELCTRICA ESCUELA ACADMICO PROFESIONAL DE INGENIERA ELETRNICA

Curso Informe N Ttulo Alumno Especialidad Ao Grupo Profesor

: Circuitos Digitales II. :1 : Circuito con transistor MOSFET. : Lavarello Bernaola, Francesco. : Ing. Electrnica : VIEE-1 :A : Ing. JORGE PACHAS.

ICA-PERU 2013

TRANSISTOR MOSFET

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INTRODUCCIN
Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a que el concepto bsico de los FET se conoca ya en 1930, estos dispositivos slo empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la dcada de los 60. Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con los BJT, los transistores MOS ocupan menos espacio, es decir, dentro de un circuito integrado puede incorporase un nmero mayor. Adems su proceso de fabricacin es tambin ms simple. Adems, existe un gran nmero de funciones lgicas que pueden ser implementadas nicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrnica digital. Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado a que ocupen un lugar importante dentro de la industria, desplazando a los viejos BJT a otros fines. Los MOSFET de potencia son muy populares para aplicaciones de baja tensin, baja potencia y conmutacin resistiva en altas frecuencias, como fuentes de alimentacin conmutadas, motores sin escobillas y aplicaciones como robtica, CNC y electrodomsticos. La mayora de sistemas como lmparas, motores, drivers de estado slido, electrodomsticos, etc. utilizan dispositivos de control, los cuales controlan el flujo de energa que se transfiere a la carga. Estos dispositivos logran alta eficiencia variando su ciclo de trabajo para regular la tensin de salida. Para realizar la parte de conmutacin, existen varios dispositivos semiconductores, a continuacin se muestra una tabla con algunos de ellos.

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ndice Pg. 1.-Transistores mosfet 2.-Estructura del mosfet 3.-Principio de operacin 4.-Regiones de operaciones 5.-Aplicaciones 6.-Circuito utilizando el transistor mosfet 4 5 6 6 9 12

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Marco terico
1.-TRANSISTOR MOSFET:
MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada, es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada uno entrega una parte a la corriente total. El transistor MOSFET, como veremos, est basado en la estructura MOS. En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensin entre el electrodo de la Puerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias al efecto de campo. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal, que tambin es conocida como la zona de inversin. Uno de los motivos que impuls su desarrollo es que los transistores bipolares presentan limitaciones. Es un dispositivo controlado por tensin, Es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la pequea corriente necesaria para estrangular o liberar el canal. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutacin. Su velocidad permite disear etapas con grandes anchos de banda minimizando, as, lo que se denomina distorsin por fase. La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El xido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prcticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia. Tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P, En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain). En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain):

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2.-ESTRUCTURA DE MOSFET:
La estructura MOS est compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de Oxido de Silicio (SiO2) que, posee caractersticas dielctricas o aislantes, lo que presenta una alta impedancia de entrada. Por ltimo, sobre esta capa, se coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee caractersticas conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto hmico, en contacto con la capsula, como se ve en la figura.

La estructura MOS, acta como un condensador de placas paralelas en el que G y B son las placas y el xido, el aislante. De este modo, cuando VGB=0, la carga acumulada es cero y la distribucin de portadores es aleatoria y se corresponde al estado de equilibrio en el semiconductor. Cuando VGB>0, aparece un campo elctrico entre los terminales de Puerta y substrato. La regin semiconductora p responde creando una regin de empobrecimiento de cargas + libres p (zona de deplexin), al igual que ocurriera en la regin P de una unin PN cuando estaba polarizada negativamente. Esta regin de iones negativos, se incrementa con V GB. Al llegar a la regin de VGB, los iones presentes en la zona semiconductora de empobrecimiento, no pueden compensar el campo elctrico y se provoca la acumulacin de cargas negativas libres (e ) atrados por el terminal positivo. Se dice entonces que la estructura ha pasado de estar en inversin dbil a inversin fuerte. El proceso de inversin se identifica con el cambio de polaridad del substrato, debajo de la regin de Puerta. En inversin fuerte, se forma as un CANAL de e libres, en las + proximidades del terminal de Puerta (Gate) y de huecos p en el extremo de la Puerta. La intensidad de Puerta IG, es cero puesto que, en continua se comporta como un condensador (GB). Por lo tanto, podemos decir que, la impedancia desde la Puerta al substrato es prcticamente infinita e IG=0 siempre en esttica. Bsicamente, la estructura MOS permite crear una densidad de portadores libres suficiente para sustentar una corriente elctrica.

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3.- PRINCIPIO DE OPERACIN:

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensin en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensin aplicada a la compuerta. En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica una tensin negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atrados hacia la compuerta y pasan a travs del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensin aplicada a la compuerta. Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.

4.-REGIONES DE OPERACIN:
Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el canal se contrae en el lado del Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto, ms baja y la zona de transicin ms ancha. Es decir, siempre que exista canal estaremos en regin hmica y el dispositivo presentar baja resistencia.

La operacin de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de operacin diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales. Para un transistor MOSFET N

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de

enriquecimiento

se

tienen

las

siguientes

regiones: regin

de

corte, regin

hmica y regin de saturacin. Regin de corte. El transistor estar en esta regin, cuando VGS <Vt. En estas condiciones el transistor MOSFET, equivale elctricamente a un circuito abierto, entre los terminales del DrenadorSurtidor. De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin, el dispositivo se encuentra apagado. No hay conduccin entre Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto. Regin hmica. Cuando un MOSFET est polarizado en la regin hmica, el valor de RDS(on) viene dado por la VDS(on) = ID(on) x RDS(on) En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de R DS(on) a una corriente de Drenaje (ID) especfica y el voltaje Puerta-Surtidor. Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 0'1 A; entonces, Rds(on) = 1V = 10 Ohms 100Ma As mismo, el transistor estar en la regin hmica, cuando VGS >Vt y VDS <( VGS Vt ). El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y Surtidor. El valor de esta resistencia vara dependiendo del valor que tenga la tensin entre la Puerta y el Surtidor (VGS). Regin de Saturacin. El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensin entre el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensin de saturacin (Vdssat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas caractersticas proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET mantiene constante su corriente de Drenador (ID), independientemente del valor de tensin que haya entre el Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente continua de valor I D. Es decir; el MOSFET estar en esta regin, cuando VGS >Vt y VDS >( VGS Vt ). O sea, estaremos en la regin de saturacin cuando el canal se interrumpe o estrangula, lo que sucede cuando: VDS VGS - VTRegin de saturacin expresin:

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Cuando la tensin entre Drenador y Fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin, bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del Drenador y desaparece. La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es debido al campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.

En la figura anterior, la parte casi vertical corresponde a la zona hmica, y la parte casi horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET de enriquecimiento, puede funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras, puede actuar como una resistencia o como una fuente de corriente. El uso principal est en la zona hmica. Regin de Ruptura. Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades semiconductoras y se puede llegar a romper el componente fsico. La palabra ruptura hace referencia a que se rompe la unin semiconductora de la parte del terminal del drenador. Los transistores unipolares estn limitados en tres magnitudes elctricas: -En tensin: no se puede superar el valor mximo de tensin entre la puerta y el surtidor. Este valor se denominaBVgs. Tampoco se puede superar un valor mximo de tensin entre el drenador y el surtidor denominado BVds. -En corriente: no se puede superar un valor de corriente por el drenador, conocido como Idmax. -En potencia: este lmite viene marcado por Pdmax, y es la mxima potencia que puede disipar el componente. Resumiendo: Mxima Tensin Puerta-Fuente. La delgada capa de dixido de silicio en el MOSFET funciona como aislante, el cual, impide el paso de corriente de Puerta, tanto para tensiones de Puerta negativas como positivas. Muchos MOSFET estn protegidos con diodos zener

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internos, en paralelo con la Puerta y la Fuente. La tensin del zener, es menor que la tensin Puerta-Fuente que soporta el MOSFET VGS(Max). Zona hmica. El MOSFET es un dispositivo de conmutacin, por lo que evitaremos, en lo posible, polarizarlo en la zona activa. La tensin de entrada tpica tomar un valor bajo o alto. La tensin baja es 0 V, y la tensin alta es VGS(on), especificado en hojas de caractersticas. Drenador-Fuente en resistencia. Cuando un MOSFET de enriquecimiento se polariza en la zona activa, es equivalente a una resistencia de RDS(on), especificada en hojas de caractersticas. En la curva caracterstica existe un punto Q test en la zona hmica. En este punto, ID(on) y VDS(on) estn determinados, con los cuales se calcula RDS(on).

5.-APLICACIN:
El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos ventajas sobre los MESFETs y los JFETs y ellas son: En la regin activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de amplificacin muy lineal.

El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFETs de canal n en modo de vaciamiento pueden operar desde la regin de modo de vaciamiento (-Vg) a la regin de modo de enriquecimiento (+Vg). Capacitancia en el MOSFET Dos capacitancias son importantes en un conmutador de encendido-apagado con MOSFET. stas son Cgs entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. Cada valor de capacitancia es una funcin no lineal del voltaje. El valor para Cgs tiene solamente una variacin pequea, pero en Cgd, cuando uDG haya pasado a travs de cero, es muy significativa. Cualquier desprecio de estas variaciones crea un error substancial en la carga que es requerida en Gate que es necesaria para estabilizar una condicin dada de operacin. Encendido En la mayora de los circuitos con MOSFET, el objetivo es encenderlo tan rpido como sea posible para minimizar las prdidas por conmutacin. Para lograrlo, el circuito manejador del gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente para incrementar rpidamente el voltaje de gatillo al valor requerido. Apagado Para apagar el MOSFET, el voltaje gate-fuente debe reducirse en accin inversa como fue hecho para encenderlo. La secuencia particular de la corriente y el voltaje depende de los arreglos del circuito externo.

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rea segura de operacin El rea segura de operacin del MOSFET est limitada por tres variables que forman los lmites de una operacin aceptable. Estos lmites son: 1. Corriente mxima pulsante de drenaje 2. Voltaje mximo drenaje-fuente 3. Temperatura mxima de unin. Prdidas del MOSFET Las prdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la seleccin de un dispositivo de conmutacin. La eleccin no es sencilla, pues no puede decirse que el MOSFET tenga menores o mayores prdidas que un BJT en un valor especfico de corriente. Las prdidas por conmutacin en el encendido y apagado juegan un papel ms importante en la seleccin. La frecuencia de conmutacin es tambin muy importante.

6.-CONCLUSIONES:
El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutacin presenta una gran versatilidad de trabajo;este puede reemplazar dispostivos como el jfet. Los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia esto es una gran ventaja ya que pueden ser utilizados en una gran gama de aplicaciones Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. Gracias a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.

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7.-CIRCUITO UTILIZANDO TRANSISTOR MOSFET:

Elementos utilizados: 1 potencimetro de 100k. 6 diodos leds. 1 transistor mosfet 2N7000 1-2 condensadores electrolticos 1uf,47uf. 6 resistencias 4.7k, 2.2k,100,3-330. Fuente de 9 o 12v. Un circuito integrado NE555.

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